DE19957822A1 - Abtasteinrichtung für Positionsmeßsysteme zur Abtastung einer Meßteilung - Google Patents
Abtasteinrichtung für Positionsmeßsysteme zur Abtastung einer MeßteilungInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Abtasteinrichtung für Positionsmeßsysteme zur Abtastung einer Meßteilung mit einem Fühler, der mit der Meßteilung in Wirkverbindung bringbar ist und der über elektrische Verbindungen mit elektrischem Strom versorgt wird, einem Elektronikmodul, das mit dem Fühler über elektrische Verbindungen gekoppelt ist, einem Gehäuse des Elektronikmoduls, mit dem das Elektronikmodul gegenüber der Umgebung thermisch abgeschirmt ist, und Mitteln, die die Stromzufuhr in den Fühler begrenzen sollen. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß die zu dem Fühler (2) führenden elektrischen Verbindungen (10) innerhalb des Gehäuses (30) des Elektronikmoduls (3) mindestens eine Schmelzsicherung (11) aufweisen, die den Stromfluß zu dem Fühler (2) unterbricht, wenn die aufgrund des Stromflusses erzeugte Temperatur einen vorgebbaren Wert überschreitet, und daß das Gehäuse (30) des Elektronikmoduls (3) zugleich das Gehäuse der Schmelzsicherung (11) bildet.
Description
Die Erfindung betrifft eine Abtasteinrichtung für Positions
meßsysteme zur Abtastung einer Meßteilung nach dem Oberbe
griff des Anspruchs 1.
Eine solche Abtasteinrichtung umfaßt einen Meßfühler, der
mit der Meßteilung in Wirkverbindung bringbar ist, um die
in der Meßteilung enthaltene Positionsinformation zu ermit
teln, ein Elektronikmodul, das mit dem Fühler elektrisch
gekoppelt ist und das zur Auswertung der von dem Fühler bei
Abtastung der Meßteilung erzeugten Signale dient, und ein
Gehäuse des Elektronikmoduls, mit dem das Elektronikmodul
gegenüber der Umgebung abgeschirmt ist.
Durch die Verkapselung des Elektronikmoduls in einem Gehäu
se und die hiermit verbundene weitgehende Abschirmung des
Elektronikmoduls gegenüber der Umgebung ist ein Gerät mit
einem derartigen Elektronikmodul grundsätzlich auch in ex
plosionsgefährdeter Umgebung einsetzbar. Denn eine Erwär
mung der Elektronik oder ein Spannungsüberschlag innerhalb
der Elektronik, die als Folge von Gerätefehlern auftreten
können, bleiben auf das Elektronikmodul selbst beschränkt.
Insbesondere wird eine unzulässige Erwärmung der äußeren Ge
häuseoberfläche vermieden.
Eine vergleichbare Abschirmung ist jedoch bei dem Meßfüh
ler, der unmittelbar der Abtastung der Meßteilung dient, in
der Regel nicht möglich, da der Fühler mit der Meßteilung
in Wirkverbindung gebracht werden soll und somit nicht
vollständig gegenüber der Umgebung abgeschirmt werden kann
sondern in der Regel lediglich von einer einfachen Schutz
schicht umgeben ist. Daher sind beim Einsatz in explosions
gefährdeter Umgebung zusätzliche Mittel vorgesehen, mit
denen die Stromzufuhr in den Fühler begrenzt werden kann.
Hierdurch soll verhindert werden, daß als Folge eines
Gerätefehlers der Meßfühler durch erhöhte Stromaufnahme auf
eine Temperatur erwärmt wird, die in explosionsgefährdeter
Umgebung nicht tolerierbar ist. Als Mittel zur Spannungs-
oder Strombegrenzung werden dabei insbesondere externe Z-Di
oden oder externe Stromstärkebegrenzer verwendet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Abtastein
richtung der Eingangs genannten Art zu schaffen, bei der
mit einfachen und kostengünstigen Mitteln die Einsetzbar
keit in explosionsgefährdeter Umgebung gewährleistet ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Schaffung
einer Abtasteinrichtung mit den Merkmalen des Patentan
spruchs 1 gelöst.
Danach weisen die zu dem Fühler der Abtasteinrichtung
führenden elektrischen Verbindungen innerhalb des Gehäuses
des Elektronikmoduls mindestens eine Schmelzsicherung auf,
die den Stromfluß zu dem Fühler unterbricht, wenn die
aufgrund des Stromflusses in der Schmelzsicherung erzeugte
Temperatur einen vorgebbaren Wert überschreitet, wobei das
Gehäuse des Elektronikmoduls zugleich das Gehäuse der
Schmelzsicherung bildet, mit dem diese gegenüber der Umge
bung abgeschirmt wird.
Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daß aufgrund der
Abschirmung des Elektronikmoduls gegenüber der Umgebung
mittels eines Gehäuses die Erwärmung elektrischer Bauelemen
te innerhalb des Gehäuses keine Explosionsgefahr nach sich
zieht und daß daher innerhalb des Gehäuses zur Stromunter
brechung Schmelzsicherungen verwendet werden können, die
über kein eigenes Gehäuse verfügen. Das Gehäuse des Elektro
nikmoduls übernimmt somit die Doppelfunktion, einerseits
das Elektronikmodul gegenüber der (explosionsgefährdeten)
Umgebung abzuschirmen und andererseits als (einziges)
Gehäuse für mindestens eine Schmelzsicherung zu dienen, mit
der die Stromzufuhr zu dem Fühler der Abtasteinrichtung bei
zu hohem Strom unterbrochen wird.
Die erfindungsgemäße Lösung ermöglicht eine sehr einfache
und kostengünstige Unterbrechung des Stromflusses zu dem
Fühler der Abtasteinrichtung, indem in den elektrischen Ver
bindungen, die zur Bestromung des Fühlers dienen, ein
Schmelzabschnitt vorgesehen ist, der durchschmilzt, wenn
die Stromstärke in diesem Abschnitt einen bestimmten Höchst
betrag überschreitet. Dieser Schmelzabschnitt kann bei
spielsweise durch einen Abschnitt der elektrischen Verbin
dungen mit einem verminderten Querschnitt gebildet werden.
Der Bereich verminderten Querschnitts weist die größte
Stromdichte bzw. den größten ohmschen Widerstand innerhalb
der elektrischen Verbindungen auf; und bei einer plötzli
chen Zunahme des Stromflusses, z. B. aufgrund eines Geräte
fehlers, entstehen dort auch die höchsten Temperaturen in
nerhalb der elektrischen Verbindungen. Daher wird im Fall
einer nicht mehr tolerierbaren Zunahme des Stromflusses und
einer damit einhergehenden Erwärmung der elektrischen
Verbindungen ein Durchschmelzen gezielt an diesen Stellen
verminderten Querschnitts stattfinden, die somit als
Schmelzsicherung wirken.
Alternativ kann die Schmelzsicherung beispielsweise auch
durch einen Abschnitt der elektrischen Verbindungen aus
einem Material mit einem (gegenüber den übrigen Teilen der
elektrischen Verbindungen) verminderten Schmelzpunkt oder
höheren spezifischen Widerstand gebildet werden.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die
elektrischen Anschlüsse des Fühlers in dem Gehäuse des Elek
tronikmoduls vorgesehen, und die Schmelzsicherung ist
unmittelbar hinter diesen Anschlüssen, d. h. zwischen den
Anschlüssen und dem Fühler, noch innerhalb des Gehäuses
angeordnet.
Das Gehäuse des Elektronikmoduls, mit dem eine thermische
Abschirmung bzw. Isolierung der Elektronik gegenüber der Um
gebung erreicht wird, besteht vorzugsweise aus Aluminium.
Die vorliegende Erfindung läßt sich grundsätzlich auf alle
Abtasteinrichtungen anwenden, bei denen einem Fühler zum Ab
tasten einer Meßteilung elektrischer Strom zugeführt wird,
unabhängig davon, ob die Abtasteinrichtung z. B. nach dem in
duktiven, magnetischen oder photoelektrischen Meßprinzip
arbeitet.
Weitere Vorteile der Erfindung werden bei der nachfolgenden
Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Figuren
deutlich werden.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt durch ein Winkelmeßsy
stem, bestehend aus einer Meßteilung und
einer Abtasteinrichtung, die an je einem
von zwei zueinander drehbaren Maschinen
teilen befestigt sind;
Fig. 2a eine Seitenansicht einer Prinzipdarstel
lung des Meßsystems aus Fig. 1;
Fig. 2b eine Draufsicht auf den Meßfühler des
Meßsystems aus Fig. 2a;
Fig. 2c eine schematische Darstellung der Ver
schaltung der elektrischen Bauelemente
des Meßsystems aus Fig. 2a;
Fig. 3 eine Darstellung eines Teils der Abtast
einrichtung des Winkelmeßsystems aus
Fig. 1, die eine Schmelzsicherungen auf
weist.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch ein Winkelmeßsystem,
das als wesentliche Bestandteile eine auf einer Teilungs
trommel 40 aufgebrachte Meßteilung 4 sowie eine Abtastein
richtung 1 zur Abtastung der Meßteilung 4 aufweist. Die
Abtasteinrichtung 1 und die mit der Meßteilung 4 versehene
Teilungstrommel 40 sind zwei zueinander drehbaren Maschinen
teilen 6, 7 zugeordnet: Die Teilungstrommel 40 ist über
Schraubverbindungen 9 drehfest an einer Antriebswelle 7
befestigt und die Abtasteinrichtung 1 über weitere Schraub
verbindungen 8 an einer Aufnahme 6 der Antriebswelle 7.
Die Abtastung der Meßteilung 4 mittels der Abtasteinrich
tung 1 zur Bestimmung des Drehwinkels der Welle 7 relativ
zu der Aufnahme 6 kann nach unterschiedlichen physikali
schen Prinzipien erfolgen; in der Praxis werden insbesonde
re induktive, magnetische und photoelektrische Meßprinzi
pien verwendet. Unabhängig von dem verwendeten Meßprinzip
erfolgt die Abtastung der Meßteilung 4 mittels eines Füh
lers 2 der Abtasteinrichtung 1, der mit der Meßteilung 4
über elektrische, magnetische oder optische Signale berüh
rungslos zusammenwirkt. Aufgrund der erwähnten Wechselwir
kung mit der Meßteilung 4 erzeugt der Fühler 2 ein elektri
sches Ausgangssignal, das das Ausmaß der Drehung der Wel
le 7 relativ zu der stationären Aufnahme 6 repräsentiert.
Dieses Signal wird in einem dem Fühler 2 zugeordneten, von
einem (z. B. aus Aluminium bestehenden, in einem Druckguss
verfahren hergestellten) Gehäuse 30 umschlossenen Elektro
nikmodul 3 der Abtasteinrichtung 1 ausgewertet.
Anhand der Fig. 2a bis 2c ist beispielhaft ein magneti
sches Meßprinzip zur Abtastung der Meßteilung 4
dargestellt. Es handelt sich hierbei um ein magnetoresisti
ves Meßverfahren, das auf dem Effekt beruht, daß der elek
trische Widerstand einiger Legierungen, insbesondere von
Eisen-Nickel-Legierungen, von der magnetischen Feldstärke
abhängt.
Der Übersichtlichkeit und einfacheren Darstellbarkeit wegen
ist das genannte Meßprinzip in den Fig. 2a bis 2c anhand
eines Längenmeßsystems erläutert; dieses Prinzip kann
jedoch ohne weiteres auf das in Fig. 1 gezeigte Winkelmeß
system übertragen werden. Es ist lediglich erforderlich,
anstelle eines längserstreckten Maßstabes eine entsprechen
de Meßteilung ringförmig auf der Teilungstrommel 40 aus
Fig. 1 vorzusehen und den zugehörigen Fühler geometrisch
derart auszubilden und anzuordnen, daß er zur Abtastung
einer ringförmigen Meßteilung geeignet ist.
Gemäß der Seitenansicht in Fig. 2a wird eine Meßteilung 4
durch einen permanentmagnetischen Maßstab mit einer periodi
sche Abfolge magnetischer Nord- und Südpole 41, 42 gleicher
Ausdehnung gebildet, wobei die Ausdehnung der einzelnen
Nord- und Südpole 41, 42 der Periode P der Anordnung bzw.
des abgetasteten Signals entspricht. Der zur Abtastung
dieser Meßteilung 4 vorgesehene magnetoresistive Fühler 2
weist eine auf einem Träger 20, z. B. einem Glasplättchen,
aufgebrachte Leiterbahnmikrostruktur 25 auf, die eine
Mehrzahl von Streifen 21-24, 21'-24' aus einem magneto
resistiven Material umfaßt. Alternativ können auch andere
Magnetfeld-Detektoren, wie z. B. eine Hall-Element, verwen
det werden.
Wie anhand Fig. 2a und der Draufsicht auf die Leiterbahnmi
krostruktur 25 gemäß Fig. 2b erkennbar ist, umfaßt die Lei
terbahnmikrostruktur 25 eine Vielzahl nebeneinander angeord
neter Leiterbahnen 21 bis 24, 21' bis 24' in Form von Strei
fen aus einem magnetoresistiven Material, deren Breite b
(Ausdehnung in Meßrichtung M) erheblich größer ist als
deren Dicke d, z. B. mit einer Dicke von 0.05 Mikrometern
und einer Breite b von 25 Mikrometern. Diese Leiterbah
nen 21 bis 24, 21' bis 24' sind in zwei Gruppen unterteilt,
von denen sich die eine (umfassend die Leiterbahnen 21 bis
24) von einem ersten, linken Rand des Glasplättchens 20 her
zu dessen Zentrum erstreckt, während sich die andere (umfas
sen die Leiterbahnen 21' bis 24') von dem anderen, rechten
Rand des Glasplättchens 20 her zu dessen Zentrum erstreckt.
Innerhalb einer Gruppe sind die Leiterbahnen 21 bis 24 bzw.
21' bis 24' jeweils derart zusammengeschaltet, daß jede
fünfte Leiterbahn in Reihe geschaltet wird, so daß in jeder
Gruppe von Leiterbahnen 21 bis 24, 21' bis 24' jeweils vier
Reihenschaltungen gebildet sind. Dabei sind die Leiterbah
nen 21 bis 24, 21' bis 24' mit einer Periode p' periodisch
nebeneinander angeordnet, die gleich einem Viertel der
Periode P des abgetasteten Signals ist. Dadurch können um
90° versetzte Phasenlagen der magnetischen Feldstärke der
Meßteilung 4 ermittelt werden.
Die einzelnen Leiterbahnen 21 bis 24, 21' bis 24' sind
jeweils durch magnetisch nicht sensitive Kupferleiter 10,
die ebenfalls als Leiterbahnen ausgebildet sind, miteinan
der verbunden. An den Kreuzungspunkten sind die Kupferlei
ter 10 gegeneinander isoliert.
Optional besteht die Möglichkeit, die gesamte Oberfläche
des Fühlers 2, die sich außerhalb des Gehäuses 30 befindet,
durch eine Beschichtung oder Umhüllung abzuschirmen. Da
durch darf aber die magnetische Feldstärke nicht wesentlich
beeinträchtigt werden. Weiterhin muß die Umhüllung sehr
dünn sein, da der Abstand zwischen Fühler und Meßteilung
nicht erhöht werden soll, Erfolgt die Umhüllung mittels
eines elektrisch leitenden Materials, so muß dieses zusätz
lich gegen die elektrischen Verbindungen isoliert werden.
Aufgrund dieser Vorgaben ist ersichtlich, daß eine Umhül
lung des Fühlers zwar einen verbesserten aber keinen ausrei
chenden Schutz beim Einsatz in explosionsgefährdeter Umge
bung bietet.
Wie anhand der Ersatzschaltbilder gemäß Fig. 2c erkennbar
ist, sind bei der in Fig. 2b dargestellten Schaltungsanord
nung die magnetoresistiven Leiterbahnen zu zwei Wheatsto
ne-Brücken geschaltet, an deren Eingängen jeweils die
Spannung 2×U anliegt und an deren Ausgängen eine
Spannung S1 bzw. S2 abgegriffen wird.
Es wird nun anhand der Fig. 2a bis 2c kurz die Funktion
des magnetoresistiven Abtastverfahrens erläutert, wobei die
in Fig. 2a dargestellte Relativposition des Meßfühlers 2
bezüglich der Meßteilung 4 zugrunde gelegt wird.
In der in Fig. 2a dargestellten Relativposition von Meßtei
lung 4 und Abtasteinrichtung 2 werden diejenigen Leiterbah
nen 21, 21', die genau zwischen den Nord- und Südpolen 41,
42 der Meßteilung 4 liegen, von den magnetischen Feldlini
en F in Meßrichtung M (also senkrecht zur Stromrichtung S)
maximal durchflutet. Dadurch verringert sich der ohmsche Wi
derstand dieser Leiterbahnen um einige Prozent.
Diejenigen Leiterbahnen 23, 23', die den Nord- und Südpo
len 41, 42 genau gegenüberstehen, werden dagegen von den
Feldlinien senkrecht zur Erstreckungsebene E der Leiterbahn
mikrostruktur 25, also in Richtung ihrer geringsten Ausdeh
nung durchflutet, wobei sich ihr ohmscher Widerstand nicht
spürbar verändert.
Entsprechende Betrachtungen gelten für die Leiterbahnen 22,
22', 24, 24' der Leiterbahnmikrostruktur 25, die sich
bezüglich der Nord- und Südpole 41, 42 der Meßteilung 4 in
solchen Positionen befinden, die gegenüber den Positionen
der vorstehend erwähnten Leiterbahnen 21, 21', 23, 23' um
jeweils eine viertel Periode P der Meßteilung 4 verschoben
sind.
Bei einer Bewegung der Meßteilung 4 relativ zu dem Fühler 2
entsteht an den Ausgängen der Brückenschaltungen jeweils
eine sinusförmige Spannung S1 bzw. S2, die um eine viertel
Periode zueinander phasenverschoben sind. Die beiden Signa
le werden einer Interpolationselektronik innerhalb eines
Elektronikmoduls (vergl. Elektronikmodul 3 in Fig. 1)
zugeführt, in der die Meßschritte durch Interpolation
bestimmt werden. Für weitere Einzelheiten zu diesem an sich
bekannten Verfahren sei auf das Fachbuch "Digitale Längen-
und Winkelmeßtechnik" von A. Ernst, 3. Auflage, 1998,
insbesondere Seiten 14 ff. sowie Seiten 80 ff. verwiesen.
In Fig. 3 ist ein magnetoresistiver Meßfühler 2 in der kon
kreten Ausgestaltung dargestellt, in der er innerhalb eines
Winkelmeßsystems gemäß Fig. 1 verwendet werden kann.
Der Fühler 2 umfaßt eine erste Leiterbahnmikrostruktur 26,
die zur Detektion eines Referenzimpulses dient, und eine
zweite Leiterbahnmikrostruktur 25 mit einer Vielzahl magne
toresistiver Leiterbahnen, die zur Abtastung einer inkremen
talen Teilung vorgesehen ist. Über Verbindungsleitungen 10
in Form von Kupferleiterbahnen werden die magnetoresistiven
Leiterbahnen einerseits untereinander und zum anderen mit
elektrischen Anschlüssen 13 verbunden sind, die als Ein-
und Ausgänge des Fühlers 2 dienen.
Die elektrischen Anschlüsse 13 sind innerhalb des Gehäu
ses 30 eines Elektronikmoduls, von dem in Fig. 3 lediglich
eine Gehäuseoberfläche 31 dargestellt ist, angeordnet. Das
Gehäuse dient dabei zumindest zur thermischen Abschirmung
gegen das das Gehäuse umgebende Medium sowie zur stoffli
chen Abschirmung. Befindet sich die Anordnung beispielswei
se in einem explosiven Gasgemisch, so ist das Gehäuse
gasdicht und thermisch isolierend auszubilden.
Zwischen den elektrischen Anschlüssen 13 und der Leiterbahn
mikrostruktur 25 und innerhalb des Gehäuses 30 weisen die
die elektrischen Verbindungsleitungen 10 bildenden Kupfer
leiter jeweils eine abschnittsweise Verengung 12 ihres
Querschnitts auf. Diese Querschnittsverengungen 12 bilden
Schmelzsicherungen 11, da die Stromdichte bzw. der ohmsche
Widerstand innerhalb der Verbindungsleitungen 10 im Bereich
der Querschnittsverengungen 12 am größten ist. Dadurch
erwärmen sich die Querschnittsverengungen 12 bei einem er
höhten Stromfluss weitaus stärker als die übrigen Abschnit
te der Verbindungsleitungen 10.
Bei einem starken Anstieg der Stromstärke in den Verbin
dungsleitungen 10 aufgrund eines Gerätefehlers oder aus son
stigen Gründen bilden sich daher im Bereich der Quer
schnittsverengungen 12 die höchsten, durch Stromfluss
erzeugten Temperaturen. Überschreitet diese Temperatur den
Schmelzpunkt des Materials, so schmilzt die entsprechende
Verbindungsleitung 10 an der Stelle der Querschnittsveren
gung 12, und der Stromfluß zu der Leiterbahnmikrostruk
tur 25 des Fühlers 2 ist unterbrochen. Hierdurch wird ver
mieden, daß sich diejenigen Teile der Abtasteinrichtung,
insbesondere die Leiterbahnmikrostruktur 25 des Meßfüh
lers 2, die außerhalb des Gehäuses 30 angeordnet und daher
gegenüber der Umgebung thermisch nicht abgeschirmt sind,
aufgrund einer unvorhergesehenen Stromerhöhung zu stark er
wärmen. Erst recht werden Spannungsüberschläge zwischen den
einzelnen Leitungen vermieden. Dies ermöglicht den Einsatz
des Meßfühlers 2 auch in explosionsgefährdeter Umgebung.
Schmelzsicherungen in Form von Querschnittsverengungen 12
können einerseits in einigen ausgewählten Verbindungsleitun
gen 10 vorgesehen sein, insbesondere in den Spannungsversot
gungsleitungen. Vorzugsweise sind jedoch die Querschnitts
verengungen 12 in allen Verbindungsleitungen 10 vorgesehen,
die teilweise außerhalb des Gehäuses 30 verlaufen. Dadurch
wird sichergestellt, daß sich die Verbindungsleitungen 10
auch bei einem Kurzschluß mit einer externen Spannungsquel
le nicht unzulässig stark erwärmen.
Claims (9)
1. Abtasteinrichtung für Positionsmeßsysteme zur Abtastung
einer Meßteilung mit
daß in den zu dem Fühler (2) führenden elektrischen Ver bindungen (10) innerhalb des Gehäuses (30) des Elektro nikmoduls (3) mindestens eine Schmelzsicherung (11) vorgesehen ist, die den Stromfluß zu dem Fühler (2) unterbricht, wenn die aufgrund des Stromflusses erzeugte Temperatur einen vorgebbaren Wert überschreitet, und daß das Gehäuse (30) des Elektronikmoduls (3) zugleich das Gehäuse der mindestens einen Schmelzsicherung (11) bildet.
- - einem Fühler, der mit der Meßteilung in Wirkverbindung bringbar ist und der über elektrische Verbindungen mit elektrischem Strom versorgt wird,
- - einem Elektronikmodul, das mit dem Fühler elektrisch gekoppelt ist,
- - einem Gehäuse des Elektronikmoduls, mit dem das Elek tronikmodul gegenüber der Umgebung abgeschirmt ist, und
- - Mitteln, die die Stromzufuhr in den Fühler begrenzen,
daß in den zu dem Fühler (2) führenden elektrischen Ver bindungen (10) innerhalb des Gehäuses (30) des Elektro nikmoduls (3) mindestens eine Schmelzsicherung (11) vorgesehen ist, die den Stromfluß zu dem Fühler (2) unterbricht, wenn die aufgrund des Stromflusses erzeugte Temperatur einen vorgebbaren Wert überschreitet, und daß das Gehäuse (30) des Elektronikmoduls (3) zugleich das Gehäuse der mindestens einen Schmelzsicherung (11) bildet.
2. Abtasteinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich
net, daß die Schmelzsicherung (11) durch eine abschnitts
weise Verengung (12) des Querschnitts der elektrischen
Verbindungen (10) gebildet wird.
3. Abtasteinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich
net, daß die Schmelzsicherung (11) durch einen Abschnitt
der elektrischen Verbindungen (10) aus einem elektrisch
leitenden Material mit vermindertem Schmelzpunkt oder
mit einem erhöhten spezifischen Widerstand gebildet
wird.
4. Abtasteinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelzsiche
rung (11) hinter den elektrischen Anschlüssen (13) des
Fühlers (2) zwischen dem Fühler (2) und dem Elektronikmo
dul (3) innerhalb dessen Gehäuse (30) angeordnet ist.
5. Abtasteinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß für jede elektrische
Verbindung (10), die teilweise außerhalb des Gehäu
ses (30) des Elektronikmoduls (3) verläuft, eine Schmelz
sicherung (11) vorgesehen ist.
6. Abtasteinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß als elektrische Verbin
dungen (10) Leiterbahnen vorgesehen sind.
7. Abtasteinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (30) des
Elektronikmoduls (3) aus Aluminium besteht.
8. Abtasteinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß der Fühler (2) die
Meßteilung (4) nach dem induktiven, magnetischen oder
photoelektrischen Meßprinzip abtastet.
9. Abtasteinrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich
net, daß der Fühler (2) als magnetoresistiver Fühler
ausgebildet ist.
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US6847030B1 (en) | 2005-01-25 |
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