JPH09293654A - 荷電粒子ビーム露光装置用透過マスク及びそれを利用した露光装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光装置用透過マスク及びそれを利用した露光装置Info
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- JPH09293654A JPH09293654A JP8105137A JP10513796A JPH09293654A JP H09293654 A JPH09293654 A JP H09293654A JP 8105137 A JP8105137 A JP 8105137A JP 10513796 A JP10513796 A JP 10513796A JP H09293654 A JPH09293654 A JP H09293654A
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- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高速に加速された荷電粒子ビームが照射されて
透過マスクの温度が上昇して耐久性がなくなるのを防止
する。 【解決手段】マトリクス状に配置された複数のアパーチ
ャと、一方の表面上に各アパーチャ毎に設けられた一対
の偏向電極を少なくとも有する透過マスク基板と、その
透過マスク基板に設けられたアパーチャに対応する位置
に形成されたアパーチャと、一方の面上に形成され重金
属等の荷電粒子ビームに対する反射率が大きい物質から
なるビーム遮断層とを有するビーム遮断基板とを張り付
けた構造にしたドランキング・アパーチャ・アレイ方式
の荷電粒子ビーム露光装置用の透過マスク。
透過マスクの温度が上昇して耐久性がなくなるのを防止
する。 【解決手段】マトリクス状に配置された複数のアパーチ
ャと、一方の表面上に各アパーチャ毎に設けられた一対
の偏向電極を少なくとも有する透過マスク基板と、その
透過マスク基板に設けられたアパーチャに対応する位置
に形成されたアパーチャと、一方の面上に形成され重金
属等の荷電粒子ビームに対する反射率が大きい物質から
なるビーム遮断層とを有するビーム遮断基板とを張り付
けた構造にしたドランキング・アパーチャ・アレイ方式
の荷電粒子ビーム露光装置用の透過マスク。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子ビーム露
光装置に使用される透過マスクをビームエネルギに対す
る耐久性を向上させた構造に関する。
光装置に使用される透過マスクをビームエネルギに対す
る耐久性を向上させた構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子
ビーム露光方法は、０．０５μｍ以下の微細加工を０．
０２μｍ以下の位置合わせ精度で実現できることから、
高集積度の半導体装置の製造等への適用が期待されてい
る。しかしながら、微細パターンを高い集積度で形成す
るためには、それだけ膨大なパターンの数を露光する必
要があり、荷電粒子ビーム露光方法はその露光のスルー
プットを上げることが必要である。
ビーム露光方法は、０．０５μｍ以下の微細加工を０．
０２μｍ以下の位置合わせ精度で実現できることから、
高集積度の半導体装置の製造等への適用が期待されてい
る。しかしながら、微細パターンを高い集積度で形成す
るためには、それだけ膨大なパターンの数を露光する必
要があり、荷電粒子ビーム露光方法はその露光のスルー
プットを上げることが必要である。
【０００３】そのスループット向上の一つの手段とし
て、繰り返しパターンが比較的多く設けられるメモリデ
バイス等に対しては、繰り返しパターンの透過孔を複数
個設けたブロックマスクを使用するブロック露光方法が
提案されている。しかし、ロジック回路等ランダムなパ
ターンが比較的多いデバイスについては、適用すること
が難しい。ランダムなパターンに対してのスループット
を上げる方法として、複数本の荷電粒子ビームを同時に
照射することができるブランキング・アパーチャー・ア
レイ（ＢＡＡ）方式の露光方法が提案されている。
て、繰り返しパターンが比較的多く設けられるメモリデ
バイス等に対しては、繰り返しパターンの透過孔を複数
個設けたブロックマスクを使用するブロック露光方法が
提案されている。しかし、ロジック回路等ランダムなパ
ターンが比較的多いデバイスについては、適用すること
が難しい。ランダムなパターンに対してのスループット
を上げる方法として、複数本の荷電粒子ビームを同時に
照射することができるブランキング・アパーチャー・ア
レイ（ＢＡＡ）方式の露光方法が提案されている。
【０００４】このブランキング・アパーチャ・アレイ方
式（以下ＢＡＡ方式と略称する。）では、透過マスクと
して、画素（ピクセル）単位に透過孔とその透過孔近傍
に設けた一対の偏向電極を設け、その画素をマトリクス
状に配置したものが使用される。
式（以下ＢＡＡ方式と略称する。）では、透過マスクと
して、画素（ピクセル）単位に透過孔とその透過孔近傍
に設けた一対の偏向電極を設け、その画素をマトリクス
状に配置したものが使用される。
【０００５】図Ａは、そのＢＡＡ方式の透過マスクの概
略的断面構造である。シリコン基板１０の表面にボロン
不純物領域１１、シリコン酸化膜１２、配線及び電極１
３、シリコン酸化膜１４，１５が設けられ、例えば３０
μｍ程度の分厚いメッキ層からなる電極１６，１７，１
８，１９が設けられている。そして、シリコン基板１０
に設けたマトリクス状のアパーチャ２０の近傍にグラン
ド電極１９と偏向電極１８が対向して設けられている。
シリコン基板１０は、最終的にその中央部分がエッチン
グで除去され、周辺だけ残したメンブレン構造となって
いる。
略的断面構造である。シリコン基板１０の表面にボロン
不純物領域１１、シリコン酸化膜１２、配線及び電極１
３、シリコン酸化膜１４，１５が設けられ、例えば３０
μｍ程度の分厚いメッキ層からなる電極１６，１７，１
８，１９が設けられている。そして、シリコン基板１０
に設けたマトリクス状のアパーチャ２０の近傍にグラン
ド電極１９と偏向電極１８が対向して設けられている。
シリコン基板１０は、最終的にその中央部分がエッチン
グで除去され、周辺だけ残したメンブレン構造となって
いる。
【０００６】グランド電極１９はボロン不純物領域１１
及び配線１３を介してグランド電極パッド１６に接続さ
れ、基板と共に接地されている。また、偏向電極１８も
配線１３を介してそれぞれの制御電圧が印加される電極
パッド１７に接続される。
及び配線１３を介してグランド電極パッド１６に接続さ
れ、基板と共に接地されている。また、偏向電極１８も
配線１３を介してそれぞれの制御電圧が印加される電極
パッド１７に接続される。
【０００７】このようなＢＡＡ方式の透過マスクは、露
光装置内に装着され、図Ａの上側から荷電粒子ビームが
照射される。照射される荷電粒子ビームに対して、それ
ぞれのアパーチャ２０の両側のグランド電極と偏向電極
との間に偏向電圧Ｖ１，Ｖ２を印加し、例えば図Ａに示
される通りそれぞれのアパーチャ２０を通過するビーム
の偏向方向を制御する。その結果、選択された画素に対
応する複数のビームで形成されるパターンが試料表面に
照射される。
光装置内に装着され、図Ａの上側から荷電粒子ビームが
照射される。照射される荷電粒子ビームに対して、それ
ぞれのアパーチャ２０の両側のグランド電極と偏向電極
との間に偏向電圧Ｖ１，Ｖ２を印加し、例えば図Ａに示
される通りそれぞれのアパーチャ２０を通過するビーム
の偏向方向を制御する。その結果、選択された画素に対
応する複数のビームで形成されるパターンが試料表面に
照射される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このようなＢＡＡ方式
の透過マスクは、例えば５１２個のアパーチャ２０がマ
トリクス状に設けられ、それぞれの偏向電極に偏向電圧
を印加することで、任意のパターンを複数の画素ビーム
で形成することができる。従って、ランダムなパターン
を含む場合であっても、露光工程のスループットを上げ
ることができる。
の透過マスクは、例えば５１２個のアパーチャ２０がマ
トリクス状に設けられ、それぞれの偏向電極に偏向電圧
を印加することで、任意のパターンを複数の画素ビーム
で形成することができる。従って、ランダムなパターン
を含む場合であっても、露光工程のスループットを上げ
ることができる。
【０００９】しかしながら、このＢＡＡマスクは、１０
〜２０μｍ程度の薄いシリコン基板であり耐久性に欠け
る面がある。更に、露光パターンの解像度を上げる為に
は荷電粒子ビームの加速電圧を上げる必要がある。これ
は、露光されるレジスト層に対してより直線的にビーム
を照射することができレジストの断面形状が改善できる
からである。しかし、荷電粒子ビームの加速電圧を上げ
るとシリコン基板に照射されるビームのエネルギーが高
くなり、熱の発生によりシリコン基板が溶けてしまい実
用レベルの耐久性が得られなくなる。
〜２０μｍ程度の薄いシリコン基板であり耐久性に欠け
る面がある。更に、露光パターンの解像度を上げる為に
は荷電粒子ビームの加速電圧を上げる必要がある。これ
は、露光されるレジスト層に対してより直線的にビーム
を照射することができレジストの断面形状が改善できる
からである。しかし、荷電粒子ビームの加速電圧を上げ
るとシリコン基板に照射されるビームのエネルギーが高
くなり、熱の発生によりシリコン基板が溶けてしまい実
用レベルの耐久性が得られなくなる。
【００１０】そこで、本発明の目的は、高速に加速され
た荷電粒子ビームを照射されても耐えることができる構
造の透過マスクを提供することにある。
た荷電粒子ビームを照射されても耐えることができる構
造の透過マスクを提供することにある。
【００１１】また、本発明の目的は、高速に加速された
荷電粒子ビームを使用しても、透過マスクが十分な耐久
性を有する荷電粒子ビーム露光装置を提供することにあ
る。
荷電粒子ビームを使用しても、透過マスクが十分な耐久
性を有する荷電粒子ビーム露光装置を提供することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、本発明に
よれば、マスク基板に、マトリクス状に配置された複数
のアパーチャと、各アパーチャ毎に設けられた一対の偏
向電極が少なくとも設けられ、該複数のアパーチャに荷
電粒子ビームが照射され該アパーチャを通過するビーム
が偏向電極により制御される透過マスクにおいて、該偏
向電極が該マスク基板の一方の面に形成され、該マスク
基板より前記荷電粒子ビームに対する反射率が大きい物
質のビーム遮断層が、該基板の他方の面に形成されてい
ることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置用の透過マ
スクを提供することにより達成される。
よれば、マスク基板に、マトリクス状に配置された複数
のアパーチャと、各アパーチャ毎に設けられた一対の偏
向電極が少なくとも設けられ、該複数のアパーチャに荷
電粒子ビームが照射され該アパーチャを通過するビーム
が偏向電極により制御される透過マスクにおいて、該偏
向電極が該マスク基板の一方の面に形成され、該マスク
基板より前記荷電粒子ビームに対する反射率が大きい物
質のビーム遮断層が、該基板の他方の面に形成されてい
ることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置用の透過マ
スクを提供することにより達成される。
【００１３】該、ビーム遮断層は、例えば少なくとも
金、タンタル、タングステンを含む重金属材料のうちの
一つの材料を含む重金属層であることが好ましい。そし
て、この重金属層は、偏向電極のグランド電極に接続さ
れることで、露光装置内に装着された時、電気的に安定
しチャージアップの原因ともならない。
金、タンタル、タングステンを含む重金属材料のうちの
一つの材料を含む重金属層であることが好ましい。そし
て、この重金属層は、偏向電極のグランド電極に接続さ
れることで、露光装置内に装着された時、電気的に安定
しチャージアップの原因ともならない。
【００１４】上記の目的は、更に本発明によれば、マト
リクス状に配置された複数のアパーチャと、一方の表面
上に各アパーチャ毎に設けられた一対の偏向電極を少な
くとも有する透過マスク基板と、前記透過マスク基板に
設けられたアパーチャに対応する位置に形成されたアパ
ーチャと、一方の面上に形成され前記透過マスク基板よ
り荷電粒子ビームに対する反射率が大きい物質のビーム
遮断層とを有するビーム遮断基板とを有し、前記ビーム
遮断基板の他方の面が前記透過マスク基板に張り付けら
れていることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置用の
透過マスクを提供することにより達成される。
リクス状に配置された複数のアパーチャと、一方の表面
上に各アパーチャ毎に設けられた一対の偏向電極を少な
くとも有する透過マスク基板と、前記透過マスク基板に
設けられたアパーチャに対応する位置に形成されたアパ
ーチャと、一方の面上に形成され前記透過マスク基板よ
り荷電粒子ビームに対する反射率が大きい物質のビーム
遮断層とを有するビーム遮断基板とを有し、前記ビーム
遮断基板の他方の面が前記透過マスク基板に張り付けら
れていることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置用の
透過マスクを提供することにより達成される。
【００１５】このビーム遮断層は前述の通り、重金属層
であることが望ましく、また何らかの手段で接地電極に
接続されることが望ましい。
であることが望ましく、また何らかの手段で接地電極に
接続されることが望ましい。
【００１６】上記の目的は、更に本発明によれば、所望
の形状に成形された荷電粒子ビームを試料の所望の位置
に照射して露光する荷電粒子ビーム露光装置において、
該荷電粒子ビームを発生するビーム発生手段と、該荷電
粒子ビームを偏向するビーム偏向手段と、該ビーム偏向
手段のビーム下流側に設けられ前記試料を搭載する試料
ステージと、前記ビーム発生手段とビーム偏向手段との
間に装着される透過マスクとを有し、該透過マスクは、
マトリクス状に配置された複数のアパーチャと各アパー
チャ毎に設けられた一対の偏向電極が少なくとも設けら
れ、該偏向電極が少なくとも金、タンタル、タングステ
ンを含む重金属材料のうちの一つの材料を含む重金属で
あり、該偏向電極が形成された面を前記ビーム発生手段
側に向けて装着されることを特徴とする荷電粒子ビーム
露光装置を提供することにより達成される。
の形状に成形された荷電粒子ビームを試料の所望の位置
に照射して露光する荷電粒子ビーム露光装置において、
該荷電粒子ビームを発生するビーム発生手段と、該荷電
粒子ビームを偏向するビーム偏向手段と、該ビーム偏向
手段のビーム下流側に設けられ前記試料を搭載する試料
ステージと、前記ビーム発生手段とビーム偏向手段との
間に装着される透過マスクとを有し、該透過マスクは、
マトリクス状に配置された複数のアパーチャと各アパー
チャ毎に設けられた一対の偏向電極が少なくとも設けら
れ、該偏向電極が少なくとも金、タンタル、タングステ
ンを含む重金属材料のうちの一つの材料を含む重金属で
あり、該偏向電極が形成された面を前記ビーム発生手段
側に向けて装着されることを特徴とする荷電粒子ビーム
露光装置を提供することにより達成される。
【００１７】ＢＡＡ方式の透過マスクは、偏向電極がマ
スク基板全面に密集して設けられているので、その電極
を重金属等のビーム反射率が高い材料で形成し、その電
極形成面をビーム発生手段側に向けて装着することで、
透過マスクの耐久性を上げることができる。
スク基板全面に密集して設けられているので、その電極
を重金属等のビーム反射率が高い材料で形成し、その電
極形成面をビーム発生手段側に向けて装着することで、
透過マスクの耐久性を上げることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に従って説明する。しかしながら、本発明の技術
的範囲がその実施の形態に限定されるものではない。
て図面に従って説明する。しかしながら、本発明の技術
的範囲がその実施の形態に限定されるものではない。
【００１９】本発明によれば、第一に、ＢＡＡ方式の透
過マスクの一方の面には、グランド電極と偏向電極が密
集して形成されるので、そのような電極を金、タングス
テン、タンタル等の重金属で形成し、荷電粒子ビームが
照射される方向に電極が形成されている面を対向させる
ことで、従来の如き高速ビームにより熱の問題を解決す
ることができる。重金属の場合は、シリコン等に比較し
て荷電粒子ビームに対する反射率が高いので、ビームエ
ネルギーの吸収による温度上昇を防止することができ
る。また、特に金は、シリコンに比べて熱伝導率も高い
ので、放熱効果が上がり温度上昇を防止することができ
る。
過マスクの一方の面には、グランド電極と偏向電極が密
集して形成されるので、そのような電極を金、タングス
テン、タンタル等の重金属で形成し、荷電粒子ビームが
照射される方向に電極が形成されている面を対向させる
ことで、従来の如き高速ビームにより熱の問題を解決す
ることができる。重金属の場合は、シリコン等に比較し
て荷電粒子ビームに対する反射率が高いので、ビームエ
ネルギーの吸収による温度上昇を防止することができ
る。また、特に金は、シリコンに比べて熱伝導率も高い
ので、放熱効果が上がり温度上昇を防止することができ
る。
【００２０】本発明の第二の考えは、電極が形成される
面と反対側のシリコン基板の表面側に、重金属層を形成
する構造である。そして、従来通り電極が形成された面
をビームの下流側に向けて露光装置内に装着する。上記
と同様に、重金属層がビームを反射し、且つ熱伝導率も
高いので、温度上昇を防止することができる。但し、こ
の場合は、ブランキング制御用の偏向電極の近傍に重金
属層の導電体が位置するので、その重金属層を何らかの
手段でグランドに接続して、電界に影響を与えない様に
しておく必要がある。
面と反対側のシリコン基板の表面側に、重金属層を形成
する構造である。そして、従来通り電極が形成された面
をビームの下流側に向けて露光装置内に装着する。上記
と同様に、重金属層がビームを反射し、且つ熱伝導率も
高いので、温度上昇を防止することができる。但し、こ
の場合は、ブランキング制御用の偏向電極の近傍に重金
属層の導電体が位置するので、その重金属層を何らかの
手段でグランドに接続して、電界に影響を与えない様に
しておく必要がある。
【００２１】更に本発明の第三の考えは、従来のＢＡＡ
方式の透過マスクに、シリコン基板に重金属層を形成し
た保護基板を張り付けた構造である。この場合の保護基
板は、透過マスクのピクセル及び電極パッド部分に開孔
を設ける必要があり、また重金属層を接地しておく必要
がある。
方式の透過マスクに、シリコン基板に重金属層を形成し
た保護基板を張り付けた構造である。この場合の保護基
板は、透過マスクのピクセル及び電極パッド部分に開孔
を設ける必要があり、また重金属層を接地しておく必要
がある。
【００２２】図１は、ＢＡＡ方式の透過マスクの全体を
示す平面図である。シリコン基板１０からなるメンブレ
ン構造の周辺には、アパーチャの数に対応した数の偏向
電極用パッド１７のアレイが形成される。また、メンブ
レンの４隅にはグランド電極に接続されるグランド電極
パッド１６が形成される。また、メンブレンの中央部に
は、例えば５１２個のアパーチャがマトリクス状に形成
されたアパーチャ領域２１が設けられる。
示す平面図である。シリコン基板１０からなるメンブレ
ン構造の周辺には、アパーチャの数に対応した数の偏向
電極用パッド１７のアレイが形成される。また、メンブ
レンの４隅にはグランド電極に接続されるグランド電極
パッド１６が形成される。また、メンブレンの中央部に
は、例えば５１２個のアパーチャがマトリクス状に形成
されたアパーチャ領域２１が設けられる。
【００２３】図２は、そのアパーチャ領域２１の一部拡
大平面図である。図２に示される通り、画素単位のアパ
ーチャ２０がマトリクス状に配置され、そのアパーチャ
２０それぞれに対して、３辺を囲む形状のグランド電極
１９と、それに対向する偏向電極１８が設けられる。グ
ランド電極１９は、全てのアパーチャ２０に共通に設け
ることができるので、図２に示される通り櫛歯状の形状
に形成される。そして、配線層１３により図１に示した
グランド電極パッドに接続される。また、偏向電極１８
は、それぞれ電気的に分離された配線層（図示せず）を
介して、図１に示した偏向電極パッド１７のそれぞれに
接続される。
大平面図である。図２に示される通り、画素単位のアパ
ーチャ２０がマトリクス状に配置され、そのアパーチャ
２０それぞれに対して、３辺を囲む形状のグランド電極
１９と、それに対向する偏向電極１８が設けられる。グ
ランド電極１９は、全てのアパーチャ２０に共通に設け
ることができるので、図２に示される通り櫛歯状の形状
に形成される。そして、配線層１３により図１に示した
グランド電極パッドに接続される。また、偏向電極１８
は、それぞれ電気的に分離された配線層（図示せず）を
介して、図１に示した偏向電極パッド１７のそれぞれに
接続される。
【００２４】これらのグランド電極１９と偏向電極１８
は、走行する荷電粒子ビームを十分に偏向するに必要な
厚みを持って形成される。具体的には、グランド電極１
９と偏向電極１８の対向面の面積がビームの偏向に必要
な電界を与えるに十分になるよう各電極のディメンジョ
ンが決定される。
は、走行する荷電粒子ビームを十分に偏向するに必要な
厚みを持って形成される。具体的には、グランド電極１
９と偏向電極１８の対向面の面積がビームの偏向に必要
な電界を与えるに十分になるよう各電極のディメンジョ
ンが決定される。
【００２５】図３乃至図１０は、本発明にかかるＢＡＡ
方式の透過マスクの製造工程を示す断面図である。以
下、図面に従って説明する。
方式の透過マスクの製造工程を示す断面図である。以
下、図面に従って説明する。
【００２６】図３に示される通り、裏面側に５０００Å
程度の熱酸化膜２１が形成されたＮ型のシリコン基板１
０の表面に、ポリ・ボロン・フィルムを塗布し、焼成す
ることによりボロンを拡散し、１５μｍ程度の深いボロ
ン拡散層１１を形成する。このボロン拡散層１１は、後
にシリコン基板１０を裏面側からエッチングしてメンブ
レン構造にする時のエッチングストッパの役目を果た
す。従って、１０20／cm 3程度以上のボロン濃度が必要
である。
程度の熱酸化膜２１が形成されたＮ型のシリコン基板１
０の表面に、ポリ・ボロン・フィルムを塗布し、焼成す
ることによりボロンを拡散し、１５μｍ程度の深いボロ
ン拡散層１１を形成する。このボロン拡散層１１は、後
にシリコン基板１０を裏面側からエッチングしてメンブ
レン構造にする時のエッチングストッパの役目を果た
す。従って、１０20／cm 3程度以上のボロン濃度が必要
である。
【００２７】次に、図４に示される通り、熱酸化膜１２
を例えば８５００Å程度厚く形成する。この酸化膜は、
後に形成される電極と基板との間のクロストークを出来
るだけ少なくするために、出来るだけ厚く形成される。
そして、シリコン基板１０の背面側の酸化膜２１をリア
クティブ・イオン・エッチング法（ＲＩＥ法）により除
去し、メンブレン形成の為の窓明けを行なう。また、シ
リコン基板１０の表面側の酸化膜１２に対しても、接地
電極用の窓明けを行なう。これにより、ボロン拡散層は
後で接地される。
を例えば８５００Å程度厚く形成する。この酸化膜は、
後に形成される電極と基板との間のクロストークを出来
るだけ少なくするために、出来るだけ厚く形成される。
そして、シリコン基板１０の背面側の酸化膜２１をリア
クティブ・イオン・エッチング法（ＲＩＥ法）により除
去し、メンブレン形成の為の窓明けを行なう。また、シ
リコン基板１０の表面側の酸化膜１２に対しても、接地
電極用の窓明けを行なう。これにより、ボロン拡散層は
後で接地される。
【００２８】次に、図５に示される通り配線層１３を形
成する。配線層１３の構造は、タンタル・モリブデン
（ＴａＭｏ）層と金層とタンタル・モリブデン層を例え
ば３００Å／４５００Å／３００Åの厚さにしたもので
ある。成膜方法は真空蒸着法であり、その後イオンミリ
ング法により所定のパターンにエッチングされる。タン
タル・モリブデン層を設けるのは、密着性を良くするた
めである。
成する。配線層１３の構造は、タンタル・モリブデン
（ＴａＭｏ）層と金層とタンタル・モリブデン層を例え
ば３００Å／４５００Å／３００Åの厚さにしたもので
ある。成膜方法は真空蒸着法であり、その後イオンミリ
ング法により所定のパターンにエッチングされる。タン
タル・モリブデン層を設けるのは、密着性を良くするた
めである。
【００２９】次に、図６に示される通り、表面側にプラ
ズマＣＶＤ法による酸化膜１４を例えば１５０００Å程
形成し、アパーチャ２０に対応する部分の酸化膜１４を
ＲＩＥ法により除去する。この酸化膜１４を除去した
後、更に、その下のボロン拡散層１１のシリコン基板
を、Ｃｌ2 ガスによりＲＩＥ法でエッチングする。この
エッチングでは、シリコン酸化膜１４に対する選択比が
さほど高くないので、表面のシリコン酸化膜１４もある
程度エッチングされる。
ズマＣＶＤ法による酸化膜１４を例えば１５０００Å程
形成し、アパーチャ２０に対応する部分の酸化膜１４を
ＲＩＥ法により除去する。この酸化膜１４を除去した
後、更に、その下のボロン拡散層１１のシリコン基板
を、Ｃｌ2 ガスによりＲＩＥ法でエッチングする。この
エッチングでは、シリコン酸化膜１４に対する選択比が
さほど高くないので、表面のシリコン酸化膜１４もある
程度エッチングされる。
【００３０】次に、図７に示される通り、上記のエッチ
ングされたシリコン酸化膜１４に追加して、プラズマＣ
ＶＤ法により酸化膜１５を追加し、合計１００００Å程
度の膜厚にしておく。そして、メッキ用の電極窓２２
を、所定のレジストパターンをマスクにしてシリコン酸
化膜１４，１５をＲＩＥ法により形成する。この電極窓
２２は、後の偏向電極、接地電極及びそれらの電極パッ
ドが形成される領域に形成される。
ングされたシリコン酸化膜１４に追加して、プラズマＣ
ＶＤ法により酸化膜１５を追加し、合計１００００Å程
度の膜厚にしておく。そして、メッキ用の電極窓２２
を、所定のレジストパターンをマスクにしてシリコン酸
化膜１４，１５をＲＩＥ法により形成する。この電極窓
２２は、後の偏向電極、接地電極及びそれらの電極パッ
ドが形成される領域に形成される。
【００３１】次に、図８に示される通り、メッキ下地層
２３として、真空蒸着法により金／タンタル・モリブデ
ン（ＴａＭｏ合金）を例えば５００Å／２０００Å程度
形成する。この結果、略全面にメッキ下地層２３は形成
される。そして、メッキ液として例えばニュートロネク
ス３０９（ＥＥＪＡ社製品名）に浸しながら配線層１３
に電流を流しながら、電極窓２２部分にのみ厚い金メッ
キ電極２４を形成する。このメッキ電極２４の厚みは、
十分ビームを偏向することができるように、例えば３０
μｍ程度になる。
２３として、真空蒸着法により金／タンタル・モリブデ
ン（ＴａＭｏ合金）を例えば５００Å／２０００Å程度
形成する。この結果、略全面にメッキ下地層２３は形成
される。そして、メッキ液として例えばニュートロネク
ス３０９（ＥＥＪＡ社製品名）に浸しながら配線層１３
に電流を流しながら、電極窓２２部分にのみ厚い金メッ
キ電極２４を形成する。このメッキ電極２４の厚みは、
十分ビームを偏向することができるように、例えば３０
μｍ程度になる。
【００３２】次に、図９に示される通り、酸化膜２１を
マスクにしてシリコン基板１０を背面から異方性エッチ
ングにより除去し、メンブレン化する。このエッチング
は、例えば、エチレンジアミン、ピロカテコール、水の
混合液に浸すことで行なわれる。この時、アパーチャ２
０の底に形成されていたエッチング下地層も同時に除去
される。また、更に、表面側に残っていたエッチング下
地層は、ＲＩＥ法により除去される。金層は、例えばＡ
ｒガスにより、またタンタル・モリブデン層はＣＦ4 と
Ｏ2 の混合ダスによるＲＩＥ法でそれぞれ除去される。
上記した本発明の第一の態様では、この状態の透過マス
クが、ビームの上流側に金メッキ電極を向けて装着され
る。
マスクにしてシリコン基板１０を背面から異方性エッチ
ングにより除去し、メンブレン化する。このエッチング
は、例えば、エチレンジアミン、ピロカテコール、水の
混合液に浸すことで行なわれる。この時、アパーチャ２
０の底に形成されていたエッチング下地層も同時に除去
される。また、更に、表面側に残っていたエッチング下
地層は、ＲＩＥ法により除去される。金層は、例えばＡ
ｒガスにより、またタンタル・モリブデン層はＣＦ4 と
Ｏ2 の混合ダスによるＲＩＥ法でそれぞれ除去される。
上記した本発明の第一の態様では、この状態の透過マス
クが、ビームの上流側に金メッキ電極を向けて装着され
る。
【００３３】本発明の第二の態様の場合には、更に、図
１０に示される通り、メンブレン化したシリコン基板１
０，１１の表面全面に重金属層２５が１μｍ程度厚く形
成される。この重金属層２５は、タングステン（Ｗ）、
タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）等であり、スパッタリン
グ法または蒸着法により形成される。この重金属層２５
は、シリコンに比べて荷電粒子ビームの反射率が高いの
で、ビームの上流側に重金属層２５が対向する様に、透
過マスクが露光装置内の鏡筒内に装着される。更に、重
金属層２５は、ボロン拡散層１１に直接接続されるの
で、ボロン拡散層１１と共に接地される。
１０に示される通り、メンブレン化したシリコン基板１
０，１１の表面全面に重金属層２５が１μｍ程度厚く形
成される。この重金属層２５は、タングステン（Ｗ）、
タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）等であり、スパッタリン
グ法または蒸着法により形成される。この重金属層２５
は、シリコンに比べて荷電粒子ビームの反射率が高いの
で、ビームの上流側に重金属層２５が対向する様に、透
過マスクが露光装置内の鏡筒内に装着される。更に、重
金属層２５は、ボロン拡散層１１に直接接続されるの
で、ボロン拡散層１１と共に接地される。
【００３４】次に、本発明の第三の態様について説明す
る。
る。
【００３５】図１１に示される通り、上記の図３乃至図
９に従って形成された透過マスク基板１００に加えて、
表面が金等の重金属層３０が形成された第二の基板２０
０を準備する。この第二の基板２００は、図３乃至図９
で説明した製造工程と略同じ方法により形成される。但
し、配線層１３や金メッキ電極２４等は形成されないの
で、それに関するプロセスは省略される。しかしなが
ら、シリコン基板１０の表面にボロン拡散層１１、酸化
膜１２等が形成され、酸化膜１２側からエッチングによ
りアパーチャー３２，３３が形成され、最後にシリコン
基板１０側からエッチング液に浸すことで異方性エッチ
ングを施し、貫通するアパーチャが形成される。金等の
重金属層３０は、スパッタリングまたは蒸着法により例
えば１μｍ程度厚く形成される。
９に従って形成された透過マスク基板１００に加えて、
表面が金等の重金属層３０が形成された第二の基板２０
０を準備する。この第二の基板２００は、図３乃至図９
で説明した製造工程と略同じ方法により形成される。但
し、配線層１３や金メッキ電極２４等は形成されないの
で、それに関するプロセスは省略される。しかしなが
ら、シリコン基板１０の表面にボロン拡散層１１、酸化
膜１２等が形成され、酸化膜１２側からエッチングによ
りアパーチャー３２，３３が形成され、最後にシリコン
基板１０側からエッチング液に浸すことで異方性エッチ
ングを施し、貫通するアパーチャが形成される。金等の
重金属層３０は、スパッタリングまたは蒸着法により例
えば１μｍ程度厚く形成される。
【００３６】但し、重金属層３０は、接地しておく必要
がある。接地の方法は種々考えられるが、一つの方法
は、透過マスクを露光装置に装着した時にプローブで接
地する方法である。また、別の方法としては、張り合わ
せる透過マスク基板１００側の接地電極と接続すること
である。そこで、図１１の例では、第二の基板２００の
表面と裏面側にスルーホール３０Ｈ，３０Ｉ、Ｎ型シリ
コン基板を介して透過マスク基板１００側のボロン拡散
層１１に接続するようにしている。
がある。接地の方法は種々考えられるが、一つの方法
は、透過マスクを露光装置に装着した時にプローブで接
地する方法である。また、別の方法としては、張り合わ
せる透過マスク基板１００側の接地電極と接続すること
である。そこで、図１１の例では、第二の基板２００の
表面と裏面側にスルーホール３０Ｈ，３０Ｉ、Ｎ型シリ
コン基板を介して透過マスク基板１００側のボロン拡散
層１１に接続するようにしている。
【００３７】このアパーチャ３２は、透過マスク基板１
００側の画素単位のアパーチャ２０に対応して設けら
れ、アパーチャ３３は、電極パッド１６に対応して設け
られる。そして、図１１に示される通り、第二の基板２
００を透過マスク基板１００に張り合わせる。
００側の画素単位のアパーチャ２０に対応して設けら
れ、アパーチャ３３は、電極パッド１６に対応して設け
られる。そして、図１１に示される通り、第二の基板２
００を透過マスク基板１００に張り合わせる。
【００３８】図１２は、その張り合わせた結果形成され
た透過マスクの断面図である。図１２の例では、透過マ
スク基板１００の電極形成面側に第二の遮断用の基板２
００を張り合わせているが、反対側の面に張り合わせて
もよい。そして、この張り合わせた透過マスクが、ビー
ム上流側に第二の遮断用基板２００が対向するように露
光装置内の鏡筒内に装着される。
た透過マスクの断面図である。図１２の例では、透過マ
スク基板１００の電極形成面側に第二の遮断用の基板２
００を張り合わせているが、反対側の面に張り合わせて
もよい。そして、この張り合わせた透過マスクが、ビー
ム上流側に第二の遮断用基板２００が対向するように露
光装置内の鏡筒内に装着される。
【００３９】図１３は、第三の態様の変形例である。こ
の例では、重金属層３５を形成したビーム遮断用の第二
の基板２００を、透過マスク基板１００の電極１８，１
９が形成された面とは反対側の面に張り付けたものであ
る。こうすることにより、透過マスク基板１００の電極
１８，１９が形成されている面は、重金属の電極により
ビームが遮断され、その反対側も第二の基板２００によ
り同様に重金属層３５によりビームが遮断される。
の例では、重金属層３５を形成したビーム遮断用の第二
の基板２００を、透過マスク基板１００の電極１８，１
９が形成された面とは反対側の面に張り付けたものであ
る。こうすることにより、透過マスク基板１００の電極
１８，１９が形成されている面は、重金属の電極により
ビームが遮断され、その反対側も第二の基板２００によ
り同様に重金属層３５によりビームが遮断される。
【００４０】露光装置の鏡筒内では、電子銃から発生さ
れるビームが照射されると共に、鏡筒内での反射電子や
二次電子がビームの進行方向とは関係なくランダムな方
向に発生するので、ＢＡＡ方式の透過マスクの両面を重
金属層で保護することは、耐久性向上に有効である。
尚、図１３の例では、第二の基板２００表面の重金属層
３５は、プローブにより接地されている。
れるビームが照射されると共に、鏡筒内での反射電子や
二次電子がビームの進行方向とは関係なくランダムな方
向に発生するので、ＢＡＡ方式の透過マスクの両面を重
金属層で保護することは、耐久性向上に有効である。
尚、図１３の例では、第二の基板２００表面の重金属層
３５は、プローブにより接地されている。
【００４１】図１４は、上記したＢＡＡ方式の透過マス
クが露光装置内に装着された状態を説明するための鏡筒
部分５０の概略図である。鏡筒５０の上部に電子銃５１
が設けられ、６０が光学系の光軸に該当し、その近傍を
電子ビームが走行する。レンズＬ１，Ｌ２の間には、図
示しない矩形のアパーチャーが設けられ、ビームを矩形
に成形する。そのようにして成形されたビームは、ＢＡ
Ａ方式の透過マスク５２に照射される。この透過マスク
５２には、前述した通り偏向電極の数に対応する電極パ
ッドが設けられ、プローブ５８により接続され、制御さ
れる。その結果、透過マスク５２を通過したビームは、
複数の画素単位のビームの束となり所望の露光パターン
に成形される。
クが露光装置内に装着された状態を説明するための鏡筒
部分５０の概略図である。鏡筒５０の上部に電子銃５１
が設けられ、６０が光学系の光軸に該当し、その近傍を
電子ビームが走行する。レンズＬ１，Ｌ２の間には、図
示しない矩形のアパーチャーが設けられ、ビームを矩形
に成形する。そのようにして成形されたビームは、ＢＡ
Ａ方式の透過マスク５２に照射される。この透過マスク
５２には、前述した通り偏向電極の数に対応する電極パ
ッドが設けられ、プローブ５８により接続され、制御さ
れる。その結果、透過マスク５２を通過したビームは、
複数の画素単位のビームの束となり所望の露光パターン
に成形される。
【００４２】そして、レンズＬ３を経由して、絞りに該
当するラウンドアパーチャ５３、レンズＬ４を通過し、
投影レンズＬ５の内側に設けられた主偏向器５４と副偏
向器５５により、ステージ５７上のウエハー５６の所望
の位置にビームが照射される。
当するラウンドアパーチャ５３、レンズＬ４を通過し、
投影レンズＬ５の内側に設けられた主偏向器５４と副偏
向器５５により、ステージ５７上のウエハー５６の所望
の位置にビームが照射される。
【００４３】前述した、本発明の第一の態様では、図１
４に示した鏡筒内において、重金属である金で形成した
グランド及び偏向電極を形成したＢＡＡ方式の透過マス
クが、その電極形成面を上にして装着される。その結
果、電子銃５１から照射される電子ビームは、密集して
形成された重金属の電極により遮断され、マスク基板の
温度上昇が防止される。
４に示した鏡筒内において、重金属である金で形成した
グランド及び偏向電極を形成したＢＡＡ方式の透過マス
クが、その電極形成面を上にして装着される。その結
果、電子銃５１から照射される電子ビームは、密集して
形成された重金属の電極により遮断され、マスク基板の
温度上昇が防止される。
【００４４】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、Ｂ
ＡＡ方式の透過マスク基板に、既に形成される電極を金
等の重金属層で形成して、その電極形成面をビームが照
射される方向に装着することで、透過マスク基板がビー
ムのエネルギーにより温度が上昇することを防止するこ
とができる。
ＡＡ方式の透過マスク基板に、既に形成される電極を金
等の重金属層で形成して、その電極形成面をビームが照
射される方向に装着することで、透過マスク基板がビー
ムのエネルギーにより温度が上昇することを防止するこ
とができる。
【００４５】また、ＢＡＡ透過マスクの電極形成面とは
反対側の面に、金等の重金属層を形成することにより、
シリコン基板の両面に重金属層が形成されることにな
り、荷電粒子ビームのエネルギーにより温度が上昇する
ことを防止することができる。
反対側の面に、金等の重金属層を形成することにより、
シリコン基板の両面に重金属層が形成されることにな
り、荷電粒子ビームのエネルギーにより温度が上昇する
ことを防止することができる。
【００４６】更に、ＢＡＡ透過マスクと同等のプロセス
により、複数のアパーチャを設けた第二の基板の表面に
金等の重金属層を設け、その第二の基板をＢＡＡ方式の
透過マスクに張り付けることで、透過マスクを荷電粒子
ビームから保護することができる。
により、複数のアパーチャを設けた第二の基板の表面に
金等の重金属層を設け、その第二の基板をＢＡＡ方式の
透過マスクに張り付けることで、透過マスクを荷電粒子
ビームから保護することができる。
【００４７】何れの場合でも、荷電粒子ビームの照射に
より温度上昇を防止することができ、透過マスクとして
の耐久性を向上させることができる。
より温度上昇を防止することができ、透過マスクとして
の耐久性を向上させることができる。
【図１】ＢＡＡ方式の透過マスクの全体を示す平面図で
ある。
ある。
【図２】アパーチャ領域２１の一部拡大平面図である。
【図３】本発明にかかるＢＡＡ方式の透過マスクの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図４】本発明にかかるＢＡＡ方式の透過マスクの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図５】本発明にかかるＢＡＡ方式の透過マスクの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図６】本発明にかかるＢＡＡ方式の透過マスクの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図７】本発明にかかるＢＡＡ方式の透過マスクの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図８】本発明にかかるＢＡＡ方式の透過マスクの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図９】本発明にかかるＢＡＡ方式の透過マスクの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図１０】本発明にかかるＢＡＡ方式の透過マスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の第三の実施の形態の製造工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図１２】本発明の第三の実施の形態の透過マスク構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１３】本発明の第三の実施の形態の透過マスク構造
の変形例を示す断面図である。
の変形例を示す断面図である。
【図１４】ＢＡＡ方式の透過マスクが露光装置内に装着
された状態を説明するための鏡筒部分５０の概略図であ
る。
された状態を説明するための鏡筒部分５０の概略図であ
る。
【図１５】従来例の透過マスクの断面図である。
１００ 透過マスク基板 ２００ ビーム遮断基板 １０ 透過マスク基板 １６ 電極パッド １８，１９ 偏向電極 ２０ アパーチャ ２５，３０ ビーム遮断層 ３２ アパーチャ ５０ 鏡筒 ５１ ビーム発生手段 ５４，５５ ビーム偏向器
Claims (12)
- 【請求項１】マスク基板に、マトリクス状に配置された
複数のアパーチャと、各アパーチャ毎に設けられた一対
の偏向電極が少なくとも設けられ、該複数のアパーチャ
に荷電粒子ビームが照射され該アパーチャを通過するビ
ームが偏向電極により制御される透過マスクにおいて、 該偏向電極が該マスク基板の一方の面に形成され、該マ
スク基板より前記荷電粒子ビームに対する反射率が大き
い物質のビーム遮断層が、該基板の他方の面に形成され
ていることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置用の透
過マスク。 - 【請求項２】請求項１記載の荷電粒子ビーム露光装置用
の透過マスクにおいて、 前記ビーム遮断層が少なくとも金、タンタル、タングス
テンを含む重金属材料のうちの一つの材料を含む重金属
であることを特徴とする。 - 【請求項３】請求項２記載の荷電粒子ビーム露光装置用
の透過マスクにおいて、 前記偏向電極が少なくとも金、タンタル、タングステン
を含む重金属材料のうちの一つの材料を含む重金属であ
ることを特徴とする。 - 【請求項４】請求項１乃至３記載の荷電粒子ビーム露光
装置用の透過マスクにおいて、 前記透過マスクに形成された一対の偏向電極の一方の電
極が、接地電極であり、前記ビーム遮断層が、当該接地
電極に電気的に接続されていることを特徴とする。 - 【請求項５】マトリクス状に配置された複数のアパーチ
ャと、一方の表面上に各アパーチャ毎に設けられた一対
の偏向電極を少なくとも有する透過マスク基板と、 前記透過マスク基板に設けられたアパーチャに対応する
位置に形成されたアパーチャと、一方の面上に形成され
前記透過マスク基板より荷電粒子ビームに対する反射率
が大きい物質のビーム遮断層とを有するビーム遮断基板
とを有し、 前記ビーム遮断基板の他方の面が前記透過マスク基板に
張り付けられていることを特徴とする荷電粒子ビーム露
光装置用の透過マスク。 - 【請求項６】請求項５記載の荷電粒子ビーム露光装置用
の透過マスクにおいて、 前記ビーム遮断基板の他方の面が、前記透過マスク基板
の他方の面に張り付けられていることを特徴とする。 - 【請求項７】請求項５又は６記載の荷電粒子ビーム露光
装置用の透過マスクにおいて、 前記ビーム遮断層が少なくとも金、タンタル、タングス
テンを含む重金属材料のうちの一つの材料を含む重金属
であることを特徴とする。 - 【請求項８】請求項７記載の荷電粒子ビーム露光装置用
の透過マスクにおいて、 前記偏向電極が少なくとも金、タンタル、タングステン
を含む重金属材料のうちの一つの材料を含む重金属であ
ることを特徴とする。 - 【請求項９】請求項５乃至８記載の荷電粒子ビーム露光
装置用の透過マスクにおいて、 前記透過マスクに形成された一対の偏向電極の一方の電
極が、接地電極であり、前記ビーム遮断層が、当該接地
電極に電気的に接続されていることを特徴とする。 - 【請求項１０】所望の形状に成形された荷電粒子ビーム
を試料の所望の位置に照射して露光する荷電粒子ビーム
露光装置において、 該荷電粒子ビームを発生するビーム発生手段と、 該荷電粒子ビームを偏向するビーム偏向手段と、 該ビーム偏向手段のビーム下流側に設けられ前記試料を
搭載する試料ステージと、 前記ビーム発生手段とビーム偏向手段との間に装着され
る透過マスクとを有し、 該透過マスクは、マトリクス状に配置された複数のアパ
ーチャと各アパーチャ毎に設けられた一対の偏向電極が
少なくとも設けられ、該偏向電極が少なくとも金、タン
タル、タングステンを含む重金属材料のうちの一つの材
料を含む重金属であり、該偏向電極が形成された面を前
記ビーム発生手段側に向けて装着されることを特徴とす
る荷電粒子ビーム露光装置。 - 【請求項１１】所望の形状に成形された荷電粒子ビーム
を試料の所望の位置に照射して露光する荷電粒子ビーム
露光装置において、 該荷電粒子ビームを発生するビーム発生手段と、 該荷電粒子ビームを偏向するビーム偏向手段と、 該ビーム偏向手段のビーム下流側に設けられ前記試料を
搭載する試料ステージと、 前記ビーム発生手段とビーム偏向手段との間に装着され
る透過マスクとを有し、 該透過マスクは、マトリクス状に配置された複数のアパ
ーチャと、マスク基板の一方の面上に各アパーチャ毎に
設けられた一対の偏向電極と、該マスク基板の他方の面
上に形成された少なくとも金、タンタル、タングステン
を含む重金属材料のうちの一つの材料を含む重金属層を
少なくとも有し、該重金属層が形成された面を前記ビー
ム発生手段側に向けて装着されることを特徴とする荷電
粒子ビーム露光装置。 - 【請求項１２】所望の形状に成形された荷電粒子ビーム
を試料の所望の位置に照射して露光する荷電粒子ビーム
露光装置において、 該荷電粒子ビームを発生するビーム発生手段と、 該荷電粒子ビームを偏向するビーム偏向手段と、 該ビーム偏向手段のビーム下流側に設けられ前記試料を
搭載する試料ステージと、 前記ビーム発生手段とビーム偏向手段との間に装着され
る透過マスクとを有し、 該透過マスクは、マトリクス状に配置された複数のアパ
ーチャと、一方の表面上に各アパーチャ毎に設けられた
一対の偏向電極を少なくとも有する透過マスク基板と、
前記透過マスク基板に設けられたアパーチャに対応する
位置に形成されたアパーチャと、一方の面上に形成され
少なくとも金、タンタル、タングステンを含む重金属材
料のうちの一つの材料を含む重金属層とを有するビーム
遮断基板とを有し、前記ビーム遮断基板の他方の面が前
記透過マスク基板に張り付けられていて、 当該透過マスクが該重金属層が形成された面を前記ビー
ム発生手段に向けられて装着されることを特徴とする荷
電粒子ビーム露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10513796A JP3565652B2 (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 荷電粒子ビーム露光装置用透過マスク及びそれを利用した露光装置 |
| US08/739,962 US5814423A (en) | 1996-04-25 | 1996-10-30 | Transmission mask for charged particle beam exposure apparatuses, and an exposure apparatus using such a transmission mask |
| KR1019960061377A KR100225988B1 (ko) | 1996-04-25 | 1996-12-03 | 하전 입자 빔 노광 장치용 투과 마스크 및 투과 마스크를 이용하는 노광 장치 |
| TW085115217A TW333665B (en) | 1996-04-25 | 1996-12-09 | A transmission mask for charged particle beam exposure apparatus and an exposure apparatus using such a transmission mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10513796A JP3565652B2 (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 荷電粒子ビーム露光装置用透過マスク及びそれを利用した露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293654A true JPH09293654A (ja) | 1997-11-11 |
| JP3565652B2 JP3565652B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=14399371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10513796A Expired - Fee Related JP3565652B2 (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 荷電粒子ビーム露光装置用透過マスク及びそれを利用した露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5814423A (ja) |
| JP (1) | JP3565652B2 (ja) |
| KR (1) | KR100225988B1 (ja) |
| TW (1) | TW333665B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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