JPH11135713A - 半導体モジュール - Google Patents
半導体モジュールInfo
- Publication number
- JPH11135713A JPH11135713A JP9297288A JP29728897A JPH11135713A JP H11135713 A JPH11135713 A JP H11135713A JP 9297288 A JP9297288 A JP 9297288A JP 29728897 A JP29728897 A JP 29728897A JP H11135713 A JPH11135713 A JP H11135713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- wiring pattern
- semiconductor element
- sealing resin
- semiconductor module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
- H01L2225/1023—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being an insulating substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
- H01L2225/1052—Wire or wire-like electrical connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1094—Thermal management, e.g. cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
信頼性が保証された複数個の半導体パッケージを高密度
に搭載した半導体モジュールを提供する。 【解決手段】 二種類の半導体素子1a、1bを、それ
ぞれ基板2a、2b上の配線パターン3a、3bに、バ
ンプ4a、4bにより接続し、封止樹脂5により封止し
て形成された半導体パッケージ6a、6bを、実装用基
板8上に接着材9により積み重ねて配置し、封止樹脂5
の外側に引き出されている半導体素子1aに接続された
配線パターン3a、半導体素子1bに接続された配線パ
ターン3bおよび実装用基板8上の電極との間をワイヤ
7により電気的に接続する。
Description
導体パッケージを搭載した半導体モジュールに関するも
のである。
面図である。図において、1は半導体素子、8は実装用
基板、9は半導体素子1を実装用基板8に固着するため
の接着材、7は半導体素子1に形成された電極(図示せ
ず)と実装用基板8に形成された電極(図示せず)を電
気的に接続するワイヤ、10は封止樹脂である。半導体
素子1を直接実装用基板8に接着材9を用いて固着し、
ワイヤ7を用いて半導体素子1上の電極(図示せず)と
実装用基板8上の電極(図示せず)を電気的に接続する
と共に、半導体素子1を周囲の環境から保護するための
封止樹脂10により半導体素子1およびワイヤ7を封止
して半導体モジュールを形成することにより、半導体素
子1の実装面積の縮小および軽量化が図られている。
ルは以上のように構成されているので、半導体素子1単
体の特性検査は、ハンドリング等の問題で技術的および
コスト的にも難しく、半導体素子1の信頼性が確認され
ないため、実装後の半導体モジュールの段階で不良が明
らかになり、半導体モジュールの歩留まりが低下してコ
ストが高くなるという問題があった。また、携帯電子機
器、例えば携帯電話や携帯パーソナルコンピュータにお
いては、一層の小型化、軽量化の要求に伴い、部品の小
型化および半導体パッケージの実装面積、体積の縮小に
よる半導体モジュールの小型化が求められている。
ためになされたもので、半導体素子単体での特性検査が
容易に行え、信頼性が確認された複数個の半導体パッケ
ージを高密度に搭載した半導体モジュールを提供するこ
とを目的とする。
モジュールは、半導体素子と、半導体素子の電極と電気
的に接続された配線パターンと、半導体素子およびその
周辺を、配線パターンの一部を除いて封止する封止樹脂
とを有する半導体パッケージ、および半導体パッケージ
を搭載する実装基板を備え、実装基板上に複数の半導体
パッケージを積み重ねて固着すると共に、封止樹脂の外
部に引き出された配線パターン部および実装基板上の電
極をワイヤで接続して実装したものである。また、半導
体パッケージの電極は、バンプを介して基板上に形成さ
れた配線パターンと接続されているものである。また、
実装基板上に積み重ねられた複数個の半導体パッケージ
の間に、放熱機構を介装するようにしたものである。
脂封止型半導体パッケージを搭載した半導体モジュール
を図について説明する。図1は本発明の実施の形態1に
よる半導体モジュールを示す断面図、図2は図1の半導
体モジュールに搭載されている半導体パッケージを示す
断面図である。図において、1、1a、1bは半導体素
子、2、2a、2bは基板、3、3a、3bは基板2、
2a、2b上に形成された配線パターン、4、4a、4
bはバンプ、5は半導体素子1、1a、1bを封止する
封止樹脂、6、6a、6bは半導体パッケージ、7はワ
イヤ、8は実装用基板、9は接着材、10は実装用基板
8上に搭載された半導体パッケージ6a、6bを封止す
る封止樹脂である。
れる半導体パッケージでは、図2に示すように、半導体
素子1に形成された電極(図示せず)と基板2上の配線
パターン3をバンプ4により電気的に接続し、半導体素
子1およびバンプ4を封止樹脂5により周囲の環境から
保護するよう構成されている。また、基板2は半導体素
子1の大きさに対して若干大きく、バンプ4と接続され
ている配線パターン3の他端は、封止樹脂5の外側に引
き出されている。このような構造を有する半導体パッケ
ージ6は、サイズ的には半導体素子1より若干大きいだ
けであり、また、半導体素子1は樹脂封止されているた
め、半導体素子1単体の特性検査等を容易に行うことが
できる。
類の半導体素子1a、1bを、それぞれ基板2a、2b
上の配線パターン3a、3bに、バンプ4a、4bによ
り接続し、封止樹脂5により封止することにより形成さ
れた半導体パッケージ6a、6bを、実装用基板8上に
接着材9により半導体パッケージ6bを固着し、さらに
半導体パッケージ6bの上に半導体パッケージ6aを接
着材9を用いて固着することにより構成され、封止樹脂
5の外側に引き出されている半導体素子1aに接続され
た配線パターン3aと半導体素子1bに接続された配線
パターン3bとの間、封止樹脂5の外側に引き出されて
いる配線パターン3aと実装用基板8上の電極(図示せ
ず)との間、および封止樹脂5の外側に引き出されてい
る配線パターン3bと実装用基板8上の電極(図示せ
ず)との間は、ワイヤ7により電気的に接続されてい
る。そして実装用基板8上に搭載された半導体パッケー
ジ6a、6bおよびワイヤ7は封止樹脂10により封止
されている。
線パターン3a、3bに、バンプ4a、4bを用いて電
気的に接続された半導体素子1a、1bを樹脂封止する
と共に配線パターン3a、3bの一部は封止樹脂の外側
に引き出されている構造を有する、サイズ的には半導体
素子1a、1bより若干大きいだけで、かつ信頼性が確
認された半導体パッケージ6a、6bを、実装用基板8
上に積み重ねて実装することにより、半導体パッケージ
6aと半導体パッケージ6bの実装面積を大幅に縮小で
き、半導体モジュールを小型化することができる。
態2を示す半導体モジュールの断面図である。図におい
て、11は実装用基板8上に積み重ねて実装された半導
体パッケージ6aと半導体パッケージ6bの間に接着材
9により固定された放熱機構である。なお、その他の構
成は実施の形態1と同様であるので説明を省略する。本
実施の形態によれば、実装用基板8上に積み重ねて実装
された半導体パッケージ6aと半導体パッケージ6bの
間に放熱機構(例えば、放熱板等)11を配置し、接着
材9により半導体パッケージ6aおよび半導体パッケー
ジ6bとそれぞれ固定することにより、実施の形態1と
同様の効果が得られると共に、半導体素子1a、1bの
高速動作時の発熱による半導体素子1a、1bの温度上
昇を防止することができる。
体素子が基板上の配線パターンに、バンプを用いて電気
的に接続され、半導体素子および配線パターンの一部分
が樹脂封止された構造を有する複数の半導体パッケージ
を、実装用基板上に積み重ねて配置し、封止樹脂の外側
に引き出されている配線パターン部を用いて実装用基板
と接続することにより、半導体素子の信頼性を半導体パ
ッケージの段階で確認できると共に、半導体パッケージ
の実装面積を大幅に縮小でき、信頼性が高く、小型化さ
れた半導体モジュールを得ることができる。また、この
発明によれば、実装用基板上に積み重ねられた半導体パ
ッケージの間に放熱機構を配置することにより、半導体
素子の高速動作時の発熱による半導体素子の温度上昇を
防止することができる。
ールを示す断面図である。
ールに搭載された半導体パッケージを示す断面図であ
る。
ールを示す断面図である。
である。
3、3a、3b 配線パターン、4、4a、4b バン
プ、5 封止樹脂、6、6a、6b 半導体パッケー
ジ、7 ワイヤ、8 実装用基板、9 接着材、10
封止樹脂、11 放熱機構。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体素子と、 上記半導体素子の電極と電気的に接続された配線パター
ンと、 上記半導体素子およびその周辺を、上記配線パターンの
一部を除いて封止する封止樹脂とを有する半導体パッケ
ージ、および上記半導体パッケージを搭載する実装基板
を備え、 上記実装基板上に複数の上記半導体パッケージを積み重
ねて固着すると共に、上記封止樹脂の外部に引き出され
た上記配線パターンおよび上記実装基板上の電極をワイ
ヤで接続して実装したことを特徴とする半導体モジュー
ル。 - 【請求項2】 半導体パッケージの電極は、バンプを介
して基板上に形成された配線パターンと接続されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体モジュール。 - 【請求項3】 実装基板上に積み重ねられた複数個の半
導体パッケージの間に、放熱機構を介装するようにした
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体
モジュール。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29728897A JP3644662B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 半導体モジュール |
US09/073,836 US5903049A (en) | 1997-10-29 | 1998-05-06 | Semiconductor module comprising semiconductor packages |
TW087110874A TW381334B (en) | 1997-10-29 | 1998-07-06 | Semiconductor modules |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29728897A JP3644662B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 半導体モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11135713A true JPH11135713A (ja) | 1999-05-21 |
JP3644662B2 JP3644662B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=17844583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29728897A Expired - Lifetime JP3644662B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 半導体モジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5903049A (ja) |
JP (1) | JP3644662B2 (ja) |
TW (1) | TW381334B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100480908B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2005-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 적층 칩 패키지의 제조 방법 |
JP2005539403A (ja) * | 2002-09-17 | 2005-12-22 | チップパック,インク. | 積み重ねられたパッケージ間のワイヤボンド相互接続を有する半導体マルチパッケージモジュール |
JP2007173606A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Renesas Technology Corp | 電子装置及びその製造方法 |
JP2009123923A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
US8143100B2 (en) | 2002-09-17 | 2012-03-27 | Chippac, Inc. | Method of fabricating a semiconductor multi-package module having wire bond interconnect between stacked packages |
JP2014531134A (ja) * | 2011-10-20 | 2014-11-20 | インヴェンサス・コーポレイション | 積層された超小型電子装置を有する超小型電子パッケージ及びその製造方法 |
Families Citing this family (85)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5148265A (en) | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies with fan-in leads |
US6861290B1 (en) | 1995-12-19 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Flip-chip adaptor package for bare die |
JPH10335580A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パッケージおよびこれを用いた半導体モジュール |
US6072233A (en) | 1998-05-04 | 2000-06-06 | Micron Technology, Inc. | Stackable ball grid array package |
USRE43112E1 (en) | 1998-05-04 | 2012-01-17 | Round Rock Research, Llc | Stackable ball grid array package |
US6143981A (en) | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package |
KR100302593B1 (ko) | 1998-10-24 | 2001-09-22 | 김영환 | 반도체패키지및그제조방법 |
JP3304921B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2002-07-22 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP3360655B2 (ja) * | 1999-07-08 | 2002-12-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
KR20010037247A (ko) * | 1999-10-15 | 2001-05-07 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지 |
KR100421774B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2004-03-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 및 그 제조 방법 |
US7042068B2 (en) | 2000-04-27 | 2006-05-09 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe and semiconductor package made using the leadframe |
JP3405456B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2003-05-12 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置,半導体装置の製造方法,スタック型半導体装置及びスタック型半導体装置の製造方法 |
JP4586273B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2010-11-24 | ソニー株式会社 | 半導体装置構造 |
KR100731007B1 (ko) * | 2001-01-15 | 2007-06-22 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 적층형 반도체 패키지 |
JP4780844B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2011-09-28 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
US6545345B1 (en) | 2001-03-20 | 2003-04-08 | Amkor Technology, Inc. | Mounting for a package containing a chip |
JP2002373969A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
EP1455392A4 (en) * | 2001-12-07 | 2008-05-07 | Fujitsu Ltd | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
JP2003273317A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6608366B1 (en) | 2002-04-15 | 2003-08-19 | Harry J. Fogelson | Lead frame with plated end leads |
US6818973B1 (en) | 2002-09-09 | 2004-11-16 | Amkor Technology, Inc. | Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process |
US7053476B2 (en) * | 2002-09-17 | 2006-05-30 | Chippac, Inc. | Semiconductor multi-package module having package stacked over die-down flip chip ball grid array package and having wire bond interconnect between stacked packages |
US6972481B2 (en) * | 2002-09-17 | 2005-12-06 | Chippac, Inc. | Semiconductor multi-package module including stacked-die package and having wire bond interconnect between stacked packages |
US20040061213A1 (en) * | 2002-09-17 | 2004-04-01 | Chippac, Inc. | Semiconductor multi-package module having package stacked over die-up flip chip ball grid array package and having wire bond interconnect between stacked packages |
US7205647B2 (en) * | 2002-09-17 | 2007-04-17 | Chippac, Inc. | Semiconductor multi-package module having package stacked over ball grid array package and having wire bond interconnect between stacked packages |
US6838761B2 (en) * | 2002-09-17 | 2005-01-04 | Chippac, Inc. | Semiconductor multi-package module having wire bond interconnect between stacked packages and having electrical shield |
US7061088B2 (en) * | 2002-10-08 | 2006-06-13 | Chippac, Inc. | Semiconductor stacked multi-package module having inverted second package |
US7034387B2 (en) * | 2003-04-04 | 2006-04-25 | Chippac, Inc. | Semiconductor multipackage module including processor and memory package assemblies |
US6905914B1 (en) | 2002-11-08 | 2005-06-14 | Amkor Technology, Inc. | Wafer level package and fabrication method |
US7723210B2 (en) | 2002-11-08 | 2010-05-25 | Amkor Technology, Inc. | Direct-write wafer level chip scale package |
US7479407B2 (en) * | 2002-11-22 | 2009-01-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Digital and RF system and method therefor |
US6798047B1 (en) | 2002-12-26 | 2004-09-28 | Amkor Technology, Inc. | Pre-molded leadframe |
JP3689694B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2005-08-31 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6750545B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-06-15 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package capable of die stacking |
US6856009B2 (en) * | 2003-03-11 | 2005-02-15 | Micron Technology, Inc. | Techniques for packaging multiple device components |
US6794740B1 (en) | 2003-03-13 | 2004-09-21 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe package for semiconductor devices |
US6879034B1 (en) | 2003-05-01 | 2005-04-12 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package including low temperature co-fired ceramic substrate |
US7332797B2 (en) * | 2003-06-30 | 2008-02-19 | Intel Corporation | Wire-bonded package with electrically insulating wire encapsulant and thermally conductive overmold |
US7144640B2 (en) * | 2003-08-01 | 2006-12-05 | Agency For Science, Technology And Research | Tilted media for hard disk drives and magnetic data storage devices |
US6921967B2 (en) | 2003-09-24 | 2005-07-26 | Amkor Technology, Inc. | Reinforced die pad support structure |
JP5197961B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2013-05-15 | スタッツ・チップパック・インコーポレイテッド | マルチチップパッケージモジュールおよびその製造方法 |
US7989940B2 (en) * | 2003-12-19 | 2011-08-02 | Tessera, Inc. | System and method for increasing the number of IO-s on a ball grid package by wire bond stacking of same size packages through apertures |
WO2005069369A1 (de) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Integriertes bauelement |
EP1560267A1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-08-03 | Kingston Technology Corporation | Integrated multi-chip chip scale package |
JP2007533152A (ja) * | 2004-04-16 | 2007-11-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 集積回路、集積回路の製造方法及び集積回路を製造するための組立部品、並びに該集積回路を有する携帯電話 |
US8552551B2 (en) * | 2004-05-24 | 2013-10-08 | Chippac, Inc. | Adhesive/spacer island structure for stacking over wire bonded die |
US20050258527A1 (en) * | 2004-05-24 | 2005-11-24 | Chippac, Inc. | Adhesive/spacer island structure for multiple die package |
US20050269692A1 (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Chippac, Inc | Stacked semiconductor package having adhesive/spacer structure and insulation |
US7253511B2 (en) * | 2004-07-13 | 2007-08-07 | Chippac, Inc. | Semiconductor multipackage module including die and inverted land grid array package stacked over ball grid array package |
US20080203552A1 (en) * | 2005-02-15 | 2008-08-28 | Unisemicon Co., Ltd. | Stacked Package and Method of Fabricating the Same |
KR101213661B1 (ko) * | 2005-03-31 | 2012-12-17 | 스태츠 칩팩, 엘티디. | 칩 스케일 패키지 및 제 2 기판을 포함하고 있으며 상부면및 하부면에서 노출된 기판 표면들을 갖는 반도체 어셈블리 |
US7372141B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-05-13 | Stats Chippac Ltd. | Semiconductor stacked package assembly having exposed substrate surfaces on upper and lower sides |
US7364945B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-04-29 | Stats Chippac Ltd. | Method of mounting an integrated circuit package in an encapsulant cavity |
JP4589170B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2010-12-01 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US7429786B2 (en) * | 2005-04-29 | 2008-09-30 | Stats Chippac Ltd. | Semiconductor package including second substrate and having exposed substrate surfaces on upper and lower sides |
US7354800B2 (en) | 2005-04-29 | 2008-04-08 | Stats Chippac Ltd. | Method of fabricating a stacked integrated circuit package system |
US7582960B2 (en) * | 2005-05-05 | 2009-09-01 | Stats Chippac Ltd. | Multiple chip package module including die stacked over encapsulated package |
US7746656B2 (en) * | 2005-05-16 | 2010-06-29 | Stats Chippac Ltd. | Offset integrated circuit package-on-package stacking system |
US7394148B2 (en) * | 2005-06-20 | 2008-07-01 | Stats Chippac Ltd. | Module having stacked chip scale semiconductor packages |
US7572681B1 (en) | 2005-12-08 | 2009-08-11 | Amkor Technology, Inc. | Embedded electronic component package |
US7768125B2 (en) * | 2006-01-04 | 2010-08-03 | Stats Chippac Ltd. | Multi-chip package system |
US7456088B2 (en) | 2006-01-04 | 2008-11-25 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system including stacked die |
US7750482B2 (en) * | 2006-02-09 | 2010-07-06 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system including zero fillet resin |
US8704349B2 (en) * | 2006-02-14 | 2014-04-22 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with exposed interconnects |
US7902660B1 (en) | 2006-05-24 | 2011-03-08 | Amkor Technology, Inc. | Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7968998B1 (en) | 2006-06-21 | 2011-06-28 | Amkor Technology, Inc. | Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package |
JP2008166438A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Spansion Llc | 半導体装置およびその製造方法 |
US8163600B2 (en) * | 2006-12-28 | 2012-04-24 | Stats Chippac Ltd. | Bridge stack integrated circuit package-on-package system |
US9466545B1 (en) * | 2007-02-21 | 2016-10-11 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package in package |
US7969018B2 (en) * | 2008-07-15 | 2011-06-28 | Infineon Technologies Ag | Stacked semiconductor chips with separate encapsulations |
US8796561B1 (en) | 2009-10-05 | 2014-08-05 | Amkor Technology, Inc. | Fan out build up substrate stackable package and method |
US8937381B1 (en) | 2009-12-03 | 2015-01-20 | Amkor Technology, Inc. | Thin stackable package and method |
US9691734B1 (en) | 2009-12-07 | 2017-06-27 | Amkor Technology, Inc. | Method of forming a plurality of electronic component packages |
US8324511B1 (en) | 2010-04-06 | 2012-12-04 | Amkor Technology, Inc. | Through via nub reveal method and structure |
US8294276B1 (en) | 2010-05-27 | 2012-10-23 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device and fabricating method thereof |
US8440554B1 (en) | 2010-08-02 | 2013-05-14 | Amkor Technology, Inc. | Through via connected backside embedded circuit features structure and method |
US8487445B1 (en) | 2010-10-05 | 2013-07-16 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer |
US8791501B1 (en) | 2010-12-03 | 2014-07-29 | Amkor Technology, Inc. | Integrated passive device structure and method |
US8390130B1 (en) | 2011-01-06 | 2013-03-05 | Amkor Technology, Inc. | Through via recessed reveal structure and method |
US8552548B1 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-08 | Amkor Technology, Inc. | Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device |
US9048298B1 (en) | 2012-03-29 | 2015-06-02 | Amkor Technology, Inc. | Backside warpage control structure and fabrication method |
US9129943B1 (en) | 2012-03-29 | 2015-09-08 | Amkor Technology, Inc. | Embedded component package and fabrication method |
US9385006B2 (en) * | 2012-06-21 | 2016-07-05 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming an embedded SOP fan-out package |
JP2019153619A (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-12 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2816244B2 (ja) * | 1990-07-11 | 1998-10-27 | 株式会社日立製作所 | 積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置 |
FR2694840B1 (fr) * | 1992-08-13 | 1994-09-09 | Commissariat Energie Atomique | Module multi-puces à trois dimensions. |
-
1997
- 1997-10-29 JP JP29728897A patent/JP3644662B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-05-06 US US09/073,836 patent/US5903049A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-06 TW TW087110874A patent/TW381334B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100480908B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2005-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 적층 칩 패키지의 제조 방법 |
JP2005539403A (ja) * | 2002-09-17 | 2005-12-22 | チップパック,インク. | 積み重ねられたパッケージ間のワイヤボンド相互接続を有する半導体マルチパッケージモジュール |
JP4800625B2 (ja) * | 2002-09-17 | 2011-10-26 | スタッツ・チップパック・インコーポレイテッド | 積み重ねられたパッケージ間のワイヤボンド相互接続を有する半導体マルチパッケージモジュール及びその形成方法 |
US8143100B2 (en) | 2002-09-17 | 2012-03-27 | Chippac, Inc. | Method of fabricating a semiconductor multi-package module having wire bond interconnect between stacked packages |
JP2007173606A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Renesas Technology Corp | 電子装置及びその製造方法 |
JP2009123923A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2014531134A (ja) * | 2011-10-20 | 2014-11-20 | インヴェンサス・コーポレイション | 積層された超小型電子装置を有する超小型電子パッケージ及びその製造方法 |
US9583475B2 (en) | 2011-10-20 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Microelectronic package with stacked microelectronic units and method for manufacture thereof |
US9876002B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-23 | Invensas Corporation | Microelectronic package with stacked microelectronic units and method for manufacture thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5903049A (en) | 1999-05-11 |
TW381334B (en) | 2000-02-01 |
JP3644662B2 (ja) | 2005-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3644662B2 (ja) | 半導体モジュール | |
US6343019B1 (en) | Apparatus and method of stacking die on a substrate | |
US6982488B2 (en) | Semiconductor package and method for fabricating the same | |
KR101424777B1 (ko) | 집적 회로 패키지 시스템 | |
KR100477020B1 (ko) | 멀티 칩 패키지 | |
TWI464812B (zh) | 具有倒裝晶片之積體電路封裝件系統 | |
TWI384612B (zh) | 具有雙側連接之積體電路封裝件系統 | |
TWI394236B (zh) | 具有黏著性間隔結構之可固定積體電路封裝內封裝系統 | |
US20080197472A1 (en) | Semiconductor device and semiconductor module using the same | |
US20090032923A1 (en) | Method and apparatus for stacking electrical components using via to provide interconnection | |
US20060125093A1 (en) | Multi-chip module having bonding wires and method of fabricating the same | |
US7217995B2 (en) | Apparatus for stacking electrical components using insulated and interconnecting via | |
JPH05326735A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US6825064B2 (en) | Multi-chip semiconductor package and fabrication method thereof | |
JP2003124434A (ja) | チップ間にスペーサが挿入されたマルチチップパッケージ及びその製造方法 | |
US20030015803A1 (en) | High-density multichip module and method for manufacturing the same | |
JP2008187076A (ja) | 回路装置およびその製造方法 | |
KR100393099B1 (ko) | 반도체패키지 | |
US6984882B2 (en) | Semiconductor device with reduced wiring paths between an array of semiconductor chip parts | |
KR100444168B1 (ko) | 반도체패키지 | |
KR100708050B1 (ko) | 반도체패키지 | |
KR20000040218A (ko) | 멀티 칩 패키지 | |
KR20080088317A (ko) | 반도체 패키지 | |
JP2002057247A (ja) | 半導体装置と半導体装置用フイルムキャリア | |
JP2004289043A (ja) | マルチチップパッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040629 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040823 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050125 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050131 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080210 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |