JPS5942500A - 放射線像変換パネル - Google Patents

放射線像変換パネル

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JPS5942500A
JPS5942500A JP57150740A JP15074082A JPS5942500A JP S5942500 A JPS5942500 A JP S5942500A JP 57150740 A JP57150740 A JP 57150740A JP 15074082 A JP15074082 A JP 15074082A JP S5942500 A JPS5942500 A JP S5942500A
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JP
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protective film
radiation image
phosphor layer
image conversion
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JP57150740A
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Inventor
哲 荒川
宮原 諄二
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C5/00Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
    • G03C5/16X-ray, infrared, or ultraviolet ray processes

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  • Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、放射線像変換パネルに関するものである。さ
らに詳しくは、本発明は、支持体と、該支持体上に設け
られた輝尽性蛍光体粒子を分散状態で含有支持する結合
剤からなる蛍光体層、および該蛍光体層上に設けられた
保護膜から実質的に構成されている放射線像変換パネル
に関するものである。
放射線像を画像として得る方法として、従来より銀塩感
光材料からなる乳剤層を有する放射線写真フィルムと増
感紙とを組合わせた、いわゆる放射線写真法が利用され
ている。
最近、上記放射線写真法に代る方法の一つとして、たと
えは、米国特許第3.859.527号明細書および特
開昭55−12145号公報などに記載されているよう
な、輝尽性蛍光体を用l/Xる放射線像変換方法が注目
されるようになった。この放射線像変換方法は、輝尽性
蛍光体を有する放射線像変換パネル(蓄積性蛍光体シー
ト)を利用するもので、被写体を透過した放射線エネル
ギー、あるいは被検体から発せられた放射線エネルギー
を該パネルの輝尽性蛍光体に吸収させ、そののちに輝尽
性蛍光体を可視光線および赤外線などの電磁波(励起光
)を用いて時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光
体中に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光として放
出させ、この蛍光な光電的に読み取って電気信号を得、
この電気信号を感光フィルムなどの記録材料、CRTな
どの表示装置上に可視像として再生するものである。
上述の放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真法
を利用した場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で
情報量の豊富な放射線画像を得ることができるとの利点
がある。従って、この放射線像変換方法は、特に医療診
断を目的とするX線撮影等の直接医療用放射線撮影にお
いて利用価値の非常に高いものである。
上記の放射線像変換方法に用いる放射線像変換パネルは
、基本構造として、支持体と、その片面に設けられた蛍
光体層とからなるものである。ただし、この蛍光体層の
支持体とは反対側の表面(支持体に面していない側の表
面)には一般に、透明な保護膜が設けられ、蛍光体層を
化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護している。
蛍光体層は、輝尽性蛍光体粒子と、これを分散状態で含
有支持する結合剤とからなるものでありこの輝尽性蛍光
体粒子は、X線などの放射線を吸収したのち、可視光線
および赤外線などの電磁波の照射を受けると発光(#尽
発光)を示す性質を有するものである。従って、被写体
を透過した、あるいは被検体から発せられた放射線は、
その放射線量に比例して放射線像変換パネルの蛍光体層
に吸収され、放射線像変換パネル上には被写体あるいは
被検体の放射線像が放射線エネルギーの蓄積像として形
成される。この蓄積像は、可視光線および赤外線などの
電磁波(励起光)で励起することにより、輝尽発光(蛍
光)として放射させることができ、この輝尽発光を光電
的に読み取って電気信号に変換することにより、放射線
エネルギーの蓄積像を画像化することが可能となる。
−に記放射線像変換方nは、上述のように非常に有利な
画像形成方法であるが、この方法に用いられる放射線像
変換パネルにおいても、当然、感度の高いことおよび画
質(鮮鋭度、粒状性など)の良好な画像を与えるもので
あることが望まれる。
放射線像変換パネルは、前述のように、蛍光体層を化学
的な変質あるいは物理的な衝撃から保護するための保護
膜を付設した形態が一般的とされている。このような放
射線像変換パネルに付設される保護膜としては、得られ
る画像の鮮鋭度をできるだけ低下させることなく少しで
も良好な画像を得るために、通常は光学的に透明度の非
常に高いものが想定されている。そのような透明度の高
い保護膜材料としては、たとえば、JIS  K671
4に規定された曇価が2〜3%の範囲にあるようなプラ
スチックフィルムが各種市販されている。
ところで、このような放射線像変換ノくネルtこX線な
どの放射線を照射したのち励起光で励起することにより
得られた画像には、しばしば、被写体あるいは被検体の
放射線像以外C濃淡、すなわち画像ムラが生ずる傾向が
ある。この画像ムラは、それが著しい場合には、画像に
筋状の模様として現れることもある。また、励起光の光
源としては一般に、ビーム集束性の高いレーザー光が用
いられるが、このレーザー光を用いた場合には、特に画
像ムラが現れやすい。この画像ムラの出現は、画像の解
析に支障をもたらし、従って得られる被写体あるいは被
検体についての情報量が低下するという問題を生じてい
る。
本発明は、上記の理由に基づいて、画像ムラの解消した
画像を与える放射線像変換ノくネルを提供することをそ
の目的とするものである。
本発明は、特に、鮮鋭度をあまり低下させることなく、
画像ムラの解消した画像を与える放射線像変換パネルを
提供することをその目的とするものである。
上記の目的は、支持体と、該支持体上に設けられた輝尽
性蛍光体粒子を分散状態で含有支持する結合剤からなる
蛍光体層、および該蛍光体層上に設けられた保護膜から
実質的に構成されている放射線像変換パネルにおいて、
該保護膜の曇価が、4〜40%の範囲にあることを特徴
とする本発明の放射線像変換パネルにより達成すること
ができる。
なお、本発明において曇価とは、JIS規格(JIS 
 、に6714)に規定されている特性値であり、この
曇価は、全光線透過率に対する散乱光透過率の比(%)
で表わされるものである。
次に本発明の詳細な説明する。
一般に、蛍光体層上への保護膜の形成は、透明な高分子
物質を適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を蛍光体層
の上に塗布する、あるいは透明な薄膜を、蛍光体層の上
に接着剤を用いて接着するなどにより行なわれる。本発
明者の知見によれば、このような保護膜の形成において
、保護膜の密度が光学上問題となる程度に不均一になっ
たり、あるいは部分的に膜厚が不均一になることが多く
、これらの保護膜の特性の不均一さが画像ムラの出現の
主な原因となる。そして、たとえば、蛍光を得るための
励起光源としてレーザー光を用いた場合には、レーザー
ビームが可干渉性の高い光線であることから、保護膜の
宿度の不均一さ、あるいは膜厚の不均一さに起因して生
じるレーザービームの保護膜における干渉模様が画像ム
ラとして出現するものと推定される。
本発明者の検討によれば、このような画像ムラの出現は
、放射線像変換パネルの保護膜として、前述のように、
その曇価が4〜40%の範囲にある保護膜を用いること
により、換言すれば、透明度をある特定の範囲内にまで
低下させた保護膜を用いることにより、画像の鮮鋭度を
あまり低下させることなく画像ムラの出現を顕著に防止
することができることが判明し、これにより本発明を完
成した。
以上述べたような好ましい特性を持った本発明の放射線
像変換パネルは、たとえば、次に述べるような方法に従
い、支持体上に先ず蛍光体層を形成し、次いで該蛍光体
層上に所望の保護膜を形成もしくは付設することにより
製造することができる。
本発明において使用する支持体は、従来の放射線写真法
における増感紙の支持体として用いられている各種の材
料から任意に選ぶことができる。
そのような材料の例としては、セルロースアセテート、
ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミ
ド、ポリイミド、トリアセテート。
ポリカーボネートなどのプラスチック物質のフィルム、
アルミニウム箔、アルミニウム合金箔などの金属シート
、通常の紙、バライタ紙、レジンコート紙、二酸化チタ
ンなどの顔料を含有するピグメント紙、ポリビニルアル
コールなどをサイジングしだ紙などを挙げることができ
る。ただし、放射線像変換パネルの情報記録材料として
の特性および取扱いなどを考慮した場合、本発明におい
て特に好ましい支持体の材料はプラスチックフィルムで
ある。このプラスチックフィルムにはカーボンブラック
などの光吸収性物質が練り込まれていてもよく、あるい
は二酸化チタンなどの光反射性物質が練り込まれていて
もよい。前者は高鮮鋭度タイプの放射線像変換パネルに
適した支持体であり、後者は高感度タイプの放射線像変
換パネルに適した支持体である。
公知の放射線像変換パネルにおいて、支持体と蛍光体層
の結合を強化するため、あるいは放射線像変換パネルと
しての感度もしくは画質を向上させるために、蛍光体層
が設けられる側の支持体表面にゼラチンなどの高分子物
質を塗布して接着性付与層としたり、あるいは二酸化チ
タンなどの光反射性物質からなる光反射層、もしくはカ
ーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光吸収層を
設けることも行なわれている。本発明において用いられ
る支持体についても、これらの各種の層を設けることが
でき、それらの構成は所望の放射線像変換パネルの目的
、用途などに応じて任意に選択することができる。
さらに、本出願人による特願昭57−82431号明細
書に開示されているように、得られる画像の鮮鋭度を向
上させる目的で、支持体の蛍光体層側の表面(支持体の
蛍光体層側の表面に接着性伺与層、光反射層、光吸収層
、あるいは金属箔などが設けられている場合には、その
表面を意味する)には、凹凸が形成されていてもよい。
上記のような支持体の上には、蛍光体層が形成される。
蛍光体層は、基本的には輝尽性蛍光体粒子を分散状態で
含有支持する結合剤からなる層で輝尽性蛍光体粒子は、
先に述べたように放射線を照射した後、励起光を照射す
ると輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的な面からは
波長が400〜800nmの範囲にある励起光によって
300〜500nmの波長範囲の輝尽発光を示す蛍光体
であることが望ましい。本発明の放射線像変換パネルに
用いられる輝尽性蛍光体の例としては、米国特許第3.
859.527号明細書に記載されているSrS:Ce
、Sm、SrS:Eu。
Sm、Th02 : E r、およびLa2O2S+特
開昭55−12142号公報に記載されているZr(S
 : Cu 、Pb、Ba0a xA l 203 :
Eu(ただし、0.8≦X≦10)、および、M”Os
 xS i02 :A (ただし、M2+はMg、Ca
、Sr、Zn、Cd、またはBaであり、AはCe、T
b、Eu、Tm、Pb、TA、、Bi、またはMnであ
り、Xは、0.5≦X≦2.5である)、 特開昭55−12143号公報に記載されている  (
Bat−x−y+Mgx+cay)   FX:aEu
”(ただし、XはcfLおよびBrのうちの少なくとも
一つであり、Xおよびyは、0くX+y≦0.6、かつ
xysoであり、aは、10−9≦a≦5X10−”で
ある)、 特開昭55−12144号公報に記載されているLnO
X:xA(ただし、LnはLa、Y、Gd、およびLu
のうちの少なくとも一つ、XはCIおよびBrのうちの
少なくとも一つ、AはCeおよびTbのうちの少なくと
も一つ、そして、Xは、O<x<0.1である)、 特開昭55−12145号公報に記載されている(B 
a l−X 、 M”X) F X : y A (た
だし、M2+はMg、Ca、Sr、Zn、およびCdの
うちの少なくとも一つ、XはCM、Br、およびIのう
ちの少なくとも一つ、AはEu、Tb、Ce、Tm、D
y、Pr、Ho、Nd、Yb、およびErのうちの少な
くとも一つ、そしてXは、0≦X≦0.6、yは、O≦
y≦0,2である)、などを挙げることができる。
ただし、本発明に用いられる輝尽性蛍光体は上述の蛍光
体に限られるものではなく、放射線を解能したのちに励
起光を照射した場合に、輝尽発光を示す蛍光体であれば
いかなるものであってもよい。
また蛍光体層の結合剤の例としては、ゼラチン等の蛋白
質、デキストラン等のポリサッカライド、またはアラビ
アゴムのような天然高分子物質;および、ポリビニルブ
チラール、ポリ酢酸ビニル、二l・ロセルロース、エチ
ルセルロース、塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー
、ポリメチルメタクリレ−1・、塩化ビニル・酢酸ビニ
ルコポリマー、ポリウレタン、セルロースアセテートブ
チレート、ポリビニルアルコール、線状ポリエステルな
どような合成高分子物質などにより代表される結合剤を
挙げることができる。このような結合剤のなかで特に好
ましいものは、ニトロセルロース、線状ポリエステル、
およびニトロセルロースと線状ポリエステルとの混合物
である。
蛍光体層は、たとえば、次のような方法により支持体上
に形成することができる。
まず上記の輝尽性蛍光体粒子と結合剤とを適当な溶剤に
加え、これを充分に混合して、結合剤溶液中に蛍光体粒
子が均一に分散した塗布液を調製する。
塗布液調製用の溶剤の例としては、メタノール、エタノ
ール、n−プロパツール、n−ブタノールなどの低級ア
ルコール;メチレンクロライド、エチレンクロライドな
どの塩素原子含有炭化水素;アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトンなどのケトン;酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級ア
ルコールとのエステル;ジオキサン、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチル
エーテルなどのエーテル;そして、それらの混合物を挙
げることができる。
塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体粒子との混合比は
、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体粒子の
種類などによって異なるが、一般には結合剤と蛍光体粒
子との混合比は、1:1乃至1 : 100 (重量比
)の範囲から選ばれ、そして特に1:8乃至1:40(
重量比)の範囲から選ぶことが好ましい。
なお、塗布液には、該塗布液中における蛍光体粒子の分
散性を向上させるだめの分散剤、また、形成後の蛍光体
層中における結合剤と蛍光体粒子との間の結合力を向上
させるだめの可塑剤などの種々の添加剤が混合されてい
てもよい。そのような目的に用いられる分散剤の例とし
ては、フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界
面活性剤などを挙げることができる。そして可塑剤の例
としては、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、燐酸
ジフェニルなどの燐酸エステル;フタル酸ジエチル、フ
タル酸ジメトキシエチルなどのフクル酸エステル;グリ
コール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸ブチルフ
タリルブチルなどのグリコール酪エステル;そして、ト
リエチレングリコールとアジピン酸とのポリエステル、
ジエチレングリコールとコハク酸とのポリエステルなど
のポリエチレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエ
ステルなどを挙げることができる。
上記のようにして調製された蛍光体粒子と結合剤とを含
有する塗布液を、次に、支持体の表面に均一に塗布する
ことにより塗布液の塗膜を形成する。この塗布操作は、
通常の塗布手段、たとえば、ドクターブレード、ロール
コータ−、ナイフコーターなどを用いることにより行な
うことができる。
ついで、形成された塗膜を徐々に加熱することにより乾
燥して、支持体上への蛍光体層の形成を完了する。蛍光
体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネルの特性、
蛍光体粒子の種類、結合剤と蛍光体粒子との混合比など
によって異なるが、通常は20pm乃至1mmとする。
ただし、この層厚は50乃至500 gmとするのが好
ましい。
なお、蛍光体層は、必ずしも上記のように支持体上に塗
布液を直接塗布して形成する必要はなく、たとえば、別
に、ガラス板、金属板、プラスチックシートなどのシー
ト上に塗布液を塗布し乾燥することにより蛍光体層を形
成した後、これを、支持体上に押圧するか、あるいは接
着剤を用いるなどして支持体と蛍光体層とを接合しても
よい。
本発明における保護膜、すなわち、曇価が4〜40%の
保護膜は、支持体に接する側とは反対側の蛍光体層の表
面に設けられる。
この特定の曇価を有する保護膜は、たとえば、透明な高
分子物質などを材料として、これを膜状に形成し、その
表面に粗面化処理などの処理を施して曇価を特定の範囲
に調整することにより得ることができる。そして、保護
膜の製造および蛍光体層上への保護膜の付設は、同時に
、あるいは別々の操作により行なうことができる。その
ための方法の具体例としては、次のような方法を挙げる
ことができる。
(1)たとえば、酢酸セルロース、ニトロセルロースな
どのセルロース誘導一体;あるいはポリメチルメタクリ
レート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール
、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル・酢
酸ビニルコポリマーなどの合成高分子物質のような透明
性の高い高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶
液を蛍光体層の表面に塗布し、乾燥させたのち、その表
面に粗面化処理を施すなどの方法にて一定範囲内におい
て不透明化する方法。すなわち、蛍光体層上に透明保護
膜を直接形成し、次いでその透明保護膜の曇価の調整を
行なう方法。
(2)たとえば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミドなどの高分子
物質から別に形成した透明な薄膜の表面に粗面化処理を
施したのち、これを蛍光体層の表面に適当な接着剤を用
いて接着する方法。
すなわち、透明保護膜を別に製造し、次いでその曇価を
調整したのち、得られた保護膜を蛍光体層」二に付設す
る方法。
(3)上記の(2)の方法において、曇価の調整を、別
に製造した透明保護膜を蛍光体層上に付設したのち実施
する方法。
なお、本発明の保護膜の製造に使用する材料は、本発明
で規定した曇価を有するように調製することが可能であ
る限り、特に限定はないが、一般には、放射線像変換パ
ネルあるいは放射線増感紙の保護膜として使用もしくは
提案されている材料から選ばれる。ただし、本発明で規
定した曇価の調整、放射線像変換パネルの情報記録材料
としての特性および取扱いなどを考慮した場合、本発明
において特に好ましい保護膜の材料はポリエチレンテレ
フタレートである。
また、保護膜の曇価の調整は任意の方法により行なうこ
とができる。ただし、実用的に有利な方法としては、粗
面化処理、たとえば、保護膜の表る方法などを挙げるこ
とができる。
なお、本発明における特定の範囲の曇価を持った保護膜
は、一般的には、上記のように予め透明な保護膜を形成
したのち、曇価の調整を行なうための加工を施すことに
より製造するが、保護膜に適当な不透明材料を含有させ
る方法、保護膜の形成工程の条件を調整することにより
保護膜の形成と曇価の調整を同時に行なう方法などを利
用することもできる。
なお、本発明の保護膜の曇価は、4〜40%(JIS 
 K6714)の範囲内にあればよいが、画像ムラの出
現を完全に防止するという点および得られる画像の鮮鋭
度の低下をできるだけ小さくするという点から、特に、
8〜20%の範囲内にあることが好ましい。
このようにして形成する透明保護膜のBり厚は、1乃至
i o o 、mとするのが望ましい。鮮鋭度などの画
質の点および膜強度の点から、より好ましくは、3乃至
501Lmである。
次に本発明の実施例および比較例を記載する。
ただし、これらの各側は本発明を制限するものではない
[実施例1] 輝尽性のユーロピウム賦活弗化臭化バリウム蛍光体(B
aFB r : Eu)の粒子と線状ポリエステル樹脂
との混合物にメチルエチルケトンを添加し、さらに硝化
度11.5%のニトロセルロースを添加して蛍光体粒子
を分散状態で含有する分散液を調製した。次に、この分
散液に燐酸トリクレジル、n−ブクノール、そしてメチ
ルエチルケトンを添加したのち、プロペラミキサーを用
いて充分に撹拌混合して、蛍光体粒子が均一に分散し、
かつ粘度か25〜35PS(25°C)の塗布液を調製
した。
次に、ガラス板上に水平に置いたカーボンブラック練り
込みポリエチレンテレフタレートシート(支持体、厚み
:250gm)の上に塗布液をドクターブレードを用い
て均一に塗布した。そして塗布後に、塗膜が形成された
支持体を乾燥器内に入れ、この乾燥器の内部の温度を2
5°Cから100°Cに徐々に上昇させて、塗膜の乾燥
を行なった。このようにして、支持体上に層厚が300
 pmの蛍光体層を形成した。
そして、この蛍光体層の上に、曇価が4.0%のポリエ
チレンテレフタレートフィルム(厚み:12pm、市販
品)の片面にポリエステル系接着剤を付与したのち、接
着剤層側を下に向けて置いて接着することにより、保護
膜を形成し、支持体、蛍光体層、および保護膜から構成
された放射線像変換パネルを製造した。
[実施例2コ 実施例1において、保護膜として曇価が5.1%のポリ
エチレンテレフタレートフィルム(Jl:12pm、市
販品)を用いること以外は、実施例1の方法と同様な処
理を行なうことにより、支持体、蛍光体層、および保護
膜から構成された放射線像変換パネルを製造した。
[実施例3] 実施例1において、保護膜として曇価が6.8%のポリ
エチレンテレフタレートフィルム(厚み:12gm、市
販品)を用いること以外は、実施例1の方法と同様な処
理を行なうことにより、支持体、蛍光体層、および保護
膜から構成された放射線像変換パネルを製造した。
[実施例4] 実施例1において、保護膜として曇価が10゜2%のポ
リエチレンテレフタレートフィルム(厚み+12pm、
市販品)を用いること以外は、実施例1の方法と同様な
処理を行なうことにより、支持体、蛍光体層、および保
護膜から構成された放射線像変換パネルを製造した。
[実施例5コ 実施例1において、保護膜として該ポリエチレンテレフ
タレートフィルムの片面(蛍光体層とは接しない側の表
面)にサンドブラスト処理を行なうことにより、曇価を
12.0%とした保護膜を用いること以外は、実施例1
の方法と同様な処理を行なうことにより、支持体、蛍光
体層、および保護膜から構成された放射線像変換パネル
を製造した。
[実施例6] 実施例1において、保護膜として該ポリエチレンテレフ
タレートフィルムの片面(蛍光体層とは接しない側の表
面)にサンドブラスト処理を行なうことにより、曇価を
17.5%とした保護膜を用いること以外は、実施例1
の方法と同様な処理を行なうことにより、支持体、蛍光
体層、および保護膜から構成された放射線像変換パネル
を製造した。
[実施例7] 実施例1において、保護膜として該ポリエチレンテレフ
タレートフィルムの片面(蛍光体層とは接しない側の表
面)にサンドブラスト処理を行なうことにより、曇価を
20.3%とした保護膜を用いること以外は、実施例1
の方法と同様な処理を行なうことにより、支持体、蛍光
体層、および保護膜から構成された放射線像変換パネル
を製造した。
[実施例8] 実施例1において、保護膜としてポリエチレンテレフタ
レートフィルムの片面(蛍光体層とは接しない側の表面
)にサンドブラスト処理を行なうことにより、曇価を2
4.7%とした保護膜を用いること以外は、実施例1の
方法と同様な処理を行なうことにより、支持体、蛍光体
層、および保護膜から構成された放射線像変換パネルを
製造した。
[実施例9コ 実施例1において、保護膜としてポリエチレンテレフタ
レートフィルムの片面(蛍光体層とは接しない側の表面
)にサンドブラスト処理を行なうことにより、曇価を2
7.5%とした保護膜を用いること以外は、実施例1の
方法と同様な処理を行なうことにより、支持体、蛍光体
層、および保護膜から構成された放射線像変換パネルを
製造した。
[実施例1Oコ 実施例1において、保護膜としてポリエチレンテレフタ
レートフィルムの片面(蛍光体層とは接しない側の表面
)にサンドブラスト処理を行なうことにより、曇価を3
8.0%とした保護膜を用いること以外は、実施例1の
方法と同様な処理を行なうことにより、支持体、蛍光体
層、および保護膜から構成された放射線像変換パネルを
製造した。
[比較例1] 実施例1において、保護膜として曇価が2.2%のポリ
エチレンテレフタレートフィルム(厚み:12pm、市
販品)を用いること以外は、実施例1の方法と同様な処
理を行なうことにより、支持体、蛍光体層、および保i
I膜から構成された放射線像変換パネルを製造した。
[比較例2] 実施例1において、保護膜として曇価が3.0%のポリ
エチレンテレフタレートフィルム(厚み+127pm、
市販品)を用いること以外は、実施例1の方法と同様な
処理を行なうことにより、支持体、蛍光体層、および保
護Hりから構成された放射線像変換パネルを製造した。
[比較例3] 実施例1において、保護膜として該ポリエチレンテレフ
タレートフィルムの片面(蛍光体層とは接しない側の表
面)にサンドブラスト処理を行なうことにより、曇価を
50.2%とした保護膜を用いること以外は、実施例1
の方法と同様な処理を行なうことにより、支持体、蛍光
体層、および保護膜から構成された放射線像変換パネル
を製造した。
[比較例4コ 実施例1において、保護膜として該ポリエチレンテレフ
タレートフィルムの片面(蛍光体層とは接しない側の表
面)にサンドブラスト処理を行なうことにより、曇価を
57.4%とした保HIJ IPJを用いること以外は
、実施例1の方法と同様な処理を行なうことにより、支
持体、蛍光体層、および保護膜から構成された放射線像
変換パネルを製造した。
上記のようにして製造した各々の放射線像変換パネルを
、次に記載する画像鮮鋭度試験、および(1)画像鮮鋭
度試験 放射線像変換パネルに、解像力チャートを介して管電圧
80KVPのX線を照射したのち、He−Neレーザー
光(波長632.8nm)で走査して蛍光体粒子を励起
し、蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器(分光感
度S−5の光電子増倍管)で受光して電気信号に変換し
、これを画像再生装置によって画像として再生して表示
装置上に画像を得た。得られた画像の変調伝達関数(M
TF)を測定し、これを空間周波数2サイクル/mmの
値で表示した。
(2)画像ムラ試験 放射線像変換パネルに、管電圧80KVpのX線を照射
したのち、He−Neレーザー光(波長632.8nm
)で走査して蛍光体粒子を励起し、蛍光体層から放射さ
れる輝尽発光を受光器(分光感度S−5の光電子増倍管
)で受光して電気信号に変換し、これを画像再生装置に
よって画像として再生して表示装置上に画像を得た。得
られた画像を目視により観察して、画像ムラの出現を評
価した。
各々の放射線像変換パネルについて得られた結果を第1
表に示す。
第1表 曇価(%)  g鋭度(X)  画像ムラ実施例1  
 4.0   35     無実施例2   5.1
   35     無実施例3   6.8   3
4     無実施例4  10.2   34   
  無実施例5  12.0   35     無実
施例6  17.5   33     無実施例7 
 20.3  、  33     無実施例8  2
4.7   30     無実施例9  27.5 
  29     無実施例10 38.’O25無 比較例1   2.2   35     有比較例2
   3.0   34     有比較例3  50
.2   15     無比較例4  57.4  
 14     無また、各々の放射線像変換パネルを
、前記の画像鮮鋭度試験により測定して得られた結果を
まとめて、第1図にグラフの形で示す。
従って、第1図は、放射線像変換パネルの保護膜の曇価
と、このパネルを用いて得られた画像の鮮鋭度との関係
の例を示している。
【図面の簡単な説明】
第1図は、放射線像変換パネルの保護膜の曇価と、この
パネルを用いて得られた画像の鮮鋭度との関係の例を示
す図である。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社代理人   弁
理士   柳川泰男

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1゜支持体と、該支持体上に設けられた輝尽性蛍光体粒
    子を分散状態で含有支持する結合剤からなる蛍光体層、
    および該蛍光体層上に設けられた保護膜から実質的に構
    成されている放射線像変換パネルにおいて、該保護膜の
    曇価が、4〜40%の範囲にあることを特徴とする放射
    線像変換パネル。 2゜上記保護膜の曇価が、8〜20%の範囲にあること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の放射線像変換
    パネル。 3゜上記保護膜の膜厚が、1〜100ルmの範囲にある
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項もしくは第2項
    記載の放射線像変換パネル。 4゜上記保護膜の膜厚が、3〜50ルmの範囲にあるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の放射線像変
    換パネル。 5゜上記保護膜が、ポリエチレンテレツクレートからな
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第4項の
    いずれかの項記載の放射線像変換パネル。
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