JPS5917400B2 - 放射線像変換パネル - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線像変換パネルに関
するものであり、さらに詳しくは本発明は鮮鋭度の高い
画像を与える該放射線像変換パネル変換パネルに関する
ものである。

従来放射線像を画像として得るのには、銀塩感光材料か
らなる乳剤層を有する写真フイルムを用いる、いわゆる
放射線写真法が利用されているが、近年銀資源の枯渇等
の問題から銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方
法が望まれるようになつた。

銀塩を使用しない放射線像変換方法の１つとして、米国
特許第３，８５９，５２７号明細書等に記載されている
方法が注目されている。

この放射線像変換方法は輝尽性螢光体（放射線を照射し
た後、可視光線および赤外線から選ばれる電磁波で励起
すると発光を示す螢光体。ここで放射線とはＸ線、α線
、β線、γ線、高エネルギー中性子線、電子線、真空紫
外線、紫外線等の電磁波あるいは粒子線をいう。）から
なる放射線像変換パネルを利用するもので、被写体を透
過した放射線を該パネルの輝尽性螢光体に吸収せしめ、
しかる後該パネルを可視光線および赤外線から選ばれる
電磁波（以下「励起光」と称する）で走査し、輝尽性螢
光体中に蓄積された放射線エネルギーを螢光（輝尽発光
）として時系列化して取り出し、これを電気的に処理し
て画像化するものである。上述の放射線像変換方法に用
いられる放射線像変換パネルは、輝尽性螢光体を適当な
結合剤中に分散してなる螢光体層を少なくとも有するも
のである。

螢光体層が自己支持性のものである場合には螢光体層自
体が放射線像変換パネルとなり得るが、一般には螢光体
層は適当な支持体上に設けられて放射線像変換パネルが
構成される。さらに通常は螢光体層の片面（支持体が設
けられる面とは反対側の面）に螢光体層を物理的あるい
は化学的に保護するための保護膜が設けられる。また螢
光体と支持体とをより密接に接着させる目的で螢光体層
と支持体との間に下塗り層が設けられる場合もある。上
述の放射線像変換方法を実用するにあたつては、該方法
に．用いられる放射線像変換パネルは高感度であると同
時に高鮮鋭度の画像を与えるものであるのが望ましいこ
とは言うまでもない。

しかしながら、上記のような構造を有する従来の放射線
像変換パネルの感度と、得られる画像の鮮鋭度とは相反
するものであり、感度を向上させると鮮鋭度は低下し、
逆に鮮鋭度を向上させると感度は低下する。すなわち感
度を向上させるためには螢光体層の厚さを増加させれば
よいが、螢光体層の厚さが増加すると鮮鋭度は低下する
。逆に鮮鋭度を向上させるためには螢光体層の厚さを減
少させればよいが、螢光体層の厚さが減少すると感度は
低下する。そして従来の放射線像変換パネルにおける上
記感度と鮮鋭度との相反性はかなり大きなものであり、
実用上感度および鮮鋭度共に満足のゆく放射線像変換パ
ネルを得ることは困難である。このようなことから、実
用的な感度において従来の放射線像変換パネルよりも鮮
鋭度の高い画像を与える放射線像変換パネルが望まれて
いる。なお、螢光体層の厚さが増加すると得られる画像
の鮮鋭度が低下する理由は、輝尽性螢光体を利用した放
射線像変換方法における画像の鮮鋭度は放射線像変換パ
ネル内での励起光の広がりに依存して決まるものであり
、螢光体層が厚くなればなる程励起光の螢光体層内での
広がりがより大きくなるからである。すなわち、輝尽性
螢光体を利用した放射線像変換方法においては、放射線
像変換パネルに蓄積された放射線像情報は時系列化され
て取り出されるので、ある時間（Ｔｉ）に照射された励
起光による輝尽発光は全て採光され、その時間に励起光
が照射されていた該パネル上のある画素（Ｘｉ，ｙｉ）
からの出力として記録されるのが望ましいが、螢光体層
が厚くこのために入射した励起光が散乱等で螢光体層内
で広がる場合には、照射画素（Ｘｉ，ｙｉ）の外側に存
在する螢光体をも励起してしまうこととなり、上記（Ｘ
ｉ，ｙｉ）なる画素からの出力としてその画素よりも広
い領域からの出力が記録されてしまい、このために得ら
れる画像の鮮鋭度が低下するのである。本発明は輝尽性
螢光体を用いた放射線像変換パネルにおける上述のよう
な欠点に鑑みてなされたものであり、同一感度の放射線
像変換パネルを比較した場合、従来の放射線像変換パネ
ルよりも鮮鋭度のより高い画像を与える放射線像変換パ
ネルを提供することを目的とするものである。

先に述べたように、放射線像変換パネルの感度は螢光体
層の厚さが増加するに従つて向上する。

しかしながら本発明者の研究によれば、その感度の向上
は螢光体層の励逆光入射側表面から深く入つた部分の螢
光体の発光によるよりもむしろその部分の螢光体の光反
射層としての働きによるものであることが判明した。従
つて螢光体層の励起光入射側表面から深く入つた部分の
材料として螢光体よりも反射効率の高い材料（厚さの割
に反射率の高い材料）を使用すれば同一の感度を得るの
に螢光体層をより薄くすることができ、これによつて励
起光の螢光体層内での広がりをおさえることができ、よ
り鮮鋭度の高い画像を得ることが可能となる。本発明は
このような知見に基づいてなされたものであり、反射性
材料として白色顔料を用い、螢光体層の励起光入射側と
は反対の側に白色顔料光反射層を設けたものである。す
なわち本発明の放射線像変換パネルは、輝尽性螢光体を
結合剤中に分散してなる螢光体層を有する放射線像変換
パネルにおいて、該放射線像変換パネルが上記螢光体層
の上記輝尽性螢光体の励起光入射側とは反対の側に白色
顔料光反射層を有していることを特徴とする。

同一感度の放射線像変換パネルを比較した場合、本発明
の放射線像変換パネルは従来の放射線像変換パネルより
も螢光体層が薄く、従つて散乱等による螢光体層内での
励起光の広がりが小さく、このために従来の放射線像変
換パネルよりも鮮鋭度の高い画像を与える。

以下本発明を詳細に説明する。

本発明の放射線像変換パネルにおいて、螢光体層の励起
光人射側とは反対の側に設けられる白色顔料光反射層は
、螢光体の輝尽発光を効率良く反射して螢光体層の励起
光入射側から放射せしめると同時に、螢光体層に入射し
た励起光を効率良く反射して、励起光による螢光体の励
起を効率良く行なわしめるものである必要がある。

この点から白色顔料光反射層の輝尽発光波長領域におけ
る反射率および励起光波長領域における反射率はできる
だけ高いのが良く、一般には上記両波長領域における平
均反射率がいずれも７０％以上であるのが好ましい。一
般に白色顔料光反射層は適当な結合剤中に白色顔料を分
散させて塗布液を調製し、得られる塗布゛液を従来の塗
布液によつて塗布して均一な層とすることによつて作製
される。

白色顔料としては、例えばチタン白、鉛白、硫化亜鉛、
アルミナ、酸化マグネシウム等が用いられるがこれらに
限られるものではなく、螢光体の輝尽発光および励起光
を効率良く反射する白色顔料層を与える白色顔料であれ
ばいかなるものであつてもよい。一般に白色顔料は平均
粒子径が０．０５乃至５０μのものが好ましく、より好
ましくは０．１乃至１０μである。結合剤としては、ゼ
ラチンの如き蛋白質、デキストランの如きポリサッカラ
ードまたはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ
酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩
化ビニリデン一塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメタ
クリレート、塩化ビニル一酢酸ビニルコポリマー、ポリ
ウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニ
ルアルコール等のような通常層形成に用いられる結合剤
が使用される。一般に結合剤は白色顔料１重量部に対し
て０．０２乃至１重量部の範囲で使用される。しかしな
がら得られる白色顔料光反射層の反射特性の点からは結
合剤は少ない方が好ましく、白色顔料光反射層形成の容
易さとの兼合いから０．０５乃至０．５重量部の範囲が
より好ましい。なお白色顔料光反射層は一般に５乃至５
０μの範囲内に設定される。上記白色顔料光反射層は螢
光体層の励起光入射側表面とは反対側の表面に直接設け
られてもよいし、あるいは螢光体層と白色顔料光反射層
との接着性を高めるための下塗り層を介して設けられて
もよい。

また本発明の放射線像変換パネルは、白色顔料光反射層
の螢光体層側とは反対の側に支持体あるいは保護膜が設
けられていてもよく、さらに螢光体層の励起光入射側表
面に保護膜が設けられていてもよい。特開昭５５−１６
３５００号公報（特願昭５４７１６０４号明細書）には
放射線像変換パネルを適当な着色剤によつて着色せしめ
、これによつて励起光の放射線像変換パネル内での広が
りを防止し、得られる画像の鮮鋭度を向上させる放射線
像変換パネル着色技術が開示されているが、この放射線
像変換パネル着色技術は本発明の放射線像変換パネルに
も適用することができ、パネルに白色顔料光反射層を設
けることとパネルを着色剤によつて着色することを組み
合わせることによつて感度の低下を最小限度におさえて
鮮鋭度を著しく向上させることができる。

本発明の放射線像変換パネルが着色剤によつて着色され
る場合、その着色は該パネルの白色顔料光反射層よりも
励起光入射側の部分に対して行なわれる。すなわち、着
色剤による着色は白色顔料光反射層よりも励起光入射側
に存在する螢光体層、保護膜および下塗り層（上述のよ
うに螢光体層以外は必ずしも存在しなくともよい）のい
ずれかに対してあるいはこれらの２つ以上に対して行な
われる。一般に着色剤による着色は少なくとも螢光体に
対して行なうのが好ましい。放射線像変換パネルが着色
剤によつて着色される場合、使用される着色剤には励起
光の波長に対する反射率が小さく、放射線像変換パネル
に励起光が入射する時その励起光を吸収するものである
ことが要求される。

この着色剤による励起光吸収によつて螢光体層における
イラジエーシヨン、保護膜および下塗り層におけるハレ
ーシヨン等により放射線像変換パネル内で励起光が広が
るのが抑制され、その結果画像の鮮鋭度が向上する。一
方感度の点からは使用される着色剤は輝尽発光の波長に
対する反射率ができるだけ大きく、すなわち輝尽発光の
吸収ができるだけ少なく、放射線像変換パネルの感度を
できるだけ低下せしめないものであることが必要である
。このような点から着色剤が使用される場合には、励起
光の波長に対する反射率が輝尽発光の波長に対する反射
率よりも少なくとも小さいような着色剤が使用される。
より具体的には放射線像変換パネルに使用される輝尽性
螢光体の励起光波長領域における平均反射率が同じ輝尽
性螢光体の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも
小さいような反射特性を有する着色剤が使用される。従
つて、このような着色剤によつて着色された放射線像変
換パネルは、該パネルに使用される輝尽性螢光体の励起
光波長領域における平均反射率が同じ輝尽性螢光体の輝
尽発光波長領域における平均反射率よりも小さいような
反射特性を有するものである。鮮鋭度向上の点から、放
射線像変換パネルの該パネルに使用される輝尽性螢光体
の励起光波長領域における平均反射率はできるだけ小さ
い方がよく、一般には着色剤によつて着色されていない
同等の放射線像変換パネルの同じ波長領域における平均
反射率の少なくとも９５０！）以下であるのが好ましく
、９５％より大きい場合には着色したことによる鮮鋭度
の向上は非常に小さなものとなる。一方感度の点から、
放射線像変換パネルの該パネルに使用される輝尽性螢光
体の輝尽発光波長領域における平均反射率はできるだけ
大きい方がよく、一般には着色剤によつて着色されてい
ない同等の放射線像変換パネルの同じ波長領域における
平均反射率の少なくとも３０％以上であるのが好ましく
、より好ましくは９００！）以上である。なお、本明細
書で言う反射率とは、積分球形の分光光度計を用いて測
定した反射率である。本発明の放射線像変換パネルとし
て、例えば以下のような構成の放射線像変換パネルが具
体的に挙げられる。

１．白色顔料光反射層と螢光体層とを積層してなる放射
線像変換パネル。

２．白色顔料光反射層、螢光体層および保護膜をこの順
に積層してなる放射線像変換パネル。

３．白色顔料光反射層、下塗り層および螢光体層をこの
順に積層してなる放射線像変換パネル。

４．白色顔料光反射層、下塗り層、螢光体層および保護
膜をこの順に積層してなる放射線像変換パネル。

５．保護膜、白色顔料光反射層および螢光体層をこの順
に積層してなる放射線像変換パネル。

６．保護膜、白色顔料光反射層、下塗り層および螢光体
層をこの順に積層してなる放射線像変換パネル。

７．第１の保護膜、白色顔料光反射層、下塗り層、螢光
体層および第２の保護膜をこの順に積層してなる放射線
像変換パネル。

８支持体、白色顔料光反射層および螢光体層をこの順に
積層してなる放射線像変換パネル。

９．支持体、白色顔料光反射層、下塗り層および螢光体
層をこの順に積層してなる放射線像変換パネル。

１０．支持体、白色顔料光反射層、下塗り層、螢光体層
および保護膜をこの順に積層してなる放射線像変換パネ
ル。

１１．白色顔料光反射層と螢光体層とを積層してなり、
上記螢光体層が着色剤によつて着色されている放射線像
変換パネル。

１２．白色顔料光反射層、螢光体層および保護膜をこの
順に積層してなり、上記螢光体層および保護膜のうちの
少なくとも１つが着色剤によつて着色されている放射線
像変換パネル。

１３．白色顔料光反射層、下塗り層および螢光体層をこ
の順に積層してなり、上記下塗り層および螢光体層のう
ちの少なくとも１つが着色剤によつて着色されている放
射線像変換パネル。

１４．白色顔料光反射層、下塗り層、螢光体層および保
護膜をこの順に積層してなり、上記下塗り層、螢光体層
および保護膜のうちの少なくとも１つが着色剤によつて
着色されている放射線像変換パネル。

１５．保護膜、白色顔料光反射層および螢光体層をこの
順に積層してなり、上記螢光体層が着色剤によつて着色
されている放射線像変換パネル。

１６．保護膜、白色顔料光反射層、下塗り層および螢光
体層をこの順に積層してなり、上記下塗り層および螢光
体層のうちの少なくとも１つが着色剤によつて着色され
ている放射線像変換パネノレ１７．第１保護膜、白色顔
料光反射層、下塗り層、螢光体層および第２の保護膜を
この順に積層してなり、上記下塗り層、螢光体層および
第２の保護膜のうちの少なくとも１つが着色剤によつて
着色されている放射線像変換パネル。

１８．支持体、白色顔料光反射層および螢光体層をこの
順に積層してなり、上記螢光体層が着色剤によつて着色
されている放射線像変換パネル。

１９，支持体、白色顔料光反射層、下塗り層および螢光
体層をこの順に積層してなり、上記下塗り層および螢光
体層のうちの少なくとも１つが着色剤によつて着色され
ている放射線像変換パネノレ２０．支持体、白色顔料光
反射層、下塗り層、螢光体層および保護膜をこの順に積
層してなり、上記下塗り層、螢光体層および保護膜のう
ちの少なくとも１つが着色剤によつて着色されている放
射線像変換パネル。

本発明の放射線像変換パネルに用いられる輝尽性螢光体
は、先に述べたように放射線を照射した後励起光を照射
すると輝尽発光を示す螢光体であるが、実用的な面から
望ましくは５００〜８００ｎｍの励起光によつて３００
〜６００ｎｍの輝尽発光を示す螢光体である。

本発明の放射線像変換パネルに用いられる輝尽性螢光体
としては、例えば米国特許第３，８５９，５２７号明細
書に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ，．ＳｒＳ：Ｅ
Ｕ，ＳｍＳＬａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍおよび（Ｚｎ，Ｃ
ｄ）Ｓ：Ｍｎ，Ｘ（但しＸはハロゲンである）、特願昭
５３−８４７４０号明細書に記載されているＺｎＳ：Ｃ
ｕ，Ｐｂ．．ＢａＯ・ＸＡｌ２Ｏ３：Ｅｕ（但し０．８
≦ｘ≦１０）およびＭＯ・ＸＳｉＯ２：Ａ（但しＭはＭ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，ＣｄまたはＢａであＶ）ＳＡは
Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔｌｌ，ＢｉまたはＭ
ｎであり、ｘは０．５≦Ｘ２．５である）、特開昭５５
−１２１４３号公報（特願昭５３８４７４２号明細書）
に記載されている（Ｂａｌ−ｏ−，，Ｍｇｘ，Ｃａ，）
ＦＸ：ＡＥｕ２＋（但しＸはＣｌおよびＢｒのうちの少
なくとも１つであり、Ｘおよびｙは０くｘ＋ｙ≦０．６
かつＸｙ＼Ｏであり、ａは１０−６≦ａ≦５×１０−２
である）、特開昭５５−８４７４３号公報（特願昭５３
−８４７４３号明細書）に記載されたＬｎＯＸ：ＸＡ（
但しＬｎはＬａ，Ｙ，ＧｄおよびＬｎのうちの少なくと
も１つ、ＸはＣｌおよびＢｒのうちの少なくとも１つ、
ＡはＣｅおよびＴｂのうちの少なくとも１つ、ＸはＯ＜
ｘ〈０．１である）、特開昭５５−１２１４５号公報（
特願昭５３−８４７４４号明細書）に記載されている（
Ｂａｌ−Ｘ，ＭＩＩｘ）ＦＸ：ＹＡ（但しＭはＭｇ，Ｃ
ａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも１つ、Ｘ
はＣｌ，ＢｒおよびＩのうちの少なくとも１つ、ＡはＥ
ｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，ＨＯ，Ｎｄ，Ｙｄ
およびＥｒのうちの少なくとも１つ、ＸはＯ≦Ｘ≦０．
６、ｙはＯ≦ｙ≦０．２である）等が挙げられる。しか
しながら、本発明の放射線像変換パネルに用いられる輝
尽性螢光体は上述の螢光体に限られるものではなく、放
射線を照射した後励起光を照射した場合に輝尽発光を示
す螢光体であればいかなる螢光体であつてもよいことは
言うまでもない。一般に使用する輝尽性螢光体の平均粒
子径が小さくなればなる程得られる放射線像変換パネル
の粒状性は向上するが感度は低下する傾向にあり、逆に
平均粒子径が大きくなればなる程感度は向上するが粒状
性は低下する傾向にある。これらのことを考慮して本発
明に用いられる輝尽性螢光体は一般に平均粒子径が０．
１乃至１００μのものから適宜選択される。好ましくは
平均粒子径が１乃至３０μのものが使用される。また輝
尽性螢光体の使用量は必要なだけの記録能力および出力
能力を放射線像変換パネルに与えるという点および経済
性の点等から適宜決められるが、一般に得られる放射線
像変換パネル１〜当り３乃至３００ワとなるように設定
される。本発明の放射線像変換パネルの螢光体層は上述
の輝尽性螢光体を適当な結合剤に分散して、あるいは螢
光体層が着色される場合には上述の輝尽性螢光体および
着色剤を適当な結合剤に分散して塗布液を調製し、得ら
れる塗布液を従来の塗布法によつて塗布して均一な層と
することによつて作製される。

なおこの螢光体層の形成はあらかじめ形成された白色顔
料光反射層上に行なつてもよいし、あるいはまず螢光体
層の形成を行ないその後螢光体層の片面上に白色顔料光
反射層を形成させてもよい。また着色螢光体層用の塗布
液を調製するに際しては、輝尽性螢光体と着色剤とをそ
れぞれ別個に結合剤中に分散させてもよいし、あるいは
輝尽性螢光体表面にあらかじめ着色剤を付着（接着ある
いは吸着）せしめ、これを結合剤中に分散させてもよい
。結合剤としては、先に述べた白色顔料光反射層形成に
おいて用いられる結合剤と同様の通常層形成に用いられ
る結合剤が使用される。一般に結合剤は輝尽性螢光体１
重量部に対して０．０１乃至１重量部の範囲で使用され
る。しかしながら得られる放射線像変換パネルの感度と
鮮鋭度の点では結合剤は少ない方が好ましく、塗布の容
易さとの兼合いから０．０３乃至０．２重量部の範囲が
より好ましい。なお螢光体層厚は一般に１０μ乃至１ｍ
７１Ｌの範囲内に設定される。本発明の放射線像変換パ
ネルにおいては、一般に白色顔料光反射層および螢光体
層を支持する支持体が白色顔料光反射層の螢光体層側と
は反対の側に設けられる。

支持体としては各種高分子材料、ガラス、ウール、コツ
トン、紙、金属などの種々の素材から作られたものが使
用され得るが、情報記録材料としての取扱い上可撓性の
あるシートあるいはロールに加丁できるものが好適であ
る。この点から、例えばセルロースアセテートフイルム
、ポリエステルフイルム、ポリエチレンテレフタレート
フイルム、ポリアミドフイルム、ポリイミドフイルム、
トリアセテートフイルム、ポリカーボネートフイルム等
のプラスチツクフイルム、一般の紙および例えば写真用
原紙、コート紙もしくはアート紙のような印刷用原紙、
バライタ紙、レジンコート紙、ペルキー特許第７８４，
６１５号明細書に記載されているようなポリラツカライ
ト等でサイジングされた紙、ポリビニルアルコール等を
サイジングした紙等の加工紙が特に好ましい。これら支
持体はその上に設けられる白色顔料光反射層をより密接
に保持する目的で一方の面（白色顔料光反射層が設けら
れる面）に下塗り層が設けられていてもよい。先に述べ
たように本発明の放射線像変換パネルにおいては螢光体
層と白色顔料光反射層との間、あるいは白色顔料光反射
層と支持体との間等に下塗り層が設けられることがある
が、この下塗り層の材料としては通常の接着剤が用いら
れる。

螢光体層と白色顔料光反射層との間に設けられる下塗り
層が着色剤によつて着色される場合には、該下塗り層中
に着色剤が分散される。また本発明の放射線像変換パネ
ルにおいては、一般に螢光体層の白色顔料光反射層が設
けられる面とは反対側の面に螢光体層を物理的にあるい
は化学的に保護するための保護膜が設けられる。

また先に述べたように、白色顔料光反射層の螢光体層が
設けられる面とは反対側の面に保護膜が設けられる場合
もある。これら保護膜の材料としてはニトロセルロース
、エチルセルロース、セルロースアセテート、ポリエス
テル、ポリエチレンテレフタレート等のような通常の保
護膜用材料が用いられる。螢光体層の励起光入射側表面
に設けられる保護膜が着色剤によつて着色される場合に
は、そのいずれか一方の面が着色されてもよいし、両面
が着色されてもよいし、あるいは保護膜全体が着色され
てもよいが、一般には着色剤が保護膜中に分散され、保
護膜全体が均一に着色される。本発明の放射線像変換パ
ネルが着色剤によつて着色される場合、いかなる着色剤
を使用するかは放射線像変換パネルに使用される輝尽性
螢光体の種類によつて決まる。先に述べたように、５０
０〜８００ｎｎ１の励起光によつて３００〜６００ｎｍ
の輝尽発光を示す輝尽性螢光体を使用するのが実用上望
ましいが、このような輝尽性螢光体に対しては、励起光
波長領域における平均反射率が輝尽発光波長領域におけ
る平均反射率よりも小さくなり、かつ両者の差ができる
だけ大きくなるように青色乃至緑色の着色剤が使用され
る。着色剤として有機系着色剤あるいは無機系着色剤の
いずれも使用することができるが、青色乃至緑色の有機
系着色剤として、例えばザポンフアストブル一３Ｇ（ヘ
キスト製）、工ストロールフリルブルーＮ−３ＲＬ（住
友化学製）、スミアクリルブルーＦ−ＧＳＬ（住友化学
製）、Ｄ＆Ｃブルー應１（ナシヨナルアニリン製）、ス
ピリツトブル一（保土谷化学製）、オイルブルー黒６０
３（オリエント製）、キトンブル一Ａ（チバガイギ一製
）、アイゼンカチロンブル一ＧＬＨ（保土谷化学製）、
レイクブル一Ａ．Ｆ．Ｈ（協和産業製）、ローダリンブ
ルー６ＧＸ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲
畑産業製）、フリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化
学製）、シアニンブルーＢＮＲＳ（東洋インク製）、ラ
イオノルブル一ＳＬ（東洋インク製）等が挙げられ、ま
た青色乃至緑色の無機着色剤として、例えば群青、コバ
ルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｌＯ２
−ＺｎＯ−ＣＯＯ−ＮｉＯ系顔料等が挙げられる。本発
明の放射線像変換パネルは第１図に概略的に示される放
射線像変換方法に用いられた場合優れた鮮鋭度を有する
画像を与える。

すなわち、第１図において１１は放射線発生装置、１２
は被写体、１３は白色顔料光反射層を有する本発明の放
射線像変換パネル、１４は該放射線像変換パネルの放射
線潜像を螢光として放射させるための励起源としての光
源、１５は該放射線像変換パネルより放射された螢光を
検出する光電変換装置、１６は１５で検出された光電変
換信号を画像として再生する装置、１７は再生された画
像を表示する装置、１８は光源１４からの反射光をカツ
トし、放射線像変換パネル１３より放射された光のみを
透過させるためのフイルタ一である。なお１５以降は１
３からの光情報を何らかの形で画像として再生できるも
のであればよく、上記のものに限定されるものではない
。第１図に示されるように、被写体１２を放射線発生装
置１１と本発明の放射線像変換パネル１３の間に配置し
、放射線を照射すると、放射線は被写体１２の各部の放
射線透過率の変化に従つて透過し、その透過像（すなわ
ち放射線の強弱の像）が本発明の放射線像変換パネル１
３に入射する。

この入射した透過像は放射線像変換パネル１３の螢光体
層に吸収され、これによつて螢光体層中に吸収した放射
線量に比例した数の電子または正孔が発生し、これが螢
光体のトラツプレベルに蓄積される。すなわち放射線透
過像の蓄積像（一種の潜像）が形成される。次にこの潜
像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち励起
光で螢光体層を走査してトラツプレベルに蓄積された電
子または正孔を追出し、蓄積像を螢光として放射せしめ
る。放射された螢光の強弱は蓄積された電子または正孔
の数、すなわち放射線像変換パネル１３の螢光体層に吸
収された放射線エネルギーの強弱に比例しており、この
光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装置１５で電
気信号に時系列化して画像再生装置１６によつて画像と
して再生し、画像表示装置１７によつて画像を表示する
。以下の実施例で具体的に示されるように、白色顔料光
反射層を有する本発明の放射線像変換パネ、ルは、同一
感度の放射線像変換パネルを比較した場合、従来の放射
線像変換パネルよりも鮮鋭度の高い画像を与える。すな
わち、本発明においては、白色顔料光反射層を設けるこ
とによつて従来の放射線像変換パネルにおける感度と鮮
鋭度との大きな相反性が改良される。特に放射線像変換
パネル着色技術が適用された本発明の放射線像変換パネ
ルにおいては、鮮鋭度の向土が著しく、その反面感度の
低下は白色顔料光反射層によつて最小限度におさえられ
る。次に実施例によつて本発明を説明する。

実施例 １ ＢａＦＢｒ：Ｅｕ２＋螢光体（輝尽性螢光体）８重量部
とニトロセルロース（結合剤）１重量部とを溶剤（アセ
トン、酢酸エチルおよび酢酸ブチルの混合液）を用いて
混合し、粘度が５０センチストークスの塗布液を調製し
た。

得られた塗布液を、ポリエチレンテレフタレートフイル
ム（支持体）と層厚が約２０μの鉛白光反射層（白色顔
料光反射層、鉛白と結合剤の重量比は８：１である）と
を積層してなる積層体の鉛白光反射層上に均一に塗布し
、乾燥して、約２５０μの螢光体層を形成した。このよ
うにして得た放射線像変換パネルをパネルＡとした。一
方これとは別に、上記塗布液を用いて上記と同じポリエ
チレンテレフタレートフイルム支持体（上記鉛白光反射
層は設けられていない）上に約２５０μ、約３００μお
よび約３５０μの螢光体層をそれぞれ形成し、得られた
３種類の放射線像変換パネルをそれぞれパネルＢ，Ｃお
よびＤとした。

次に上記パネルＡ−Ｄそれぞれに１８０ｃｒＩＬ離れた
所から管電圧８０ｋ，、管電流２５０ｍＡ０）Ｘ線を照
射した後Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（波長６３３ｎｍ）で螢
光体層表面（螢光体層の支持体側とは反対側の面）側か
ら走査して励起し、螢光体層から放射される輝尽発光を
受光器（分光感度Ｓ−５の光電子増倍管）で受光して電
気信号に変換し、これを画像再生装置によつて画像とし
て再生して表示装置土に画像を得た。

得られたそれぞれの画像の２１ｐ／Ｍｍｌこおける変調
伝達関数（ＭＴＦ）を調べた。その結果をそれぞれのパ
ネルの相対感度と共に下記第１表および第２図に示す。
第１表および第２図から明らかなように、パネルＡはそ
の螢光体層厚が約２５０μであるにもかかわらず螢光体
層厚が約３５０μのパネルＤに近い感度を有し、その鮮
鋭度はパネルＤより良好であり、螢光体層厚が約３００
μのパネルＣの鮮鋭度に近い。

実施例 ２ 無機系青色着色剤群青屈１９００（第一化成製）をＢａ
ＦＢｒ：Ｅｕ２＋螢光体１００９に対して２５η添加す
る以外は実施例１におけるパネルＡの作製と全く同様に
して螢光体層厚が約２５０μの放射線像変換パネルを作
製し、パネルＥとした。

次にパネルＥを用いて実施例１と同様にして放射線像を
変換し、得られた画像の２１ｐ／ＭｍｌこおけるＭＴＦ
を調べた。その結果をパネルＥの相対感度と共に下記第
１表および第２図に示す。第１表および第２図から明ら
かなように、螢光体層厚が約２５０μのパネルＥは同じ
螢光体層厚を有するパネルＢとほぼ同等の感度を有する
が、その鮮鋭度はパネルＢよりも著しく高い。第２図か
ら明らかなように、白色顔料光反射層を有する本発明の
放射線像変換パネルは、同一感度の放射線像変換パネル
の比較において、従来の放射線像変換パネルよりもＭＴ
Ｆが高く、従つてより高鮮鋭度の画像を与える。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の放射線像変換パネルを用いた放射線像
変換方法の概略説明図である。 第２図は本発明の放射線像変換パネル（ＡおよびＥ）お
よび従来の放射線像変換パネル（Ｂ，ＣおよびＤ）につ
いての、パネルの感度とそのパネルによつて得られる画
像の２１ｐ／ＭｍｌこおけるＭＴＦとの関係を示すグラ
フである。１１・・・・・・放射線発生装置、１２・・
・・・・被写体、１３・・・・・・放射線像変換パネル
、１４・・・・・・光源、１５・・・・・・光電変換装
置、１６・・・・・画像再生装置、 １７・・・・・・画像表示装置、 １８・・・・・・フイルタ一。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 輝尽性螢光体を結合剤中に分散してなる螢光体層を
   有する放射線像変換パネルにおいて、該放射線像変換パ
   ネルが上記螢光体層の上記輝尽性螢光体の励起光入射側
   とは反対の側に白色顔料光反射層を有していることを特
   徴とする高鮮鋭度放射線像変換パネル。 ２ 上記白色顔料光反射層の上記輝尽性螢光体の輝尽発
   光波長領域における平均反射率および上記輝尽性螢光体
   の励起光波長領域における平均反射率がいずれも７０％
   以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 ３ 上記放射線像変換パネルが上記螢光体層と上記白色
   顔料光反射層のみからなることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項または第２項記載の高鮮鋭度放射線像変換パ
   ネル。 ４ 上記放射線像変換パネルが上記白色顔料光反射層、
   上記螢光体層および保護膜をこの順に積層してなること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
   高鮮鋭度放射線像変換パネル。 ５ 上記放射線像変換パネルが上記白色顔料光反射層、
   下塗り層および上記螢光体層をこの順に積層してなるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
   の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 ６ 上記放射線像変換パネルが上記白色顔料光反射層、
   上記下塗り層、上記螢光体層および上記保護膜をこの順
   に積層してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   または第２項記載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 ７ 上記放射線像変換パネルが保護膜、上記白色顔料光
   反射層および上記螢光体層をこの順に積層してなること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
   高鮮鋭度放射線像変換パネル。 ８ 上記放射線像変換パネルが上記保護膜、上記白色顔
   料光反射層、上記下塗り層および上記螢光体層をこの順
   に積層してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   または第２項記載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 ９ 上記放射線像変換パネルが第１の保護膜、上記白色
   顔料光反射層、上記下塗り層、上記螢光体層および第２
   の保護膜をこの順に積層してなることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項または第２項記載の高鮮鋭度放射線像
   変換パネル。 １０ 上記放射線像変換パネルが支持体、上記白色顔料
   光反射層および上記螢光体層をこの順に積層してなるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
   の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 １１ 上記放射線像変換パネルが上記支持体、上記白色
   顔料光反射層、上記下塗り層および上記螢光体層をこの
   順に積層してなることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項または第２項記載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 １２ 上記放射線像変換パネルが上記支持体、上記白色
   顔料光反射層、上記下塗り層、上記螢光体層および上記
   保護膜をこの順に積層してなることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項または第２項記載の高鮮鋭度放射線像変
   換パネル。 １３ 上記放射線像変換パネルの上記白色顔料光反射層
   よりも上記輝尽性螢光体の励起光入射側の部分が着色剤
   によつて着色され、この着色によつて該放射線像変換パ
   ネルの上記励起光波長領域における平均反射率が該放射
   線像変換パネルの上記輝尽発光波長領域における平均反
   射率よりも小さくされていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項乃至１２項のいずれかの項記載の放射線像
   変換パネル。 １４ 上記放射線像変換パネルの上記励起光波長領域に
   おける上記平均反射率が、上記着色剤によつて着色され
   ていない同等の放射線像変換パネルの上記励起光波長領
   域における平均反射率の９５％以下であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１３項記載の高鮮鋭度放射線像変
   換パネル。 １５ 上記放射線像変換パネルの上記輝尽発光波長領域
   における上記平均反射率が、上記着色剤によつて着色さ
   れていない同等の放射線像変換パネルの上記輝尽発光波
   長領域における平均反射率の３０％以上であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１３項または第１４項記載の
   高鮮鋭度放射線像変換パネル。 １６ 上記放射線像変換パネルの上記輝尽発光波長領域
   における上記平均反射率が、上記着色剤によつて着色さ
   れていない同等の放射線像変換パネルの上記輝尽発光波
   長領域における平均反射率の９０％以上であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１５項記載の高鮮鋭度放射線
   像変換パネル。