JPS5999370A - 磁気抵抗素子を具える磁気検出器の製造方法 - Google Patents
磁気抵抗素子を具える磁気検出器の製造方法Info
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- JPS5999370A JPS5999370A JP57209583A JP20958382A JPS5999370A JP S5999370 A JPS5999370 A JP S5999370A JP 57209583 A JP57209583 A JP 57209583A JP 20958382 A JP20958382 A JP 20958382A JP S5999370 A JPS5999370 A JP S5999370A
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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-
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ハリニアエンコーダ、ロータリーエンフーダ等の
エンコーダの磁帆化パターンの検出や、磁気テープ、磁
気ディスク等の磁気記録媒体に記録された１１の読み取
りを行なうための磁気抵抗素子を具える磁気検出器の装
荷方法に関するものである。
エンコーダの磁帆化パターンの検出や、磁気テープ、磁
気ディスク等の磁気記録媒体に記録された１１の読み取
りを行なうための磁気抵抗素子を具える磁気検出器の装
荷方法に関するものである。
このような磁気抵抗素子を具える磁気検出器として、磁
気抵抗素子を２個設け、相互に磁気的バイアスを与える
ようにしたものが特公昭５３−８７２０４・号公報およ
び同５３−３７２０５号公報などに記載されており、公
知である。このような相反磁気バイアス形の磁気検出器
は例えば絶縁基板上に第１の磁気抵抗膜、絶縁膜および
第２の磁気抵抗膜を順次Ｇこ被着して構成されているが
、安定した検出出力を得るためには、第１および第２の
磁気抵抗膜が同一の磁気特性を有することが必要となる
。このような磁気検出器を製命する方法としては、基板
上に第１磁気抵抗膜および電極膜を蒸着し、フォトエツ
チング等によりバターニングした後、絶縁膜を蒸着し、
さらにその上に第２磁気抵抗膜および電極膜を蒸着して
バターニングする方法が一般的に考えられる。しかしな
がら１、このような調性方法では、蒸着、フォトエツチ
ングの工程が多くなり、Ｑの工程が複雑となる欠点があ
る。また、第１および第２の磁気抵抗膜は別々の工程で
バターニングするため、寸法ｍｌが麿１−く、同一の寸
法とならず、磁気特性に差異が現わ・れる欠点がある。
気抵抗素子を２個設け、相互に磁気的バイアスを与える
ようにしたものが特公昭５３−８７２０４・号公報およ
び同５３−３７２０５号公報などに記載されており、公
知である。このような相反磁気バイアス形の磁気検出器
は例えば絶縁基板上に第１の磁気抵抗膜、絶縁膜および
第２の磁気抵抗膜を順次Ｇこ被着して構成されているが
、安定した検出出力を得るためには、第１および第２の
磁気抵抗膜が同一の磁気特性を有することが必要となる
。このような磁気検出器を製命する方法としては、基板
上に第１磁気抵抗膜および電極膜を蒸着し、フォトエツ
チング等によりバターニングした後、絶縁膜を蒸着し、
さらにその上に第２磁気抵抗膜および電極膜を蒸着して
バターニングする方法が一般的に考えられる。しかしな
がら１、このような調性方法では、蒸着、フォトエツチ
ングの工程が多くなり、Ｑの工程が複雑となる欠点があ
る。また、第１および第２の磁気抵抗膜は別々の工程で
バターニングするため、寸法ｍｌが麿１−く、同一の寸
法とならず、磁気特性に差異が現わ・れる欠点がある。
また、第１および第２の磁気抵抗膜に対する電気的接辰
部を形成する場合に知略が生じ易い欠点もある。
部を形成する場合に知略が生じ易い欠点もある。
本発明の目的は上述した種々の欠点を除去し、安定な検
出特性を有する磁気検出器な簡単かつ正確に製命するこ
とができる方法を提供しようとするものである。
出特性を有する磁気検出器な簡単かつ正確に製命するこ
とができる方法を提供しようとするものである。
本発明は、磁気抵抗素子を具える磁気検出器を製ａする
に当たり、基板上に少なくとも第１の磁気抵抗膜、絶縁
膜および第２の磁気抵抗膜を被着した後、レジスト膜を
被着し、所望のパターンに従って前記レジスト膜を選択
的に除去した後、自ｊＪ記第１磁気抵抗膜、絶縁膜およ
び第２磁気抵抗膜に対して同時にエツチング処理を施し
て上下に積層された第１および第２の磁気抵抗素子を形
成し、前記第２磁気抵抗膜および絶縁膜にスルーホール
をあけて第１磁気抵抗素子に対する接点を形成すること
を特徴とするものである。
に当たり、基板上に少なくとも第１の磁気抵抗膜、絶縁
膜および第２の磁気抵抗膜を被着した後、レジスト膜を
被着し、所望のパターンに従って前記レジスト膜を選択
的に除去した後、自ｊＪ記第１磁気抵抗膜、絶縁膜およ
び第２磁気抵抗膜に対して同時にエツチング処理を施し
て上下に積層された第１および第２の磁気抵抗素子を形
成し、前記第２磁気抵抗膜および絶縁膜にスルーホール
をあけて第１磁気抵抗素子に対する接点を形成すること
を特徴とするものである。
このような本発明の方法しこよれば、第１および第２の
磁気抵抗素子は同一のマスクにより同時にバターニング
されるため、これらの寸法、形状は精密に一致したもの
となり、磁気特性の揃ったものとなると共に＊ａ工程も
簡単となる。
磁気抵抗素子は同一のマスクにより同時にバターニング
されるため、これらの寸法、形状は精密に一致したもの
となり、磁気特性の揃ったものとなると共に＊ａ工程も
簡単となる。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図Ａは本発明の方法によって＠萌すべき磁気検出器
の一例の構成を示す線図的平面図であり、第１図Ｂは線
図的斜視図である。第１図ＡおよびＢでは図面を明瞭と
するために上側の絶縁層は省いであると共に第１図Ａに
おいては磁気抵抗膜には斜線を酊けて示した。本例では
４個の磁気抵抗素子はガラス基板Ｓの上に形成されてお
り、素子ＭＨＩ、ＭＲ８とＭＲ２，ＭＲ４との間には絶
縁膜ＩＮＳが介挿されている。４つの磁気抵抗素子・Ｍ
ＲＩ〜ＭＲ４は第２図に示すようにブリッジ回路を構成
するように接続されている。すなわち、下側の素子ＭＨ
ＩとＭＲ３の一端は接点ＣＩおよび０２で導体Ｌ１に接
続され、この導体は端子Ｔ１（こ接続されている。上側
の素子ＭＲ２とＭＲ４の一端は接点Ｃ８およびＣ４で導
体Ｌ２Ｇこ接続さへこの導体は端子Ｔ２に接続されてい
る。下側の素子ＭＲＩの他端は接点Ｃ５および導体Ｌ３
を紗て端子Ｔ３に接秒され、上側の素子ＭＲ２の他端は
接点Ｃ６および導体Ｌ４を経て端子Ｔ４に接続され、下
側の素子ＭＲ８の他端は接点Ｃ７および導体Ｌ５を経て
端子Ｔ５に接続され、上側の素子ＫＲ４の他端は接点Ｃ
８および導体Ｌ６を経て端子Ｔ６に接続されている。第
１図Ａにおいては、下側の素子ＭＨＩおよびＭＲ３に対
する接点は２重枠で示しである。第２図に示すように、
端子ＴＩおよびＴ２はブリッジ回路の出力端子であり、
差動増幅器ＤＡの差動入力端子に接続−され、端子Ｔ８
とＴ４は電源Ｅの正端子に共通に接続され、端子Ｔ５と
Ｔ６は負端子に共通に接続される。したがって端子Ｔ３
とＴ４およびＴ５とＴ６はそれぞれ１個の端子とするこ
ともできるが、ａＪａ工程途中で磁気抵抗素子の短絡試
験などを行なうためには、上述したように別個に端子を
設けておくのが好適である。
の一例の構成を示す線図的平面図であり、第１図Ｂは線
図的斜視図である。第１図ＡおよびＢでは図面を明瞭と
するために上側の絶縁層は省いであると共に第１図Ａに
おいては磁気抵抗膜には斜線を酊けて示した。本例では
４個の磁気抵抗素子はガラス基板Ｓの上に形成されてお
り、素子ＭＨＩ、ＭＲ８とＭＲ２，ＭＲ４との間には絶
縁膜ＩＮＳが介挿されている。４つの磁気抵抗素子・Ｍ
ＲＩ〜ＭＲ４は第２図に示すようにブリッジ回路を構成
するように接続されている。すなわち、下側の素子ＭＨ
ＩとＭＲ３の一端は接点ＣＩおよび０２で導体Ｌ１に接
続され、この導体は端子Ｔ１（こ接続されている。上側
の素子ＭＲ２とＭＲ４の一端は接点Ｃ８およびＣ４で導
体Ｌ２Ｇこ接続さへこの導体は端子Ｔ２に接続されてい
る。下側の素子ＭＲＩの他端は接点Ｃ５および導体Ｌ３
を紗て端子Ｔ３に接秒され、上側の素子ＭＲ２の他端は
接点Ｃ６および導体Ｌ４を経て端子Ｔ４に接続され、下
側の素子ＭＲ８の他端は接点Ｃ７および導体Ｌ５を経て
端子Ｔ５に接続され、上側の素子ＫＲ４の他端は接点Ｃ
８および導体Ｌ６を経て端子Ｔ６に接続されている。第
１図Ａにおいては、下側の素子ＭＨＩおよびＭＲ３に対
する接点は２重枠で示しである。第２図に示すように、
端子ＴＩおよびＴ２はブリッジ回路の出力端子であり、
差動増幅器ＤＡの差動入力端子に接続−され、端子Ｔ８
とＴ４は電源Ｅの正端子に共通に接続され、端子Ｔ５と
Ｔ６は負端子に共通に接続される。したがって端子Ｔ３
とＴ４およびＴ５とＴ６はそれぞれ１個の端子とするこ
ともできるが、ａＪａ工程途中で磁気抵抗素子の短絡試
験などを行なうためには、上述したように別個に端子を
設けておくのが好適である。
次に、上述した磁気検出器を装面する本発明の詳細な説
明する。
明する。
実施例工
先ず、第３図に示すように、ガラス基板１上に８１％Ｎ
ｉ−１９％Ｆｅのパーマロイ合金より成る１０厚さ３０
０人の第１磁気抵抗膜２、ＳｉＯ２より成る厚さ２００
０人の絶縁膜８Ｆ５よびパーマロイ合金より成る厚さ８
００人の第２磁気抵抗膜４を順次に蒸着した後、ポジタ
イプのフォトレジスト膜５を被着する。この蒸着中、基
板１は例えば３００℃の温度に加熱しておく。フォトレ
ジスト膜５としては、例えばドライエツチング用のＡＺ
−１８５０を用いることができる。
ｉ−１９％Ｆｅのパーマロイ合金より成る１０厚さ３０
０人の第１磁気抵抗膜２、ＳｉＯ２より成る厚さ２００
０人の絶縁膜８Ｆ５よびパーマロイ合金より成る厚さ８
００人の第２磁気抵抗膜４を順次に蒸着した後、ポジタ
イプのフォトレジスト膜５を被着する。この蒸着中、基
板１は例えば３００℃の温度に加熱しておく。フォトレ
ジスト膜５としては、例えばドライエツチング用のＡＺ
−１８５０を用いることができる。
次に、第４図に示すように、形成すべき磁気抵抗素子の
パターンに対応する所望の／ぐターンを有スルフォトマ
スク６を用いて光を選択的に照射し、フォトマスク６の
透明部分６ａを透過した光が当ったフォトレジスト膜５
の非硬化部分を除去する。
パターンに対応する所望の／ぐターンを有スルフォトマ
スク６を用いて光を選択的に照射し、フォトマスク６の
透明部分６ａを透過した光が当ったフォトレジスト膜５
の非硬化部分を除去する。
本例ではフォトマスク６により形成される磁気抵抗素子
の険さＬを約１ ａｍとし、幅Ｗを５０μとする。
の険さＬを約１ ａｍとし、幅Ｗを５０μとする。
次ニＣＦ、ガス、ＣＣ３ｔ、ガスおよび０２ガスを含む
混合ガスによりドライエツチングを行なって、光が照射
した領域で第１および第２の磁気抵抗ｅ、２および４並
びに絶縁膜３を同時に腐食除去する。
混合ガスによりドライエツチングを行なって、光が照射
した領域で第１および第２の磁気抵抗ｅ、２および４並
びに絶縁膜３を同時に腐食除去する。
この場合、（３Ｆ、ガスはＳｉｏ２絶縁膜３を除去し、
ＣＣｌ ガスはＦｅＮｉ磁気抵抗膜２および４を除去
し、０ ガスはこのＣＣＺ、による除去作用を助ける作
用をする。勿論このエツチングはウェットエツチングで
も、Ａｒガス中でのスパッタエツチングでもよい。例え
ばウェットエツチングを行なう場合には、ＳｉＯ２絶縁
膜８はブイ酸系エッチャントで除去でき、ＦｅＮｉ磁気
抵抗膜２，４は＠酸混液で除去することができる。この
ように第１および第２の磁気抵抗膜２および４並びに絶
縁膜８を１回のエツチング処理によって除去するため、
上下に積層される第１および第２の磁気抵抗素子のパタ
ーンは完全に一致し、磁気特性も一致すると共に製ｎ工
程も簡単となる。また、第１および第８の磁気抵抗素子
および第２および第４の磁気抵抗素子はそれぞれ第１お
よび第２の磁気抵抗膜２および虫から形成されるので、
これらの素子の膜厚はそれぞれ等しくなり、磁気特性は
さらに揃ったものとなる。
ＣＣｌ ガスはＦｅＮｉ磁気抵抗膜２および４を除去
し、０ ガスはこのＣＣＺ、による除去作用を助ける作
用をする。勿論このエツチングはウェットエツチングで
も、Ａｒガス中でのスパッタエツチングでもよい。例え
ばウェットエツチングを行なう場合には、ＳｉＯ２絶縁
膜８はブイ酸系エッチャントで除去でき、ＦｅＮｉ磁気
抵抗膜２，４は＠酸混液で除去することができる。この
ように第１および第２の磁気抵抗膜２および４並びに絶
縁膜８を１回のエツチング処理によって除去するため、
上下に積層される第１および第２の磁気抵抗素子のパタ
ーンは完全に一致し、磁気特性も一致すると共に製ｎ工
程も簡単となる。また、第１および第８の磁気抵抗素子
および第２および第４の磁気抵抗素子はそれぞれ第１お
よび第２の磁気抵抗膜２および虫から形成されるので、
これらの素子の膜厚はそれぞれ等しくなり、磁気特性は
さらに揃ったものとなる。
次に、第２磁気抵抗膜４上に残存するフォトレジスト膜
５を除去した後、第５図に示すように新たなネガタイプ
の７オトレジスト膜７を形成する。
５を除去した後、第５図に示すように新たなネガタイプ
の７オトレジスト膜７を形成する。
ざらに適当なフォトマスク（第１７図参照）を用いて、
第１磁気抵抗膜２に対する接点を形成すべき位置におい
てフォトレジスト膜７に孔７ａをあける。この孔７ａを
通してエツチングを施こし、第６図に示すように第２磁
気抵抗膜４および絶縁膜８に孔４ａおよび８ａをあけ、
第１磁気抵抗膜２に達するスルーホール８を形成する。
第１磁気抵抗膜２に対する接点を形成すべき位置におい
てフォトレジスト膜７に孔７ａをあける。この孔７ａを
通してエツチングを施こし、第６図に示すように第２磁
気抵抗膜４および絶縁膜８に孔４ａおよび８ａをあけ、
第１磁気抵抗膜２に達するスルーホール８を形成する。
次に、第８図に示すようにネガタイプのポリイ、ミド系
の絶縁性フォトレジスト膜９を被着した後、適当なフォ
トマスク（第２０図参照）を用いてスルーホール８の中
にそれよりも小さい孔９ａを形成すると共に第２磁気抵
抗膜４に対する接点を形成すべき位置に孔９ｂをあけ、
第１および２：２の磁気抵抗膜２および４の一部分を露
出させる。この絶縁性フォトレジスト膜９は剥離せずに
そのまま残存させ、その上に第８図に示すようにＭＯ−
Ａｕより成る二重構伍の金属膜１０を被着する。これら
の金属の蒸着は基板ｌを２５０℃の温度に加熱し、ＭＯ
層が２０００人、Ａｕ層が５００ＯＡ＋７）厚さとなる
ように行なう。次にポジタイプの７オトレジスト膜を被
着した後、第９図に示すような導体パターンを有するフ
ォトマスク１１を用いて金属膜ｌＯを選択的に除去し、
パターニングする。
の絶縁性フォトレジスト膜９を被着した後、適当なフォ
トマスク（第２０図参照）を用いてスルーホール８の中
にそれよりも小さい孔９ａを形成すると共に第２磁気抵
抗膜４に対する接点を形成すべき位置に孔９ｂをあけ、
第１および２：２の磁気抵抗膜２および４の一部分を露
出させる。この絶縁性フォトレジスト膜９は剥離せずに
そのまま残存させ、その上に第８図に示すようにＭＯ−
Ａｕより成る二重構伍の金属膜１０を被着する。これら
の金属の蒸着は基板ｌを２５０℃の温度に加熱し、ＭＯ
層が２０００人、Ａｕ層が５００ＯＡ＋７）厚さとなる
ように行なう。次にポジタイプの７オトレジスト膜を被
着した後、第９図に示すような導体パターンを有するフ
ォトマスク１１を用いて金属膜ｌＯを選択的に除去し、
パターニングする。
この際のエッチャントとしては、ＭＯに対しては硝酸第
二七リウムアンモン系のもの、Ａｕに対してはヨウ化カ
リウム系のものを用いることができる。
二七リウムアンモン系のもの、Ａｕに対してはヨウ化カ
リウム系のものを用いることができる。
最後にパターニングされた金Ｍ膜１０上に残存するフォ
トレジストを除去することにより第１０図に示すような
磁気検出器が得られる。
トレジストを除去することにより第１０図に示すような
磁気検出器が得られる。
上述したように、本発明では第１および第２の磁気抵抗
膜２および４並びにそれらの間に介挿される絶縁膜３を
同一のエツチング工程により除去するので、上下に積層
される第１および第２の磁気抵抗素子の外形寸法は精密
に一致したものとなり、これら素子の磁気特性は一致し
たものとなると共に製醸工程も少なくなる。また、下側
にある第１磁気抵抗膜２に対する接点を形成するため、
絶縁性の７オトレジスト＄９を被着し、このフォトレジ
スト膜９に孔９ａをあけ、その後に金属膜ｌＯを被着す
るので、第１および第２磁気抵抗膜２および４間の短４
絡を有効昏こ防止することができる。
膜２および４並びにそれらの間に介挿される絶縁膜３を
同一のエツチング工程により除去するので、上下に積層
される第１および第２の磁気抵抗素子の外形寸法は精密
に一致したものとなり、これら素子の磁気特性は一致し
たものとなると共に製醸工程も少なくなる。また、下側
にある第１磁気抵抗膜２に対する接点を形成するため、
絶縁性の７オトレジスト＄９を被着し、このフォトレジ
スト膜９に孔９ａをあけ、その後に金属膜ｌＯを被着す
るので、第１および第２磁気抵抗膜２および４間の短４
絡を有効昏こ防止することができる。
実施例■
本実施例においては第１１図に示すようにガラス基板２
１の上にＮｉＦｅパーマロイより成る第１の磁気抵抗膜
２２ 、Ｔａ、Ｏ，より成る第１絶縁膜２８、ＮｉＥ’
ｅパーマロイより成る第２ｒ＃ｉ気抵抗膜２４およびＳ
ｉｎ、より成る第２絶縁膜２５を順次に蒸着９する。こ
のように、本例では材質の異なる第１および第２の絶縁
膜２３および２５を用いる点が重要である。次にポジタ
イプの７オトレジスト膜２６を被着しだ後第４図に示し
たフォトマスク６を用いてフォトレジスト膜２６を部分
的に除去した後、第１２図に示すようにＯＦ、ガス、ａ
Ｃｔ、ガスおよび０２ガスを含むガスエッチャントを用
いて４つの膜２２〜２５を同一工程で順次に除去する。
１の上にＮｉＦｅパーマロイより成る第１の磁気抵抗膜
２２ 、Ｔａ、Ｏ，より成る第１絶縁膜２８、ＮｉＥ’
ｅパーマロイより成る第２ｒ＃ｉ気抵抗膜２４およびＳ
ｉｎ、より成る第２絶縁膜２５を順次に蒸着９する。こ
のように、本例では材質の異なる第１および第２の絶縁
膜２３および２５を用いる点が重要である。次にポジタ
イプの７オトレジスト膜２６を被着しだ後第４図に示し
たフォトマスク６を用いてフォトレジスト膜２６を部分
的に除去した後、第１２図に示すようにＯＦ、ガス、ａ
Ｃｔ、ガスおよび０２ガスを含むガスエッチャントを用
いて４つの膜２２〜２５を同一工程で順次に除去する。
次に第１８図に示すように新たなフォトレジスト膜２７
を被着した後、第２磁気抵抗膜２４に対する接点を形成
すべき位置に孔２７ａをあけ、Ｓｉｎ、より成る第２絶
縁膜２５を浸すが、Ｔａ２Ｏ。
を被着した後、第２磁気抵抗膜２４に対する接点を形成
すべき位置に孔２７ａをあけ、Ｓｉｎ、より成る第２絶
縁膜２５を浸すが、Ｔａ２Ｏ。
より成る第１絶縁膜２３は侵さないエッチャントを用い
て第２絶縁膜２５に孔２５ａｉあける。このようなエッ
チャントとしてはフッ酸系エラチャン） カある。この
ようにｓ、ｉ、ｏ ２を選択的に腐食するエッチャント
を用いるため、たとえ、第２磁気抵抗膜２４にピンホー
ルがあり、このピンホールを通してエッチャントが第１
絶縁膜２３に達しても、この第１絶縁膜は除去されない
ので、第１および第２磁気抵抗股間の短絡をきわめて有
効に防止できる。以後の工程は上述した実施例工の第５
図〜第１０図に示した工程と同様である。すなわち、第
］４図Ａに示すように新たなフォトレジスト膜２８を被
着した後、第１磁気抵抗膜２２に対する接点全形成すべ
き位置に孔２１３ａをあけ、この孔を舒で第２絶縁膜２
５、第２磁気抵抗膜２４および第１絶縁膜２３を除去し
、第１磁気抵抗膜に達スルスルーホールをあける。次に
７オトレジスト１漠２Ｂを除去した後、第１４図Ｂに示
すように絶縁性の７オトレジスト膜２９を被着し、接点
に対応する位置に孔２９ａおよび２９ｂをあける。さら
にその上に第１Φ図Ｃに示すように金属膜３０を被着し
た後、第９図に示すフォトマスクを用いて金属膜３０を
バターニングした後金Ｒ膜上のフォトレジスト膜を除去
して第１４図りに示すような磁気検出器を得ることがで
きる。
て第２絶縁膜２５に孔２５ａｉあける。このようなエッ
チャントとしてはフッ酸系エラチャン） カある。この
ようにｓ、ｉ、ｏ ２を選択的に腐食するエッチャント
を用いるため、たとえ、第２磁気抵抗膜２４にピンホー
ルがあり、このピンホールを通してエッチャントが第１
絶縁膜２３に達しても、この第１絶縁膜は除去されない
ので、第１および第２磁気抵抗股間の短絡をきわめて有
効に防止できる。以後の工程は上述した実施例工の第５
図〜第１０図に示した工程と同様である。すなわち、第
］４図Ａに示すように新たなフォトレジスト膜２８を被
着した後、第１磁気抵抗膜２２に対する接点全形成すべ
き位置に孔２１３ａをあけ、この孔を舒で第２絶縁膜２
５、第２磁気抵抗膜２４および第１絶縁膜２３を除去し
、第１磁気抵抗膜に達スルスルーホールをあける。次に
７オトレジスト１漠２Ｂを除去した後、第１４図Ｂに示
すように絶縁性の７オトレジスト膜２９を被着し、接点
に対応する位置に孔２９ａおよび２９ｂをあける。さら
にその上に第１Φ図Ｃに示すように金属膜３０を被着し
た後、第９図に示すフォトマスクを用いて金属膜３０を
バターニングした後金Ｒ膜上のフォトレジスト膜を除去
して第１４図りに示すような磁気検出器を得ることがで
きる。
本実施例では上述した実施例工の効果に加え、上側の第
２磁気抵抗膜２４に対する接点を形成するために第２絶
縁膜２５に孔２５ａを形成する工程において、第２崗気
抵抗＃２４に存在する可能性のあるピンホールを介して
第１絶縁膜２３がエツチングされることがないから、電
極蒸着によりピンホールを介して第１および第２の磁気
抵抗膜２２および２４が短絡する恐れがなくなると云う
効果がある。
２磁気抵抗膜２４に対する接点を形成するために第２絶
縁膜２５に孔２５ａを形成する工程において、第２崗気
抵抗＃２４に存在する可能性のあるピンホールを介して
第１絶縁膜２３がエツチングされることがないから、電
極蒸着によりピンホールを介して第１および第２の磁気
抵抗膜２２および２４が短絡する恐れがなくなると云う
効果がある。
実施例■
本実施例においては、第１５図に示すように、シリコン
基板３１の上に厚さ５００λのＴａ、Ｏ，より成る第１
絶縁膜８２、厚さ３００ＡのＮｉＦｅパーマロイより成
る第１磁気抵抗膜８３、厚さ１５００Ａの５ｉ０２より
成る第２絶縁膜８４、厚さ５００人のＴａ、ｏ、より成
る第３絶縁膜３５、厚さ３００ＡのＮｉＦｅパーマロイ
より成る第２磁気抵抗膜８６および厚さ１５００人のＳ
ｉＯ□より成る第４絶縁膜３７の６ ｔ＊を順次に蒸着
する。この蒸着はシリコン基板３１を３００℃の温度に
加熱して行なう。
基板３１の上に厚さ５００λのＴａ、Ｏ，より成る第１
絶縁膜８２、厚さ３００ＡのＮｉＦｅパーマロイより成
る第１磁気抵抗膜８３、厚さ１５００Ａの５ｉ０２より
成る第２絶縁膜８４、厚さ５００人のＴａ、ｏ、より成
る第３絶縁膜３５、厚さ３００ＡのＮｉＦｅパーマロイ
より成る第２磁気抵抗膜８６および厚さ１５００人のＳ
ｉＯ□より成る第４絶縁膜３７の６ ｔ＊を順次に蒸着
する。この蒸着はシリコン基板３１を３００℃の温度に
加熱して行なう。
次にポジタイプのホトレジスト膜を被着した後、第４図
に示すフォトマスク６を用い、形成すべき磁気抵抗素子
に対応したバターニングを行なう。
に示すフォトマスク６を用い、形成すべき磁気抵抗素子
に対応したバターニングを行なう。
このバターニングはＴａ２０５およびＳｉｎ、より成る
絶＠膜を除去するＯＦ、ガスと、ＦｅＮｉより成る磁気
抵抗膜を除去するａＣｔ４ガスと、この００１．ガスの
作用を補助する０２ガスとを含むガスを用いるドライエ
ツチングにより行なう。このようにして６層全部全−回
のエツチング処理により除去するので工程が簡単になる
と共に上下に積層される磁気抵抗素子の寸法形状を完全
に一致させることができ、特性の等しいものが容易に得
られる。
絶＠膜を除去するＯＦ、ガスと、ＦｅＮｉより成る磁気
抵抗膜を除去するａＣｔ４ガスと、この００１．ガスの
作用を補助する０２ガスとを含むガスを用いるドライエ
ツチングにより行なう。このようにして６層全部全−回
のエツチング処理により除去するので工程が簡単になる
と共に上下に積層される磁気抵抗素子の寸法形状を完全
に一致させることができ、特性の等しいものが容易に得
られる。
次に第１６図に示すように、新たなネガタイプの７オト
レジスト膜３８全被着した後、第１７図に示すように下
側の第１磁気抵抗膜３８に対する接点を形成すべき位置
に不、透明部８９ａを形成したフォトマスク８９により
フォトレジスト膜８Ｂの対応する位置に孔８１３ａをあ
ける。
レジスト膜３８全被着した後、第１７図に示すように下
側の第１磁気抵抗膜３８に対する接点を形成すべき位置
に不、透明部８９ａを形成したフォトマスク８９により
フォトレジスト膜８Ｂの対応する位置に孔８１３ａをあ
ける。
次に、第４絶縁膜８７、第２磁気抵抗膜３６および第３
絶縁膝８７に対してエツチング処理を施こし、第１８図
に示すように第２絶縁膜８４まで達するスルーホール４
０を形成する。この場合にも、第１５図に示した工程で
用いたＯＦ４ガス、ＣＣ１，ガス、０２ガスを用いるド
ライエツングンク′を採用できる。この工程では第２絶
縁膜３４の表出ｉが露出するまで行なえばよく、この第
２絶縁１摸が５多少エツチングされてもよいので、工°
ンチンク′の制御をそれほど厳密に行なう必要はなしＡ
。また、このエツチングはウエットエ”ノチングで行な
うこともでき、この場合には５１０２に対して（ｉ）・
ノ醸糸チツチャン） 、’ｒａ、０５に対してはアルカ
１ノ糸工°ノチヤント、磁気抵抗膜を構成するＦｅＮｉ
＆こ対して＆ま強酸混液エッチャントをそれぞれ用し）
ることカへできるＯ 次に第１９図に示すようＧこネガタイプのボ１ノイミド
系の絶縁性フォトレジスト膜４１を被着した後、第２０
図に示すようなフォトマスク４２をｇ４いて、フォトレ
ジスト膜４１に孔４１ａおよび４１ｂをあける。孔４１
ａは上述したスルーホール４０の底部に形成されるもσ
）であり、これと対応スルフォトマスク４２の不透明部
を符号４２ａで示す。また、他の不透明部４２ｂ９は上
側の磁気抵抗膜８６に対する接点を形成するための孔４
１ｂ・に対応している。また、フォトマスク４２には不
透明部４２０を形成するが、これは後にボンディングす
るためにこの部分の絶縁性フォトレジスト１１０＋ｔを
除去するためのものであり、この部分に対応するフォト
レジスト膜４１の孔は第１９図では示していない。
絶縁膝８７に対してエツチング処理を施こし、第１８図
に示すように第２絶縁膜８４まで達するスルーホール４
０を形成する。この場合にも、第１５図に示した工程で
用いたＯＦ４ガス、ＣＣ１，ガス、０２ガスを用いるド
ライエツングンク′を採用できる。この工程では第２絶
縁膜３４の表出ｉが露出するまで行なえばよく、この第
２絶縁１摸が５多少エツチングされてもよいので、工°
ンチンク′の制御をそれほど厳密に行なう必要はなしＡ
。また、このエツチングはウエットエ”ノチングで行な
うこともでき、この場合には５１０２に対して（ｉ）・
ノ醸糸チツチャン） 、’ｒａ、０５に対してはアルカ
１ノ糸工°ノチヤント、磁気抵抗膜を構成するＦｅＮｉ
＆こ対して＆ま強酸混液エッチャントをそれぞれ用し）
ることカへできるＯ 次に第１９図に示すようＧこネガタイプのボ１ノイミド
系の絶縁性フォトレジスト膜４１を被着した後、第２０
図に示すようなフォトマスク４２をｇ４いて、フォトレ
ジスト膜４１に孔４１ａおよび４１ｂをあける。孔４１
ａは上述したスルーホール４０の底部に形成されるもσ
）であり、これと対応スルフォトマスク４２の不透明部
を符号４２ａで示す。また、他の不透明部４２ｂ９は上
側の磁気抵抗膜８６に対する接点を形成するための孔４
１ｂ・に対応している。また、フォトマスク４２には不
透明部４２０を形成するが、これは後にボンディングす
るためにこの部分の絶縁性フォトレジスト１１０＋ｔを
除去するためのものであり、この部分に対応するフォト
レジスト膜４１の孔は第１９図では示していない。
次に、ｉ２１図に示すようにフォトマスク４１にあけた
孔４１ａおよび４１ｂを経て５ｉｎ２より成る第２絶縁
膜３４と同じ＜ ５ｉｎ２より成る第４絶縁膜８７を、
ＳｉＯを選択的に侵すがＴａ２０５は侵さないエンチャ
ント、例えばフッ酸系エッチャントであるＨＦ＋６ＮＨ
４Ｆによりウェットエ・スチングして除去し、それぞれ
第１および第２磁気抵抗膜３３および８６に達する孔３
４ａおよび８７ａを形成する。このように、ＳｉＯ□を
選択的に腐食除去するエッチャントを用いて孔を形成す
るため、第１および第２の磁気抵抗膜３３および３６が
ピンホール全弁して短絡するのを有効に防止することが
できる。
孔４１ａおよび４１ｂを経て５ｉｎ２より成る第２絶縁
膜３４と同じ＜ ５ｉｎ２より成る第４絶縁膜８７を、
ＳｉＯを選択的に侵すがＴａ２０５は侵さないエンチャ
ント、例えばフッ酸系エッチャントであるＨＦ＋６ＮＨ
４Ｆによりウェットエ・スチングして除去し、それぞれ
第１および第２磁気抵抗膜３３および８６に達する孔３
４ａおよび８７ａを形成する。このように、ＳｉＯ□を
選択的に腐食除去するエッチャントを用いて孔を形成す
るため、第１および第２の磁気抵抗膜３３および３６が
ピンホール全弁して短絡するのを有効に防止することが
できる。
次に、第ｚ ｚＦＡに示すように、７オトレジストー１
１・膜４１上に、２０００Ａの厚さのＭＯ膜および５０
θＯＡのＡｕ膜を順次に蒸着して金属膜４８を形成する
。この間、基板８１は約２５０°Ｃの温度に加熱する。
１・膜４１上に、２０００Ａの厚さのＭＯ膜および５０
θＯＡのＡｕ膜を順次に蒸着して金属膜４８を形成する
。この間、基板８１は約２５０°Ｃの温度に加熱する。
次に、ポジタイプの７オトレジスＢ４３を被着した後、
第９図に示すフォトマスク１１′ｆｌ−用いテ金属膜４
３をパターニングして第２３図に示すような導体パター
ンを形成する。
第９図に示すフォトマスク１１′ｆｌ−用いテ金属膜４
３をパターニングして第２３図に示すような導体パター
ンを形成する。
次に、第２４図に示すように、ガラスエポキシより構成
した絶縁基板上に５μの厚さのＮｉ層の上に１μの厚さ
のＡｕ層を被着した後、所定のパターニングを行なった
ボード４４＋の金属部分４５ａ上に、上述したようにし
て形成した磁気抵抗素子チップ４６および４７を載せ、
シリコン基板３１を金属部分Φ５ａにボンディングする
。この金属部分４５ａを大面積とすることにより、これ
を介しての放熱作用が助しされる効果が得られる。上述
したように各チップ４６および４７はそれぞれ４個の磁
気抵抗素子を有しており、各チップの導体の端子Ｔ１〜
Ｔ６およびＴ １’〜Ｔ ６’はそれぞ・れ微細なワイ
ヤ４８を介してホ′−ド傷Φの導体部分４５ａおよび４
５ｂに接続する。このワイヤボンディングを良好に行な
うために、導体端子Ｔ１〜Ｔ６、Ｉ’ｌ’〜Ｔ ６’の
下側では、絶縁性フォトレジスト膜４１は上述したよう
に除去しである。
した絶縁基板上に５μの厚さのＮｉ層の上に１μの厚さ
のＡｕ層を被着した後、所定のパターニングを行なった
ボード４４＋の金属部分４５ａ上に、上述したようにし
て形成した磁気抵抗素子チップ４６および４７を載せ、
シリコン基板３１を金属部分Φ５ａにボンディングする
。この金属部分４５ａを大面積とすることにより、これ
を介しての放熱作用が助しされる効果が得られる。上述
したように各チップ４６および４７はそれぞれ４個の磁
気抵抗素子を有しており、各チップの導体の端子Ｔ１〜
Ｔ６およびＴ １’〜Ｔ ６’はそれぞ・れ微細なワイ
ヤ４８を介してホ′−ド傷Φの導体部分４５ａおよび４
５ｂに接続する。このワイヤボンディングを良好に行な
うために、導体端子Ｔ１〜Ｔ６、Ｉ’ｌ’〜Ｔ ６’の
下側では、絶縁性フォトレジスト膜４１は上述したよう
に除去しである。
これら２個の磁気抵抗素子チップ４６および４７に形成
された８ｆ固の磁気抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４およびＭＲ
Ｉ’〜Ｍ Ｒ４’は第２５図に示すように接続されるの
で、ボード４４上の端子４９ａおよび４９ｆは電源Ｅの
正および負端子にそれぞれ接続され、端子４９ｂおよび
４９０は第１差動増幅器ＤＡに接続され、端子４９ｄお
よび４９６は第２差動増幅器ＤＡ’にそれぞれ接続され
る。これら差動増幅器ＤＡおよびＤＡ’の出力は信号処
理回路ＳＰＧに供給され、ここで信号処理される。本例
の磁気検出器５０は第２６図に示すように、エンコーダ
として使用され、予しめ所定のパターンにしたがって着
磁された一対の磁化パターン５１ａおよび５１ｂと磁気
抵抗素子チップ４６および４７が位相がずれた状態で対
向するように傾斜して配置される。したがって信号処理
回路ＳＰＣからは、変位の方向および変位量を表わす信
号が出力されることになる。
された８ｆ固の磁気抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４およびＭＲ
Ｉ’〜Ｍ Ｒ４’は第２５図に示すように接続されるの
で、ボード４４上の端子４９ａおよび４９ｆは電源Ｅの
正および負端子にそれぞれ接続され、端子４９ｂおよび
４９０は第１差動増幅器ＤＡに接続され、端子４９ｄお
よび４９６は第２差動増幅器ＤＡ’にそれぞれ接続され
る。これら差動増幅器ＤＡおよびＤＡ’の出力は信号処
理回路ＳＰＧに供給され、ここで信号処理される。本例
の磁気検出器５０は第２６図に示すように、エンコーダ
として使用され、予しめ所定のパターンにしたがって着
磁された一対の磁化パターン５１ａおよび５１ｂと磁気
抵抗素子チップ４６および４７が位相がずれた状態で対
向するように傾斜して配置される。したがって信号処理
回路ＳＰＣからは、変位の方向および変位量を表わす信
号が出力されることになる。
本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、種
々の変更や変形が可能である。例えば上述した実施例で
は絶縁膜としてＳｉＯ２およびＴａ２ｏ５を用いたが、
その他の酸化物、フッ什物、チン化物を用いることがで
き、例えはフッ化物としてはＭｇＦ２、チン化物として
は５ｉ８Ｎ、を用いることがテキル。エツチングはドラ
イエツチングやウェットエツチングだけでなく、Ａｒガ
ス中でのスパッタエツチングを採用することもできる。
々の変更や変形が可能である。例えば上述した実施例で
は絶縁膜としてＳｉＯ２およびＴａ２ｏ５を用いたが、
その他の酸化物、フッ什物、チン化物を用いることがで
き、例えはフッ化物としてはＭｇＦ２、チン化物として
は５ｉ８Ｎ、を用いることがテキル。エツチングはドラ
イエツチングやウェットエツチングだけでなく、Ａｒガ
ス中でのスパッタエツチングを採用することもできる。
さらに、実施例ＨおよびＨにおいてはポリイミド系の絶
縁性フォトレジスト膜をそのまま残して絶縁膜としたが
、他の絶縁膜を被着してフォトレジスト膜は剥離しても
よい。また、上述した実施例では基板としてガラスおよ
びシリコンを用いたが、他の材料を用いることもできる
。上述した実施例では４個の磁気抵抗素子を具えるチッ
プを形成したが、上下方向に２個以上の磁気抵抗素子が
配列されるようなものであればどのようなものでも良し
Ａｏまた、上述した例では磁気エンコーダを製のする例
について説明したが、磁気テープ、磁気ディスク等の記
録媒体に記録された情報の読取へ・ノドを製盾すること
もできる。さらに上述した実施例では、フォトレジスト
膜に７オＹマスクを介して選択的にツ０を照射してエツ
チング用のマスクを杉或したが、電子ビームの照射によ
り選択的に硬化するレジスト膜を用いることもでき、こ
のような場合にはフォトマスクは不要となる。
縁性フォトレジスト膜をそのまま残して絶縁膜としたが
、他の絶縁膜を被着してフォトレジスト膜は剥離しても
よい。また、上述した実施例では基板としてガラスおよ
びシリコンを用いたが、他の材料を用いることもできる
。上述した実施例では４個の磁気抵抗素子を具えるチッ
プを形成したが、上下方向に２個以上の磁気抵抗素子が
配列されるようなものであればどのようなものでも良し
Ａｏまた、上述した例では磁気エンコーダを製のする例
について説明したが、磁気テープ、磁気ディスク等の記
録媒体に記録された情報の読取へ・ノドを製盾すること
もできる。さらに上述した実施例では、フォトレジスト
膜に７オＹマスクを介して選択的にツ０を照射してエツ
チング用のマスクを杉或したが、電子ビームの照射によ
り選択的に硬化するレジスト膜を用いることもでき、こ
のような場合にはフォトマスクは不要となる。
上述したように本発明の製ａ方法によれば、上下（こ積
重ねられた磁気抵抗素子の／ぐター＝ンクーを一回のエ
ツチング処理によって行なうため画素子の寸法、形状は
精密に一致し、磁気特性の等しい被着する以前に絶縁膜
によってスルーホールの側壁を波防するので短絡を有効
に防止することができる。この場合、絶縁膜として絶縁
性のレジスト膜を用いると工程はさらに少なくなる効果
がある。
重ねられた磁気抵抗素子の／ぐター＝ンクーを一回のエ
ツチング処理によって行なうため画素子の寸法、形状は
精密に一致し、磁気特性の等しい被着する以前に絶縁膜
によってスルーホールの側壁を波防するので短絡を有効
に防止することができる。この場合、絶縁膜として絶縁
性のレジスト膜を用いると工程はさらに少なくなる効果
がある。
さらに実施例■および■のように、異種の絶縁膜を用い
て選択エツチングを行なうことにより、ピンホールを介
しての短絡を有効に防止することができる。さらに、実
施例■では基板としてシリコンを用いるので放熱特性が
良好となり、より大きな電流を磁気抵抗素子に流すこと
ができるので、Ｓ／Ｎの高い検出出力が得られる効果も
ある。このシリコン基板は半導体製ａ分野において広く
使用されているので、容易に良質のものを入手できる利
点もある。さらにこの実施例■では各磁気抵抗素子は同
じ材質の絶縁膜で挾まれた購０となるので、磁気的特性
が揃うことになり、一層正確な検出が可能となる利点も
ある。
て選択エツチングを行なうことにより、ピンホールを介
しての短絡を有効に防止することができる。さらに、実
施例■では基板としてシリコンを用いるので放熱特性が
良好となり、より大きな電流を磁気抵抗素子に流すこと
ができるので、Ｓ／Ｎの高い検出出力が得られる効果も
ある。このシリコン基板は半導体製ａ分野において広く
使用されているので、容易に良質のものを入手できる利
点もある。さらにこの実施例■では各磁気抵抗素子は同
じ材質の絶縁膜で挾まれた購０となるので、磁気的特性
が揃うことになり、一層正確な検出が可能となる利点も
ある。
第１図ＡおよびＢは本発明の方法により製危した磁気検
出器の一例の構成を線図的に示す平面図および斜視図、 第２図は同じくその接続を示す回路図、第８図〜第１０
図は本発明の製の方法の実施例工における順次の製盾工
程およびフォトマスクを示す図、 第１５図〜第２３図Ａ〜Ｄは同じ〈実施例Ｈにおける順
次の製置工程を示す図、 第１５図〜第２３図は同じく一実施例■における順次の
調性工程およびフォトマスクを示す図、第２４図は本発
明の製）方法により置った磁気抵抗素子チップを装着し
たエンコーダを示す図、第２５図は同じくその回路図、 第２６図は同じくその使用態様を示す図である。 Ｓ・・・基板 ＭＲＩ〜ＭＲΦ・・・磁気抵抗素子 ＩＮＳ・・・絶縁膜 Ｃ１〜Ｃ８・・・接点Ｌ】
〜Ｌ６・・・導体 ’＋２１＋８１・・・基板 ２．４．２２．２蛋、８８．３６・・・磁気抵抗膜８．
２８．２５，３２．ｌｊ、３５．３７・・・絶縁膜５．
７．９．２６，２７，２Ｂ、２９，３８．４１・・・フ
ォトレジスト膜 １０，３０，４１２・・・
金属膜６．１１，３９，４１２・、・フォトマスク。 第１図 Ａ Ｋ’ｔ’ｒ ２ ｉ”ｊ！ 第８図 て、：＞４．７−５ｊ１ で、’ｒ ５ Ｊ＝−ζ１ １バ１７５・１ Ｚ、／ 第８図 第９ν１ 第１Ｏ）夏 ”−ｊ’Ｊ １１１ヌ１ ↑；゛イ１２！−、； ′’ｊ’； 、１３ ’ｊ”！ ２２ ２３ Ｊｉ’、１４図 づ＋’？１５ｆ・］ ；ｒ＜１６１’ζ（ 、：°・１７Ｊ−１（ ’ｊｒ’ｔ １８１−”こ１ 畜１９：＝＋ ’、５２０Ｊ゛“・：１ ご、ｉ２目、ゴ 二ｒ−ｒ２２ｘ−’ｒ ５．・２８１゛、′１ ３２ ３３ ３４ ３５ 第２４図 ↑：’Ｓ２５！”！ ・′、：“２６ ｙｉｔ ｎ
出器の一例の構成を線図的に示す平面図および斜視図、 第２図は同じくその接続を示す回路図、第８図〜第１０
図は本発明の製の方法の実施例工における順次の製盾工
程およびフォトマスクを示す図、 第１５図〜第２３図Ａ〜Ｄは同じ〈実施例Ｈにおける順
次の製置工程を示す図、 第１５図〜第２３図は同じく一実施例■における順次の
調性工程およびフォトマスクを示す図、第２４図は本発
明の製）方法により置った磁気抵抗素子チップを装着し
たエンコーダを示す図、第２５図は同じくその回路図、 第２６図は同じくその使用態様を示す図である。 Ｓ・・・基板 ＭＲＩ〜ＭＲΦ・・・磁気抵抗素子 ＩＮＳ・・・絶縁膜 Ｃ１〜Ｃ８・・・接点Ｌ】
〜Ｌ６・・・導体 ’＋２１＋８１・・・基板 ２．４．２２．２蛋、８８．３６・・・磁気抵抗膜８．
２８．２５，３２．ｌｊ、３５．３７・・・絶縁膜５．
７．９．２６，２７，２Ｂ、２９，３８．４１・・・フ
ォトレジスト膜 １０，３０，４１２・・・
金属膜６．１１，３９，４１２・、・フォトマスク。 第１図 Ａ Ｋ’ｔ’ｒ ２ ｉ”ｊ！ 第８図 て、：＞４．７−５ｊ１ で、’ｒ ５ Ｊ＝−ζ１ １バ１７５・１ Ｚ、／ 第８図 第９ν１ 第１Ｏ）夏 ”−ｊ’Ｊ １１１ヌ１ ↑；゛イ１２！−、； ′’ｊ’； 、１３ ’ｊ”！ ２２ ２３ Ｊｉ’、１４図 づ＋’？１５ｆ・］ ；ｒ＜１６１’ζ（ 、：°・１７Ｊ−１（ ’ｊｒ’ｔ １８１−”こ１ 畜１９：＝＋ ’、５２０Ｊ゛“・：１ ご、ｉ２目、ゴ 二ｒ−ｒ２２ｘ−’ｒ ５．・２８１゛、′１ ３２ ３３ ３４ ３５ 第２４図 ↑：’Ｓ２５！”！ ・′、：“２６ ｙｉｔ ｎ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に少なくとも第１の磁気抵抗膜、絶縁膜およ
び第２の磁気抵抗膜を被着した後、レジスト膜を被着し
、所望のパターンに従って前記レジスト膜を選択的に除
去した後、前記第１磁気抵抗農、絶縁膜および第２磁気
抵抗膜に対して同時にエツチング処理を施して上下に積
層された第１および第２の磁気抵抗素子を形成し、前記
第２磁気抵抗膜および絶縁膜にスルーホールをあけて第
１磁気抵抗素子に対する接点を形成することを特徴とす
る磁気抵抗素子を具える磁気検出器の製歯方法。 ２ 前記スルーホールを形成した後、絶縁膜を被着し、
この絶縁膜の、前記スルーホールの底部および第２磁気
抵抗素子に対する接点を形成すべき位置に孔をあけた後
、金属膜を被着し、この金属膜を所望のパターンにしだ
がつてバターニングすることを特徴とする特Ｊ′＋請求
の範囲ｌ記載の製歯方法。 ＆ 前記スルーホールを形成した後に被着する絶縁膜を
絶縁性レジストを以って形成することを特徴とする特許
請求の範囲２記載の裂危方法。 表 前記基板上に、第１磁気抵抗膜、第１絶縁膜、第２
磁気抵抗膜および第１絶縁膜とはｌ（なる材料より成る
第２絶縁膜を被着した後、同時にエツチング処理を施し
て上下に積層された第１および第２の磁気抵抗素子を形
成し、前記第１の絶縁膜は侵さず第２の絶縁膜を選択的
に侵すエッチャントを用いて第２絶縁膜にスルーホール
をあけて第２の磁気抵抗素子に対する接点を形成するこ
とを特徴とする特ＷＦ請求の範囲１〜３のいずれかに記
載の製岨方法。 ＆ 基板上に第１絶縁膜、第１磁気抵抗膜、第２絶縁膜
、第８絶縁膜、第２磁気抵抗膜および第４継％絶縁膜を
順次に被着した後レジスト膜を被着し、所望のパターン
に従って前記レジスト膜を選択的に除去した後、前記６
つの膜に対して同時にエツチング処理を施して上下（こ
積増された第１および第２の磁気抵抗素子を形成し、第
１磁気抵抗素子に対する接点を形成すべき位置において
前記第４絶縁膜、第２磁気抵抗膜および第３絶縁膜を選
択的に除去してスルーホールを形成し、次に第５の絶縁
膜を被着した後、前記スルーホールの底部および第２Ｗ
ｉ気抵抗素子に対する接点を形成すべき位置において前
記第５の絶縁膜に孔をあけ、これらの孔を介して前記第
２絶縁膜および第４絶縁膜にスルーホールを形成して前
記第１および第２の磁気抵抗膜の一部を露出させ、次に
金属膜を被着した後、この金属膜を所望のパターンにし
たがってバターニングすることを特徴とする磁気抵抗素
子？具える磁気検出器の製ａ方法。 ａ 前記第５の絶縁膜を絶縁性レジス）Ｑ以って形成す
ることを特徴とする特許請求の範囲５記載の裂の方法。 ？、 前記第２および第８の絶縁膜を異なる材料で形成
シ、前記第３絶縁膜を貫通するスルーホールを形成する
際に、前記第２の絶縁膜は侵さず、第３の絶縁膜を選択
的に侵すエッチャントを用いることを特徴とする特許請
求の範Ｍ５または６記載の動滑方法。 ８、 前記第１および第３の絶縁膜と、第２Ｐ３よび第
４の絶縁膜とを累なる材料で形成し、前記第２および第
４絶縁膜にスルーホールを形成する際に、第１および第
３の絶縁膜は侵さず、第２および第４の絶縁膜を選択的
に侵すエッチャントを用いることを特徴とする特許請求
の範囲７記載の製０方法。 ９、 前記基板としてシリコン基板を用いることを特徴
とする特許請求の範囲５〜８のいずれかに記載の＠母方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57209583A JPS5999370A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 磁気抵抗素子を具える磁気検出器の製造方法 |
| DE19833343035 DE3343035A1 (de) | 1982-11-30 | 1983-11-28 | Verfahren zur herstellung eines magnet(mess)fuehlers mit mindestens zwei elementen mit magnetischer widerstandsaenderung |
| US06/556,290 US4470873A (en) | 1982-11-30 | 1983-11-30 | Method of manufacturing magnetic sensor comprising at least two magnetoresistive elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57209583A JPS5999370A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 磁気抵抗素子を具える磁気検出器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999370A true JPS5999370A (ja) | 1984-06-08 |
| JPH0130408B2 JPH0130408B2 (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=16575231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57209583A Granted JPS5999370A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 磁気抵抗素子を具える磁気検出器の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4470873A (ja) |
| JP (1) | JPS5999370A (ja) |
| DE (1) | DE3343035A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322576A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Copal Co Ltd | 積層型磁気抵抗素子の製造方法 |
| WO2010013690A1 (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | アルプス電気株式会社 | 磁気検知装置 |
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-
1982
- 1982-11-30 JP JP57209583A patent/JPS5999370A/ja active Granted
-
1983
- 1983-11-28 DE DE19833343035 patent/DE3343035A1/de active Granted
- 1983-11-30 US US06/556,290 patent/US4470873A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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| DE3343035A1 (de) | 1984-05-30 |
| US4470873A (en) | 1984-09-11 |
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