JP2762104B2 - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
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- JP2762104B2 JP2762104B2 JP7174089A JP7174089A JP2762104B2 JP 2762104 B2 JP2762104 B2 JP 2762104B2 JP 7174089 A JP7174089 A JP 7174089A JP 7174089 A JP7174089 A JP 7174089A JP 2762104 B2 JP2762104 B2 JP 2762104B2
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- film
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （発明の産業上の利用分野） 本発明は、半導体集積回路などの半導体デバイスの製
造に用いられるＸ線露光技術に関し、特に、微細パタン
創成に有効である電子ビーム露光技術を利用したＸ線露
光用マスクの製造法に関するものである。
造に用いられるＸ線露光技術に関し、特に、微細パタン
創成に有効である電子ビーム露光技術を利用したＸ線露
光用マスクの製造法に関するものである。
（従来の技術） 近年、半導体集積回路の高性能化に伴い、波長:4〜20
オングストロームの軟Ｘ線源を利用してサブミクロン領
域の極微細パタンを転写するＸ線露光技術が注目されて
いる。Ｘ線露光技術には、軟Ｘ線を透過するメンブレン
領域とＸ線を遮断する吸収体パタン領域とで構成される
マスクと呼ばれているものが必要であり、このＸ線露光
用マスクのパタンを1:1（等倍）で転写して半導体集積
回路を製造するため、高精度なＸ線露光用マスクを製造
する技術が最重要課題となっている。
オングストロームの軟Ｘ線源を利用してサブミクロン領
域の極微細パタンを転写するＸ線露光技術が注目されて
いる。Ｘ線露光技術には、軟Ｘ線を透過するメンブレン
領域とＸ線を遮断する吸収体パタン領域とで構成される
マスクと呼ばれているものが必要であり、このＸ線露光
用マスクのパタンを1:1（等倍）で転写して半導体集積
回路を製造するため、高精度なＸ線露光用マスクを製造
する技術が最重要課題となっている。
従来、Ｘ線露光用マスクは、第３図に示すような工程
で製造されていた。１はＸ線マスク支持基板、２はＸ線
透過膜、３は吸収体膜、４はマスクウインド部、５はエ
ッチングマスク、６及び６′はレジスト膜、31は電子ビ
ーム描画時のビーム位置検出用基準マーク、32は露光用
パタン群である。
で製造されていた。１はＸ線マスク支持基板、２はＸ線
透過膜、３は吸収体膜、４はマスクウインド部、５はエ
ッチングマスク、６及び６′はレジスト膜、31は電子ビ
ーム描画時のビーム位置検出用基準マーク、32は露光用
パタン群である。
Ｘ線マスク支持基板１の上に減圧CVD法、プラズマCVD
法或いはスピンコート法などの膜形成技術により、0.1
〜５ミクロンの厚さに、SiN,Si3N4,BN,SiC膜などの無機
材料或いはポリイミドなどの高分子膜から成るＸ線透過
膜２を形成する（３−１）。次に、Ｘ線透過膜２の表面
上に吸収体膜３としてのTa,W,Re,Mo,Au,Ptなどの密度の
大きい材料を、スパッタリング法，プラズマCVD法，真
空蒸着法，めっき法などの膜形成技術によって堆積さ
せ、さらに、該吸収体膜３の表面上に酸化シリコン，窒
化シリコンなどの無機膜或いはポリイミドなどの高分子
膜からなるエッチングマスク５をスパッタリング法，プ
ラズマCVD法やスピンコート法などの膜形成技術によっ
て所望の膜厚に堆積させる（３−２）。次に、該エッチ
ングマスク５の上にPMMAなどの紫外線レジストや電子線
レジスト膜を所望の膜厚でコーティングした後、紫外線
や電子線などにより露光用パタン群32を形成する際に用
いる電子ビーム描画時のビーム位置検出用基準マーク31
をレジスト膜６に形成する。その後、該レジストパタン
６をマスクとしてスパッタエッチング法，反応性イオン
エッチング法やイオンエッチング法などの微細加工技術
により、該エッチングマクス５を加工して該エッチング
マスク５に電子ビーム描画時のビーム位置検出用基準31
を形成する（３−３）。続いて、該エッチングマスク５
をマスクに反応性イオンエッチング法などにより、該吸
収体膜３を加工して電子ビーム描画時のビーム位置検出
用基準マーク31を完成させる（３−４）。次に、該電子
ビーム描画時のビーム位置検出用基準マーク31を形成し
た該エッチングマスク５の上にPMMAなどの電子線レジス
ト６′を所望の膜厚でコーティングし、その後、電子ビ
ーム描画などの微細パタン創成技術によって該レジスタ
膜６′上にビーム位置検出用基準マーク31を基準にして
露光用パタン群32を形成する（３−５）。次に、該レジ
ストパタン６′をマスクに該エッチングマスク５を、ま
た、エッチングマスクパタン５をマスクに該吸収体膜３
を反応性イオンエッチング法などの選択性エッチングが
可能な微細加工技術により露光用パタン群32を加工し、
Ｘ線マスク吸収体パタンを完成させる（３−６）。最後
に、Ｘ線マスク支持基板１の裏面から、Ｘ線透過膜２及
びマクス支持基板１を図に示すごとく選択エッチングし
てマスク支持基板１にウインド部４を設けることによっ
てＸ線露光用マスクを完成させる（３−７）（３−
８）。
法或いはスピンコート法などの膜形成技術により、0.1
〜５ミクロンの厚さに、SiN,Si3N4,BN,SiC膜などの無機
材料或いはポリイミドなどの高分子膜から成るＸ線透過
膜２を形成する（３−１）。次に、Ｘ線透過膜２の表面
上に吸収体膜３としてのTa,W,Re,Mo,Au,Ptなどの密度の
大きい材料を、スパッタリング法，プラズマCVD法，真
空蒸着法，めっき法などの膜形成技術によって堆積さ
せ、さらに、該吸収体膜３の表面上に酸化シリコン，窒
化シリコンなどの無機膜或いはポリイミドなどの高分子
膜からなるエッチングマスク５をスパッタリング法，プ
ラズマCVD法やスピンコート法などの膜形成技術によっ
て所望の膜厚に堆積させる（３−２）。次に、該エッチ
ングマスク５の上にPMMAなどの紫外線レジストや電子線
レジスト膜を所望の膜厚でコーティングした後、紫外線
や電子線などにより露光用パタン群32を形成する際に用
いる電子ビーム描画時のビーム位置検出用基準マーク31
をレジスト膜６に形成する。その後、該レジストパタン
６をマスクとしてスパッタエッチング法，反応性イオン
エッチング法やイオンエッチング法などの微細加工技術
により、該エッチングマクス５を加工して該エッチング
マスク５に電子ビーム描画時のビーム位置検出用基準31
を形成する（３−３）。続いて、該エッチングマスク５
をマスクに反応性イオンエッチング法などにより、該吸
収体膜３を加工して電子ビーム描画時のビーム位置検出
用基準マーク31を完成させる（３−４）。次に、該電子
ビーム描画時のビーム位置検出用基準マーク31を形成し
た該エッチングマスク５の上にPMMAなどの電子線レジス
ト６′を所望の膜厚でコーティングし、その後、電子ビ
ーム描画などの微細パタン創成技術によって該レジスタ
膜６′上にビーム位置検出用基準マーク31を基準にして
露光用パタン群32を形成する（３−５）。次に、該レジ
ストパタン６′をマスクに該エッチングマスク５を、ま
た、エッチングマスクパタン５をマスクに該吸収体膜３
を反応性イオンエッチング法などの選択性エッチングが
可能な微細加工技術により露光用パタン群32を加工し、
Ｘ線マスク吸収体パタンを完成させる（３−６）。最後
に、Ｘ線マスク支持基板１の裏面から、Ｘ線透過膜２及
びマクス支持基板１を図に示すごとく選択エッチングし
てマスク支持基板１にウインド部４を設けることによっ
てＸ線露光用マスクを完成させる（３−７）（３−
８）。
以上述べた様なマスクプロセスによって製造されたＸ
線露光用マスクは、パタン位置歪やパタン寸法歪が大き
いという半導体集積異回路の製造に適用する上で重大な
問題があった。
線露光用マスクは、パタン位置歪やパタン寸法歪が大き
いという半導体集積異回路の製造に適用する上で重大な
問題があった。
このような位置歪やパタン寸法歪を引き起こす原因
は、マスク基板や吸収体の内部応力によるパタンの変
形・移動と、電子線露光時の描画誤差にある。
は、マスク基板や吸収体の内部応力によるパタンの変
形・移動と、電子線露光時の描画誤差にある。
近年、マスク基板や吸収体の内部応力が高精度に制御
できる薄膜堆積技術が開発され前記が原因となって生
じるパタン位置歪やパタン寸法歪については極めて小さ
くなってきた。このため、前記の問題解決が重要視さ
れてきた。
できる薄膜堆積技術が開発され前記が原因となって生
じるパタン位置歪やパタン寸法歪については極めて小さ
くなってきた。このため、前記の問題解決が重要視さ
れてきた。
（発明が解決しようとする問題点） 近年、半導体デバイスの高性能化により、Ｘ線露光用
マスクに許容されうるパタンの位置誤差やパタン寸法誤
差は0.1ミクロン以下と非常に厳しい値となっている。
しかしながら、従来のＸ線マスク基板上への電子線描画
においては、パタン位置が0.2〜1.0ミクロン程度ずれて
描画されたり、パタン寸法が0.5ミクロン以上変化する
現象が頻繁に生じていた。そこで、パタンの位置誤差や
パタン寸法誤差の要因を詳細に調べたところ、基板のチ
ャージアップにより大きなビームドリフトが発生してい
るという知見を得た。
マスクに許容されうるパタンの位置誤差やパタン寸法誤
差は0.1ミクロン以下と非常に厳しい値となっている。
しかしながら、従来のＸ線マスク基板上への電子線描画
においては、パタン位置が0.2〜1.0ミクロン程度ずれて
描画されたり、パタン寸法が0.5ミクロン以上変化する
現象が頻繁に生じていた。そこで、パタンの位置誤差や
パタン寸法誤差の要因を詳細に調べたところ、基板のチ
ャージアップにより大きなビームドリフトが発生してい
るという知見を得た。
通常、電子線描画を行う際には、照射された電子線が
基板に留まってチャージアップしないように第２図の50
に示す様に接地されている導電性の“ピン”を基板に立
てるなどの描画上の工夫が講じられている。ところが、
Ｘ線マスクの場合、Si枠が厚い絶縁性のマスク基板に覆
われており、また、吸収体の表面も絶縁性のエッチング
マスクで覆われているために、“ピン”ではチャージア
ップが防止できず、描画中にSi枠や吸収体に到達して逃
げ道を失った電子がチャージアップを引き起こしていた
ことが判明した。
基板に留まってチャージアップしないように第２図の50
に示す様に接地されている導電性の“ピン”を基板に立
てるなどの描画上の工夫が講じられている。ところが、
Ｘ線マスクの場合、Si枠が厚い絶縁性のマスク基板に覆
われており、また、吸収体の表面も絶縁性のエッチング
マスクで覆われているために、“ピン”ではチャージア
ップが防止できず、描画中にSi枠や吸収体に到達して逃
げ道を失った電子がチャージアップを引き起こしていた
ことが判明した。
Ｘ線マスク基板上に電子線描画により、パタン寸法誤
差:0.05ミクロン以下を実現するためには基板のチャー
ジアップを完全に防止する必要があるが、以上述べたよ
うに、従来の基板のチャージアップ防止対策では誠に不
充分であったために、Ｘ線マスクのパタン創成では大き
な問題であった。
差:0.05ミクロン以下を実現するためには基板のチャー
ジアップを完全に防止する必要があるが、以上述べたよ
うに、従来の基板のチャージアップ防止対策では誠に不
充分であったために、Ｘ線マスクのパタン創成では大き
な問題であった。
（発明の目的） 本発明の目的は、この様な点に鑑み、Ｘ線マスク基板
に代表される絶縁膜を有する基板上に、電子線を利用し
て高精度なパタン創成を実現するため、基板のチャージ
アップを完全に防止できる基板構造を有するＸ線露光用
マスクの製造方法を提供することにある。
に代表される絶縁膜を有する基板上に、電子線を利用し
て高精度なパタン創成を実現するため、基板のチャージ
アップを完全に防止できる基板構造を有するＸ線露光用
マスクの製造方法を提供することにある。
（問題をするための手段） 上記の目的を達成するために、本発明は、Ｘ線露光用
マスクの製造方法において、特に、電子線露光法におけ
るパタン創成時のパタン位置誤差やパタン寸法誤差など
の描画誤差を大幅に低減させる方法を見いだし、かかる
知見に基づいてＸ線露光用マスクおよびその製造方法を
完成したものである。即ち、Si枠に支持された軟Ｘ線透
過膜から成るマスク基板上に、軟Ｘ線が透過しない吸収
体領域を持つＸ線露光用マスクにおいて、（１）吸収体
全体あるいはその一部にエッチングマスクで覆われてい
ない領域を設けること、および（２）Ｘ線露光用吸収体
パタンが存在する面もしくは反対面のＸ線露光領域以外
に位置する部分にSi面が露出している領域を設けること
を特徴とし、これら露出吸収体並びにSi露出面とアース
電位に保持されている電子線露光用基板ホルダとの導通
をとることによって、高エネルギーを持つ電子が吸収体
膜やSi基板中に進入しても前記電子線露光用基板ホルダ
を通じて外部に放出されるため、描画誤差を引き起こす
最も大きな要因である基板のチャージアップが防止され
る。
マスクの製造方法において、特に、電子線露光法におけ
るパタン創成時のパタン位置誤差やパタン寸法誤差など
の描画誤差を大幅に低減させる方法を見いだし、かかる
知見に基づいてＸ線露光用マスクおよびその製造方法を
完成したものである。即ち、Si枠に支持された軟Ｘ線透
過膜から成るマスク基板上に、軟Ｘ線が透過しない吸収
体領域を持つＸ線露光用マスクにおいて、（１）吸収体
全体あるいはその一部にエッチングマスクで覆われてい
ない領域を設けること、および（２）Ｘ線露光用吸収体
パタンが存在する面もしくは反対面のＸ線露光領域以外
に位置する部分にSi面が露出している領域を設けること
を特徴とし、これら露出吸収体並びにSi露出面とアース
電位に保持されている電子線露光用基板ホルダとの導通
をとることによって、高エネルギーを持つ電子が吸収体
膜やSi基板中に進入しても前記電子線露光用基板ホルダ
を通じて外部に放出されるため、描画誤差を引き起こす
最も大きな要因である基板のチャージアップが防止され
る。
ここで、絶縁膜を有する基板としては、Si3N4,SiN,Si
O2,SiC,BN等やポリイミドやマイラー等の単層または複
合層を有するSi等の半導体用結晶材料或いは前記材料や
石英,GaAs等の材料さらにはタンタル酸リチウムやリチ
ウムナイオベート等の光学結晶などが適用できる。ま
た、吸収体材料としてはTa,W,Mo,Re,Au,Pt等重金属の単
層或いは複合層が適用可能である。
O2,SiC,BN等やポリイミドやマイラー等の単層または複
合層を有するSi等の半導体用結晶材料或いは前記材料や
石英,GaAs等の材料さらにはタンタル酸リチウムやリチ
ウムナイオベート等の光学結晶などが適用できる。ま
た、吸収体材料としてはTa,W,Mo,Re,Au,Pt等重金属の単
層或いは複合層が適用可能である。
また、本発明の構造を有するＸ線マスク基板は、従来
のＸ線マスク基板製造プロセスを全く変える必要がない
ため、導入が非常に容易である。
のＸ線マスク基板製造プロセスを全く変える必要がない
ため、導入が非常に容易である。
（実施例） 第１図は、本発明の構成要素としての露出吸収体膜並
びに露出Si面の形成を含む本発明のＸ線露光用マスクの
製造法を説明する実施例である。
びに露出Si面の形成を含む本発明のＸ線露光用マスクの
製造法を説明する実施例である。
102′はウインド形成用エッチングマスク、105,10
5′,105″はTa用エッチングマスク、106,106′はマスク
吸収体である。
5′,105″はTa用エッチングマスク、106,106′はマスク
吸収体である。
Ｘ線マスク支持基板１の両表面上に減圧CVD法，プラ
ズマCVD法或いはスピンコート法などの膜形成技術によ
り、0.1〜５ミクロンの厚さに、SiN,Si3N4,BN,SiCなど
の無機材料或いはポリイミドなどの高分子膜から成るＸ
線透過膜２を形成する（１−１）。次に、一方のＸ線透
過膜２の表面上に吸収体膜106としてのTa,W,Re,Mo,Au,P
tなどの密度の大きい材料を、スパッタリング法，プラ
ズマCVD法，真空蒸着法，めっき法などの膜形成技術に
よって堆積させ、さらに、該吸収膜106の表面上に酸化
シリコン，窒化シリコン，ポリシリコンなの無機或いは
ポリイミドなどの高分子膜からなるエッチングマスク10
5をスパッタリング法，プラズマCVD法やスピンコート法
などの膜形成技術によって所望の膜厚と形状に堆積させ
る（１−２）。次に、該エッチングマスク105の上にPMM
Aなどの紫外線レジストや電子線レジスト膜を所望の膜
厚でコーティングした後、紫外線や電子線などにより露
光用パタン群33を形成する際に用いる電子ビーム描画時
のビーム位置検出用基準マーク31をレジスト膜６に形成
する。その後、該レジストパタン６をマスクとしてスパ
ッタリングエッチング法，反応性イオンエッチング法や
イオンエッチング法などの微細加工技術により該エッチ
ングマスク105を加工して該エッチングマスク105に電子
ビーム描画時のビーム位置検出用基準マーク31を形成す
る（１−３）。続いて、該エッチングマスク105をマス
クに反応性イオンエッチング法などにより、該吸収体膜
106を加工して電子ビーム描画時のビーム位置検出用基
準マーク31を完成させるとともに、マスク裏面側に堆積
しているＸ線透過膜２の一部をエッチングしてSiの露出
部を形成する（１−４）。次に、該電子ビーム描画時の
ビーム位置検出用基準マーク31を形成した該エッチング
マスク105の上にPMMAなどの電子線レジスト６′を所望
の膜厚でコーティングし、その後、電子ビーム描画など
の微細パタン創成技術によって該レジスト膜６′上にビ
ーム位置検出用基準マーク31を基準にして露光用パタン
群32を形成する（１−５）。次に該レジスト６′をマス
クに、該エッチングマスク105を、また、エッチングマ
スクパタン105をマスクに該吸収体膜106を反応性イオン
エッチング法などの選択性エッチングが可能な微細加工
技術により露光用パタン群32を加工し、Ｘ線マスク吸収
体パタンを完成させる（１−６）。最後に、Ｘ線マスク
支持基板１の裏面から、Ｘ線透過膜２及びマスク支持基
板１を図に示すごとく選択エッチングしてマスク支持基
板にウインド部４を設けることによってＸ線露光用マス
クを完成させる（１−７）。
ズマCVD法或いはスピンコート法などの膜形成技術によ
り、0.1〜５ミクロンの厚さに、SiN,Si3N4,BN,SiCなど
の無機材料或いはポリイミドなどの高分子膜から成るＸ
線透過膜２を形成する（１−１）。次に、一方のＸ線透
過膜２の表面上に吸収体膜106としてのTa,W,Re,Mo,Au,P
tなどの密度の大きい材料を、スパッタリング法，プラ
ズマCVD法，真空蒸着法，めっき法などの膜形成技術に
よって堆積させ、さらに、該吸収膜106の表面上に酸化
シリコン，窒化シリコン，ポリシリコンなの無機或いは
ポリイミドなどの高分子膜からなるエッチングマスク10
5をスパッタリング法，プラズマCVD法やスピンコート法
などの膜形成技術によって所望の膜厚と形状に堆積させ
る（１−２）。次に、該エッチングマスク105の上にPMM
Aなどの紫外線レジストや電子線レジスト膜を所望の膜
厚でコーティングした後、紫外線や電子線などにより露
光用パタン群33を形成する際に用いる電子ビーム描画時
のビーム位置検出用基準マーク31をレジスト膜６に形成
する。その後、該レジストパタン６をマスクとしてスパ
ッタリングエッチング法，反応性イオンエッチング法や
イオンエッチング法などの微細加工技術により該エッチ
ングマスク105を加工して該エッチングマスク105に電子
ビーム描画時のビーム位置検出用基準マーク31を形成す
る（１−３）。続いて、該エッチングマスク105をマス
クに反応性イオンエッチング法などにより、該吸収体膜
106を加工して電子ビーム描画時のビーム位置検出用基
準マーク31を完成させるとともに、マスク裏面側に堆積
しているＸ線透過膜２の一部をエッチングしてSiの露出
部を形成する（１−４）。次に、該電子ビーム描画時の
ビーム位置検出用基準マーク31を形成した該エッチング
マスク105の上にPMMAなどの電子線レジスト６′を所望
の膜厚でコーティングし、その後、電子ビーム描画など
の微細パタン創成技術によって該レジスト膜６′上にビ
ーム位置検出用基準マーク31を基準にして露光用パタン
群32を形成する（１−５）。次に該レジスト６′をマス
クに、該エッチングマスク105を、また、エッチングマ
スクパタン105をマスクに該吸収体膜106を反応性イオン
エッチング法などの選択性エッチングが可能な微細加工
技術により露光用パタン群32を加工し、Ｘ線マスク吸収
体パタンを完成させる（１−６）。最後に、Ｘ線マスク
支持基板１の裏面から、Ｘ線透過膜２及びマスク支持基
板１を図に示すごとく選択エッチングしてマスク支持基
板にウインド部４を設けることによってＸ線露光用マス
クを完成させる（１−７）。
一方、他の方法は、（１−１）でＸ線マスク支持基板
１の上にＸ線透過膜２を形成した後、Ｘ線透過膜２の表
面上に吸収体膜106′およびエッチングマスク105′を、
逐次、マスク基板全面に堆積させる（１−８）。次に、
該エッチングマスク105′の上にPMMAなどの紫外線レジ
ストや電子線レジスト膜６を所望の膜厚でコーティング
した後、紫外線や電子線などにより露光用パタン群32を
形成する際に用いる電子ビーム描画時のビーム位置検出
用基準マーク31をレジスト膜６に形成する（１−９）。
その後、該レジストパタン６をマスクとして微細加工技
術により該エッチングマスク105′を加工して該エッチ
ングマスク105′に電子ビーム描画時のビーム位置検出
用基準マーク31を形成し、エッチングマスク105″とす
る。続いて、該エッチングマスク105″をマスクに反応
性イオンエッチング法などにより、該吸収体膜106′を
加工して電子ビーム描画時のビーム位置検出用基準マー
ク31を完成させるとともに、マスク裏面側に堆積してい
るＸ線透過膜２の一部をエッチングしてSiの露出部を形
成し、Ｘ線透過膜102′とする（１−10）。更に、（１
−５）（１−６）（１−７）の工程を経てＸ線露光用マ
スクを完成させる。
１の上にＸ線透過膜２を形成した後、Ｘ線透過膜２の表
面上に吸収体膜106′およびエッチングマスク105′を、
逐次、マスク基板全面に堆積させる（１−８）。次に、
該エッチングマスク105′の上にPMMAなどの紫外線レジ
ストや電子線レジスト膜６を所望の膜厚でコーティング
した後、紫外線や電子線などにより露光用パタン群32を
形成する際に用いる電子ビーム描画時のビーム位置検出
用基準マーク31をレジスト膜６に形成する（１−９）。
その後、該レジストパタン６をマスクとして微細加工技
術により該エッチングマスク105′を加工して該エッチ
ングマスク105′に電子ビーム描画時のビーム位置検出
用基準マーク31を形成し、エッチングマスク105″とす
る。続いて、該エッチングマスク105″をマスクに反応
性イオンエッチング法などにより、該吸収体膜106′を
加工して電子ビーム描画時のビーム位置検出用基準マー
ク31を完成させるとともに、マスク裏面側に堆積してい
るＸ線透過膜２の一部をエッチングしてSiの露出部を形
成し、Ｘ線透過膜102′とする（１−10）。更に、（１
−５）（１−６）（１−７）の工程を経てＸ線露光用マ
スクを完成させる。
なお、この実施例においては、Ｘ線露光用マスクの製
造によって説明しているが、絶縁性のその他の基板上に
コーティングしたレジスト膜に電子線露光する際におい
ても、本発明で明らかにした基板のチャージアップ防止
策を講ずることにより、本発明の効果を何等損なうこと
無くパタン位置誤差やパタン寸法誤差を低減したパタン
形成ができることは明らかである。
造によって説明しているが、絶縁性のその他の基板上に
コーティングしたレジスト膜に電子線露光する際におい
ても、本発明で明らかにした基板のチャージアップ防止
策を講ずることにより、本発明の効果を何等損なうこと
無くパタン位置誤差やパタン寸法誤差を低減したパタン
形成ができることは明らかである。
（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明によれば、Ｘ線露
光用マスクに代表される絶縁膜を有する基板上に、電子
線露光法を利用してパタン創成を実施するために、
（１）Ｘ線露光領域以外に位置する部分全体又はその一
部に吸収体が露出した領域を設けること、（２）Ｘ線露
光用吸収体パタンが存在する面もしくはその面と反対の
面のＸ線露光領域以外に位置する部分にSi面が露出して
いる領域を設けること、（３）前記露出吸収体膜並びに
Si露出面とアース電位に保持されている電子線露光用基
板ホルダとの導通をとるような構成をとって使用するこ
とによって、高エネルギーを持つ電子が吸収体膜やSi基
板中に進入しても前記電子線露光用基板ホルダを通じて
外部に放出されるためにチャージアップは生じない。そ
の結果、描画中のビームドリフトが生ぜず、高精度なパ
タン創成が可能となる。
光用マスクに代表される絶縁膜を有する基板上に、電子
線露光法を利用してパタン創成を実施するために、
（１）Ｘ線露光領域以外に位置する部分全体又はその一
部に吸収体が露出した領域を設けること、（２）Ｘ線露
光用吸収体パタンが存在する面もしくはその面と反対の
面のＸ線露光領域以外に位置する部分にSi面が露出して
いる領域を設けること、（３）前記露出吸収体膜並びに
Si露出面とアース電位に保持されている電子線露光用基
板ホルダとの導通をとるような構成をとって使用するこ
とによって、高エネルギーを持つ電子が吸収体膜やSi基
板中に進入しても前記電子線露光用基板ホルダを通じて
外部に放出されるためにチャージアップは生じない。そ
の結果、描画中のビームドリフトが生ぜず、高精度なパ
タン創成が可能となる。
第１図は本発明の実施例を説明するための概略断面図、
第２図は従来一般に利用されてきた基板のチャージアッ
プ防止法を説明するための断面図、第３図は従来のＸ線
露光用マスクの製造法を説明するための概略断面図であ
る。 １……Ｘ線マスク支持基板、２……Ｘ線透過膜、3,106,
106′……吸収体膜、４……マスクウィンド部、5,105,1
05′……エッチングマスク、6,6′……レジスト膜、31
……電子ビーム描画時のビーム位置検出用基準マーク、
32……露光用パタン群、50……導電性ピン、102′……
パターニングしたＸ線透過膜、105″……パターニング
したエッチングマスク。
第２図は従来一般に利用されてきた基板のチャージアッ
プ防止法を説明するための断面図、第３図は従来のＸ線
露光用マスクの製造法を説明するための概略断面図であ
る。 １……Ｘ線マスク支持基板、２……Ｘ線透過膜、3,106,
106′……吸収体膜、４……マスクウィンド部、5,105,1
05′……エッチングマスク、6,6′……レジスト膜、31
……電子ビーム描画時のビーム位置検出用基準マーク、
32……露光用パタン群、50……導電性ピン、102′……
パターニングしたＸ線透過膜、105″……パターニング
したエッチングマスク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小田 政利 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−163825（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−105381（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03R 1/08 G03F 1/16
Claims (1)
- 【請求項１】Si支持基板の両表面上に軟Ｘ線透過膜を積
層する第１の工程と、 前記両表面のうちの一方の面上の該軟Ｘ線透過膜上に軟
Ｘ線が透過しない吸収体膜を吸収体パターンを形成する
領域以外に位置する部分の領域を含めて堆積する第２の
工程と、 該吸収体膜上に前記露光領域を含む所定の領域の該吸収
体をエッチングから保護するマスク材料層を堆積する第
３の工程と、 電子ビーム描画法とエッチングにより前記吸収体による
所望の露光用吸収体パタンを形成する第４の工程とを含
むＸ線露光用マスクの製造方法において、 前記第４の工程の前に、チャージアップを防止した状態
で前記電子ビーム描画が行なわれるようにするために前
記吸収体の一部および前記Si支持基板の裏面の一部を露
出させた露出領域を設けて該露出領域をアース電位に保
持する工程をさらに含むことを特徴とする Ｘ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7174089A JP2762104B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7174089A JP2762104B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02252229A JPH02252229A (ja) | 1990-10-11 |
| JP2762104B2 true JP2762104B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=13469225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7174089A Expired - Fee Related JP2762104B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2762104B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2687256B2 (ja) * | 1991-03-26 | 1997-12-08 | 株式会社ソルテック | Ｘ線マスク作成方法 |
| WO2010050520A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| CN102203907B (zh) * | 2008-10-30 | 2014-03-26 | 旭硝子株式会社 | Euv光刻用反射型掩模基板 |
| JP5459880B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2014-04-02 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53105381A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Hitachi Ltd | X-ray copying mask |
| JPS59163825A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Nec Corp | Ｘ線露光マスクおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7174089A patent/JP2762104B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02252229A (ja) | 1990-10-11 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |