JPS59169123A - 化合物半導体のエピタキシヤル成長法 - Google Patents
化合物半導体のエピタキシヤル成長法Info
- Publication number
- JPS59169123A JPS59169123A JP58042397A JP4239783A JPS59169123A JP S59169123 A JPS59169123 A JP S59169123A JP 58042397 A JP58042397 A JP 58042397A JP 4239783 A JP4239783 A JP 4239783A JP S59169123 A JPS59169123 A JP S59169123A
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- JP
- Japan
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- alkoxide
- vanadium
- reaction system
- gas
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は化合物半導一体のエピタキシャル成長法に関
するもので、詳しくは、ＩＩＩ族の有機金属と■族の水
素化物を用いる気相成長法（以下ＭＯ−ＣＶＤ法という
）において、半絶縁性結晶を成長させる方法に関するも
のである。
するもので、詳しくは、ＩＩＩ族の有機金属と■族の水
素化物を用いる気相成長法（以下ＭＯ−ＣＶＤ法という
）において、半絶縁性結晶を成長させる方法に関するも
のである。
（従来技術）
ＧａＡｓなどの■−Ｖ族化合物半導体は、Ｃｒ 。
Ｆｅ 、 Ｖ 、 Ｏなどの深い準位をつくる原子を結
晶中に添加すると、電子または正孔が補償されて半絶縁
性の結晶が得られる。ＧａＡｓの基板では、Ｃｒ。
晶中に添加すると、電子または正孔が補償されて半絶縁
性の結晶が得られる。ＧａＡｓの基板では、Ｃｒ。
Ｃｒ（！：Ｏなとの添加による半絶縁性基板が、−１１
販されている。ＡｓＣｔ３ｔたはＨＣｔ（！：ＡＳＨ３
’ｃ用いグ：従来のハライド系の気相成長においても、
反応系内の基板の上流にＦｅ 、 Ｖ などの金属を
おいて、これ？塩化物の形で基板１で輸送して添加し１
こり、Ｃｒ０２Ｃｔ２ を系に導入することな七によ
って半絶縁性の成長層を得ている。しかしなから、Ｍ
Ｏ−ＣＶＤ法による場合は、一般に系内にＣｔを導入し
ないために、Ｆｅ、Ｖなとの金属を系内に入れ／Ｙｊｌ
も塩化物となって基板丑で達して添加ぜれ槓１岡１はな
く、シたかつて、添加原子は気相Φ状矧でもし系内に導
入しなけれはならない。
販されている。ＡｓＣｔ３ｔたはＨＣｔ（！：ＡＳＨ３
’ｃ用いグ：従来のハライド系の気相成長においても、
反応系内の基板の上流にＦｅ 、 Ｖ などの金属を
おいて、これ？塩化物の形で基板１で輸送して添加し１
こり、Ｃｒ０２Ｃｔ２ を系に導入することな七によ
って半絶縁性の成長層を得ている。しかしなから、Ｍ
Ｏ−ＣＶＤ法による場合は、一般に系内にＣｔを導入し
ないために、Ｆｅ、Ｖなとの金属を系内に入れ／Ｙｊｌ
も塩化物となって基板丑で達して添加ぜれ槓１岡１はな
く、シたかつて、添加原子は気相Φ状矧でもし系内に導
入しなけれはならない。
ＭＯ−ＣＶＤ法による場合、ヘキサカーポ゛ニールクロ
ミウムを昇華させて反応系内に導入することにより、Ｃ
ｒを添加した半絶縁性のエビタキンヤル層を得た例はあ
る。
ミウムを昇華させて反応系内に導入することにより、Ｃ
ｒを添加した半絶縁性のエビタキンヤル層を得た例はあ
る。
しかし、Ｃｒは、添加された結晶中で熱処Ｊ′’３など
によって動きやすい性質がある。そこで、ＩすいＣＶＤ
法においても、比較的動きにくいＶ′ｙまたは■とＯな
どの添加が望丑しいが、これ１１こついては行われてい
ない。
によって動きやすい性質がある。そこで、ＩすいＣＶＤ
法においても、比較的動きにくいＶ′ｙまたは■とＯな
どの添加が望丑しいが、これ１１こついては行われてい
ない。
１ 〕
（発明の目的・構成）
そこで、本発明者は上記の要望全満足するために多数の
試験研究を行った結果、■のアルコオキサイドを気相で
反応系に導入することにより、ＭＯ−ＣＶＤ法によって
も■とＯの添加が可能に々ることを見出し、この発明に
至った。
試験研究を行った結果、■のアルコオキサイドを気相で
反応系に導入することにより、ＭＯ−ＣＶＤ法によって
も■とＯの添加が可能に々ることを見出し、この発明に
至った。
すなわち、この発明は、川原の有機全灯（とＶ族の水素
化物全原料として用いる気相成長に２いて、バナノウム
（Ｖ）のアルコオキサイドを反応系に導入することによ
り、■とＣＩ成長層に添加して’Ｆ絶縁性の成長層′ｆ
ｆ：得ることを特徴とする化合物半１叫によってもＶと
Ｏの添加を可能１（シて、高品質ゐ１半絶縁性工ビタキ
／ヤル成長層を得るとさを目）とする。
化物全原料として用いる気相成長に２いて、バナノウム
（Ｖ）のアルコオキサイドを反応系に導入することによ
り、■とＣＩ成長層に添加して’Ｆ絶縁性の成長層′ｆ
ｆ：得ることを特徴とする化合物半１叫によってもＶと
Ｏの添加を可能１（シて、高品質ゐ１半絶縁性工ビタキ
／ヤル成長層を得るとさを目）とする。
（実施例）
以下この発明の詳細な説明する。
■のアルコオキサイドはトリノトキノパナソル（ＶＯ（
ＯＣＨ３）’３ ） 、トリエトキンハナノル（ＶＯ（
ＯＣ２Ｈ５）３ ） など何種類あり、常温近傍で固
体才たは液体である。固体の場合（才昇華により、舊だ
液体の場合は第１図に示ずような通常の気化器を用いて
気相で反応系に導入する。
ＯＣＨ３）’３ ） 、トリエトキンハナノル（ＶＯ（
ＯＣ２Ｈ５）３ ） など何種類あり、常温近傍で固
体才たは液体である。固体の場合（才昇華により、舊だ
液体の場合は第１図に示ずような通常の気化器を用いて
気相で反応系に導入する。
第１図において、１は容器、２はキャリア、リスの人口
、３は液体の■のアルコオキサイド（たとえ６１ ＶＯ
（ＯＣ２Ｈ５）３ ）、４は■のア／Ｌ、 ’ｊオキサ
イドを含む気体の出口であり、この出口４からの気体を
Ｍ Ｏ−ＣＶ Ｄ法の反応系に導入する。すると、結晶
成長を行っている高温部で分解して、■と一部のＯが結
晶中に添加され、他はメタン、エヅノなどの気体となっ
て反応系から排気されａ０常昌近傍で固体の■のアルコ
オキサイトノ場合（たとえばＶＯ（ＯＣＨ３）３ ）
は昇華によって反応系に導入するが、このためには第
１図に示す気化器の液体のＶのアルコオキサイドのがわ
りに固体１嶽■のアルコオキサイド゛全入れるか、寸た
、′ま第２１＃ト示すように、容器５の中に、固体のＶ
・′・）アル１オキザイド６をフィルタ７でとじ込め、
入口８ン喝キヤリアガスを導入して出口９がらＶのアル
コオキサイドを含む気体を反応系に導入する。
、３は液体の■のアルコオキサイド（たとえ６１ ＶＯ
（ＯＣ２Ｈ５）３ ）、４は■のア／Ｌ、 ’ｊオキサ
イドを含む気体の出口であり、この出口４からの気体を
Ｍ Ｏ−ＣＶ Ｄ法の反応系に導入する。すると、結晶
成長を行っている高温部で分解して、■と一部のＯが結
晶中に添加され、他はメタン、エヅノなどの気体となっ
て反応系から排気されａ０常昌近傍で固体の■のアルコ
オキサイトノ場合（たとえばＶＯ（ＯＣＨ３）３ ）
は昇華によって反応系に導入するが、このためには第
１図に示す気化器の液体のＶのアルコオキサイドのがわ
りに固体１嶽■のアルコオキサイド゛全入れるか、寸た
、′ま第２１＃ト示すように、容器５の中に、固体のＶ
・′・）アル１オキザイド６をフィルタ７でとじ込め、
入口８ン喝キヤリアガスを導入して出口９がらＶのアル
コオキサイドを含む気体を反応系に導入する。
なお、常温近傍で液体の場合も、固体の場合も、■のア
ルコオキサイドの導入量を制御するには、これらの容器
の温度および容器を通すキャリアカスの量を制御すれは
よい。
ルコオキサイドの導入量を制御するには、これらの容器
の温度および容器を通すキャリアカスの量を制御すれは
よい。
以」二説明したように一実施例では、■のアルコオキザ
イド’ｔＭＯ−ＣＶＤ法の反応系に導入することにより
、成長中の化合物半導体中へＶ（！：ｏｌ添加すること
かできる。これらの原子はＧａＡｓなどの川−Ｖ族化合
物半導体中で深い準位全形成して、伝導度をｌＪ・さく
する。このため、もとの結晶の伝導を補償するに充分な
だけの深い準位を形成する量のＶのアルコオキサイドを
添加すれ（ｄ、半絶縁性エピタキシャル成長層を得るこ
とができる。
イド’ｔＭＯ−ＣＶＤ法の反応系に導入することにより
、成長中の化合物半導体中へＶ（！：ｏｌ添加すること
かできる。これらの原子はＧａＡｓなどの川−Ｖ族化合
物半導体中で深い準位全形成して、伝導度をｌＪ・さく
する。このため、もとの結晶の伝導を補償するに充分な
だけの深い準位を形成する量のＶのアルコオキサイドを
添加すれ（ｄ、半絶縁性エピタキシャル成長層を得るこ
とができる。
また、ＧａＡｓの」場合は、ＭＯ−ＣＶＤによる何も添
加していない結晶中のドナとアクセプタの和が１０
ｃｍ 程度の高純度結晶が得られるので、これを補
償するにはわず力・な量のＶのアルコオキサイドを添加
すればよく、不純物の少い高品質の半絶縁性結晶を得る
ととがてきるという利点かある。
加していない結晶中のドナとアクセプタの和が１０
ｃｍ 程度の高純度結晶が得られるので、これを補
償するにはわず力・な量のＶのアルコオキサイドを添加
すればよく、不純物の少い高品質の半絶縁性結晶を得る
ととがてきるという利点かある。
ｑづ！尉１明の効果）
ｉ＋ｆｉｆアルコオキサイドを気相で反応系に導入する
ことにより、ＭＯ−ＣＶＤ法によってもＶと０■添加を
可能にして、高品質の半絶縁件エビタ・で／マル成長層
を得ることができる。この発明の方法は、ＦＥＴのバッ
ファ層、イオン打込み用基板などの製造方法にｆｌｊ用
することかできる。
ことにより、ＭＯ−ＣＶＤ法によってもＶと０■添加を
可能にして、高品質の半絶縁件エビタ・で／マル成長層
を得ることができる。この発明の方法は、ＦＥＴのバッ
ファ層、イオン打込み用基板などの製造方法にｆｌｊ用
することかできる。
第１図および第２図はこの発明の化合物半樽体のエピタ
キシャル成長法の一実施例を説明するための図で、第１
図は常温近傍で液体のＶ一つアルコオキサイドを導入す
るための気化器ヲ示す４、第２図は常温近傍で固体のア
ルコオキサイドを導入するための気化器を示す図である
。 １・・・容器、２・・・キャリアガスの入口、３・液体
のＶのアルコオキサイド、４・・・出口、５・容器、６
固体のＶのアルコオキサイド、７ フィルタ。 ８・・入口、９・・出口。 特許出願人 工業技術院長
キシャル成長法の一実施例を説明するための図で、第１
図は常温近傍で液体のＶ一つアルコオキサイドを導入す
るための気化器ヲ示す４、第２図は常温近傍で固体のア
ルコオキサイドを導入するための気化器を示す図である
。 １・・・容器、２・・・キャリアガスの入口、３・液体
のＶのアルコオキサイド、４・・・出口、５・容器、６
固体のＶのアルコオキサイド、７ フィルタ。 ８・・入口、９・・出口。 特許出願人 工業技術院長
Claims (1)
- ■族の有機金属と■族の水素化物を原料として用いる気
相成長において、バナジウム（Ｖ）のアルコオキサイド
を反応系に導入することにより、Ｖ）翰ｐを成長層に添
加して半絶縁性の成長層を得るｆｌｉｔとを特徴とする
化合物半導体のエピタ斗ンヤル訓長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042397A JPS59169123A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 化合物半導体のエピタキシヤル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042397A JPS59169123A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 化合物半導体のエピタキシヤル成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169123A true JPS59169123A (ja) | 1984-09-25 |
| JPS64809B2 JPS64809B2 (ja) | 1989-01-09 |
Family
ID=12634928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58042397A Granted JPS59169123A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 化合物半導体のエピタキシヤル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015038252A (ja) * | 2012-05-27 | 2015-02-26 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フィルタを有する容器 |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP58042397A patent/JPS59169123A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015038252A (ja) * | 2012-05-27 | 2015-02-26 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フィルタを有する容器 |
| EP2677061A3 (en) * | 2012-05-27 | 2015-11-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Vessel with Filter |
| US9598766B2 (en) | 2012-05-27 | 2017-03-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Vessel with filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS64809B2 (ja) | 1989-01-09 |
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