JPH05114118A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPH05114118A JPH05114118A JP27578791A JP27578791A JPH05114118A JP H05114118 A JPH05114118 A JP H05114118A JP 27578791 A JP27578791 A JP 27578791A JP 27578791 A JP27578791 A JP 27578791A JP H05114118 A JPH05114118 A JP H05114118A
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- JP
- Japan
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- magnetic head
- thin film
- sio
- thin
- film magnetic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、薄膜磁気ヘッドの研磨量モニタの
位置ずれをなくすためになされた。 【構成】研磨量モニタ用薄膜抵抗２をＭｏ，Ｗ，Ｔａ，
Ｔｉ，Ｃｒ膜で形成し、薄膜磁気ヘッド本体のヘッドギ
ャップをなす層間絶縁膜にＳｉＯ，ＳｉＯ2膜を用い、
これらをＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによるリアクティブイオンエ
ッチング法で同時にパターン形成して位置ずれを無くし
た。
位置ずれをなくすためになされた。 【構成】研磨量モニタ用薄膜抵抗２をＭｏ，Ｗ，Ｔａ，
Ｔｉ，Ｃｒ膜で形成し、薄膜磁気ヘッド本体のヘッドギ
ャップをなす層間絶縁膜にＳｉＯ，ＳｉＯ2膜を用い、
これらをＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによるリアクティブイオンエ
ッチング法で同時にパターン形成して位置ずれを無くし
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、媒体摺動面の研磨制
御を正確にした薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
御を正確にした薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、基板上に所定の回路
部を形成，パターン加工したのち媒体と接触する媒体摺
動面を所定の寸法まで研磨することによって製造され
る。この研磨工程においては磁気ヘッド部が保護板等に
覆われて目視できないうえ、非常に高い（１〜５μｍ程
度の）寸法精度が要求されるため、ヘッド用チップを製
造する際に研磨量をモニタするための回路をあらかじめ
形成しておく技術が実用化されている。
部を形成，パターン加工したのち媒体と接触する媒体摺
動面を所定の寸法まで研磨することによって製造され
る。この研磨工程においては磁気ヘッド部が保護板等に
覆われて目視できないうえ、非常に高い（１〜５μｍ程
度の）寸法精度が要求されるため、ヘッド用チップを製
造する際に研磨量をモニタするための回路をあらかじめ
形成しておく技術が実用化されている。
【０００３】たとえば、特願昭５６−１５７１５９号に
は、研磨されて消失する部分を含む部分にモニタ用の抵
抗部を媒体摺動面（研磨面）に平行に形成しておき、研
磨によって抵抗部のパターン幅が狭まることによって抵
抗値が上昇することを用い、この抵抗値を検出すること
によって研磨量を検出する技術が開示されている。
は、研磨されて消失する部分を含む部分にモニタ用の抵
抗部を媒体摺動面（研磨面）に平行に形成しておき、研
磨によって抵抗部のパターン幅が狭まることによって抵
抗値が上昇することを用い、この抵抗値を検出すること
によって研磨量を検出する技術が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来の方式で
は、ヘッド本体の絶縁層としてＳｉＯやＳｉＯ2 を用
い、パターン形成にはＣＦ4 ガスを用いたリアクティブ
イオンエッチングを行っていた。しかし、研磨量モニタ
用の抵抗膜としてはＮｂやＴｉの薄膜を用いていた。Ｃ
Ｆ4 ガス中ではＮｂ，ＴｉとＳｉＯ，ＳｉＯ2 とではエ
ッチング選択比が大きすぎて同時にパターン成形が出来
ない欠点があった。このため、抵抗部パターンはヘッド
本体のパターンとは別の工程で形成していたため、工程
数が増加するとともに、ヘッド本体と抵抗部との位置ず
れが生じ検出誤差を生じる原因になっていた。
は、ヘッド本体の絶縁層としてＳｉＯやＳｉＯ2 を用
い、パターン形成にはＣＦ4 ガスを用いたリアクティブ
イオンエッチングを行っていた。しかし、研磨量モニタ
用の抵抗膜としてはＮｂやＴｉの薄膜を用いていた。Ｃ
Ｆ4 ガス中ではＮｂ，ＴｉとＳｉＯ，ＳｉＯ2 とではエ
ッチング選択比が大きすぎて同時にパターン成形が出来
ない欠点があった。このため、抵抗部パターンはヘッド
本体のパターンとは別の工程で形成していたため、工程
数が増加するとともに、ヘッド本体と抵抗部との位置ず
れが生じ検出誤差を生じる原因になっていた。
【０００５】この発明は、抵抗部パターンとヘッド本体
の絶縁層とを同時にエッチングすることができる薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
の絶縁層とを同時にエッチングすることができる薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、フェライト
基板上に絶縁層および導体層を積層して薄膜磁気ヘッド
を製造する工程において、ヘッドギャップをなす絶縁層
をＳｉＯまたはＳｉＯ2 で成膜したのち、研磨モニタ用
の抵抗膜をＭｏ，Ｗ，Ｔａ，ＴｉまたはＣｒで成膜し、
これらの薄膜層をＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用いたリアクティ
ブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によって同時にパター
ン形成することを特徴とする。
基板上に絶縁層および導体層を積層して薄膜磁気ヘッド
を製造する工程において、ヘッドギャップをなす絶縁層
をＳｉＯまたはＳｉＯ2 で成膜したのち、研磨モニタ用
の抵抗膜をＭｏ，Ｗ，Ｔａ，ＴｉまたはＣｒで成膜し、
これらの薄膜層をＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用いたリアクティ
ブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によって同時にパター
ン形成することを特徴とする。
【０００７】
【作用】ヘッドギャップが形成されるＳｉＯまたはＳｉ
Ｏ2 膜と抵抗パターンとなる膜とが同時にパターン形成
できればパターン位置ずれは解決される。そこで、抵抗
材料としてＭｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒなどの薄膜を用
い、絶縁膜として従来より用いられているＳｉＯまたは
ＳｉＯ2 膜を用いた。さらに、ＲＩＥのエッチングガス
をＣＦ4 ＋Ｏ2 とした。ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガス中ではＭｏ，
Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｒとＳｉＯ，ＳｉＯ2 との選択比が
小さく同時にエッチング可能である。
Ｏ2 膜と抵抗パターンとなる膜とが同時にパターン形成
できればパターン位置ずれは解決される。そこで、抵抗
材料としてＭｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒなどの薄膜を用
い、絶縁膜として従来より用いられているＳｉＯまたは
ＳｉＯ2 膜を用いた。さらに、ＲＩＥのエッチングガス
をＣＦ4 ＋Ｏ2 とした。ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガス中ではＭｏ，
Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｒとＳｉＯ，ＳｉＯ2 との選択比が
小さく同時にエッチング可能である。
【０００８】
【実施例】図１はこの発明の実施例におけるマルチトラ
ック薄膜磁気ヘッドの平面図である。薄膜磁気ヘッド３
を５トラック配列し右端と左端に抵抗体からなる矩形の
薄膜抵抗２を媒体摺動面に平行に配列した。その一部は
媒体摺動面（研磨目標面）よりも外に形成されている。
抵抗体はＭｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒの金属膜からなっ
ている。また、この薄膜抵抗２の両端にリード導体４が
接続されている。リード導体４はＣｕ，Ｃｕ−Ａｌ等の
導体で構成され、薄膜磁気ヘッド本体３のバイアス導体
やコイル層と同一の薄膜層から形成することができる。
薄膜抵抗２およびリード導体４とにより研磨量モニタ１
が構成される。
ック薄膜磁気ヘッドの平面図である。薄膜磁気ヘッド３
を５トラック配列し右端と左端に抵抗体からなる矩形の
薄膜抵抗２を媒体摺動面に平行に配列した。その一部は
媒体摺動面（研磨目標面）よりも外に形成されている。
抵抗体はＭｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒの金属膜からなっ
ている。また、この薄膜抵抗２の両端にリード導体４が
接続されている。リード導体４はＣｕ，Ｃｕ−Ａｌ等の
導体で構成され、薄膜磁気ヘッド本体３のバイアス導体
やコイル層と同一の薄膜層から形成することができる。
薄膜抵抗２およびリード導体４とにより研磨量モニタ１
が構成される。
【０００９】図２はＹＭＲヘッドの断面図であり、図３
はＩＨヘッドの断面図である。
はＩＨヘッドの断面図である。
【００１０】図２においてフェライト基板７上に上部ヨ
ーク９，バイアス導体８，ＭＲ素子１２およびこれらを
絶縁する絶縁層１０などが形成されている。絶縁層１０
はフロントギャップ層１０ａのほかバイアス導体−ＭＲ
素子間絶縁層などの複数の層で構成されている。絶縁層
はＳｉＯまたはＳｉＯ2 で形成されている。
ーク９，バイアス導体８，ＭＲ素子１２およびこれらを
絶縁する絶縁層１０などが形成されている。絶縁層１０
はフロントギャップ層１０ａのほかバイアス導体−ＭＲ
素子間絶縁層などの複数の層で構成されている。絶縁層
はＳｉＯまたはＳｉＯ2 で形成されている。
【００１１】フロントギャップ層１０ａを形成する絶縁
膜を成膜したのち前記抵抗材料の金属膜を成膜し、フォ
トリソグラフィ法でパターニングしたのち、ＣＦ4 ＋Ｏ
2 ガスによるＲＩＥ法により同時にエッチングし、フロ
ントギャップ層１０ａおよび薄膜抵抗パターン２を同時
に形成する。
膜を成膜したのち前記抵抗材料の金属膜を成膜し、フォ
トリソグラフィ法でパターニングしたのち、ＣＦ4 ＋Ｏ
2 ガスによるＲＩＥ法により同時にエッチングし、フロ
ントギャップ層１０ａおよび薄膜抵抗パターン２を同時
に形成する。
【００１２】また、図３において、フェライト基板１３
上に下部コア１４，フロントギャップ層１５，コイル層
１６，コイル層の絶縁層１８および上部コア１７などが
形成されている。フロントギャップ層１５はＳｉＯまた
はＳｉＯ2 で形成されている。この薄膜磁気ヘッドを製
造する場合も図２の場合と同様に、フロントギャップ層
１５を形成する絶縁膜を成膜したのち前記抵抗材料の金
属膜を成膜し、フォトリソグラフィ法でパターニングし
たのち、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによるＲＩＥ法により同時に
エッチングし、フロントギャップ層１５および薄膜抵抗
パターン２を同時に形成する。
上に下部コア１４，フロントギャップ層１５，コイル層
１６，コイル層の絶縁層１８および上部コア１７などが
形成されている。フロントギャップ層１５はＳｉＯまた
はＳｉＯ2 で形成されている。この薄膜磁気ヘッドを製
造する場合も図２の場合と同様に、フロントギャップ層
１５を形成する絶縁膜を成膜したのち前記抵抗材料の金
属膜を成膜し、フォトリソグラフィ法でパターニングし
たのち、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによるＲＩＥ法により同時に
エッチングし、フロントギャップ層１５および薄膜抵抗
パターン２を同時に形成する。
【００１３】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ヘッド
ギャップパターンとモニタ用抵抗パターンとを同時に形
成したことにより、位置ずれがなく正確な研磨量制御が
できるようになる。
ギャップパターンとモニタ用抵抗パターンとを同時に形
成したことにより、位置ずれがなく正確な研磨量制御が
できるようになる。
【図１】この発明の実施例が適用される薄膜磁気ヘッド
用チップの構成を示す図
用チップの構成を示す図
【図２】一般的なＹＭＲヘッドの断面図
【図３】一般的なＩＨヘッドの断面図
１−研磨量モニタ用 ２−モニタ用薄膜抵抗 １０ａ，１５−ヘッドギャップ
Claims (1)
- 【請求項１】 フェライト基板上に絶縁層および導体層
を積層して薄膜磁気ヘッドを製造する工程において、 ヘッドギャップをなす絶縁層をＳｉＯまたはＳｉＯ2 で
成膜したのち、研磨モニタ用の抵抗膜をＭｏ，Ｗ，Ｔ
ａ，ＴｉまたはＣｒで成膜し、これらの薄膜層をＣＦ4
＋Ｏ2 ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法に
よって同時にパターン形成することを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27578791A JPH05114118A (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27578791A JPH05114118A (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114118A true JPH05114118A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17560404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27578791A Pending JPH05114118A (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05114118A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0984328A2 (en) * | 1998-09-04 | 2000-03-08 | CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni S.p.A. | A method of surface etching silica glass, for instance for fabricating phase masks |
| US6261468B1 (en) * | 1996-09-10 | 2001-07-17 | Alps Electric Co., Ltd. | Combination read/write thin film magnetic head and its manufacturing method |
| WO2012090474A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電極膜の加工方法、磁性膜の加工方法、磁性膜を有する積層体、および該積層体の製造方法 |
-
1991
- 1991-10-23 JP JP27578791A patent/JPH05114118A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261468B1 (en) * | 1996-09-10 | 2001-07-17 | Alps Electric Co., Ltd. | Combination read/write thin film magnetic head and its manufacturing method |
| EP0984328A2 (en) * | 1998-09-04 | 2000-03-08 | CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni S.p.A. | A method of surface etching silica glass, for instance for fabricating phase masks |
| EP0984328A3 (en) * | 1998-09-04 | 2004-12-29 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | A method of surface etching silica glass, for instance for fabricating phase masks |
| WO2012090474A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電極膜の加工方法、磁性膜の加工方法、磁性膜を有する積層体、および該積層体の製造方法 |
| JP5639195B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2014-12-10 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電極膜の加工方法、磁性膜の加工方法、磁性膜を有する積層体、および該積層体の製造方法 |
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