JPH07297095A - ブランキングアパーチャアレイ素子およびその製造方法 - Google Patents
ブランキングアパーチャアレイ素子およびその製造方法Info
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- JPH07297095A JPH07297095A JP8283594A JP8283594A JPH07297095A JP H07297095 A JPH07297095 A JP H07297095A JP 8283594 A JP8283594 A JP 8283594A JP 8283594 A JP8283594 A JP 8283594A JP H07297095 A JPH07297095 A JP H07297095A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ブランキングアパーチャアレイ素子に関し、
漏れ電界を防いで隣接のアパーチャを通過する電子ビー
ムの方向を変化させず、かつアパーチャと成る開口部の
底のめっきの下地層を無くした高信頼度の素子とその製
造方法を目的とする。 【構成】 Si基板８の所定位置にアパーチャ４を有し、
該アパーチャ４の周囲に設けられ、該アパーチャ４を通
過する荷電粒子ビームの方向を偏向させる電圧を印加す
るアクティブ電極６と、接地電位に設定されるアース電
極５とより成る偏向電極を備え、前記荷電粒子ビームを
オンオフするブランキングアパーチャアレイ素子であっ
て、前記アース電極の高さが、前記アクティブ電極の高
さより高くしたことで構成する。
漏れ電界を防いで隣接のアパーチャを通過する電子ビー
ムの方向を変化させず、かつアパーチャと成る開口部の
底のめっきの下地層を無くした高信頼度の素子とその製
造方法を目的とする。 【構成】 Si基板８の所定位置にアパーチャ４を有し、
該アパーチャ４の周囲に設けられ、該アパーチャ４を通
過する荷電粒子ビームの方向を偏向させる電圧を印加す
るアクティブ電極６と、接地電位に設定されるアース電
極５とより成る偏向電極を備え、前記荷電粒子ビームを
オンオフするブランキングアパーチャアレイ素子であっ
て、前記アース電極の高さが、前記アクティブ電極の高
さより高くしたことで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特にラインビーム等を用
いて、一括して照射を行なうことができる電子ビーム露
光装置に係り、特に電子ビームをオンオフするブランキ
ングアパーチャアレイ素子、およびその製造方法に関す
る。
いて、一括して照射を行なうことができる電子ビーム露
光装置に係り、特に電子ビームをオンオフするブランキ
ングアパーチャアレイ素子、およびその製造方法に関す
る。
【０００２】近年、半導体集積回路等の製造に用いられ
る電子ビーム露光装置において、サブミクロン以下のパ
ターン精度が要求されるようになっている。このような
場合、電子ビームの形状が微小な矩形で、可変型である
電子ビーム露光装置は、露光すべき例えばホトレジスト
膜上に、小さい矩形状の電子ビームを複数回繰り返して
走査して所望のパターンに露光する必要があり、露光時
間が掛り過ぎる難点がある。
る電子ビーム露光装置において、サブミクロン以下のパ
ターン精度が要求されるようになっている。このような
場合、電子ビームの形状が微小な矩形で、可変型である
電子ビーム露光装置は、露光すべき例えばホトレジスト
膜上に、小さい矩形状の電子ビームを複数回繰り返して
走査して所望のパターンに露光する必要があり、露光時
間が掛り過ぎる難点がある。
【０００３】そこで露光時間を短縮するために、複数の
照射光をまとめたラインビームの使用が考えられ、この
ラインビームを使用する場合、描画するパターンに対応
してラインビームを構成する個々のビーム成分に分解
し、かつそのビームが描画すべきホトレジスト膜に到
達、或いは非到達するためのオンオフするための荷電ビ
ーム偏向装置が必要となる。
照射光をまとめたラインビームの使用が考えられ、この
ラインビームを使用する場合、描画するパターンに対応
してラインビームを構成する個々のビーム成分に分解
し、かつそのビームが描画すべきホトレジスト膜に到
達、或いは非到達するためのオンオフするための荷電ビ
ーム偏向装置が必要となる。
【０００４】
【従来の技術】このような荷電ビーム偏向装置を用いた
マルチビーム露光の原理を図９に示す。図示するように
電子銃１より照射された電子ビームは、拡大レンズ２に
よって拡大され、ブランキングアパーチャアレイ素子３
のアパーチャ４により、多数のビームとなる。
マルチビーム露光の原理を図９に示す。図示するように
電子銃１より照射された電子ビームは、拡大レンズ２に
よって拡大され、ブランキングアパーチャアレイ素子３
のアパーチャ４により、多数のビームとなる。
【０００５】上記ブランキングアパーチャアレイ素子３
は導電性のSiのような基板に前記したアパーチャ４が開
口され、このアパーチャ４を挟むようにアース電位に接
地されたアース電極５と、所定の電圧が印加されるアク
ティブ電極６とより成る偏向電極が形成されている。
は導電性のSiのような基板に前記したアパーチャ４が開
口され、このアパーチャ４を挟むようにアース電位に接
地されたアース電極５と、所定の電圧が印加されるアク
ティブ電極６とより成る偏向電極が形成されている。
【０００６】そしてこのアパーチャ４で分割された個々
のビームは、所定のアクティブ電極６に電圧を印加する
ことで、そのアパーチャ４を通過するビームの軌道を偏
向させ、この偏向された所定のビームのみが、縮小レン
ズ７を通過して例えばSi基板８上に設けたレジスト膜に
所定のパターンを描画するようになる。
のビームは、所定のアクティブ電極６に電圧を印加する
ことで、そのアパーチャ４を通過するビームの軌道を偏
向させ、この偏向された所定のビームのみが、縮小レン
ズ７を通過して例えばSi基板８上に設けたレジスト膜に
所定のパターンを描画するようになる。
【０００７】このようなブランキングアパーチャアレイ
素子の従来の製造方法について述べる。図6(a)に示すよ
うに、Si基板８の裏面側にのみ熱酸化でSiO2膜９を形成
し、その後、Si基板８の表面を1020/cm3程度の濃度にボ
ロン(B) を拡散して拡散層11を形成する。
素子の従来の製造方法について述べる。図6(a)に示すよ
うに、Si基板８の裏面側にのみ熱酸化でSiO2膜９を形成
し、その後、Si基板８の表面を1020/cm3程度の濃度にボ
ロン(B) を拡散して拡散層11を形成する。
【０００８】次いで図6(b)に示すように、拡散層11上を
熱酸化してSiO2膜９を形成する。次いで図6(c)に示すよ
うに、表面のSiO2膜９を開口し、アクティブ電極とアー
ス電極となる金の導電膜12A,12B を所定のパターンに蒸
着、およびホトリソグラフィを用いて形成する。
熱酸化してSiO2膜９を形成する。次いで図6(c)に示すよ
うに、表面のSiO2膜９を開口し、アクティブ電極とアー
ス電極となる金の導電膜12A,12B を所定のパターンに蒸
着、およびホトリソグラフィを用いて形成する。
【０００９】次いで図6(d)に示すように、該基板８上に
プラズマＣＶＤ法でSiO2膜より成る第１層間絶縁膜13を
形成する。次いで図7(a)に示すように、リアクティブイ
オンエッチング（ＲＩＥ）法により深さが約30μm の開
口部14を形成する。
プラズマＣＶＤ法でSiO2膜より成る第１層間絶縁膜13を
形成する。次いで図7(a)に示すように、リアクティブイ
オンエッチング（ＲＩＥ）法により深さが約30μm の開
口部14を形成する。
【００１０】更に図7(b)に示すように、前記開口部14を
含む基板８上に更にSiO2膜より成る第２層間絶縁膜15を
プラズマＣＶＤ法で形成する。更に図7(c)に示すよう
に、アクティブ電極とアース電極形成用の導電膜12A,12
B 上の第１および第２層間絶縁膜13,15 を所定のパター
ンにＲＩＥ法で開口してコンタクト孔16を形成する。
含む基板８上に更にSiO2膜より成る第２層間絶縁膜15を
プラズマＣＶＤ法で形成する。更に図7(c)に示すよう
に、アクティブ電極とアース電極形成用の導電膜12A,12
B 上の第１および第２層間絶縁膜13,15 を所定のパター
ンにＲＩＥ法で開口してコンタクト孔16を形成する。
【００１１】次いで、図7(d)に示すように、該基板８上
の全面に金−クロム(Au/Cr) 合金より成るめっきの下地
層17を蒸着により成膜する。更に図8(a)に示すように、
Si基板８の裏面側のSiO2膜９を所定のパターンにエッチ
ングして、SiO2膜９を開口する。
の全面に金−クロム(Au/Cr) 合金より成るめっきの下地
層17を蒸着により成膜する。更に図8(a)に示すように、
Si基板８の裏面側のSiO2膜９を所定のパターンにエッチ
ングして、SiO2膜９を開口する。
【００１２】次いでコンタクト孔16以外の箇所にレジス
ト膜( 図示せず) を形成し、このレジスト膜をマスクと
して用いて金めっきにより図8(b)に示すように、アース
電極５とアクティブ電極６を形成する。
ト膜( 図示せず) を形成し、このレジスト膜をマスクと
して用いて金めっきにより図8(b)に示すように、アース
電極５とアクティブ電極６を形成する。
【００１３】次いで図8(c)に示すように、裏面側の開口
したSiO2膜９をマスクとして用い、エチレンジアミン
〔(CH2)2(NH2)2〕とピロカテコール（C6H4(OH)2 〕の混
合液のエッチング液で異方性エッチングを行なう。
したSiO2膜９をマスクとして用い、エチレンジアミン
〔(CH2)2(NH2)2〕とピロカテコール（C6H4(OH)2 〕の混
合液のエッチング液で異方性エッチングを行なう。
【００１４】次いで開口部14内のめっきの下地層17と第
２層間絶縁膜15を除去して図8(d)に示すような構造とし
てアパーチャ４を有するブランキングアパーチャアレイ
素子を形成している。
２層間絶縁膜15を除去して図8(d)に示すような構造とし
てアパーチャ４を有するブランキングアパーチャアレイ
素子を形成している。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】然し、従来のブランキ
ングアパーチャアレイ素子は図8(d)に示すようにアース
電極５とアクティブ電極６の高さが同一である。
ングアパーチャアレイ素子は図8(d)に示すようにアース
電極５とアクティブ電極６の高さが同一である。
【００１６】このような構造のブランキングアパーチャ
アレイ素子では、図5(a)に示すように、例えばアパーチ
ャ4Aを通過するビーム21をオフするために、ブランキン
グアパーチャアレイ素子3Bのアクティブ電極６に充分な
電圧を印加すると、この電圧の印加によって発生する漏
れ電界22によってアパーチャ4Bを通過するビーム21の方
向が変化するといった問題点を発生する。
アレイ素子では、図5(a)に示すように、例えばアパーチ
ャ4Aを通過するビーム21をオフするために、ブランキン
グアパーチャアレイ素子3Bのアクティブ電極６に充分な
電圧を印加すると、この電圧の印加によって発生する漏
れ電界22によってアパーチャ4Bを通過するビーム21の方
向が変化するといった問題点を発生する。
【００１７】また、その他に製造上の問題点として前記
したアパーチャを形成するための図8(c)の工程におい
て、Si基板８を裏面側よりエッチングした場合、開口部
14内の底部に形成されためっきの下地層17は、残留して
いる。
したアパーチャを形成するための図8(c)の工程におい
て、Si基板８を裏面側よりエッチングした場合、開口部
14内の底部に形成されためっきの下地層17は、残留して
いる。
【００１８】この開口部は30μm と深い孔であるので、
この開口部の底部の下地層17をエッチングで選択的に除
去するのは非常に困難である。本発明は上記した問題点
を解決するもので、前記した漏洩電界が隣接するアパー
チャを通過する電子ビームの方向を偏向しないような、
また前記しためっきの下地層が残留しないようなブラン
キングアパーチャアレイ素子とその製造方法の提供を目
的とする。
この開口部の底部の下地層17をエッチングで選択的に除
去するのは非常に困難である。本発明は上記した問題点
を解決するもので、前記した漏洩電界が隣接するアパー
チャを通過する電子ビームの方向を偏向しないような、
また前記しためっきの下地層が残留しないようなブラン
キングアパーチャアレイ素子とその製造方法の提供を目
的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】このような本発明のブラ
ンキングアパーチャアレイ素子は、請求項１に示すよう
に基板の所定位置にアパーチャを有し、該アパーチャの
周囲に設けられ、該アパーチャを通過する荷電粒子ビー
ムの方向を偏向させる電圧を印加するアクティブ電極
と、接地電位に設定されるアース電極とより成る偏向電
極を備え、前記荷電粒子ビームをオンオフするブランキ
ングアパーチャアレイ素子であって、前記アース電極の
高さが、前記アクティブ電極の高さより高いことを特徴
とする。
ンキングアパーチャアレイ素子は、請求項１に示すよう
に基板の所定位置にアパーチャを有し、該アパーチャの
周囲に設けられ、該アパーチャを通過する荷電粒子ビー
ムの方向を偏向させる電圧を印加するアクティブ電極
と、接地電位に設定されるアース電極とより成る偏向電
極を備え、前記荷電粒子ビームをオンオフするブランキ
ングアパーチャアレイ素子であって、前記アース電極の
高さが、前記アクティブ電極の高さより高いことを特徴
とする。
【００２０】また請求項２に示すように、前記アース電
極がアパーチャを囲むようにコの字状に設けられ、アク
ティブ電極がアース電極に対向するようにアパーチャを
隔てて設けられていることに有る。
極がアパーチャを囲むようにコの字状に設けられ、アク
ティブ電極がアース電極に対向するようにアパーチャを
隔てて設けられていることに有る。
【００２１】また本発明のブランキングアパーチャアレ
イ素子の製造方法は請求項３に示すように、基板の一方
の面に、少なくとも絶縁膜、該絶縁膜上に所定パターン
の導電膜および該導電膜を覆う第１層間絶縁膜を形成す
る工程、該第１層間絶縁膜、導電膜および絶縁膜を、前
記基板の表面が露出するように除去し、開口部を形成す
る工程、前記導電膜の所定位置が露出するように、該導
電膜上にコンタクト孔を形成する工程、前記基板上に、
導電性の下地層を少なくとも前記開口部の底部には成膜
されないように形成する工程、前記コンタクト孔上に、
前記下地層を介してアース電極およびアクティブ電極を
形成する工程、前記基板の他方の面側から、前記開口部
に到達するように他方の面の所定部分をエッチングし
て、該基板に貫通孔を形成する工程、とを少なくとも備
えることを特徴とするものである。
イ素子の製造方法は請求項３に示すように、基板の一方
の面に、少なくとも絶縁膜、該絶縁膜上に所定パターン
の導電膜および該導電膜を覆う第１層間絶縁膜を形成す
る工程、該第１層間絶縁膜、導電膜および絶縁膜を、前
記基板の表面が露出するように除去し、開口部を形成す
る工程、前記導電膜の所定位置が露出するように、該導
電膜上にコンタクト孔を形成する工程、前記基板上に、
導電性の下地層を少なくとも前記開口部の底部には成膜
されないように形成する工程、前記コンタクト孔上に、
前記下地層を介してアース電極およびアクティブ電極を
形成する工程、前記基板の他方の面側から、前記開口部
に到達するように他方の面の所定部分をエッチングし
て、該基板に貫通孔を形成する工程、とを少なくとも備
えることを特徴とするものである。
【００２２】また請求項４に示すように、前記下地層を
形成する工程は、前記開口部を含む前記基板上にレジス
ト膜を形成する工程、前記開口部内のみに、該レジスト
膜が残存するように、前記基板表面の該レジスト膜を除
去する工程、前記基板上に前記下地層を形成する工程、
前記開口部内のレジスト膜を除去する工程とを含むこと
を特徴とするものである。
形成する工程は、前記開口部を含む前記基板上にレジス
ト膜を形成する工程、前記開口部内のみに、該レジスト
膜が残存するように、前記基板表面の該レジスト膜を除
去する工程、前記基板上に前記下地層を形成する工程、
前記開口部内のレジスト膜を除去する工程とを含むこと
を特徴とするものである。
【００２３】また、請求項５に示すように、前記下地層
を形成する工程は、前記開口部を有する基板に、斜め方
向より前記下地層の形成成分を蒸着、或いはスパッタで
照射する工程からなることを特徴とする。
を形成する工程は、前記開口部を有する基板に、斜め方
向より前記下地層の形成成分を蒸着、或いはスパッタで
照射する工程からなることを特徴とする。
【００２４】また、請求項６に示すように、前記アース
電極およびアクティブ電極を形成する工程は、前記下地
層上に選択的にめっき層を形成する工程よりなることを
特徴とする。
電極およびアクティブ電極を形成する工程は、前記下地
層上に選択的にめっき層を形成する工程よりなることを
特徴とする。
【００２５】また請求項７に示すように、前記アース電
極およびアクティブ電極を形成する工程において、前記
めっき層を形成する工程の回数を異ならせることによ
り、該アース電極を該アクティブ電極よりも高く形成す
ることを特徴とする。
極およびアクティブ電極を形成する工程において、前記
めっき層を形成する工程の回数を異ならせることによ
り、該アース電極を該アクティブ電極よりも高く形成す
ることを特徴とする。
【００２６】
【作用】本発明のブランキングアパーチャアレイ素子
は、アパーチャを囲んでコの字状に設けたアース電極
と、このアース電極に対向してアパーチャを隔ててアク
ティブ電極を設けている。
は、アパーチャを囲んでコの字状に設けたアース電極
と、このアース電極に対向してアパーチャを隔ててアク
ティブ電極を設けている。
【００２７】そしてアース電極の高さを、アクティブ電
極の高さより高く保つようにする。このようにすると図
5(b)に示すように、アパーチャ4Aを通過するビーム21の
方向を偏向するために、ブランキングアパーチャアレイ
素子3Bのアクティブ電極６に電圧を印加した場合、この
電圧を印加することで発生したもれ電界が、高さの高い
アース電極５によって遮られ、隣接のアパーチャ4Bを通
過するビーム21の方向に掛からなくなる。
極の高さより高く保つようにする。このようにすると図
5(b)に示すように、アパーチャ4Aを通過するビーム21の
方向を偏向するために、ブランキングアパーチャアレイ
素子3Bのアクティブ電極６に電圧を印加した場合、この
電圧を印加することで発生したもれ電界が、高さの高い
アース電極５によって遮られ、隣接のアパーチャ4Bを通
過するビーム21の方向に掛からなくなる。
【００２８】そのため、アパーチャ4Bを通過するビーム
21の移動方向に影響を及ぼさなくなり、所定のアパーチ
ャを通過する電子ビームの強さが変動しなくなる。ま
た、本発明のブランキングアパーチャアレイ素子の製造
方法によると、レジスト膜を開口部内に充填した状態
で、めっきの下地層を形成してめっきの下地層が開口部
の底部に形成されないようにする。
21の移動方向に影響を及ぼさなくなり、所定のアパーチ
ャを通過する電子ビームの強さが変動しなくなる。ま
た、本発明のブランキングアパーチャアレイ素子の製造
方法によると、レジスト膜を開口部内に充填した状態
で、めっきの下地層を形成してめっきの下地層が開口部
の底部に形成されないようにする。
【００２９】また、めっきの下地層を蒸着で形成する場
合に、蒸着源を中心軸とした円筒体の側面に沿って基板
が公転して移動すると共に基板が自転するようにして、
基板面に蒸着源の蒸発成分が斜め方向に降りかかるよう
にして、アパーチャを形成する開口部内に下地層が形成
されないようにする。
合に、蒸着源を中心軸とした円筒体の側面に沿って基板
が公転して移動すると共に基板が自転するようにして、
基板面に蒸着源の蒸発成分が斜め方向に降りかかるよう
にして、アパーチャを形成する開口部内に下地層が形成
されないようにする。
【００３０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図1(a)は本発明のブランキングアパーチ
ャアレイ素子の平面図、図1(b)は図1(a)のＡ−Ａ断面図
である。図示するようにSi基板８に所定のパターンでア
パーチャ４を形成し、このアパーチャ４を囲むようにし
てアース電極５が形成されている。またこのアース電極
５に対向してアパーチャ４を隔ててアクティブ電極６を
設けている。
細に説明する。図1(a)は本発明のブランキングアパーチ
ャアレイ素子の平面図、図1(b)は図1(a)のＡ−Ａ断面図
である。図示するようにSi基板８に所定のパターンでア
パーチャ４を形成し、このアパーチャ４を囲むようにし
てアース電極５が形成されている。またこのアース電極
５に対向してアパーチャ４を隔ててアクティブ電極６を
設けている。
【００３１】またアクティブ電極６に対してアース電極
５の高さを高く保つように形成している。また、前記ア
ース電極５がアパーチャ４を囲むようにコの字状に設け
られ、アクティブ電極６がアース電極５に対向するよう
にアパーチャ４を隔てて設けられている。
５の高さを高く保つように形成している。また、前記ア
ース電極５がアパーチャ４を囲むようにコの字状に設け
られ、アクティブ電極６がアース電極５に対向するよう
にアパーチャ４を隔てて設けられている。
【００３２】このようにすると、前記したようにアクテ
ィブ電極６に電圧を印加することで発生する漏れ電界
が、高さの高いアース電極５で遮られるので、隣接する
アパーチャを通過する電子ビームの方向を偏向しなくな
り、高信頼度のブランキングアパーチャアレイ素子が得
られる。
ィブ電極６に電圧を印加することで発生する漏れ電界
が、高さの高いアース電極５で遮られるので、隣接する
アパーチャを通過する電子ビームの方向を偏向しなくな
り、高信頼度のブランキングアパーチャアレイ素子が得
られる。
【００３３】このような本発明のブランキングアパーチ
ャアレイ素子の製造方法について説明する。本発明のブ
ランキングアパーチャアレイ素子の製造方法は、前記し
た図6(a)、図6(b)、図6(c)、図6(d)、図7(a)、図7(b)、
図7(c)迄の従来の方法と同様な工程を用いる。
ャアレイ素子の製造方法について説明する。本発明のブ
ランキングアパーチャアレイ素子の製造方法は、前記し
た図6(a)、図6(b)、図6(c)、図6(d)、図7(a)、図7(b)、
図7(c)迄の従来の方法と同様な工程を用いる。
【００３４】つまり図2(a)に示すように、Si基板８の裏
面側にSiO2膜９の形成、Si基板８の表面にボロンの拡散
層11とSiO2膜９の形成、アクティブ電極とアース電極に
成る導電膜12A,12B の形成、その上に第１層間絶縁膜13
を形成後、開口部14の形成、第２層間絶縁膜15形成後、
導電膜12A,12B のコンタクト孔16形成を終了したSi基板
８を用いる。
面側にSiO2膜９の形成、Si基板８の表面にボロンの拡散
層11とSiO2膜９の形成、アクティブ電極とアース電極に
成る導電膜12A,12B の形成、その上に第１層間絶縁膜13
を形成後、開口部14の形成、第２層間絶縁膜15形成後、
導電膜12A,12B のコンタクト孔16形成を終了したSi基板
８を用いる。
【００３５】次いで該基板の全面にレジスト膜31を塗布
する。次いで図2(b)に示すように、酸素ガスを用いたプ
ラズマエッチングにより、レジスト膜31の表面をエッチ
ングする。
する。次いで図2(b)に示すように、酸素ガスを用いたプ
ラズマエッチングにより、レジスト膜31の表面をエッチ
ングする。
【００３６】次いで図2(c)に示すように、Au/Cr よりな
るめっきの下地層17を蒸着により形成する。次いで図2
(d)に示すように、前記形成したコンタクト孔16上に、
金めっきによりアクティブ電極６とアース電極５とを、
アクティブ電極６よりアース電極５の高さが高くなるよ
うに繰り返しめっきする。
るめっきの下地層17を蒸着により形成する。次いで図2
(d)に示すように、前記形成したコンタクト孔16上に、
金めっきによりアクティブ電極６とアース電極５とを、
アクティブ電極６よりアース電極５の高さが高くなるよ
うに繰り返しめっきする。
【００３７】この場合、アクティブ電極６とアース電極
５の形成領域以外の領域はレジスト膜で被覆して選択的
にアクティブ電極６とアース電極５とが形成されるよう
にする。
５の形成領域以外の領域はレジスト膜で被覆して選択的
にアクティブ電極６とアース電極５とが形成されるよう
にする。
【００３８】次いでめっきの下地層17をプラズマエッチ
ングを用いて除去し、図3(a)に示すような構造とする。
次いで開口部14内のレジスト膜31を酸素ガスを用いたプ
ラズマエッチングで除去して図3(b)に示すような状態と
する。
ングを用いて除去し、図3(a)に示すような構造とする。
次いで開口部14内のレジスト膜31を酸素ガスを用いたプ
ラズマエッチングで除去して図3(b)に示すような状態と
する。
【００３９】次いで図3(c)に示すようにSi基板８の裏面
側の絶縁膜９を選択的にエッチングし、該絶縁膜をマス
クとしてSi基板８をエチレンジアミンとピロカテコール
の混合液のエッチング液で拡散層11に到達するまで異方
性エッチングする。
側の絶縁膜９を選択的にエッチングし、該絶縁膜をマス
クとしてSi基板８をエチレンジアミンとピロカテコール
の混合液のエッチング液で拡散層11に到達するまで異方
性エッチングする。
【００４０】次いで図3(d)に示すように、開口部14内と
Si基板８上の第２層間絶縁膜15を酸素ガスプラズマを用
いてエッチング除去する。この実施例では変形例があ
り、選択めっき法でアクティブ電極とアース電極を形成
する以前に、基板の裏面側の絶縁膜をエッチング後、該
絶縁膜をマスクとして基板の裏面側を異方性エッチング
しても良い。
Si基板８上の第２層間絶縁膜15を酸素ガスプラズマを用
いてエッチング除去する。この実施例では変形例があ
り、選択めっき法でアクティブ電極とアース電極を形成
する以前に、基板の裏面側の絶縁膜をエッチング後、該
絶縁膜をマスクとして基板の裏面側を異方性エッチング
しても良い。
【００４１】なお、本実施例では、開口部内にレジスト
膜を充填した状態でめっきの下地層を形成後、多数回の
めっき工程を繰り返してアクティブ電極とアース電極の
高さを異ならせて形成した状態を図面と共に説明してい
るが、これ以外の実施例として必ずしもアクティブ電極
とアース電極の高さを異ならせない場合でも開口部内に
レジスト膜を充填した状態でめっきの下地膜を形成する
と開口部内にめっきの下地膜が形成されないので、製造
工程が容易となる。
膜を充填した状態でめっきの下地層を形成後、多数回の
めっき工程を繰り返してアクティブ電極とアース電極の
高さを異ならせて形成した状態を図面と共に説明してい
るが、これ以外の実施例として必ずしもアクティブ電極
とアース電極の高さを異ならせない場合でも開口部内に
レジスト膜を充填した状態でめっきの下地膜を形成する
と開口部内にめっきの下地膜が形成されないので、製造
工程が容易となる。
【００４２】また、他の実施例として前記しためっきの
下地層17を形成する際に、図4(a)に示すように、蒸着の
容器41内に、蒸着用のAu/Cr より成る蒸着源42を配置
し、この蒸着源42を中心軸とした円筒体の側面に沿って
Si基板８が矢印Ａ，Ｂに示すように公転し、かつ矢印Ｃ
に沿って自転するように前記Si基板８をガイドレール43
に沿って回転移動する回転体44の支持軸45に取り付け
る。上記したガイドレール43は前記蒸着源42を中心軸と
し、容器41の内壁に沿った円筒体の側面に設ける。
下地層17を形成する際に、図4(a)に示すように、蒸着の
容器41内に、蒸着用のAu/Cr より成る蒸着源42を配置
し、この蒸着源42を中心軸とした円筒体の側面に沿って
Si基板８が矢印Ａ，Ｂに示すように公転し、かつ矢印Ｃ
に沿って自転するように前記Si基板８をガイドレール43
に沿って回転移動する回転体44の支持軸45に取り付け
る。上記したガイドレール43は前記蒸着源42を中心軸と
し、容器41の内壁に沿った円筒体の側面に設ける。
【００４３】このようにすると、蒸着源42からの蒸発成
分がSi基板８に対して矢印Ｄのように斜め方向より照射
するようになるので、図4(b)に示すようにSi基板８の開
口部14の底面にめっきの下地層17が形成されなくなる。
分がSi基板８に対して矢印Ｄのように斜め方向より照射
するようになるので、図4(b)に示すようにSi基板８の開
口部14の底面にめっきの下地層17が形成されなくなる。
【００４４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のブランキン
グアパーチャアレイ素子によれば、アクティブ電極より
アース電極が高く形成されているので、アパーチャを通
過する電子ビームの方向を偏向させるための電界が、こ
のアース電極で遮閉されて隣接するアパーチャに到達し
なくなり、所定のアパーチャを通過したビームのみが偏
向され、高信頼度のブランキングアパーチャアレイ素子
が得られる。
グアパーチャアレイ素子によれば、アクティブ電極より
アース電極が高く形成されているので、アパーチャを通
過する電子ビームの方向を偏向させるための電界が、こ
のアース電極で遮閉されて隣接するアパーチャに到達し
なくなり、所定のアパーチャを通過したビームのみが偏
向され、高信頼度のブランキングアパーチャアレイ素子
が得られる。
【００４５】また本発明の製造方法によると、アパーチ
ャを形成する開口部の底部にめっきの下地層が形成され
なく成るので、製造が容易で、高信頼度のブランキング
アパーチャアレイ素子が得られる効果がある。
ャを形成する開口部の底部にめっきの下地層が形成され
なく成るので、製造が容易で、高信頼度のブランキング
アパーチャアレイ素子が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のブランキングアパーチャアレイ素子
の構造を示す平面図と断面図である。
の構造を示す平面図と断面図である。
【図２】 本発明の製造方法の工程を示す断面図であ
る。
る。
【図３】 本発明の製造方法の工程を示す断面図であ
る。
る。
【図４】 本発明の製造方法の実施例の説明図である。
【図５】 本発明と従来のブランキングアパーチャアレ
イ素子の電界分布の比較図である。
イ素子の電界分布の比較図である。
【図６】 従来の製造方法の工程を示す断面図である。
【図７】 従来の製造方法の工程を示す断面図である。
【図８】 従来の製造方法の工程を示す断面図である。
【図９】 電子ビーム露光装置の説明図である。
１ 電子銃 ２ 拡大レンズ ３ ブランキングアパーチャアレイ素子 4,4A,4B アパーチャ ５ アース電極 ６ アクティブ電極 ７ 縮小レンズ ８ Si基板 ９ SiO2膜 11 拡散層 12A,12B 導電膜 13 第１層間絶縁膜 14 開口部 15 第２層間絶縁膜 16 コンタクト孔 17 下地層 21 ビーム 22 漏れ電界 31 レジスト膜 41 容器 42 蒸着源 43 ガイドレール 44 回転体 45 支持軸
Claims (7)
- 【請求項１】 基板(8) の所定位置にアパーチャ(4) を
有し、該アパーチャ(4) の周囲に設けられ、該アパーチ
ャ(4) を通過する荷電粒子ビームの方向を偏向させる電
圧を印加するアクティブ電極(6) と、接地電位に設定さ
れるアース電極(5) とより成る偏向電極を備え、前記荷
電粒子ビームをオンオフするブランキングアパーチャア
レイ素子であって、 前記アース電極(5) の高さが、前記アクティブ電極(6)
の高さより高いことを特徴とするブランキングアパーチ
ャアレイ素子。 - 【請求項２】 前記アース電極(5) がアパーチャ(4) を
囲むようにコの字状に設けられ、アクティブ電極(6) が
アース電極(5) に対向するようにアパーチャ(4) を隔て
て設けられていることを特徴とする請求項１記載のブラ
ンキングアパーチャアレイ素子。 - 【請求項３】 基板(8) の一方の面に、少なくとも絶縁
膜(9) 、該絶縁膜(9) 上に所定パターンの導電膜(12A,1
2B) および該導電膜(12A,12B) を覆う第１層間絶縁膜(1
3)を形成する工程、 該第１層間絶縁膜(13)、導電膜(12A,12B) および絶縁膜
(9) を、前記基板(8)の表面が露出するように除去し、
開口部(14)を形成する工程、 前記導電膜(12A,12B) の所定位置が露出するように、該
導電膜(12A,12B) 上にコンタクト孔(16)を形成する工
程、 前記基板(8) 上に、導電性の下地層(17)を少なくとも前
記開口部(14)の底部には成膜されないように形成する工
程、 前記コンタクト孔(16)上に、前記下地層(17)を介してア
ース電極(5) およびアクティブ電極(6) を形成する工
程、 前記基板(8) の他方の面側から、前記開口部(14)に到達
するように他方の面の所定部分をエッチングして、該基
板(8) に貫通孔を形成する工程、 とを少なくとも備えることを特徴とするブランキングア
パーチャアレイ素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記下地層(17)を形成する工程は、 前記開口部(14)を含む前記基板(8) 上にレジスト膜(31)
を形成する工程、 前記開口部(14)内のみに、該レジスト膜(31)が残存する
ように、前記基板(8)表面の該レジスト膜(31)を除去す
る工程、 前記基板(8) 上に前記下地層(17)を形成する工程、 前記開口部(14)内のレジスト膜(31)を除去する工程、 とを含むことを特徴とする請求項３記載のブランキング
アパーチャアレイ素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記下地層(17)を形成する工程は、 前記開口部(14)を有する基板(8) に、斜め方向より前記
下地層(17)の形成成分を蒸着、或いはスパッタで照射す
る工程からなることを特徴とする請求項３記載のブラン
キングアパーチャアレイ素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記アース電極(5) およびアクティブ電
極(6) を形成する工程は、前記下地層(17)上に選択的に
めっき層を形成する工程よりなることを特徴とする請求
項３乃至請求項５に記載のブランキングアパーチャアレ
イ素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記アース電極(5) およびアクティブ電
極(6) を形成する工程において、前記めっき層を形成す
る工程の回数を異ならせることにより、該アース電極
(5) を該アクティブ電極(6) よりも高く形成することを
特徴とする請求項６に記載のブランキングアパーチャア
レイ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8283594A JPH07297095A (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | ブランキングアパーチャアレイ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8283594A JPH07297095A (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | ブランキングアパーチャアレイ素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297095A true JPH07297095A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13785469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8283594A Withdrawn JPH07297095A (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | ブランキングアパーチャアレイ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297095A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235266A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-02 | Ims Nanofabrication Ag | マスクレス粒子ビーム処理のための多重ビーム偏向器アレーデバイス |
| JP2013028833A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Canon Inc | 電解めっき方法、および静電偏向デバイス |
| JP2016054285A (ja) * | 2014-09-01 | 2016-04-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
-
1994
- 1994-04-21 JP JP8283594A patent/JPH07297095A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235266A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-02 | Ims Nanofabrication Ag | マスクレス粒子ビーム処理のための多重ビーム偏向器アレーデバイス |
| JP2013028833A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Canon Inc | 電解めっき方法、および静電偏向デバイス |
| JP2016054285A (ja) * | 2014-09-01 | 2016-04-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010703 |