JPH086087B2 - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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- JPH086087B2 JPH086087B2 JP63028046A JP2804688A JPH086087B2 JP H086087 B2 JPH086087 B2 JP H086087B2 JP 63028046 A JP63028046 A JP 63028046A JP 2804688 A JP2804688 A JP 2804688A JP H086087 B2 JPH086087 B2 JP H086087B2
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電界発光素子、特には電界発光性粉粒体を誘
電体中に分散した組成物を発光層とする、輝度の高い、
寿命特性に優れた、しかも均一な発光を与える分散型電
界発光素子に関するものである。
電体中に分散した組成物を発光層とする、輝度の高い、
寿命特性に優れた、しかも均一な発光を与える分散型電
界発光素子に関するものである。
(従来の技術) 電界発光素子は発光層の構成様式により分散型と薄膜
型とに分けられるが、このものは従来の発光素子とは異
なり、少ない消費電力にて平面発光を与えるという特色
を有し、近年各種光源及び表示パネルとして急速に注目
を集めて来ている。特に分散型の電界発光素子において
は、製造方法が容易であること、安価であること、任意
の形状の素子が製造可能なこと等の有利点を生かして液
晶表示のバックライト、案内灯及び常夜灯等としての応
用が開始されている状況である。
型とに分けられるが、このものは従来の発光素子とは異
なり、少ない消費電力にて平面発光を与えるという特色
を有し、近年各種光源及び表示パネルとして急速に注目
を集めて来ている。特に分散型の電界発光素子において
は、製造方法が容易であること、安価であること、任意
の形状の素子が製造可能なこと等の有利点を生かして液
晶表示のバックライト、案内灯及び常夜灯等としての応
用が開始されている状況である。
従来、この様な分散型の電界発光素子はCdS,ZnS,ZnS
e,ZnSiO,BN,SiC等の電界発光性粉粒体を誘電体物質溶液
中に分散させたものを一方の電極基板上に薄膜上に塗布
し、これに他の電極基板を加熱圧着等の手段で接着させ
てなるものが知られており、誘電体物質としては誘電率
の大きいもの程高輝度を与えることが明らかとなってい
る。
e,ZnSiO,BN,SiC等の電界発光性粉粒体を誘電体物質溶液
中に分散させたものを一方の電極基板上に薄膜上に塗布
し、これに他の電極基板を加熱圧着等の手段で接着させ
てなるものが知られており、誘電体物質としては誘電率
の大きいもの程高輝度を与えることが明らかとなってい
る。
しかして、これらの誘電体物質としては一般にシアノ
エチルセルロース、シアノエチルスターチ、シアノエチ
ルプルラン等の多糖類のシアノエチル化物、シアノエチ
ルヒドロキシエチルセルロース、シアノエチルグリセロ
ールプルラン等の多糖類誘導体のキアノエチル化物、シ
アノエチルポリビニルアルコール等のポリオール類のシ
アノエチル化物及びフッ化ビニリデン等のフッ素樹脂の
ような誘電率の高い高分子物質が使用されているが、上
記に示した物質は、種々の欠点を有しており、電界発光
性粉粒体の誘電体としては必ずしも完全に満足出来得る
ものではない。
エチルセルロース、シアノエチルスターチ、シアノエチ
ルプルラン等の多糖類のシアノエチル化物、シアノエチ
ルヒドロキシエチルセルロース、シアノエチルグリセロ
ールプルラン等の多糖類誘導体のキアノエチル化物、シ
アノエチルポリビニルアルコール等のポリオール類のシ
アノエチル化物及びフッ化ビニリデン等のフッ素樹脂の
ような誘電率の高い高分子物質が使用されているが、上
記に示した物質は、種々の欠点を有しており、電界発光
性粉粒体の誘電体としては必ずしも完全に満足出来得る
ものではない。
すなわち、多糖類及び多糖類誘電体のシアノエチル化
物及びシアノエチルポリビニルアルコールにおいては、
共通する欠点として吸湿性の大きいことがあり、電界発
光素子の誘電体として用いた場合、その大きい吸湿量の
為に発光性粉粒体を劣化させてしまい素子としての寿命
を短くする傾向があり、この現象を防ぐ為には素子の製
造工程において厳重なる湿度管理及び吸湿水分の除去の
工夫が考えられるが、生産性の点でマイナスであり又完
全なる効果を期待することも難しい。
物及びシアノエチルポリビニルアルコールにおいては、
共通する欠点として吸湿性の大きいことがあり、電界発
光素子の誘電体として用いた場合、その大きい吸湿量の
為に発光性粉粒体を劣化させてしまい素子としての寿命
を短くする傾向があり、この現象を防ぐ為には素子の製
造工程において厳重なる湿度管理及び吸湿水分の除去の
工夫が考えられるが、生産性の点でマイナスであり又完
全なる効果を期待することも難しい。
また、シアノエチルセルロース、シアノエチルスター
チは、電極基板との接着性の劣る為、これを使用した場
合には、電極と発光層との間に空隙が発生したり、使用
中に電極と発光層とが部分的にはく離することがあり、
電界発光素子の特性である均一な発光が損なわれてしま
う不利がある。接着性を可塑剤の添加により改良するこ
とも試みられてはいるが、その場合には誘電率の低下に
よる輝度の減少や発光体の寿命が短くなる欠点が生じ
る。
チは、電極基板との接着性の劣る為、これを使用した場
合には、電極と発光層との間に空隙が発生したり、使用
中に電極と発光層とが部分的にはく離することがあり、
電界発光素子の特性である均一な発光が損なわれてしま
う不利がある。接着性を可塑剤の添加により改良するこ
とも試みられてはいるが、その場合には誘電率の低下に
よる輝度の減少や発光体の寿命が短くなる欠点が生じ
る。
なお、シアノエチルヒドロキシセルロース、シアノエ
チルグリセロールプルラン及びシアノエチルポリビニル
アルコールは、誘電率の温度による変化が大きくそれを
用いた素子の使用温度範囲が限定される場合がある。
チルグリセロールプルラン及びシアノエチルポリビニル
アルコールは、誘電率の温度による変化が大きくそれを
用いた素子の使用温度範囲が限定される場合がある。
一方、フッ化ビニリデン等のフッ素樹脂は、吸湿性も
小さく、誘電率の温度変化も少ない利点を有するが、誘
電率が多糖類及び多糖誘電体のシアノエチル化物に比べ
て約半分しかなく輝度が低下する欠点を持っている。
小さく、誘電率の温度変化も少ない利点を有するが、誘
電率が多糖類及び多糖誘電体のシアノエチル化物に比べ
て約半分しかなく輝度が低下する欠点を持っている。
(発明の構成) 本発明はこのような不利を解決した電界発光素子に関
するものであり、これは電界発光性粉粒体を、平均組成
式 (こゝにR1、R2は同一または異種の炭素数3〜5のシア
ノアルキル基、R3は水素原子または非置換あるいは置換
の1価炭化水素基、a,b,cはa=0〜1.8、b=0〜1.
8、c=0〜1.0、a+b=0.8〜1.8、a+b+c=1.1
〜1.98)で示されるシアノアルキル基含有オルガノポリ
シロキサンを主成分としてなる誘電体中に分散配合して
なる組成物を発光層として層状に形成させてなることを
特徴とするものである。
するものであり、これは電界発光性粉粒体を、平均組成
式 (こゝにR1、R2は同一または異種の炭素数3〜5のシア
ノアルキル基、R3は水素原子または非置換あるいは置換
の1価炭化水素基、a,b,cはa=0〜1.8、b=0〜1.
8、c=0〜1.0、a+b=0.8〜1.8、a+b+c=1.1
〜1.98)で示されるシアノアルキル基含有オルガノポリ
シロキサンを主成分としてなる誘電体中に分散配合して
なる組成物を発光層として層状に形成させてなることを
特徴とするものである。
すなわち、本発明者らは、電界発光素子に使用する誘
電体について種々検討した結果、この高分子誘電体とし
て、誘電率が高く、誘電正接の小さいという優れた電気
特性を示し、かつ吸湿性が小さく、フイルム成型能が良
好な、シアノアルキル基を含有した特定のオレガノポリ
シロキサンを用いることにより、従来の問題点を解決し
た電界発素子が出来ることを見いだし本発明を完成し
た。
電体について種々検討した結果、この高分子誘電体とし
て、誘電率が高く、誘電正接の小さいという優れた電気
特性を示し、かつ吸湿性が小さく、フイルム成型能が良
好な、シアノアルキル基を含有した特定のオレガノポリ
シロキサンを用いることにより、従来の問題点を解決し
た電界発素子が出来ることを見いだし本発明を完成し
た。
以下本発明の構成についてさらに詳述する。
本発明の電界発光素子を構成する電界発光性粉粒体は
公知のものでよく、したがってこれにはCdS,ZnS,ZnSe,Z
nSiO,BN,SiCなどの蛍光体物質が例示されるが、これら
は電界発光素子にした場合の発光特性から平均粒径が50
μm以下である粉粒体とすることが好ましい。
公知のものでよく、したがってこれにはCdS,ZnS,ZnSe,Z
nSiO,BN,SiCなどの蛍光体物質が例示されるが、これら
は電界発光素子にした場合の発光特性から平均粒径が50
μm以下である粉粒体とすることが好ましい。
本発明の電界発光素子はこの電界発光性粉粒体をシア
ノアルキル基含有オルガノポリシロキサンを主成分とす
る誘電体に分散配合した組成物を発光層として層状に形
成させたものであるが、このシアノアルキル基含有オル
ガノポリシロキサンは上記した式(I)に示したように で示され、R1、R2はシアノエチル基、シアノプロピル
基、シアノブチル基、2−シアノプロピル基、2−シア
ノブチル基、2−メチル−2−シアノプロピル基などの
ような同一または異種のシアノアルキル基、R3は水素原
子またはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基な
どのシクロアルキル基、フエニル基、トリル基などのア
リール基、あるいはこれらの基の炭素原子に結合した水
素原子の全部または一部をハロゲル原子などで置換した
クロロメチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル量、1,
1,1−トリフルオロヘキシル基などから選択される非置
換または置換1価炭化水素基であるものとされるが、こ
のオルガノポリシロキサンについてはシアノアルキル基
が置換されていることが必要であり、この極性の高いニ
トリル基が電界中において配向分極されることによって
このオルガノポリシロキサンの誘電率が向上される。
ノアルキル基含有オルガノポリシロキサンを主成分とす
る誘電体に分散配合した組成物を発光層として層状に形
成させたものであるが、このシアノアルキル基含有オル
ガノポリシロキサンは上記した式(I)に示したように で示され、R1、R2はシアノエチル基、シアノプロピル
基、シアノブチル基、2−シアノプロピル基、2−シア
ノブチル基、2−メチル−2−シアノプロピル基などの
ような同一または異種のシアノアルキル基、R3は水素原
子またはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基な
どのシクロアルキル基、フエニル基、トリル基などのア
リール基、あるいはこれらの基の炭素原子に結合した水
素原子の全部または一部をハロゲル原子などで置換した
クロロメチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル量、1,
1,1−トリフルオロヘキシル基などから選択される非置
換または置換1価炭化水素基であるものとされるが、こ
のオルガノポリシロキサンについてはシアノアルキル基
が置換されていることが必要であり、この極性の高いニ
トリル基が電界中において配向分極されることによって
このオルガノポリシロキサンの誘電率が向上される。
また、このシアノアルキル基を示すR1、R2の数a、b
値はそれぞれ0〜1.8とされるが、このa+b値は0.8以
下ではニトリル基の濃度がポリマー中で下がってしま
い、これに伴ってこのオルガノポリシロキサンの誘電率
が低下し、電界発光素子に使用した場合に輝度の面で不
利となるし、1.8以上とすると誘電率はよくなるけれど
も工業的にこのように多量のニトリル基導入が難しくな
るので、これは0.8〜1.8の範囲とすることがよく、この
R3の数を示すC値はこれを大きくするとシアノアルキル
基の数が小さくなってしまうので0〜1.0の範囲、好ま
しくは0.01〜0.1の範囲とすればよいが、このa+b+
c値についてはこれが1.1以下ではオルガノポリシロキ
サンが非常に脆い樹脂状物となってこれを用いた電界発
光素子の発光層が衝撃で割れてしまい、フレキシビリテ
ィを有する素子の製造が不可能となり、1.98以上とする
とこのオルガノポリシロキサンがオイル状となってフィ
ルム成形ができず、蛍光体の結合剤として使用すること
ができなくなるので1.1〜1.98の範囲とする必要があ
る。
値はそれぞれ0〜1.8とされるが、このa+b値は0.8以
下ではニトリル基の濃度がポリマー中で下がってしま
い、これに伴ってこのオルガノポリシロキサンの誘電率
が低下し、電界発光素子に使用した場合に輝度の面で不
利となるし、1.8以上とすると誘電率はよくなるけれど
も工業的にこのように多量のニトリル基導入が難しくな
るので、これは0.8〜1.8の範囲とすることがよく、この
R3の数を示すC値はこれを大きくするとシアノアルキル
基の数が小さくなってしまうので0〜1.0の範囲、好ま
しくは0.01〜0.1の範囲とすればよいが、このa+b+
c値についてはこれが1.1以下ではオルガノポリシロキ
サンが非常に脆い樹脂状物となってこれを用いた電界発
光素子の発光層が衝撃で割れてしまい、フレキシビリテ
ィを有する素子の製造が不可能となり、1.98以上とする
とこのオルガノポリシロキサンがオイル状となってフィ
ルム成形ができず、蛍光体の結合剤として使用すること
ができなくなるので1.1〜1.98の範囲とする必要があ
る。
このようなシアノアルキル基含有オルガノポリシロキ
サンの製造は特殊の方法に限定されるものではなく、一
般的なポリシロキサンの合成法で行えばよい。したがっ
て、これは水素原子または他の官能基を含有するオルガ
ノシランとシアノアルキル基含有化合物を反応させてシ
アノアルキル基と水素原子および/または1価炭化水素
基を含有するオルガノシランを合成し、ついでこれを加
水分解してシアノアルキル基含有オルガノシロキサンと
してから重合するか、または付加反応、脱アルコール反
応、脱水反応など有機けい素化学において公知とされる
方法で製造すればよいが、この場合に反応触媒、溶剤を
添加することは任意とされる。
サンの製造は特殊の方法に限定されるものではなく、一
般的なポリシロキサンの合成法で行えばよい。したがっ
て、これは水素原子または他の官能基を含有するオルガ
ノシランとシアノアルキル基含有化合物を反応させてシ
アノアルキル基と水素原子および/または1価炭化水素
基を含有するオルガノシランを合成し、ついでこれを加
水分解してシアノアルキル基含有オルガノシロキサンと
してから重合するか、または付加反応、脱アルコール反
応、脱水反応など有機けい素化学において公知とされる
方法で製造すればよいが、この場合に反応触媒、溶剤を
添加することは任意とされる。
本発明の電界発光素子は上記した電界発光性粉粒体を
誘電体としてのシアノアルキル基含有オルガノポリシロ
キサンを主成分とする誘電体中に分散配合した組成物を
発光層として層状に形成させたものであり、この電界発
光性粉粒体のシアノアルキル基含有オルガノポリシロキ
サンの分配配合はシアノアルキル基含有オルガノポリシ
ロキサンをアセトン、N,N′−ジメチルホロムアミド、
ニトロメタン、アセトニトリル、N−メチル−2−ピロ
リドンなどの1種または2種以上の混合液に溶解した液
に電界発光性粉粒体を添加すれば良く、この電界発光性
粉粒体の添加量はシアノアルキル基含有オルガノポリシ
ロキサンに対し体積比率で20%以下では発光層中の電界
発光性粉粒体の濃度が小さすぎて素子にした場合輝度が
低下する恐れがあり、また80%以上とすると電界発光性
粉粒体の分散が困難になるので、20〜80%の範囲とする
ことが必要である。
誘電体としてのシアノアルキル基含有オルガノポリシロ
キサンを主成分とする誘電体中に分散配合した組成物を
発光層として層状に形成させたものであり、この電界発
光性粉粒体のシアノアルキル基含有オルガノポリシロキ
サンの分配配合はシアノアルキル基含有オルガノポリシ
ロキサンをアセトン、N,N′−ジメチルホロムアミド、
ニトロメタン、アセトニトリル、N−メチル−2−ピロ
リドンなどの1種または2種以上の混合液に溶解した液
に電界発光性粉粒体を添加すれば良く、この電界発光性
粉粒体の添加量はシアノアルキル基含有オルガノポリシ
ロキサンに対し体積比率で20%以下では発光層中の電界
発光性粉粒体の濃度が小さすぎて素子にした場合輝度が
低下する恐れがあり、また80%以上とすると電界発光性
粉粒体の分散が困難になるので、20〜80%の範囲とする
ことが必要である。
上記のようにして得られた電界発光性粉粒体が分散配
合されたシアノアルキル基含有オルガノポリシロキサン
液は発光体層形成に供されるものであり、この発光体層
はこの溶液を例えばポリエステルフィルム上に透明導電
膜としての酸化インジウムを被覆した導電膜の上にスク
リーン印刷法などで厚さ約10〜70μmに塗布し、乾燥さ
せることによって作ればよいが、この発光体層形成時、
この溶液に各種の高誘電率物質、強誘電体、半導体酸化
物などを配合することは任意とされる。
合されたシアノアルキル基含有オルガノポリシロキサン
液は発光体層形成に供されるものであり、この発光体層
はこの溶液を例えばポリエステルフィルム上に透明導電
膜としての酸化インジウムを被覆した導電膜の上にスク
リーン印刷法などで厚さ約10〜70μmに塗布し、乾燥さ
せることによって作ればよいが、この発光体層形成時、
この溶液に各種の高誘電率物質、強誘電体、半導体酸化
物などを配合することは任意とされる。
また、この発光体層を用いて電界発光素子を作るに
は、導電膜の上に形成した発光体層の上に常法により絶
縁層を積層したのち、厚さ20〜100μmのアルミニウム
フィルムを80〜180℃で圧着して裏面電極を作り、つい
でこの導電膜と裏面電極に電極端子となるリード線を取
つければよい。
は、導電膜の上に形成した発光体層の上に常法により絶
縁層を積層したのち、厚さ20〜100μmのアルミニウム
フィルムを80〜180℃で圧着して裏面電極を作り、つい
でこの導電膜と裏面電極に電極端子となるリード線を取
つければよい。
つぎに本発明の電界発光素子は添付の図面にもとづい
て説明する。第1図は本発明の電界発光素子の断面図を
示したものであるが、このものはポリエステル、セルロ
ースアセテートなどのプラスチックフィルムまたはガラ
ス板のうえに酸化インジウム、酸化すずなどの透明導電
膜を被覆した透明電極板1の上に、電界発光性粉粒体を
シアノアルキル基含有オルガノポリシロキサンに分散し
た発光層2と、素子の絶縁耐力を上げ、かつ電圧効果を
少なくするためのチタン酸バリウムからなる絶縁層3お
よびアルミニウム、銀などの金属からなる裏面電極4を
順次積層したのち、これらを外包5で包み、この透明電
極板1と裏面電極4から電極端子6を引き出すことによ
って構成されている。
て説明する。第1図は本発明の電界発光素子の断面図を
示したものであるが、このものはポリエステル、セルロ
ースアセテートなどのプラスチックフィルムまたはガラ
ス板のうえに酸化インジウム、酸化すずなどの透明導電
膜を被覆した透明電極板1の上に、電界発光性粉粒体を
シアノアルキル基含有オルガノポリシロキサンに分散し
た発光層2と、素子の絶縁耐力を上げ、かつ電圧効果を
少なくするためのチタン酸バリウムからなる絶縁層3お
よびアルミニウム、銀などの金属からなる裏面電極4を
順次積層したのち、これらを外包5で包み、この透明電
極板1と裏面電極4から電極端子6を引き出すことによ
って構成されている。
(発明の効果) 本発明の電界発光素子は上記のように構成されてお
り、この発光層2が電界発光性粉粒体を誘電率の高いシ
アノアクリル基含有オルガノポリシロキサンに分散させ
たもので作られているので、これには 輝度が高く、温度による輝度の変化が少ない、 長時間点灯していても輝度の低下が小さい、 耐衝撃性にすぐれていて、フレキシビリティに富んで
いる、 熱分解温度が高く、耐熱性にすぐれている。という有
利性が与えられ、したがってこれは各種液晶ディスプレ
イのバックライトとしては勿論のこと、面発光体として
広く適用し得るという工業的有利性をもつものになる。
り、この発光層2が電界発光性粉粒体を誘電率の高いシ
アノアクリル基含有オルガノポリシロキサンに分散させ
たもので作られているので、これには 輝度が高く、温度による輝度の変化が少ない、 長時間点灯していても輝度の低下が小さい、 耐衝撃性にすぐれていて、フレキシビリティに富んで
いる、 熱分解温度が高く、耐熱性にすぐれている。という有
利性が与えられ、したがってこれは各種液晶ディスプレ
イのバックライトとしては勿論のこと、面発光体として
広く適用し得るという工業的有利性をもつものになる。
(実施例) つぎに本発明の電界発光素子作製に使用されるシアノ
アルキル基含有オルガノポリシロキサンの合成例、およ
びこれを誘電体として使用した電界発光素子の実施例を
あげる。
アルキル基含有オルガノポリシロキサンの合成例、およ
びこれを誘電体として使用した電界発光素子の実施例を
あげる。
合成例1〜3、比較例1〜2 100mlの三ツ口フラスコに2官能性シランとしてのシ
アノエチルメチルジメトキシシランと3官能性シランと
してのシアノエチルトリエトキシシランとを第1表に示
した量で仕込み、これに第1表に示した量の蒸留水に15
%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液300μを加
えた混合液を撹拌下に滴下し、均一に分散溶解したとこ
ろで90℃に加熱し、2時間反応させたところ、透明な半
固体状または固体状の物質が得られたが、これらは分析
の結果いずれもシアノエチル基含有オルガノポリシロキ
サンであり、平均組成式中シアノエチル基を1.0モル%
含有するものであることが確認された。
アノエチルメチルジメトキシシランと3官能性シランと
してのシアノエチルトリエトキシシランとを第1表に示
した量で仕込み、これに第1表に示した量の蒸留水に15
%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液300μを加
えた混合液を撹拌下に滴下し、均一に分散溶解したとこ
ろで90℃に加熱し、2時間反応させたところ、透明な半
固体状または固体状の物質が得られたが、これらは分析
の結果いずれもシアノエチル基含有オルガノポリシロキ
サンであり、平均組成式中シアノエチル基を1.0モル%
含有するものであることが確認された。
ついで、このシアノエチル基含有オルガノポリシロキ
サンをアセトンに溶解し、キャスト後80℃で4時間乾燥
して厚さ約100μmmmのフィルムを作り、このものの誘電
特性、機械的特性、吸湿量、熱分解温度をしらべたとこ
ろ、第1表に併記したとおりの結果が得られ、つれらは
いずれも誘電率、機械的性質、吸湿性、耐熱性のすぐれ
にものであることが確認された。
サンをアセトンに溶解し、キャスト後80℃で4時間乾燥
して厚さ約100μmmmのフィルムを作り、このものの誘電
特性、機械的特性、吸湿量、熱分解温度をしらべたとこ
ろ、第1表に併記したとおりの結果が得られ、つれらは
いずれも誘電率、機械的性質、吸湿性、耐熱性のすぐれ
にものであることが確認された。
また、比較のために米国Tel Systems Inc社製のシア
ノエチルセルロース・アクリロセル(同社製商品名)
と、J.Electrochemical Soc.Vol III,No.11,1239〜1243
(1964)記載の方法にもとづいて合成したシアノエチル
ポリビニルアルコールを用いて上記の同様でフィルムを
作り、このものの物性をしらべたところ、第1表に併記
したとおりの結果が得られた。
ノエチルセルロース・アクリロセル(同社製商品名)
と、J.Electrochemical Soc.Vol III,No.11,1239〜1243
(1964)記載の方法にもとづいて合成したシアノエチル
ポリビニルアルコールを用いて上記の同様でフィルムを
作り、このものの物性をしらべたところ、第1表に併記
したとおりの結果が得られた。
実施例1〜3、比較例1〜2 前記合成例1〜3で得られたシアノエチル基含有オル
ガノポリシロキサン80gをN,N′−ジメチルホルムアミド
120gを溶解し、この溶液を2分してその一方に平均粒径
が20μmの電界発光性硫化亜鉛蛍光体(ZnS:CuAl)を体
積比率で40%加え、均一に分散して発光体層用の塗布液
を作ると共に、他方に粒径1〜2μmのチタン酸バリウ
ムを体積比重で40%加え、均一に分散させて絶縁層用塗
布液を作った。
ガノポリシロキサン80gをN,N′−ジメチルホルムアミド
120gを溶解し、この溶液を2分してその一方に平均粒径
が20μmの電界発光性硫化亜鉛蛍光体(ZnS:CuAl)を体
積比率で40%加え、均一に分散して発光体層用の塗布液
を作ると共に、他方に粒径1〜2μmのチタン酸バリウ
ムを体積比重で40%加え、均一に分散させて絶縁層用塗
布液を作った。
ついで、50×50cmの透明なガラス基板の片面上に酸化
インジウムを2,000Åの厚さで蒸着させて透明電極基板
を作り、その上に上記で得た発光体層用の塗布液をスク
リーン印刷し、150℃で4時間乾燥して厚さ約40μm発
光体層を設け、この上にさらに上記で得た絶縁性層用塗
布液をスクリーン印刷し、150℃で4時間乾燥して厚さ
約15μmの絶縁層を積層し、これに厚さ50μmのアルミ
ニウムフィルムを170℃、10kg/cm2で圧着させたのち、
これらをポリクロロトリフルオロエチレンシート・アク
ラー〔米国アライド・ケミカル社製商品名〕で包み、22
0℃の温度で封止し、リード端子を取つけて電界発光素
子I〜IIIを作成すると共に、比較のために前記比較合
成例1〜2で得られたシアノエチレンセルロース、シア
ノエチルポリビニルアルコールを用い、これらをN,N′
−ジメチルホルムアミドの20%溶液としたほかは上記と
同様に処理して電界発光素子IV、Vを作った。
インジウムを2,000Åの厚さで蒸着させて透明電極基板
を作り、その上に上記で得た発光体層用の塗布液をスク
リーン印刷し、150℃で4時間乾燥して厚さ約40μm発
光体層を設け、この上にさらに上記で得た絶縁性層用塗
布液をスクリーン印刷し、150℃で4時間乾燥して厚さ
約15μmの絶縁層を積層し、これに厚さ50μmのアルミ
ニウムフィルムを170℃、10kg/cm2で圧着させたのち、
これらをポリクロロトリフルオロエチレンシート・アク
ラー〔米国アライド・ケミカル社製商品名〕で包み、22
0℃の温度で封止し、リード端子を取つけて電界発光素
子I〜IIIを作成すると共に、比較のために前記比較合
成例1〜2で得られたシアノエチレンセルロース、シア
ノエチルポリビニルアルコールを用い、これらをN,N′
−ジメチルホルムアミドの20%溶液としたほかは上記と
同様に処理して電界発光素子IV、Vを作った。
つぎにこのようにして得た電界発光素子I〜Vについ
て、400Hz、100Vの電源で入力したときの初期輝度およ
び40℃、90%RH条件下で輝度が1/2まで減少する時間
(半減期)をしらべたところ、第2表に示すとおりの結
果が得られた。
て、400Hz、100Vの電源で入力したときの初期輝度およ
び40℃、90%RH条件下で輝度が1/2まで減少する時間
(半減期)をしらべたところ、第2表に示すとおりの結
果が得られた。
第1図は本発明の電界発光素子の縦断面図を示したもの
である。 1……透明電極板、2……発光層 3……絶縁層、4……裏面電極 5……外包フィルム、6……端子電極
である。 1……透明電極板、2……発光層 3……絶縁層、4……裏面電極 5……外包フィルム、6……端子電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G02F 1/1335 530
Claims (2)
- 【請求項1】電界発光性粉粒体を、平均組成式 (こゝにR1、R2は同一または異種の炭素数3〜5のシア
ノアルキル基、R3は水素原子または非置換あるいは置換
の1価炭化水素基、a,b,cはa=0〜1.8、b=0〜1.
8、c=0〜1.0、a+b=0.8〜1.8、a+b+c=1.1
〜1.98)で示されるシアノアルキル基含有オルガノポリ
シロキサンを主成分としてなる誘電体中に分散配合して
なる組成物を発光層として層状に形成させてなることを
特徴とする電界発光素子。 - 【請求項2】前記平均組成式におけるR1、R2がシアノエ
チル基またはシアノプロピル基であるシアノアルキル基
含有オルガノポリシロキサンを主成分としてなる請求項
1に記載の電界発光素子。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63028046A JPH086087B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 電界発光素子 |
CA000590171A CA1316686C (en) | 1988-02-09 | 1989-02-06 | Electroluminescent composition and electroluminescent device therewith |
US07/306,962 US4882517A (en) | 1988-02-09 | 1989-02-07 | Electroluminescent composition containing organopolysiloxane and electroluminescent device usable as a back-lighting unit for liquid crystal display |
AU29752/89A AU611764B2 (en) | 1988-02-09 | 1989-02-08 | Electroluminescent composition and electroluminescent device therewith |
DE68922420T DE68922420T2 (de) | 1988-02-09 | 1989-02-09 | Elektrolumineszente Zusammensetzung und elektrolumineszente Vorrichtung mit dieser Zusammensetzung. |
KR1019890001473A KR970003239B1 (ko) | 1988-02-09 | 1989-02-09 | 전계 발광 조성물 및 그것을 갖는 전계 발광 소자 |
EP89102265A EP0328120B1 (en) | 1988-02-09 | 1989-02-09 | Electroluminescent composition and electroluminescent device therewith |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63028046A JPH086087B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 電界発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01204393A JPH01204393A (ja) | 1989-08-16 |
JPH086087B2 true JPH086087B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=12237804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63028046A Expired - Fee Related JPH086087B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 電界発光素子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4882517A (ja) |
EP (1) | EP0328120B1 (ja) |
JP (1) | JPH086087B2 (ja) |
KR (1) | KR970003239B1 (ja) |
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