JPS59114413A - 磁気抵抗素子を具える磁気検出器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ータ等のエンコーダの磁化パターンノ検出ヤ、磁、気テ
ープ，磁気ディスク等の磁気記録媒体に記録された情報
の読み取りを行うための磁気抵抗素子を具える磁気検出
器に関するものである。

このような磁気抵抗素子を具える磁気検出器として、絶
縁膜を挾んで二層の磁気抵抗素子を上下に設け、相互に
磁気的バイアスを与えるようにしたものが特公昭５８−
３７２０４号公報および同５３−３７２０５号公報など
に記載されており、公知である。例えば特公昭５３−３
７２０４号公報に記載された磁気検出器では磁気抵抗素
子を上下に二Ｎ積層し、一方の磁気抵抗素子に流れる駆
動電流により発生する磁界により他方の磁気抵抗子にバ
イアス磁界を印加するものであり、これを以後、一次バ
イアス方式と云う。また、特公昭５３−８７２０５号公
報に記載された磁気検出器は、一方の磁気抵抗素子を流
れる駆動電流により発生する磁界が他方の磁気抵抗素子
に加えられ、この他方の磁気抵抗素子における磁化の一
成分が逆磁界を生じ、この逆磁界が一方の磁気抵抗素子
にバイアス磁界として印加されるφ・のであり、こ、れ
を以後二次バイアス方式と云う。

＄１図は上述した特公昭５８−８７２０４号公報に記載
１された磁気検出器の回路図である。絶縁膜を介して上
下に＃Ｉｉ層された第１および第２の磁気抵抗素子ＭＲ
ＩおよびＭＢ２を定電流源Ｓと大地電位との間に並列に
接続し、定電流源Ｓと磁気抵抗素子ＭＲＩおよびＭＢ２
との接続点に現われる電圧ｖ０およびｖ２の差を差動増
幅器ＤＡで求めるようにしたものである。

このような相互磁気バイアス形の磁気検出器は例えばガ
ラス基板上に第１の磁気抵抗膜、絶縁膜および第２の磁
気抵抗膜を順次に被着して構成されているが、安定した
検出出力を得るためには、第１および第２の磁気抵抗膜
が同一の磁気特性を有することが必要となる。このよう
な磁気検出器を製造する方法としては、基板上に第１磁
気抵抗膜および電極膜を蒸着し、フォトエツチング等に
よりバターニングした後、絶縁膜を蒸着し、さらにその
上に第２磁気抵抗膜および電極膜を蒸着してバターニン
グする方法が一般的に考えられる。

、しかしながら、このような製造方法では、第１および
第２の磁気抵抗素子は異なる磁気抵抗膜から形成される
ので、膜厚、比抵抗、抵抗温度係数等が同一となりに＜
＜、磁気特性が揃わなくなる欠点がある。また第１およ
び第２の、磁気抵抗素子は別々の工程でバターニングし
て形成されるため、寸法精度が悪く、同一の寸法となら
ず、このために磁気特性に差異が現われる欠点もある。

したがって、無磁界における出力電圧である不平衡電圧
が発生し、それが温度によってドリフトするため正確な
磁気検出を行なうことができない欠点がある。

さらに、このような磁気検出器において、利得カ大きく
、Ｓ／Ｎの高い検出出力を得るためには、磁気抵抗素子
に大きな電流を流す必要があるが、磁気抵抗素子の厚さ
を薄くし、寸法を小さくして検出感度や分解能を上げる
と大きな電流を流すことができない。これは大電流を流
すと、それにより発生するジュール熱が磁気抵抗素子に
蓄積されてしまい、特性が劣化してしまうからである。

したがって、従来の磁気検出器では大きな駆動電流を流
すことができず、検出感度が低いと云う欠点もあった。

本発明の目的は上述した欠点を除去し、膜厚。

比抵抗、抵抗温度係数等の磁気特性に差異があっても正
確な磁気検出を行うことができると共に大きな駆動電流
を流して高感度の磁気検出を行うことができるように構
成した磁気検出器を提供しようとするものである。

本発明の磁気検出器は、シリコン基板上に設けられた第
１の磁気抵抗膜をバターニングして形成した第１および
第２の磁気抵抗素子と、第１の磁気抵抗膜から絶縁膜を
介して分離された第２の磁気抵抗膜をバターニングして
前記第１および第２の磁気抵抗素子と整列するように形
成された第８および第４の磁気抵抗素子とを具え、これ
ら第１〜第４の磁気抵抗素子を、第１と第８の磁気抵抗
素子および第２と第４の磁気抵抗素子が相互に磁気的に
バイアスするとともに、ブリッジ回路を構成するよう接
続したことを特徴とするものである。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。・第２
図Ａは本発明の磁気検出器の一例の構成を示す線図的平
面図であり、第２図Ｂは線図的斜視図である。第２図Ａ
およびＢでは図面を明瞭とするために上側の絶縁層は省
いであると共に第２図Ａにおいては磁気抵抗膜には斜線
を付けて示した。

本例では４個の磁気抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４を具えるも
のであり、素子ＭＲＩとＭＢ２およびＭＢ３とＭＢ２は
それぞれ同じ磁気抵抗膜をバターニングして形成されて
おり、素子ＭＲＩとＭＢ３およびＭＢ２とＭＢ２は上下
に積層されている。これらの素子はシリコン基板Ｓの上
Ｇこ形成されており、素子ＭＲ１，ＭＲ１とＭＢ２　、
ＭＢ２との間には絶縁膜ＩＮＳが介挿されている。４つ
の磁気抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４は第２図Ｃに示すように
ブリッジ回路を構成するように接続されている。すなわ
ち、下側の素子ＭＲＩとＭＢ２の一端は接点Ｃ１および
０２で導体Ｌ１に接続され、この導体は端子Ｔ】に接続
されている。上側の素子ＭＲ８とＭＢ２の一端は接点Ｃ
３およびＣ４で導体Ｌ２、に接続され、この導体は端子
Ｔ２．４こ接続されている。下側の素子ＭＨＩの他端は
接点Ｃ５および導体Ｌ３を経て端子Ｔａ＆こ接続され、
上側の素子ＭＲ８の他端は接点Ｃ６および導体Ｌ４を経
て端子Ｔ４に接続され、下側の素子ＭＲ２の他端は接点
Ｃ７および導体Ｌ５を経て端子Ｔ５に接続され、上側の
素子ＭＲ４の他端は接点Ｃ８および導体Ｌ６を経て端子
Ｔ６に接続されている。第２図Ａにおいては、下側の素
子ＭＲＩおよびＭＲ２に対する接点は２重枠で示しであ
る。９Ｊ１２図Ｃに示すように、端子Ｔ１およびＴ２は
ブリッジ回路の出力端子であり、差動増幅器ＤＡの差動
入力端子に接続され、端子Ｔ３とＴ４は電源Ｅの正端子
に共通に接続され、端子Ｔ５とＴ６は負端子に共通に接
続される。したがって端子Ｔ８とＴ４およびＴ５とＴ６
はそれぞれ１個の端子とすることもできるが、製造工程
途中で磁気抵抗素子の短絡試験などを行なうためには、
上述したように別個に端子を設けておくのが好適である
。このような構成においては、二次バイアス効果による
相互バイア、スは第２図Ｃにおいて素子ＭＨＩとＭＲ８
には紙面の下から上に向うバイアス磁界が印加され、素
子ＭＲ２とＭＲ４には紙面の上から下へ向うバイアス磁
界が印加されることになり、出力信号が得られる結合と
なる。したがって差動増幅器ＤＡの出力端子からは磁気
検出出力がノイズに影響されずに高感度で得られること
になる。また、基板Ｓとしてシリコン基板を用いている
が、シリコンはガラスに比べ１０倍以上の熱伝導率を有
しているので放熱作用が高く、磁気抵抗素子で発生され
るジュール熱を有効に放散きせることかできる。したが
って大きな駆動電流を流すことができるので、検出感度
が非常に高くなる利点がある。また、シリコン基板は半
導体装置の製造分野で良質のものが容易に得らねると云
う利点もある。

次に本例の磁気検出器における不平衡電圧を考察してみ
る。今、第１および第２の素子ＭＲＩおよびＭＲ２を□
構成する第１の磁気抵抗膜の温度係数をもった比抵抗を
ρ、（Ｔ）、膜厚をｔ□とし、第３および第４の素子Ｍ
Ｒ３およびＭＲ４を構成す、る第２の磁気抵抗膜の比抵
抗をＲ２（Ｔ）　、膜厚をＲ２とし、第１および第８の
素子ＭＨＩおよびＭＲ８のパターン形状係数（すなわち
長ぎ７幅）をに□、第２および第３の素子ＭＲ２および
ＭＲ４のノぐターン形状係数をに２とすると、第１〜第
４の磁気抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４の抵抗値Ｒ１〜Ｒ−ま
次のようになる。

Ｒｏ−ρ□（Ｔ）・ｋ、／ｌ工 Ｒ２−ρ□（Ｔｌ・ｋ　２／ｌ　ｌ Ｒ８−Ｒ２（Ｔ）・ｋ１／１２ Ｒ１−Ｒ２（Ｔ）・ｋ２／１２ したがって被検出磁界がない場合の不平機雷、圧ΔＶは
電源Ｅの電圧をＲ８とすると、 ΔＶ−Ｖニーｖ２ Ｓ　ρ、（Ｔ）・ｋ、／ｌｔ＋ρ□ｆＴｌ・ｋ、／ｌ□
となる。すなわち、Ｒ１（Ｔ＋＋ρ２（１°）、ｔ１″
＋ｔ２あるいはに１″＋に２であっても不平機雷、圧Δ
Ｖは常Ｇこ零となり、オフセットや温度ドリフトもなく
、正確な磁気検出を行なうことができる。

次に上述した磁気検出器を製造する方法につし）で説明
する。第３図に示すように、シリコン基板］１の上に厚
さ５００ＡのＴａ２０５より成る第１絶縁膜１２、厚さ
３０〇八（７）８１　％Ｎｉ−１９％Ｆｅパーマロイよ
り成る第１磁気抵抗膜１８、厚さ］５０〇への５ｉｎ２
より成る第２絶縁膜］４、ルさ５００人のＴａ２０５よ
り成る第３絶縁膜］５、厚さ３０〇へのＮｉＦｅパーマ
ロイより成る第２磁気抵抗膜１６および厚さ１５００人
の５ｉｎ２より成る第４絶縁膜］７の６層を順次Ｇこ蒸
着する。この蒸着はシリコン基板］］を３００°Ｃの温
度Ｇこ加熱、して行なう。次に、ポジタイプのフォトレ
ジスト膜を被着する。この蒸着中、基板１は例えば３０
０°Ｃの温度に加熱しておく。フォトレジスト膜として
は、例えばドライエツチング用のＡＺ−１８５０を用い
ることができる。

次に、第４図に示すように、形成すべき磁気抵抗素子の
パターンに対応する所望のパターンを有するフォトマス
ク】を用いて光を選択的に照射し、フォトマスク】の透
明部分１ａを透過した光が当ったフォトレジスト膜の非
硬化部分を除去する。

本例ではフォトマスク１により形成される磁気抵抗素子
の長さＬを約１ｍとし、幅Ｗを５０μとする。このパタ
ーニングはＴａ２Ｏ，および５ｉｎ２より成る絶縁膜を
除去するＯＦ４ガスと、ＦｅＮｉより成る磁気抵抗膜を
除去する００’／４ガスと、このａＣｔ。

ガスの作用を補助する０□ガスとを含むガスを用いるド
ライエツチングにより行なう。このようにして６層全部
を一回のエツチング処理により除去するので工程が簡単
になると共に上下に積層される磁気抵抗素子の寸法形状
を完全に一致させるこ、とができ、特性の等しいものが
容易に得られる。

また、第１および第２の磁気抵抗素子は第１の抵抗膜か
ら形成し第３および第４の磁気抵抗素子は第２の磁気抵
抗膜から形成するのでこれらの膜厚や特性も揃ったもの
となる。

次に第５図に示すように、新たなネガタイプのフォトレ
ジスト膜１８を被着した後、第６図に示すように下側の
第１磁気抵抗膜１８に対する接点を形成すべき位置に不
透明部２ａを形成したフォトマスク２によりフォトレジ
スト膜１８の対応する位置に孔１８ａをあける。

次に、第４絶縁膜１７、第２磁気抵抗膜１６および第３
絶縁膜１６に対してエツチング処理を施し、第１図に示
すように第２絶縁膜１４まで達するスルーホール２０を
形成する。この場合にも、第３図に示した工程で用いた
ＯＦ４ガス、ＣＣｌ４ガス、０．ガスを用いるドライエ
ツチングを採用できる。この工程では第２絶縁膜１４の
表面が露出するまで行なえばよく、この第２絶縁膜が多
少エツチングされてもよいので、エツチングの制御を、
それほど厳密に行なう必要はなし）。また、このエツチ
ングはウェットエツチングで行なうこともでき、この場
合にはＳｉＯ２に対しては７ツ酸系エツチヤント、Ｔａ
２０５に対してはアルカリ系エッチャント、磁気抵抗膜
を構成するｙｅＮｉに対して＆ま強酸混液エッチャント
をそれぞれ用いること力（できる。

次に第８図に示すようにネガタイプのボ１ノイミド系の
絶縁性フォトレジスト膜２１を被着した後、第９図に示
すようなフォトマスク８を用し）て、フォトレジスト膜
２１に孔＋１１１ａおよび２１ｂをあける。孔２１ａは
上述したスルーホール２０の底部に形成されるものであ
り、これと対応するフォトマスク８の不透明部を符号８
ａで示す。また、他の不透明部８ｂは上側の磁気抵抗膜
１６に対する接点を形成するための孔２１ｂに対応して
し）る。

また、フォトマスク８％には不透明部＋＠３Ｃを形成す
るが、これは後にボンディングするためにこの部分の絶
縁性フォトレジスト膜２１を除去するためのものであり
、この部分に対応するフォトレジスジ膜２１の孔は９８
図では示してしＡなし＼。

次に、第１０図に示すようにフォトレジスト膜２１にあ
けた孔２１ａおよび２１ｂを経てＳｉｎｇより成る第２
絶縁膜１４と同じ＜　Ｓｉｎｇより成る第４絶縁膜】７
を、５ｉＣ）２を選択的に侵すがＴａ　２０５は侵さな
いエッチャント、例夫＆ヨフツ酸系工゛ンチャンｂであ
るＨＦ　＋　６ＮＨ，Ｆによりウェットエツチングして
除去し、それぞれ第１および第２磁気抵抗膜１８および
１６に達する孔１４ａおよび１７ａを形成す°る。この
ように、５ｉ０２を選択的に腐食除去するエッチャント
を用いて孔を形成するため、第１および第２の磁気抵抗
膜１３および１６カ（ピンホールを介して短絡するのを
有効に防止することができる。

次に、第１１図に示すように、フォトレジスト膜２１上
に、２０００人の厚さのＭｏ［Ｉ！および５０００人の
Ａｕ膜を順次に蒸着して金属膜２３を形成する。この間
、基板１１（ゴ約２５０°Ｃの温度に加熱する。

次に、ポジタイプのフォトレジスト膜を被着した後（こ
、第１２図に示すフォトマスク４を用し１て、金属膜２
３をバターニングして第１３図に示すような導体パター
ンを形成する。

次に、第１４図に示すように、ガラスエポキシより構成
した絶縁基板上に５μの厚さのＮｉ層の上に１μの厚さ
のＡｕ層を被着した後、所定°−のパターニングを行な
ったボード２４の金属部分２５ａ上に、上述したように
して形成した磁気抵抗素子チップ２６および２７を載せ
、シリコン基板１］を金が部分２５ａにボンディングす
る。この金属部分２５ａを大面積とすることにより、こ
れを介しての放熱作用が助長される効果が得られる。上
述したように各チップ２６および２７はそれぞれ４個の
磁気抵抗素子を有しており、各チップの導体の端子Ｔ１
〜Ｔ６およびＴＩ’〜Ｔ６’はそれぞれ微細なワイヤ２
８を介してボード２４の導体部分２５ａおよび２５ｂに
接続する。このワイヤボンディングを良好に行なうため
に、導体端子Ｔ１〜Ｔ６、ＴＩ’〜Ｔ　６’の下側では
、絶縁性フォトレジスト膜２１は上述したように除去し
である。

これら２個の磁気抵抗素子チップ２６および、２７に形
成された８個の磁気抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４およびＭ　
Ｒ１’〜Ｍ　Ｒ４’は第１５図に示すように接続される
ので、ボード２４上の端子２９ａおよび２９ｆは電源Ｅ
の正および負端子にそれぞれ接続され、端子２９ｂおよ
び２９０は第］差動増幅器ＤＡに接続され、端子２９ｄ
および２９ｅは第２差動増幅器Ｄ　Ａ’にそれぞれ接続
される。

これら差動増幅器ＤＡおよびＤ　Ａ’の出力は信号処理
回路ＳＰＯに供給され、ここで信号処理される。

本例の磁気検出器３０は第１６図に示すように、エンコ
ーダとして使用され、予しめ所定のパターンにしたがっ
て着磁された一対の磁化パターン３１ａおよび８１ｂと
磁気抵抗素子チップ２６および２７が位相がずれた状態
で対向するようも二傾斜して配置される。したがって信
号処理回路ＳＰＣからは、変位の方向および変位量を表
わす信号が出力されることになる。

本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、幾
多の変更や変形を加えることができる。

例えば第１〜第４の磁気抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４・の接
続は上述した例に限られるものではなく、第１７図に示
すような結線方法も可能である。本例でも二次バイアス
効果によって第１および第２磁気抵抗素子ＭＲＩおよび
ＭＢ２は紙面の上から下に向うバイアス磁界を受け、第
８および第４磁気抵抗素子ＭＲ８およびＭＢ４は紙面の
下から上に向うバイアス磁界を受ける。また、本例の不
平衡電圧ΔＶは、 となり、上述した実施例と全く同じ効果が得られる。

第１８図は本発明磁気検出器のさらに他の例を、示すも
のであり、本例では、第１および第３の磁気抵抗素子に
は紙面の上から下に向かうバイアス磁界が印加され、第
２および第４の磁気抵抗素子には紙面の下から上に向か
うバイアス磁界が印加される。また、本例での不平衡電
圧ΔＶは、一般に形状係数によとに２とは等しくないの
でΔＶは零とはならないが、湿度による変動分はないの
で温度ドリフトは生じない。また、この不平衡型、圧Δ
Ｖは一定であるからオフセット電圧として容易に除去す
ることができる。

さらに上述した実施例では絶縁膜としてＳｉｎｇおよび
Ｔａ２０５を用いたが、その他の酸化物、ツウ化物、チ
ツ化物を用いることができ、例えばフッ化物としてはＭ
ｇＦ２　ｓチツ化物としてはＳＩ　Ｂ　Ｎ　４を用いる
ことができる。エツチングはドライエツチングやウェッ
トエツチングだけでなく、Ａｒガス中でのスパッタエツ
チングを採用することもできる。さらに、ポリイミド系
の絶縁性フォトレジスト膜をそのまま残して絶縁膜とし
たが、他の絶縁膜を被着してフォトレジスト膜は剥離し
てもよい。

また、上述した実施例ではシリコン基板をガラスエポキ
シの絶縁ボードにボンディングしたが、電極パターンを
被着したセラミックボード上に設けることもでき、この
場合には熱放散効果はさらに高くなる。上述した実施例
では４伊の磁気抵抗素子を具えるチップを形成したが、
上下方向に２伊以上の一磁気抵抗素子が配列されるよう
なものであればどのようなものでも良い。また、上述し
た例では磁気エンコーダについて説明したが、磁気テ・
−プ、磁気ディスク等の記録媒体に記録された情報の読
取ヘッドとすることもできる。ざらに上述した実施例で
は、フォトレジスト膜にフォトマスクを介して選択的に
光を照射してエツチング用のマスクを形成したが、電子
ビームの照射により選択的に硬化するレジスト膜を用い
ることもでき、このような場合にはフォトマスクは不要
となる〇また、上述した例では相互バイアスを二次バイ
アス方式で行なったが、−次バイアス方式で行なっても
よい。

上述したように本発明の磁気検出器によれば、上下に積
重ねられた磁気抵抗素子の寸法、形状は精密に一致する
と共に左右に並んだ磁気抵抗素子も同一の磁気抵抗膜か
ら作られているので、磁気特性の等しいものが得られ、
検出精度が著しく向上する利点がある。また、上述した
実施例では金属膜を被着する以前に絶縁膜によってスル
ーホールの側壁を被覆するので短絡を有効に防止するこ
とができる。この場合、絶縁膜として絶縁性のレジスト
膜を用いると工程はさらに少なくなる効果、がある。ま
た、異種の絶縁膜を用し１て選択工゛ンチングを行なう
ことにより、ピンホールを介しての短絡をさらに有効に
防止することができる。さらに、基板として熱伝導率の
高し）シ１Ｊコンを用し１てＩ／Ｘるため、放熱特性が
良好となり、より大きな駆雪＋　ｉｔ流を磁気抵抗素子
に流すこと力５できるので、Ｓ／Ｈの高い高感度の検出
ができる効果もある。こσ）シリコン基板は半導体製造
分野におし１て広く使用すれているので、容易に良質の
ものを入手できる利点もある。さらに各磁気抵抗素子＆
ま同じ材質の絶縁膜で挾まれた構造となるので、磁気的
特性力（揃うことになり、一層正確な検出力５可能とな
る利点もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気検出器の−ｆ１１の構成、を示す回
路図、 第２図ＡおよびＢは本発明の磁気検出器の一例の構成を
線図的に示す平面図および斜視図、第２図Ｇは同じくそ
の接続を示す回路図、 Ｉ′！３図〜第１３図は本発明の磁気検出器を製造、す
る順次の製造工程およびフォトマスクを示す図、第１４
図は本発明の磁気検出器により構成したエンコーダを示
す図、 第１５図は同じくその回路図、 第１６図は同じくその使用態様を示す図、第１７図およ
び第１８図は本発明の磁気検出器の他の例を示す回路図
である。 Ｓ・・・シリコン基板 ＭＲＩ〜ＭＲ４・・・磁気抵抗素子 ＩＮＳ・・・絶縁膜　　　　　０１〜Ｃ８・・・接点Ｌ
１〜Ｌ６・・・導体　　　　Ｅ・・・宵、源ＤＡ、　Ｄ
Ａ’・・・差動増幅器　１１・・・シリコン、基板１３
、１６・・・磁気抵抗膜 １２、１４．１５．１７・・・絶縁膜 １８、２１・・・フォトレジスト膜 ２３・・・金属膜　　　　　　１’、　２．８・・・フ
ォトマスク。 第２図 Ｃ 第８図 第５図 第６図 第７図 第８トてＩ 第９図 第１θ図 第１１図 第１２図 第１８図 第１４図 第１５図 ｍ　１６　ｒ；４ 第１７図 第１８図 手続補正書 昭和５８年　６　月　２ １、事件の表示 昭和５７年特許　願第２２４１２１　　号２、発明の名
称 磁気抵抗素子を具える磁気検出器 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 株式会社　コ　パ　ル 電話（５８１）　２２４１番（代表） ５゜ ６、補正の対象　明細書の発明の詳細な説明の欄７、補
正の内容　（別紙の通り） １、明細書第８頁第１行の「ＭＲＩＪをｆ’ＭＲ２Ｊ８
　に訂正し、 同頁第８行の（−１１Ｒ２ＪをｒＭＲＩＪに訂正する０ ２、同第１７頁第８〜６行の「第２磁気抵抗素子−ｍ＝
紙面の下から」を「第４磁気抵抗素子ＭＨＩおよびＭｎ
２は紙面の上から下に向うバイアス磁界を受け、第２お
よび第８磁気抵抗素子ＭＲ２およびＭｎ２１は紙面の下
から」に訂正する。 弓・

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. Ｌ　シリコン基板上に設けられた第１の磁気抵抗膜をパ
   ターニングして形成した第１および第２の磁気抵抗素子
   と、第１の磁気抵抗膜から絶縁膜を介して分離された第
   ２の磁気抵抗膜をバターニングして前記第１および第２
   の磁気抵抗素子と整列するように形成された第３および
   第４の磁気抵抗素子とを具え、これら第１〜第４の磁気
   抵抗素子を、第１と第３の磁気抵抗素子および第２と第
   ４の磁気抵抗素子が相互に磁気的にバイアスすると共に
   、ブリッジ回路を構成するように接続したことを特徴と
   する磁気抵抗素子を具える磁気検出器。