JPS61216423A - 気相成長による半導体製造装置 - Google Patents
気相成長による半導体製造装置Info
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- JPS61216423A JPS61216423A JP5922785A JP5922785A JPS61216423A JP S61216423 A JPS61216423 A JP S61216423A JP 5922785 A JP5922785 A JP 5922785A JP 5922785 A JP5922785 A JP 5922785A JP S61216423 A JPS61216423 A JP S61216423A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は気相成長による半導体製造装置に関し、更に詳
しくいえば、その内部に液体あるいは固体原料を有し該
原料をその内部にキャリアガスを流すことによって蒸気
化するパプラーから供給される原料ガスの流量変動の防
止に関する。
しくいえば、その内部に液体あるいは固体原料を有し該
原料をその内部にキャリアガスを流すことによって蒸気
化するパプラーから供給される原料ガスの流量変動の防
止に関する。
従来の技術
最近、半導体薄膜デバイスの製造技術として、例えばＯ
ＭＶＰＥ法や塩化物ＶＰＥ法等の気相成長法を利用する
試みがなされている。
ＭＶＰＥ法や塩化物ＶＰＥ法等の気相成長法を利用する
試みがなされている。
ＯＭＶＰ、Ｅ法は通常液体や固体の状態でバグクーの中
に納められた有機金属化合物をＨ２などのキャリアガス
でバブリングして有機金属化合物の蒸気とし、これを水
素化物等と同時に成長炉に導入し、熱、プラズマあるい
は光のエネルギーを用いて化学反応を励起し、化合物半
導体を成長する気相成長法であり、有機金属化合物とし
てＧａ （ＣＨＢ ） ３とＩｎ （ＣＨ３）３ 、水
素化物としてＡｓＨ３を用いてＩ ｎ Ｇａ ＡｓをＩ
ｎＰ基板上に成長させる例等がある。
に納められた有機金属化合物をＨ２などのキャリアガス
でバブリングして有機金属化合物の蒸気とし、これを水
素化物等と同時に成長炉に導入し、熱、プラズマあるい
は光のエネルギーを用いて化学反応を励起し、化合物半
導体を成長する気相成長法であり、有機金属化合物とし
てＧａ （ＣＨＢ ） ３とＩｎ （ＣＨ３）３ 、水
素化物としてＡｓＨ３を用いてＩ ｎ Ｇａ ＡｓをＩ
ｎＰ基板上に成長させる例等がある。
塩化物ＶＰＥ法は通常液体の状態でパプラーの中に納め
られたＶ族元素の塩化物をＨ２などのキャリアガスでバ
グリングして塩化物の蒸気とし、これを成長炉に導入し
あらかじめ成長炉に納められた■族金属と熱的に化学反
応させ、化合物半導体等を成長する気相成長法であシ、
塩化物としてＡｓＣ１！３とｐｃＩ！、、金属としてＩ
ｎとＧａを用いてＩｎＧａＡｓＰをＩｎＰ基板上に成長
させる例等がある。
られたＶ族元素の塩化物をＨ２などのキャリアガスでバ
グリングして塩化物の蒸気とし、これを成長炉に導入し
あらかじめ成長炉に納められた■族金属と熱的に化学反
応させ、化合物半導体等を成長する気相成長法であシ、
塩化物としてＡｓＣ１！３とｐｃＩ！、、金属としてＩ
ｎとＧａを用いてＩｎＧａＡｓＰをＩｎＰ基板上に成長
させる例等がある。
ところで、このようなＯＭＶＰＥ法や塩化物ＶＰＥ法に
おいてパプラーから原料ガスを供給する場合は、原料ガ
スの流量はパプラー内に導入されるキャリアガスの流量
以外にパプラー内の圧力によっても左右されるため、原
料ガスの流量を精密に制御するためにはバグクー内の圧
力を精密に制御することが不可欠となる。
おいてパプラーから原料ガスを供給する場合は、原料ガ
スの流量はパプラー内に導入されるキャリアガスの流量
以外にパプラー内の圧力によっても左右されるため、原
料ガスの流量を精密に制御するためにはバグクー内の圧
力を精密に制御することが不可欠となる。
このような要求から、従来は添付第２図に示すように、
バグクー９から伸びる原料ガス供給管２にニードルパル
プ１０．圧力計（絶対圧力計）１１゜圧力計１１の出力
によって制御される制御バルブ１３を具備するバグクー
内圧力調節用キャリアガス導入管１２を設け、パプラー
９内の圧力を制御する。
バグクー９から伸びる原料ガス供給管２にニードルパル
プ１０．圧力計（絶対圧力計）１１゜圧力計１１の出力
によって制御される制御バルブ１３を具備するバグクー
内圧力調節用キャリアガス導入管１２を設け、パプラー
９内の圧力を制御する。
しかしながら、このような従来法ではバグクー内圧力を
高い値に制御しようとするほど、フルスクールの大きな
圧力計を用いる必要があシ、このため、圧力計の分解能
が下がり、これに伴いバグクー内圧力の制御精度も下が
るという欠点がある。
高い値に制御しようとするほど、フルスクールの大きな
圧力計を用いる必要があシ、このため、圧力計の分解能
が下がり、これに伴いバグクー内圧力の制御精度も下が
るという欠点がある。
発明が解決しようとする問題点
そこで、上記のような従来法の欠点を解決し、新しい気
相成長による半導体製造装置を開発することは、これら
技術の応用分野の拡大、例えば、化合物半導体デバイス
の作製などにとって大きな意義を有するものと思われる
。
相成長による半導体製造装置を開発することは、これら
技術の応用分野の拡大、例えば、化合物半導体デバイス
の作製などにとって大きな意義を有するものと思われる
。
本発明の目的は、その内部に液体あるいは固体原料を有
し該原料をその内部にキャリアガスを流すことによって
蒸気化するバグクーから供給される原料ガスの流量の変
動を抑制し得る新たな気相成長による半導体製造装置を
提供することに１１）、それによって化合物半導体の成
長における原料ガス供給量の制御性の向上を図ることに
ある。
し該原料をその内部にキャリアガスを流すことによって
蒸気化するバグクーから供給される原料ガスの流量の変
動を抑制し得る新たな気相成長による半導体製造装置を
提供することに１１）、それによって化合物半導体の成
長における原料ガス供給量の制御性の向上を図ることに
ある。
問題点を解決するための手段
本発明は上記のような気相成長による半導体製造装置の
現状に鑑みて、その諸欠点を改善すべく種々検討した結
果、従来のようにパプラー内圧力を測定する圧力計とし
て絶対圧力計を用いる代りに、圧力計として差圧計を用
い、該差圧計の測定圧力側ポートをバグクーから伸びる
原料ガス供給管に連結し、上記差圧計の基準圧力側ポー
トを絶対圧力計を具備してその内部に任意の圧力でガス
を導入し封じ込めることができる基準圧力設定用ガス導
入管に連結し、上記差圧計の出力をパプラー内圧力調節
用キャリアガス導入管に設けた制御バルブに帰還してキ
ャリアガスを制御することが上記本発明の目的を達する
上で極めて有効であることを見出した。
現状に鑑みて、その諸欠点を改善すべく種々検討した結
果、従来のようにパプラー内圧力を測定する圧力計とし
て絶対圧力計を用いる代りに、圧力計として差圧計を用
い、該差圧計の測定圧力側ポートをバグクーから伸びる
原料ガス供給管に連結し、上記差圧計の基準圧力側ポー
トを絶対圧力計を具備してその内部に任意の圧力でガス
を導入し封じ込めることができる基準圧力設定用ガス導
入管に連結し、上記差圧計の出力をパプラー内圧力調節
用キャリアガス導入管に設けた制御バルブに帰還してキ
ャリアガスを制御することが上記本発明の目的を達する
上で極めて有効であることを見出した。
本発明の気相成長による半導体製造装置の１例を添付第
１図に従って説明すると、成長炉７と、該成長炉７に連
結されてその内部にキャリアガスを流す成長炉導入管３
と、成長炉７をバイパスして排気装置８に連結されてそ
の内部にキャリアガスを流す排気管４と、その内部に納
められた液体あるいは固体原料をその内部にキャリアガ
スを流すことによって蒸気化するバグクー９と、原料ガ
ス供給管１．２と、原料ガス供給管１．２の成長炉導入
管３と排気管４への分岐部分に設けられた三方パルプ５
，６と、パプラー９を原料ガス供給源とする原料ガス供
給管２に設けられたニードルパルプ１０．！−、パプラ
ー９とニードルパル７’ＩＯの間に測定圧力側ポートを
連結された差圧計１４と、バグ−）−９とニードルパル
プｌＯの間に連結されてその内部にパプラー内圧力をｍ
ｔｍするキャリアガスを流すパプラー内圧力調節用キャ
リアガス導入菅１２と、該パプラー内圧力１ｌｔｆＪ用
キャリアガス導入管１２に設けられて差圧計１４の出力
を受けてキャリアガスの流量を制御する制御パルプ１３
と、差圧計１４の基準圧力側ポートに連結されてパルプ
１６を有しその内部に任意の圧力でガスを導入し封じ込
める基準圧力設定用ガス導入管１５と、該基準圧力設定
用ガス導入管１５に設けられて基準圧力を測定する圧力
計（絶対圧力計）１７から主として構成される。
１図に従って説明すると、成長炉７と、該成長炉７に連
結されてその内部にキャリアガスを流す成長炉導入管３
と、成長炉７をバイパスして排気装置８に連結されてそ
の内部にキャリアガスを流す排気管４と、その内部に納
められた液体あるいは固体原料をその内部にキャリアガ
スを流すことによって蒸気化するバグクー９と、原料ガ
ス供給管１．２と、原料ガス供給管１．２の成長炉導入
管３と排気管４への分岐部分に設けられた三方パルプ５
，６と、パプラー９を原料ガス供給源とする原料ガス供
給管２に設けられたニードルパルプ１０．！−、パプラ
ー９とニードルパル７’ＩＯの間に測定圧力側ポートを
連結された差圧計１４と、バグ−）−９とニードルパル
プｌＯの間に連結されてその内部にパプラー内圧力をｍ
ｔｍするキャリアガスを流すパプラー内圧力調節用キャ
リアガス導入菅１２と、該パプラー内圧力１ｌｔｆＪ用
キャリアガス導入管１２に設けられて差圧計１４の出力
を受けてキャリアガスの流量を制御する制御パルプ１３
と、差圧計１４の基準圧力側ポートに連結されてパルプ
１６を有しその内部に任意の圧力でガスを導入し封じ込
める基準圧力設定用ガス導入管１５と、該基準圧力設定
用ガス導入管１５に設けられて基準圧力を測定する圧力
計（絶対圧力計）１７から主として構成される。
尚、原料ガス供給源として複数のパプラーを用いる装置
において各パプラー内圧力を同一圧力に制御する場合は
、各パプラーから伸びる原料ガス供給管に測定圧力側ポ
ートを連結された各差圧計の基準圧力側ポートを連結し
て総合し単一ポートとして、該単一ポートにパルプと圧
力計（絶対圧力計）を具備した単一の基準圧力設定用ガ
ス導入管を連結することが有効である。
において各パプラー内圧力を同一圧力に制御する場合は
、各パプラーから伸びる原料ガス供給管に測定圧力側ポ
ートを連結された各差圧計の基準圧力側ポートを連結し
て総合し単一ポートとして、該単一ポートにパルプと圧
力計（絶対圧力計）を具備した単一の基準圧力設定用ガ
ス導入管を連結することが有効である。
作 用
本発明の装置によれば、パプラー内圧力は圧力計（絶対
圧力計）１７によってモニタして任意に設定された基準
圧力（基準圧力設定用ガス導入管内圧力）に制御され、
設定された基準圧力の値の大小に関係なく差圧計１４が
持つ分解能で決まる一定の精度でパプラー内圧力が基準
圧力に制御される。
圧力計）１７によってモニタして任意に設定された基準
圧力（基準圧力設定用ガス導入管内圧力）に制御され、
設定された基準圧力の値の大小に関係なく差圧計１４が
持つ分解能で決まる一定の精度でパプラー内圧力が基準
圧力に制御される。
発明の詳細
な説明したように、本発明の気相成長による半導体製造
装置によれば、制御しようとするパプラー内圧力の値の
大小に関係なくフルスクールが小さく従って分解能が高
い差圧計を使用することが可能であるため、パプラー内
圧力を高い値に制御しようとする場合でも精度良く制御
でき、いわゆるＯＭＶＰＥ法や塩化物ＶＰＥ法による半
導体成長の際に従来みられたようなパプラーを供□給源
とする原料ガスのパプラー内圧力の変動による流量変動
を有利に回避し、その結果、半導体成長の制御性および
再現性が向上し、半導体薄膜デバイスの性能においても
大きく教養されるものと期待する。
装置によれば、制御しようとするパプラー内圧力の値の
大小に関係なくフルスクールが小さく従って分解能が高
い差圧計を使用することが可能であるため、パプラー内
圧力を高い値に制御しようとする場合でも精度良く制御
でき、いわゆるＯＭＶＰＥ法や塩化物ＶＰＥ法による半
導体成長の際に従来みられたようなパプラーを供□給源
とする原料ガスのパプラー内圧力の変動による流量変動
を有利に回避し、その結果、半導体成長の制御性および
再現性が向上し、半導体薄膜デバイスの性能においても
大きく教養されるものと期待する。
第１図は本発明の詳細な説明するための模式的な図であ
り、第２図は従来の気相成長（ＯＭＶＰＥ ）による半
導体製造装置を説明するための模式的な図である。 （参照番号） １．２・・・原料ガス供給管 ３・・・成長炉導入管
４・・・排気管 ５，６・・・三方パルプ７・・・成長
炉 ８・・・排気装置 ９・・・バブ５−１０・・・ニードルパルプ１１．１７
・Φ・圧力計（絶対圧力計）１２・・・パプラー内圧力
調節用キャリアガス導入管 １３−−−制御パルプ １
４・、・差圧計１５・・・基準圧力設定用ガス導入管 １６・・拳パルグ 図面の浄書（内容に変更ない 手 続 補 正 書 昭和６０年７月ｌ１日 １、事件の表示 昭和６０年特許順第５９２２７号 ２ 発明の名称 気相成長による半導体製造装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所 大阪市東区北浜５丁目１５番地名 称（
２１３）住友電気工業株式会社社 長 川 上
哲 部 ４、代理人 住 所 大阪市此花区島屋１丁目１番３号住
友電気工業株式会社内 ６、補正の対象 明細書及び図面 ７、補正の内容 （１）タイプ印書によシ鮮明に記載した明細書を別紙の
如く提出します。 （２）トレースによシ鮮明にした図面を別紙の如く提出
します。
り、第２図は従来の気相成長（ＯＭＶＰＥ ）による半
導体製造装置を説明するための模式的な図である。 （参照番号） １．２・・・原料ガス供給管 ３・・・成長炉導入管
４・・・排気管 ５，６・・・三方パルプ７・・・成長
炉 ８・・・排気装置 ９・・・バブ５−１０・・・ニードルパルプ１１．１７
・Φ・圧力計（絶対圧力計）１２・・・パプラー内圧力
調節用キャリアガス導入管 １３−−−制御パルプ １
４・、・差圧計１５・・・基準圧力設定用ガス導入管 １６・・拳パルグ 図面の浄書（内容に変更ない 手 続 補 正 書 昭和６０年７月ｌ１日 １、事件の表示 昭和６０年特許順第５９２２７号 ２ 発明の名称 気相成長による半導体製造装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所 大阪市東区北浜５丁目１５番地名 称（
２１３）住友電気工業株式会社社 長 川 上
哲 部 ４、代理人 住 所 大阪市此花区島屋１丁目１番３号住
友電気工業株式会社内 ６、補正の対象 明細書及び図面 ７、補正の内容 （１）タイプ印書によシ鮮明に記載した明細書を別紙の
如く提出します。 （２）トレースによシ鮮明にした図面を別紙の如く提出
します。
Claims (1)
- （１）成長炉と、該成長炉に連結されて成長に必要な原
料ガスを上記成長炉に運ぶための成長炉導入管と、上記
成長炉をバイパスして排気装置に連結されて上記原料ガ
スを上記排気装置に運ぶための排気管と、その内部に液
体あるいは固体原料を有し該原料をその内部にキャリア
ガスを流すことによつて蒸気化するパプラーをそれらの
一部として含む原料ガス供給源と、該原料ガス供給源の
各々から上記成長炉導入管と上記排気管に分岐して連結
されかつ該分岐部分に三方パルプを有するかあるいは該
分岐管の各々にパルプを有する原料ガス供給管を具備す
ることを特徴とする気相成長による半導体製造装置にお
いて、上記パブラーを原料ガス供給源とする各々の上記
原料ガス供給管の上記成長炉導入管と上記排気管への分
岐部分と上記パブラーの間に設けたニードルパルプと、
各々の上記原料ガス供給管の上記ニードルパルプと上記
パブラーの間に測定圧力側ポートを連結した差圧計と、
各々の上記原料ガス供給管の上記ニードルパルプと上記
パブラーの間に連結されてその内部に上記パプラー内の
圧力を調節するためのキャリアガスを流すパブラー内圧
力調節用キャリアガス導入管と、該パプラー内圧力調節
用キャリアガス導入管に設けて上記差圧計の出力を受け
てキャリアガスの流量を制御する制御パルプと、上記差
圧計の基準圧力側ポートに連結されてその内部に任意の
圧力でガスを導入する基準圧力設定用ガス導入管と、該
基準圧力設定用ガス導入管に設けたパルプと、上記基準
圧力設定用ガス導入管の上記差圧計の基準圧力側ポート
との連結部分と上記パルプの間に設けた圧力計（絶対圧
力計）を具備することを特徴とする気相成長による半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5922785A JPH0665209B2 (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 気相成長による半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5922785A JPH0665209B2 (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 気相成長による半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216423A true JPS61216423A (ja) | 1986-09-26 |
| JPH0665209B2 JPH0665209B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=13107276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5922785A Expired - Fee Related JPH0665209B2 (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 気相成長による半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0665209B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401316A (en) * | 1992-10-15 | 1995-03-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for hydrophobic treatment |
-
1985
- 1985-03-22 JP JP5922785A patent/JPH0665209B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401316A (en) * | 1992-10-15 | 1995-03-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for hydrophobic treatment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0665209B2 (ja) | 1994-08-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |