JPS6045922A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPS6045922A JPS6045922A JP15364483A JP15364483A JPS6045922A JP S6045922 A JPS6045922 A JP S6045922A JP 15364483 A JP15364483 A JP 15364483A JP 15364483 A JP15364483 A JP 15364483A JP S6045922 A JPS6045922 A JP S6045922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- magnetic head
- insulating
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔｘｔ 発明の技術分野
本発明はシールド付磁気抵抗効果型磁気（ＭＲ）ヘッド
のに係り、特にＭＲ子をイオンエツチングでパターンヅ
成する場合に歩留り良（ヘッドが製造出来る方法に関す
る。
のに係り、特にＭＲ子をイオンエツチングでパターンヅ
成する場合に歩留り良（ヘッドが製造出来る方法に関す
る。
（２）技術の背景
磁気抵抗効果型磁気ヘッドとしては第１図に示した構造
ををするＭＲヘッドが知られている。
ををするＭＲヘッドが知られている。
第１図によればＮｌＦｅパーマロイ等の強磁性薄膜より
なる磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１゜及びアルミニウ
ム等よりなるバイアス導体２が蒸着あるいはフォトリソ
グラフィにより、二酸化珪素（Ｓ ｔ ０２ ） 、ア
ルミナ（ＡＩ、Ｏ，）のような絶縁Ｍ３を介在して配置
され、該絶縁層３はガラス基板４上にスパッタ法あるい
は蒸着法により配置されており、ＭＲ素子１の両側には
磁気へ・ノドの分解能を向上するためのシールド磁性体
５゜６が配置されている。こ＼で７は磁気ディスクまた
は磁気テープ等の記録媒体を示し矢印Ａは該記録媒体の
移動方向を示す。
なる磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１゜及びアルミニウ
ム等よりなるバイアス導体２が蒸着あるいはフォトリソ
グラフィにより、二酸化珪素（Ｓ ｔ ０２ ） 、ア
ルミナ（ＡＩ、Ｏ，）のような絶縁Ｍ３を介在して配置
され、該絶縁層３はガラス基板４上にスパッタ法あるい
は蒸着法により配置されており、ＭＲ素子１の両側には
磁気へ・ノドの分解能を向上するためのシールド磁性体
５゜６が配置されている。こ＼で７は磁気ディスクまた
は磁気テープ等の記録媒体を示し矢印Ａは該記録媒体の
移動方向を示す。
第２図は第１図で用いられているＭＲ素子の概略斜視図
である。こ〜でｔは膜厚、Ｗは素子幅。
である。こ〜でｔは膜厚、Ｗは素子幅。
ｌはコア幅であり、ＭＲ素子には電流端子８から一定の
電流Ｊが供給される。通常膜厚ｔは数１０ｎｍ−程に選
択され、コア幅１は素子幅Ｗより十分長くして形状異方
性によりコア幅方向に磁化容易軸が向くようにＭＲ素子
には一軸異方性が必要である。−軸異方性を付与するた
めに、磁場中蒸着等によって誘導異方性を利用すること
も通常行なわれている。ＭＲ素子１は外部磁界によって
その抵抗値が変化する現象を利用して信号の検出を行な
うわけであるが、外部磁界と抵抗値との関係はそのま＼
では非線形であるため第１図に示したバイアス磁界発生
手段であるバイアス導体２によってＭＲ素子に素子幅方
向のバイアス磁界を印加し素子の動作を線形化する。
電流Ｊが供給される。通常膜厚ｔは数１０ｎｍ−程に選
択され、コア幅１は素子幅Ｗより十分長くして形状異方
性によりコア幅方向に磁化容易軸が向くようにＭＲ素子
には一軸異方性が必要である。−軸異方性を付与するた
めに、磁場中蒸着等によって誘導異方性を利用すること
も通常行なわれている。ＭＲ素子１は外部磁界によって
その抵抗値が変化する現象を利用して信号の検出を行な
うわけであるが、外部磁界と抵抗値との関係はそのま＼
では非線形であるため第１図に示したバイアス磁界発生
手段であるバイアス導体２によってＭＲ素子に素子幅方
向のバイアス磁界を印加し素子の動作を線形化する。
（３）従来技術と問題点
従来のシールド付相互バイアス型のＭＲヘッドを例にと
って説明する。
って説明する。
第３図はシールド付相互バイアス型のＭＲヘッドの断面
図を示している。
図を示している。
３１は基板であり３２．３３はＮｉＦｅ膜で作られた第
１シールド層、第２シールド層であり１４．３５は薄い
Ｎｉ’Ｆｅ でン されたＭＲ素であり、３６，３７．
３８はシールド層３２．３３及びＭＲ素子３４．３５を
電気的に絶縁しかつギャップを構成する絶縁層であるが
通常Ｓ ｉ ０２膜が使用されている。
１シールド層、第２シールド層であり１４．３５は薄い
Ｎｉ’Ｆｅ でン されたＭＲ素であり、３６，３７．
３８はシールド層３２．３３及びＭＲ素子３４．３５を
電気的に絶縁しかつギャップを構成する絶縁層であるが
通常Ｓ ｉ ０２膜が使用されている。
ＳｌＯ膜はスパッタリング又は蒸着で成膜されている。
しかしＳｉＯＩはＡｔ Ｏ膜に比べてイオンエツチング
レートが きくＭＲ素子をイオンエツチングでパターン
形成する場合第４図の如くＭＲ素子３４の下のつまり
１シールドＩＰｉ３２の上の １の色 層である５ｉｏ
ｌ１３６が工・ノチン久ｔｔ−を引立溝４０が形成され
るという欠点がある。
レートが きくＭＲ素子をイオンエツチングでパターン
形成する場合第４図の如くＭＲ素子３４の下のつまり
１シールドＩＰｉ３２の上の １の色 層である５ｉｏ
ｌ１３６が工・ノチン久ｔｔ−を引立溝４０が形成され
るという欠点がある。
溝４０が形成されると、第３の絶縁層を形成する際に溝
４０の部分のステソプ力ハリ・ノジが悪くなるため、ク
ラックを生じ、第２シールド層又は端子をケミカルエツ
チングでパターン形成する場合エツチング流がそのクラ
ックを通して浸透しＭＲ素子もしくは第１シールド層３
４を腐食させるという欠点が生ずる。
４０の部分のステソプ力ハリ・ノジが悪くなるため、ク
ラックを生じ、第２シールド層又は端子をケミカルエツ
チングでパターン形成する場合エツチング流がそのクラ
ックを通して浸透しＭＲ素子もしくは第１シールド層３
４を腐食させるという欠点が生ずる。
（４）発明の目的
本発明はＭＲ素子の下の １シ一ルド層の上のＩＬＬΔ
匿歇ｌ（ｓ ｔ ｏ２膜比べてイオンエ・ツチジグレー
トの小さい人↓、否□」１Ｕ１肛他（７） 第」し」−
３）（７）痰１ｉｉｔｃ星スルーホールを形成する必要
があるためＡＩ、Ｏ，膜に比べてズラじ４Ｚ」孔ムテー
ングの容易なＳｉＯ膜又はＳｔ Ｎ を用いることによ
って歩留りの良いヘッドを提供することにある。
匿歇ｌ（ｓ ｔ ｏ２膜比べてイオンエ・ツチジグレー
トの小さい人↓、否□」１Ｕ１肛他（７） 第」し」−
３）（７）痰１ｉｉｔｃ星スルーホールを形成する必要
があるためＡＩ、Ｏ，膜に比べてズラじ４Ｚ」孔ムテー
ングの容易なＳｉＯ膜又はＳｔ Ｎ を用いることによ
って歩留りの良いヘッドを提供することにある。
（５）発明の構成
本発明は基板上に、磁性膜で作られた２つのシールド層
に挟まれたギャップ内にＭＲ素子を設けたシールド付磁
気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて基板側に近い第１シー
ルド層上の絶縁層にスバ・ツタリング、又は蒸着によっ
て成膜したＡＩ：ＩＯ。
に挟まれたギャップ内にＭＲ素子を設けたシールド付磁
気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて基板側に近い第１シー
ルド層上の絶縁層にスバ・ツタリング、又は蒸着によっ
て成膜したＡＩ：ＩＯ。
薄膜を、他の絶縁層には５１０２膜ＳｉＯ膜あるいはＳ
ｌ、Ｎｓ 膜を成膜したことを特徴とする磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにより達成される。
ｌ、Ｎｓ 膜を成膜したことを特徴とする磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにより達成される。
即ち、本発明はＡＩ、Ｏ，膜のイオンエツチングレート
が小さいという特性とＳ ｔ Ｏ，膜のプラズマエツチ
ングが容易であるという特性を使い分けることによって
ＭＲヘッドの歩留りを良くするようにしたものである。
が小さいという特性とＳ ｔ Ｏ，膜のプラズマエツチ
ングが容易であるという特性を使い分けることによって
ＭＲヘッドの歩留りを良くするようにしたものである。
（６） 発明の実施例
本発明の実施例をシールド付相互バイアス型のＭＲヘッ
ドを例にとって説明する。シールド付相互バイアス型の
ＭＲヘッドの断面図は第３図の如（に示される。
ドを例にとって説明する。シールド付相互バイアス型の
ＭＲヘッドの断面図は第３図の如（に示される。
本発明のＭＲヘッドの製造工程の１断面図を第５図に示
す。
す。
まず ３１上にＮｉＦｅ ３２を蒸着あるいはスパッタ
によって所定の厚さに成膜し、その後Ａ１０３６’を
し、続いてＭＲ素子屓３４、絶縁層３７．ＭＲ素子Ｍ３
５を順次成膜するその後レジストを用いた通常の露光技
術を用いてレジストをパターン３９を形成し、レジスト
パターン３９をマスクにイオンエツチングＩによってＭ
Ｒ素子層３５．絶縁Ｆｉ３７．ＭＲ素子Ｊ’ｆＷ３４−
ｉ’を一括してエツチングを行う。（第２図（１））こ
の工程において絶縁層３６′は若干エツチングされるが
ＡＩ、Ｏ，膜３６′ばＳｉＯ２膜３７膜圧７てイオンエ
ツチングレートは約１／３であるためオーバーエツチン
グによる不良を少なく出′来る。
によって所定の厚さに成膜し、その後Ａ１０３６’を
し、続いてＭＲ素子屓３４、絶縁層３７．ＭＲ素子Ｍ３
５を順次成膜するその後レジストを用いた通常の露光技
術を用いてレジストをパターン３９を形成し、レジスト
パターン３９をマスクにイオンエツチングＩによってＭ
Ｒ素子層３５．絶縁Ｆｉ３７．ＭＲ素子Ｊ’ｆＷ３４−
ｉ’を一括してエツチングを行う。（第２図（１））こ
の工程において絶縁層３６′は若干エツチングされるが
ＡＩ、Ｏ，膜３６′ばＳｉＯ２膜３７膜圧７てイオンエ
ツチングレートは約１／３であるためオーバーエツチン
グによる不良を少なく出′来る。
レジス）１３９を除去した後、絶縁ｆ！！３Ｂを成膜す
る。
る。
絶縁層３８を成膜した後ＭＲ素子３４．３５からの端子
を形成するために絶縁１’！１３７．３８にコンタクト
ホールを形成する。
を形成するために絶縁１’！１３７．３８にコンタクト
ホールを形成する。
本発明において、基板側のシールド層上の第１絶縁Ｎ３
６′をＡＩ、Ｏ，膜で、第２．第３の絶縁層３７．３８
としては５ｉ０２膜、ＳｉＯ膜もしくはＳｔ、Ｎｐ膜等
で形成することができる。
６′をＡＩ、Ｏ，膜で、第２．第３の絶縁層３７．３８
としては５ｉ０２膜、ＳｉＯ膜もしくはＳｔ、Ｎｐ膜等
で形成することができる。
（７）発明の効果
本発明によりＡｌ２Ｏ，膜のイオンエツチングレートが
小さいという特性と５ｉｏ２１１．ＳｉＯ膜もしくはＳ
ｌ、Ｎ４１１ｉのプラズマエツチングが容易であるとい
う特性を使い分けることによってＭＲヘッドの歩留りを
向上できる。
小さいという特性と５ｉｏ２１１．ＳｉＯ膜もしくはＳ
ｌ、Ｎ４１１ｉのプラズマエツチングが容易であるとい
う特性を使い分けることによってＭＲヘッドの歩留りを
向上できる。
第１図、第３図は磁気抵抗効果型磁気ヘッドの断面図、
第２図は磁気抵抗効果型磁気ヘッドのＭＲ素子の斜視図
、第４図は従来のＭＲヘッドの製造工程での欠点を説明
する図、第５図は本発明のＭＲヘッドの製造工程を示す
断面図である。 １．１１・・・磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、２・・
・バイアス導体、３・・・絶縁層、４・・・基板、５．
６・・・シールド磁性体、７・・・記録媒体、８．１２
・・・電流端子。 ３１：基板、３２，３３：ＮｉＦｅ膜、３４．。 ３５：ＭＲ素子、３６，３７．３８：絶縁層、３６’ｊ
ＡＰ、Ｏ，膜。 爆３目
第２図は磁気抵抗効果型磁気ヘッドのＭＲ素子の斜視図
、第４図は従来のＭＲヘッドの製造工程での欠点を説明
する図、第５図は本発明のＭＲヘッドの製造工程を示す
断面図である。 １．１１・・・磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、２・・
・バイアス導体、３・・・絶縁層、４・・・基板、５．
６・・・シールド磁性体、７・・・記録媒体、８．１２
・・・電流端子。 ３１：基板、３２，３３：ＮｉＦｅ膜、３４．。 ３５：ＭＲ素子、３６，３７．３８：絶縁層、３６’ｊ
ＡＰ、Ｏ，膜。 爆３目
Claims (1)
- 基板上に磁性膜で作られた２つのシールド層に挟まれた
ギ゛ヤップ内に磁気抵抗効果素子を設けたシールド付磁
気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて基板側に近い第１シー
ルド層上の絶縁層にスパッタリング、又は蒸着によって
成膜したＡｌ２Ｏ，１１膜を、他の絶ｎ層にはＳ Ｉ
Ｏ，膜５ｉ０１ｉｊあるいはＳｉ＋Ｎ３膜を成膜したこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15364483A JPS6045922A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15364483A JPS6045922A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045922A true JPS6045922A (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=15567030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15364483A Pending JPS6045922A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045922A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132211A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-15 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| US5212609A (en) * | 1990-11-19 | 1993-05-18 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive head |
| US5371643A (en) * | 1990-11-19 | 1994-12-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive head structure that prevents under film from undesirable etching |
| EP0756269A2 (en) * | 1995-07-28 | 1997-01-29 | Read-Rite Corporation | Variable gap magnetoresistive transducer and method of making the same |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP15364483A patent/JPS6045922A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132211A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-15 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH0447890B2 (ja) * | 1985-12-03 | 1992-08-05 | Sharp Kk | |
| US5212609A (en) * | 1990-11-19 | 1993-05-18 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive head |
| US5371643A (en) * | 1990-11-19 | 1994-12-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive head structure that prevents under film from undesirable etching |
| EP0756269A2 (en) * | 1995-07-28 | 1997-01-29 | Read-Rite Corporation | Variable gap magnetoresistive transducer and method of making the same |
| EP0756269A3 (en) * | 1995-07-28 | 1998-01-07 | Read-Rite Corporation | Variable gap magnetoresistive transducer and method of making the same |
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