JP4150363B2 - マルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
(1)ドライフィルムレジストを用いて前記シリコン基板の表面及び前記貫通孔の内部全体にレジストを形成すること。
(2)ドライフィルムレジストを前記シリコン基板の両面から加圧及び加熱条件下で貼り付けて前記シリコン基板の表面及び前記貫通孔の内部全体にレジストを形成すること。
(3)前記ドライフィルムレジストの加熱温度をそのレジスト材料の軟化点付近の温度とすること。
(4)前記レジストパターンを利用した前記金属膜の形成をスパッタリングもしくは蒸着法により行なうこと。
(5)スパッタリングもしくは蒸着法による前記金属膜の積層を前記シリコン基板の両面から行なうこと。
(6)前記レジストパターンを利用した前記金属膜の形成を密着膜、低抵抗膜、酸化防止膜の順に積層して行なうこと。
(7)前記金属膜のめっきを無電解めっき法により行なうこと。
前記絶縁膜で形成される前記シリコン基板の表面及び前記貫通孔の側壁面に絶縁膜を形成する工程と、
前記シリコン基板の表面及び前記貫通孔の内部全体にレジストを形成する工程と、
前記レジストを露光及び現像して、前記貫通孔の対向する側壁面に偏向電極を、その側壁面を除く対向する側壁面にシールド電極を、前記シリコン基板の表面に配線をそれぞれ形成するためのレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを利用して前記貫通孔の側壁面に偏向電極用金属膜及びシールド電極用金属膜を形成すると共に前記偏向電極用金属膜から前記シリコン基板の表面に延びる配線用金属膜を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記偏向電極用金属膜、前記シールド電極用金属膜及び前記配線用金属膜上にさらに金属膜をめっきして偏向電極、シールド電極及び配線とする工程と、
を有するようにしたことにある。
(1)偏向電極を形成するための前記貫通孔の側壁面とシールド電極を形成するための前記貫通孔の側壁面との交差する角部にレジストを残して前記レジストパターンを形成すること。
(2)前記レジストパターンを利用した前記金属膜の形成をスパッタリングもしくは蒸着法により行なうこと。
(実施例1)
本発明の実施形態によるマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの具体的なプロセスについて、実施例1として例示して説明する。
(実施例2)
本発明の実施形態によるマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの具体的なプロセスについて、実施例2として例示して説明する。
Claims (11)
- シリコン基板にアスペクト比4以上の貫通孔を多数形成する工程と、
前記シリコン基板の表面及び前記貫通孔の側壁面に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜で形成される前記シリコン基板の表面及び前記貫通孔の内部全体にレジストを形成する工程と、
前記レジストを露光及び現像して、前記貫通孔の対向する側壁面に偏向電極を、前記シリコン基板の表面に配線をそれぞれ形成するためのレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを利用して前記貫通孔の側壁面に偏向電極用金属膜を形成すると共に前記偏向電極用金属膜から前記シリコン基板の表面に延びる配線用金属膜を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記偏向電極用金属膜及び前記配線用金属膜上にさらに金属膜をめっきして偏向電極及び配線とする工程と、
を有することを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。 - 請求項1において、ドライフィルムレジストを用いて前記シリコン基板の表面及び前記貫通孔の内部全体にレジストを形成することを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
- 請求項2において、ドライフィルムレジストを前記シリコン基板の両面から加圧及び加熱条件下で貼り付けて前記シリコン基板の表面及び前記貫通孔の内部全体にレジストを形成することを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
- 請求項3において、前記ドライフィルムレジストの加熱温度をそのレジスト材料の軟化点付近の温度とすることを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
- 請求項1において、前記レジストパターンを利用した前記金属膜の形成をスパッタリングもしくは蒸着法により行なうことを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
- 請求項5において、スパッタリングもしくは蒸着法による前記金属膜の積層を前記シリコン基板の両面から行なうことを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
- 請求項5において、前記レジストパターンを利用した前記金属膜の形成を密着膜、低抵抗膜、酸化防止膜の順に積層して行なうことを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
- 請求項1において、前記金属膜のめっきを無電解めっき法により行なうことを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
- シリコン基板にアスペクト比4以上の貫通孔を多数形成する工程と、
前記シリコン基板の表面及び前記貫通孔の側壁面に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜で形成される前記シリコン基板の表面及び前記貫通孔の内部全体にレジストを形成する工程と、
前記レジストを露光及び現像して、前記貫通孔の対向する側壁面に偏向電極を、その側壁面を除く対向する側壁面にシールド電極を、前記シリコン基板の表面に配線をそれぞれ形成するためのレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを利用して前記貫通孔の側壁面に偏向電極用金属膜及びシールド電極用金属膜を形成すると共に前記偏向電極用金属膜から前記シリコン基板の表面に延びる配線用金属膜を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記偏向電極用金属膜、前記シールド電極用金属膜及び前記配線用金属膜上にさらに金属膜をめっきして偏向電極、シールド電極及び配線とする工程と、
を有することを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。 - 請求項9において、偏向電極を形成するための前記貫通孔の側壁面とシールド電極を形成するための前記貫通孔の側壁面との交差する角部にレジストを残して前記レジストパターンを形成することを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
- 請求項9において、前記レジストパターンを利用した前記金属膜の形成をスパッタリングもしくは蒸着法により行なうことを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
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