JPS62183091A - 磁気バブルメモリ素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ素子に係り、特に軟磁性体パ
ターンへのストレス低減と保護膜の接着性向上に好適な
磁気バブルメモリ素子の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来の磁気バブルメモリ素子では第２図に示すように軟
磁性体パターン５を形成後、その上に直接５ｉＯｚを用
いて保護膜６を形成していた。この場合、５ｉＯｚ保護
１ｆ４６のストレスの影響により、軟磁性体パターン５
の保磁力Ｈａが増大する。

この影響は、磁気バブルの微小化、軟磁性体パターンの
微細化に伴ない大きくなり磁気バブルの転送特性が劣化
する。この問題はイオン打込み転送路と軟磁性体転送路
が混在して成る複合型の磁気バブルメモリ素子において
も同様であり第３図に示すように軟磁性体パターン５を
形成後、ＳｉＯ２を用いて保護膜６を形成すると前記と
同様に軟磁性体パターン５のＨｃが増大するため磁気バ
ブルの転送特性が劣化する大きな要因となる。また、複
合型の磁気バブルメモリ素子においては、マイナループ
にイオン打込み転送路を用いるため、素子の大部分の領
域はイオン打込み転送路領域から成る。したがって、第
２の絶縁膜４とＳｉＯ２保護膜６とが直接、接触する領
域が広い。第２の絶縁膜４としては、導体パターン３と
交叉する軟磁性パターン５に生じる段差を低減するため
に低熱性高分子樹脂を用いる。なお、この耐熱性高分子
樹脂しては、ＰＩＱ　（日立化成（株）の商標）、ポリ
イミド系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポ
リカーボネート系樹脂、ポリアミド・イミド系樹脂、ポ
リベンツイミターゾール系樹脂、シリコン系樹脂などが
ある。この耐熱性高分子樹脂とＳｉＯ２は接着性が悪い
ために軟磁性体パターンのＨＣ増大とともに大きな問題
となる。

特開昭５５−２８５１７に開示されているように保護膜
として樹脂を用いれば第２の絶縁膜との接着性は改善さ
れる。ただし、保護膜としての強度の問題、耐湿性等の
面で劣るため実用上問題となる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、保護膜のストレスの問題、及び接着性
の面で配慮がされておらず、磁気バブルの転送特性劣化
、信頼性の面で問題があった。

本発明の目的は、保護膜の軟磁性体パターンへのストレ
スの影響を減少させ、しかも、保護膜の接着性を向上す
ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的として、保護膜の軟磁性体パターンへのストレ
スを低減するためには、軟磁性体パターンとＳｉＯ２保
護膜との間に第３の絶縁膜として高分子樹脂層を形成す
ることにより軟磁性パターンへのＳｉＯ２保護膜のスト
レスの影響を緩和すればよい。しかし、軟磁性体パター
ン形成後、素子全面に高分子樹脂層を形成して、さらに
、その上に５ｉＯｚの保護膜を形成すると、高分子樹脂
と、５ｉＯｚの接着性が悪いために、はく離などの問題
を生じ信頼性の面で問題となる。イオン打込み転送路と
軟磁性体転送路とが混在して成る複合型の磁気バブルメ
モリ素子においては素子の大部分の領域をしめるマイナ
ループ部にはイオン打込み転送路を用いている。このイ
オン打込み転送路の特性が５ｉＯｚのストレスの影響を
受けないことに着目して、マイナループを形成している
イオン打込み転送路領域と、−ｉ子局辺部の上層に位置
する第２の絶縁膜と第３の絶縁膜を除去しで、その後に
、５ｉＯｚ保Ｗ１膜を被着すれば、保護膜のＳ　ｉ　Ｏ
ｚと第１の絶縁膜である５ｉＯｚ膜とが素子の大部分の
領域で直接、接触することになり。

接着性が大幅に向上する。又、軟磁性体パターン上には
第３の絶縁膜である高分子樹脂で被われているためにＳ
ｉＯ２保護膜のストレスの影響は緩和される。以上のこ
とから、上記目的は達成される。

〔作用〕

上記に述べたように軟磁性体パターン上に第３の絶縁膜
として高分子樹脂層を形成することにより、５ｉＯｚ保
３膜の軟磁性体パターンへのストレスの影響を緩和する
ことができるため、軟磁性体パターンのＨＣ増加を防止
できる。そのために、磁気バブルの転送特性劣化を防止
することができる。また、複合型磁気バブルメモリ素子
の大部分の領域をしめるマイナループ部のイオン打込み
転送路領域と素子の周辺部の第２の絶縁膜と第３の絶縁
膜を除去して、直接、第１の絶縁膜の５ｉＯｚ膜と保護
膜の５ｉＯｚ膜とを接触させることにより接着性を向上
させ、保護膜としての強度、　＋ｅ’↑７■性などの信
頼性を向上できる。

（実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図の工程図により説明す
る。

第１図（ａ）に示すように、磁気バブルを保持する磁性
ガーネット膜１にイオン打込み転送路Ｘ管形成し、第１
絶縁膜２としてＳｉＯ２を１．　ＯＯ０人に被着した。

その上に導体パターン３として、Ａ　ｕ　／　Ｍ　ｏの
二層膜を３５００人被着後パターン形成を行なった。そ
して、第２絶縁膜４として耐熱性高分子樹脂であるＰＩ
Ｑを用いて３５００Ａ塗布した。さらに、軟磁性体パタ
ーン５としてパーマロイを３５００Ａ被着形成した。そ
の後、第１図（ｂ）に示すように第３のＲ＠縁膜８とし
て、ＰＩＱを全面に３０００人の膜厚で塗布した。そし
て、第１図（Ｑ）に示すように、マイナループを形成し
ているイオン打込み転送路領域上と素子周辺部領域上の
第２．第３の絶縁膜を物理エツチングにより除去した。

そして、最後に第１図（ｄ）に示すようにＳｉＯ２を用
いて保護膜６を１μｍの膜厚で形成した。

本実施例では、バブル材料として （ＹＳｍＬｕＧｄ）ａ　（ＦｅＧａ）ｓｏ工ｚガーネッ
ト膜（膜厚約０．９μｍ、バブル径約０．９μｍ）を用
いて、マイナループのビット周期３μｍ、メージャライ
ンのビット周期１４μｍのメージャライン・マイナルー
プ構成の複合型磁気バブルメモリ素子を作製したが、回
転磁界周波数２００　ｋ　Ｈｚのもとで、面内に印加す
る回転磁界を５００ａ以上にすると総合で１０％以上の
良好な動作マージンが得られた。

なお１本実施例では第３の絶縁膜８としては、ＰＩＱを
用いた例を示したが、他のポリイミド系樹脂、エポキシ
系樹脂、フェノール系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、
ポリアミド・イミド系樹脂、ポリベンツイミタゾール系
樹脂なども用いることができる。

また、第３の絶縁膜８としては３００℃以上の耐熱性を
有するものがより好ましい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、５ｉＯｚ保Ｍ膜の軟磁性体パターンへ
のストレスの影響を緩和することができ、さらに、Ｓｉ
Ｏ２保護膜の接着性を向上できるため複合型磁気バブル
メモリ素子の動作特性及び信頼性向上に効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
のパーマロイ方式の磁気バブルメモリ素子を示す断面図
、第３図は従来の複合型磁気バブルメモリ素子を示す断
面図である。 １・・・バブル磁性膜、２・・・第１の絶縁膜、３・・
・導体パターン、４・・・第２の絶縁膜、５・・・軟磁
性体パターン、６・・・保護膜、７・・・イオン打込み
層、８・・・第３の絶縁膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 大部分の領域をイオン打込み転送路により形成されたマ
   イナループと、軟磁性体により形成された機能部とを具
   備して成る複合型の磁気バブルメモリ素子であつて、下
   記の工程を含むことを特徴とする磁気バブルメモリ素子
   の製造方法。 （１）磁気バブルを保持し得る磁性膜にイオン打込み転
   送路を形成した後、第１の絶縁膜、導体パターン、第２
   の絶縁膜、軟磁性体パターンを逐次積層形成後、表面に
   高分子樹脂から成る第３の絶縁膜を形成する工程。 （２）第３の絶縁膜を形成後、イオン打込み転送路から
   成るマイナループ領域と、該素子周辺部領域の第３の絶
   縁膜及び第２の絶縁膜を除去する工程。 （３）上記工程終了後、該素子表面にＳｉＯ＿２保護膜
   を形成する工程。