JPS62248117A - 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JPS62248117A JPS62248117A JP28228785A JP28228785A JPS62248117A JP S62248117 A JPS62248117 A JP S62248117A JP 28228785 A JP28228785 A JP 28228785A JP 28228785 A JP28228785 A JP 28228785A JP S62248117 A JPS62248117 A JP S62248117A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という）となる磁気
抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜という）は一般に他のバイア
ス手段と共に２つの磁極の間に配置される。ＭＲ膜はス
トライプ状にパターン形成され、そのストライプ両端部
が導電性引き出しパターンと電気的に接続されてＭＲ素
子となる。ストライプ状のＭＲ膜のパターンの長さは磁
気ヘッドとしての再生トラック幅に相当し正確に上下２
つの磁極の幅と一致している力が好ましい。
抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜という）は一般に他のバイア
ス手段と共に２つの磁極の間に配置される。ＭＲ膜はス
トライプ状にパターン形成され、そのストライプ両端部
が導電性引き出しパターンと電気的に接続されてＭＲ素
子となる。ストライプ状のＭＲ膜のパターンの長さは磁
気ヘッドとしての再生トラック幅に相当し正確に上下２
つの磁極の幅と一致している力が好ましい。
このために従来、下部磁極を形成した後、絶縁膜を付着
し、次にＭＲ膜をストライプ状に下部磁極をおおうよう
に配置し、下部磁極端部よシ少し離れた場所でＭＲ膜と
引き出しパターンとの電気的接続を計っていた。
し、次にＭＲ膜をストライプ状に下部磁極をおおうよう
に配置し、下部磁極端部よシ少し離れた場所でＭＲ膜と
引き出しパターンとの電気的接続を計っていた。
この従来の方法では下部磁極端部が鋭利に切り立ってい
るため、ＭＲ膜が連続的に付着せず、電気的な接続が損
なわれる場合があった。
るため、ＭＲ膜が連続的に付着せず、電気的な接続が損
なわれる場合があった。
上記欠点を解決する方法として第８図に示す特開昭５９
−３０２２３号の方法が提案されている。第８図におい
て、下部磁極１の上にＭＲ膜２及び引き出しパターン３
，４を形成することにより、上述の下部磁極端部でのＭ
Ｒ膜の切断を防いでいる。
−３０２２３号の方法が提案されている。第８図におい
て、下部磁極１の上にＭＲ膜２及び引き出しパターン３
，４を形成することにより、上述の下部磁極端部でのＭ
Ｒ膜の切断を防いでいる。
しかし、引き出しパターンのある部分では、ＭＲ膜は本
来の磁束感知機能を発揮することはできない。このため
、第８図に示した方法では有効な再生トラック幅が下部
磁極の幅より小さくなってしまう。又ＭＲ膜と下部磁極
との間にはさまれる絶縁膜は極めて薄いため、第８図に
示すように下部磁極が大きく、その全面に渡ってＭＲ膜
が存在する場合、絶縁膜内のピンホールにより容易に下
部磁極とＭＲ膜がショートする事故が起こる可能があつ
念。
来の磁束感知機能を発揮することはできない。このため
、第８図に示した方法では有効な再生トラック幅が下部
磁極の幅より小さくなってしまう。又ＭＲ膜と下部磁極
との間にはさまれる絶縁膜は極めて薄いため、第８図に
示すように下部磁極が大きく、その全面に渡ってＭＲ膜
が存在する場合、絶縁膜内のピンホールにより容易に下
部磁極とＭＲ膜がショートする事故が起こる可能があつ
念。
本発明は第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜にはさまれ７ｔ
ＭＲ膜を下部磁極と上部磁極との間に有する磁気ヘッド
において、下部磁極の傾斜した端部上にＭＲ膜と電気的
に接続された少なくとも２つの導電膜を有し、該導電膜
と上部磁極の端部とを前記第２の絶縁膜を介して配置し
た薄膜磁気ヘッド及び、 第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜によフ両面を挾み付けた
磁気抵抗効果膜を下部磁極と上部磁極との間に磁気ヘッ
ドにおいて、下部磁極の傾斜した端部上に磁気抵抗効果
膜と電気的に接続された少なくとも２つの導電膜を有し
、該導電膜と上部磁極の端部とを前記第２の絶縁膜を介
して配置し、さらに上部磁極上に＠３の絶縁膜、コイル
、第３の磁極を積層形成し、第３の磁極と上部磁極とを
磁気的に接続したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド並び
に、 非磁性基板上に磁性膜を付着した後、ドライエツチング
により下部磁極の形状を形成し、該下部磁極の上に第１
の絶縁膜及びバイアス手段を含む磁気抵抗効果膜を真空
蒸着あるいはスパッタにより積層し、次に少なくとも下
部磁極の端部上の磁気抵抗効果膜が露出し下部磁極上を
含む該磁気抵抗効果膜がおおわれるようにフォトレジス
トを塗太１．今錫−仝メッキを１６− 式ちに下顛歳塔
トの磁気抵抗効果膜をおおっているフォトレジスト以外
のフォトレジストを除去し、かつドライエツチングによ
り露出している磁気抵抗効果膜を除去し、第２の絶縁膜
を付着した後上部磁極を形成し、さらに該上部磁極上に
第３の絶縁膜、導電膜によるコイル及び第３の磁極を積
層することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
る。
ＭＲ膜を下部磁極と上部磁極との間に有する磁気ヘッド
において、下部磁極の傾斜した端部上にＭＲ膜と電気的
に接続された少なくとも２つの導電膜を有し、該導電膜
と上部磁極の端部とを前記第２の絶縁膜を介して配置し
た薄膜磁気ヘッド及び、 第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜によフ両面を挾み付けた
磁気抵抗効果膜を下部磁極と上部磁極との間に磁気ヘッ
ドにおいて、下部磁極の傾斜した端部上に磁気抵抗効果
膜と電気的に接続された少なくとも２つの導電膜を有し
、該導電膜と上部磁極の端部とを前記第２の絶縁膜を介
して配置し、さらに上部磁極上に＠３の絶縁膜、コイル
、第３の磁極を積層形成し、第３の磁極と上部磁極とを
磁気的に接続したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド並び
に、 非磁性基板上に磁性膜を付着した後、ドライエツチング
により下部磁極の形状を形成し、該下部磁極の上に第１
の絶縁膜及びバイアス手段を含む磁気抵抗効果膜を真空
蒸着あるいはスパッタにより積層し、次に少なくとも下
部磁極の端部上の磁気抵抗効果膜が露出し下部磁極上を
含む該磁気抵抗効果膜がおおわれるようにフォトレジス
トを塗太１．今錫−仝メッキを１６− 式ちに下顛歳塔
トの磁気抵抗効果膜をおおっているフォトレジスト以外
のフォトレジストを除去し、かつドライエツチングによ
り露出している磁気抵抗効果膜を除去し、第２の絶縁膜
を付着した後上部磁極を形成し、さらに該上部磁極上に
第３の絶縁膜、導電膜によるコイル及び第３の磁極を積
層することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
る。
次に本発明の一実施例について図面を参照して、まず製
造手順に従って説明する。第２図から第７図は製造途中
の薄膜磁気ヘッドを示し、（α）は最終的に機械的に切
断される仮想線よυ見た断面図である。仮想線を代表的
に第２図でＡＡ′として示す。
造手順に従って説明する。第２図から第７図は製造途中
の薄膜磁気ヘッドを示し、（α）は最終的に機械的に切
断される仮想線よυ見た断面図である。仮想線を代表的
に第２図でＡＡ′として示す。
第２図（α） 、 （ｂ）において、非磁性セラミック
ス製の基板５上に電気メッキ又はスパッタにより磁性膜
が付着され、さらにフォトレジスト又は金属マスクを保
護膜としてイオンミーリングに代表されるドライエツチ
ングにより下部磁極６のパターンが形成される。下部磁
極６の端部７，８の傾斜は例えばイオンミーリングでア
ルゴンイオンノ入射角度を４５°に選ぶことにより約４
５°にすることができる。
ス製の基板５上に電気メッキ又はスパッタにより磁性膜
が付着され、さらにフォトレジスト又は金属マスクを保
護膜としてイオンミーリングに代表されるドライエツチ
ングにより下部磁極６のパターンが形成される。下部磁
極６の端部７，８の傾斜は例えばイオンミーリングでア
ルゴンイオンノ入射角度を４５°に選ぶことにより約４
５°にすることができる。
次に第３図（α） 、 （ｂ）において、下部磁極６上
に第１の絶縁膜９及びＭＲ膜１０を真空蒸着又はスパッ
タにより積層する。この際、同時にＭＲ膜１０のバイア
ス手段、たとえばシャントバイアス方式の場合はＷ膜等
を付与するが、数々の方式が考えられるため、第３図で
は省略しである。その後、第４図（ω、（ｂ）に示すよ
うに金メッキにより引き出しパターン１１を形成する。
に第１の絶縁膜９及びＭＲ膜１０を真空蒸着又はスパッ
タにより積層する。この際、同時にＭＲ膜１０のバイア
ス手段、たとえばシャントバイアス方式の場合はＷ膜等
を付与するが、数々の方式が考えられるため、第３図で
は省略しである。その後、第４図（ω、（ｂ）に示すよ
うに金メッキにより引き出しパターン１１を形成する。
まず、ＭＲ膜１０の上にフォトレジストを塗布し、引き
出しパターン１１に相当する部分のフォトレジストを露
光現像により除去する。次にＭＲ膜１０を電極として金
を電気メッキにより付着する。
出しパターン１１に相当する部分のフォトレジストを露
光現像により除去する。次にＭＲ膜１０を電極として金
を電気メッキにより付着する。
その後、下部磁極６の上のフオトレジス）ｔ−ｆｉして
他の部分のフォトレジストを除去する。露出したＭＲ膜
はドライエツチングによりエツチングされ、第５図（α
） 、 （ｂ）のように下部磁極６上にＭＲ膜１０が残
り、なおかつ下部磁極６の端部７，８の上でＭＲ膜１０
と引き出しパターン１１とは電気的に接続されている。
他の部分のフォトレジストを除去する。露出したＭＲ膜
はドライエツチングによりエツチングされ、第５図（α
） 、 （ｂ）のように下部磁極６上にＭＲ膜１０が残
り、なおかつ下部磁極６の端部７，８の上でＭＲ膜１０
と引き出しパターン１１とは電気的に接続されている。
次に第６図（α） 、 （ｂ）に示すように基板全体に
第２の絶縁層１２を真空蒸着又はスパッタにより形成し
た後、下部磁極６の直上でなおかつ引き出しパターン１
１にはさまれた部分に上部磁極１３を作成する。
第２の絶縁層１２を真空蒸着又はスパッタにより形成し
た後、下部磁極６の直上でなおかつ引き出しパターン１
１にはさまれた部分に上部磁極１３を作成する。
上部磁極１３はスパッタ又は電気メッキにより作成でき
るが、予じめ金腕下地層１５を付着し、引き出しパター
ン１１上をフォトレジストでおおった後に、電気メッキ
する方法を用いることが、上部磁極１３をより平面的に
できる点で好ましい。
るが、予じめ金腕下地層１５を付着し、引き出しパター
ン１１上をフォトレジストでおおった後に、電気メッキ
する方法を用いることが、上部磁極１３をより平面的に
できる点で好ましい。
以上の製造方法によりＭＲ膜１０が下部磁極６及び上部
磁極１３ではさまれた第６図（ｄ 、 （ｂ）に示す薄
膜磁気ヘッドを完成する。ただし、前記薄膜磁気ヘッド
はＭＲ膜を利用したシールド型と呼ばれる再生専用磁気
ヘッドであり、書込機能を付与するにはコイルを有する
インダクティプ型と呼ばれる要素を追加することが必要
である。以下インダクテイプ型要素の追加製造方法につ
いて示す。
磁極１３ではさまれた第６図（ｄ 、 （ｂ）に示す薄
膜磁気ヘッドを完成する。ただし、前記薄膜磁気ヘッド
はＭＲ膜を利用したシールド型と呼ばれる再生専用磁気
ヘッドであり、書込機能を付与するにはコイルを有する
インダクティプ型と呼ばれる要素を追加することが必要
である。以下インダクテイプ型要素の追加製造方法につ
いて示す。
第７図（ｄ 、 （ｂ）に示す如く、第３の絶縁層１４
を上部磁極１３上に真空蒸着又はスパッタによシ作成し
、さらに全体の凹凸を解消するためノボラックを主成分
とする第１の有機絶縁層１５で上部磁極１３及び引き出
しパターンｌｌ上をおおう。次に有機絶縁層１５上に銅
又は金の薄膜によるコイル１６を形成し、さらに第２の
有機絶縁層１７により前記コイル１６をおおう。その後
、磁性膜をスパッタ又は電気メッキにより付着しさらに
上部磁極１３とほぼ同一形状に成形し、第３の磁極１８
を作成することにより、第１図の薄膜磁気ヘッドとなる
。
を上部磁極１３上に真空蒸着又はスパッタによシ作成し
、さらに全体の凹凸を解消するためノボラックを主成分
とする第１の有機絶縁層１５で上部磁極１３及び引き出
しパターンｌｌ上をおおう。次に有機絶縁層１５上に銅
又は金の薄膜によるコイル１６を形成し、さらに第２の
有機絶縁層１７により前記コイル１６をおおう。その後
、磁性膜をスパッタ又は電気メッキにより付着しさらに
上部磁極１３とほぼ同一形状に成形し、第３の磁極１８
を作成することにより、第１図の薄膜磁気ヘッドとなる
。
上記製造方法により第１図（α）に示す如く下部磁極６
の端部７，８上でＭＲ膜１０と引き出しパターン１１と
が電気的に接続され、又上部磁極１３の端部と前記引き
出しパターン１１とを第２の絶縁層１２を介して配置す
る構造のシールド形再生ヘッドと、前記上部磁極１３を
一方の磁極とし、もう一方が第３の磁極１８で構成され
るインダクテイプ型書込ヘッドとが複合された薄膜磁気
ヘッドが得られる。
の端部７，８上でＭＲ膜１０と引き出しパターン１１と
が電気的に接続され、又上部磁極１３の端部と前記引き
出しパターン１１とを第２の絶縁層１２を介して配置す
る構造のシールド形再生ヘッドと、前記上部磁極１３を
一方の磁極とし、もう一方が第３の磁極１８で構成され
るインダクテイプ型書込ヘッドとが複合された薄膜磁気
ヘッドが得られる。
以上説明したように本発明によれば、下部磁極の傾斜し
た端部の上でＭＲ膜と引き出しパターンとを電気的に接
続することにより、下部磁極の端部を薄いＭＲ膜が乗り
越えることによる断線の可能性を少なくすることができ
る。又下部磁極上の広い面積に渡ってＭＲ膜を配置する
必要がないため、ＭＲ膜と下部磁極との間の絶縁層のピ
ンホールによるショートを防ぐことができる。
た端部の上でＭＲ膜と引き出しパターンとを電気的に接
続することにより、下部磁極の端部を薄いＭＲ膜が乗り
越えることによる断線の可能性を少なくすることができ
る。又下部磁極上の広い面積に渡ってＭＲ膜を配置する
必要がないため、ＭＲ膜と下部磁極との間の絶縁層のピ
ンホールによるショートを防ぐことができる。
さらに上部磁極を共通の磁極とするインダクティプ型書
込ヘッドとの組み合わせでは第３の磁極の幅を上部磁極
と同一にすることにより、ＭＲ膜の有効再生トラック幅
よりもトラック幅の広い書込みが可能であり、このこと
により狭トラツク幅を要求される高トラック記憶密度記
録において、トラックずれによるＳ／Ｎ比低下を防ぐこ
とが容易にできる効果を有するものである。
込ヘッドとの組み合わせでは第３の磁極の幅を上部磁極
と同一にすることにより、ＭＲ膜の有効再生トラック幅
よりもトラック幅の広い書込みが可能であり、このこと
により狭トラツク幅を要求される高トラック記憶密度記
録において、トラックずれによるＳ／Ｎ比低下を防ぐこ
とが容易にできる効果を有するものである。
第１図（α）は本発明の薄膜磁気ヘッドの断面図、第１
図（ｂ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの平面図、第２図（
菊は本発明の薄膜磁気ヘッドの下部磁極を示す断面図、
（ｂ）は同平面図、第３図（α）は本発明の薄膜磁気ヘ
ッドのＭＲ膜を示す断面図、（ｂ）は同平面図、第４図
（α）は引き出しパターンを示す断面図、（ｂ）は同平
面図、第５図（α）はエツチング後のＭＲ膜を示す断面
図、缶）は同平面図、第６図（α）は上部磁極を示す断
面図、（ｂ）は同平面図、第７図（α）は第３の絶縁層
を示す断面図、（ｂ）は同平面図、第８図は従来例を示
す平面図である。 ６・・・下部磁極、１０・・・ＭＲ膜、１１・・・引き
出しパターン、１３・・・上部磁極、１４・・・第３の
絶縁層、１８・・・第３の磁極
図（ｂ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの平面図、第２図（
菊は本発明の薄膜磁気ヘッドの下部磁極を示す断面図、
（ｂ）は同平面図、第３図（α）は本発明の薄膜磁気ヘ
ッドのＭＲ膜を示す断面図、（ｂ）は同平面図、第４図
（α）は引き出しパターンを示す断面図、（ｂ）は同平
面図、第５図（α）はエツチング後のＭＲ膜を示す断面
図、缶）は同平面図、第６図（α）は上部磁極を示す断
面図、（ｂ）は同平面図、第７図（α）は第３の絶縁層
を示す断面図、（ｂ）は同平面図、第８図は従来例を示
す平面図である。 ６・・・下部磁極、１０・・・ＭＲ膜、１１・・・引き
出しパターン、１３・・・上部磁極、１４・・・第３の
絶縁層、１８・・・第３の磁極
Claims (3)
- （１）第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜により両面を挾み
付けた磁気抵抗効果膜を下部磁極と上部磁極との間に磁
気ヘッドにおいて、下部磁極の頃斜した端部上に磁気抵
抗効果膜と電気的に接続された少なくとも２つの導電膜
を有し、該導電膜と上部磁極の端部とを前記第２の絶縁
膜を介して配置したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - （２）第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜により両面を挾み
付けた磁気抵抗効果膜を下部磁極と上部磁極との間に磁
気ヘッドにおいて、下部磁極の傾斜した端部上に磁気抵
抗効果膜と電気的に接続された少なくとも２つの導電膜
を有し、該導電膜と上部磁極の端部とを前記第２の絶縁
膜を介して配置し、さらに上部磁極上に第３の絶縁膜、
コイル、第３の磁極を積層形成し、第３の磁極と上部磁
極とを磁気的に接続したことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 - （３）非磁性基板上に磁性膜を付着した後、ドライエッ
チングにより下部磁極の形状を形成し、該下部磁極の上
に第１の絶縁膜及びバイアス手段を含む磁気抵抗効果膜
を真空蒸着あるいはスパッタにより積層し、次に少なく
とも下部磁極の端部上の磁気抵抗効果膜が露出し下部磁
極上を含む該磁気抵抗効果膜がおおわれるようにフォト
レジストを塗布した後、金メッキをし、さらに下部磁極
上の磁気抵抗効果膜をおおつているフォトレジスト以外
のフォトレジストを除去し、かつドライエッチングによ
り露出している磁気抵抗効果膜を除去し、第２の絶縁膜
を付着した後上部磁極を形成し、さらに該上部磁極上に
第３の絶縁膜、導電膜によるコイル及び第３の磁極を積
層することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28228785A JPS62248117A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28228785A JPS62248117A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62248117A true JPS62248117A (ja) | 1987-10-29 |
Family
ID=17650462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28228785A Pending JPS62248117A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62248117A (ja) |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP28228785A patent/JPS62248117A/ja active Pending
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