JPH0375686A - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、エレクトロルミネッセンス現象(以下、E
L現象と略記する。)を利用したエレクトロルミネッセ
ンス素子(以下、EL素子と略記する。)に関する。
L現象と略記する。)を利用したエレクトロルミネッセ
ンス素子(以下、EL素子と略記する。)に関する。
[従来の技術]
EL現象は、ある種の蛍光体に電場を与えることにより
発光が得られるものであり、このEL現象を利用したE
L素子は、軽量薄形であることから従来から液晶表示素
子などの非発光素子のバックライトなどとして一般に使
用されている。
発光が得られるものであり、このEL現象を利用したE
L素子は、軽量薄形であることから従来から液晶表示素
子などの非発光素子のバックライトなどとして一般に使
用されている。
第5図は、樹[16中に蛍光体粉末5を分散させて発光
!!3とし、これに交流電界を印加して発光させる有機
分散型のEL素子の一例を示したものである。
!!3とし、これに交流電界を印加して発光させる有機
分散型のEL素子の一例を示したものである。
この有機分散型のEL索子は、ガラス等からなる透明基
板lの片面上に酸化インジウム・スズ(■To)等から
なる透明電極2と、発光層3と、アルミニウム等からな
る対向電極4とを順次積層してなるものである。ここで
発光層3は、硫化亜鉛(Z nS )、または硫化亜鉛
(Z nS )とセレン化亜鉛(ZnSe)の混晶など
の母材中に、発光色に応じて適宜鋼(Cu)、マンガン
(Mn)、フソ化テルビウム(TbF3)、フッ化ザマ
リウム(S mF a)などの活性化剤等を添加して発
光中心を形成した蛍光体粉末5・・・をフッ素樹脂、ポ
リビニルアルコール(PVA)、ポリカーボネート(P
C)あるいはシアンエチル化セルロース等の樹脂6中に
分散させてなるものである。
板lの片面上に酸化インジウム・スズ(■To)等から
なる透明電極2と、発光層3と、アルミニウム等からな
る対向電極4とを順次積層してなるものである。ここで
発光層3は、硫化亜鉛(Z nS )、または硫化亜鉛
(Z nS )とセレン化亜鉛(ZnSe)の混晶など
の母材中に、発光色に応じて適宜鋼(Cu)、マンガン
(Mn)、フソ化テルビウム(TbF3)、フッ化ザマ
リウム(S mF a)などの活性化剤等を添加して発
光中心を形成した蛍光体粉末5・・・をフッ素樹脂、ポ
リビニルアルコール(PVA)、ポリカーボネート(P
C)あるいはシアンエチル化セルロース等の樹脂6中に
分散させてなるものである。
そして透明電極2と対向i極4との間に、たとえば10
’V/cmオーダーで50 Hz 〜I OkHzの交
流電界を印加することにより発光せしめるようになって
いる。
’V/cmオーダーで50 Hz 〜I OkHzの交
流電界を印加することにより発光せしめるようになって
いる。
上記構成のEL素子の400Hzにおける電界輝度特性
を第6図に示した。
を第6図に示した。
[発明が解決しようとする課題〕
ところで、この構成のEL素子において、マトリクス表
示を?テなう場合には、第6図中に示したように、選択
セグメントの電界El(以下、電界E。
示を?テなう場合には、第6図中に示したように、選択
セグメントの電界El(以下、電界E。
と略記する。)ど非選択セグメントの電界Et(以下、
電界Elと略記する。)の間にてデユーティ−駆動を行
い、電界Elにおける輝度B1と電界E。
電界Elと略記する。)の間にてデユーティ−駆動を行
い、電界Elにおける輝度B1と電界E。
における輝度B、とのコントラストB 、:B !を大
きくすることが必要となる。
きくすることが必要となる。
しかしながら上記構成のEL素子の電界−輝度特性は、
第6図に示したように、印加電界に対する輝度の急峻度
がいずれの周波数においても小さいので、非選択セグメ
ントで生じるクロストークにより発光する光のため鮮明
なマトリクス表示を得るための十分なコントラストが得
られないという不都合があった。
第6図に示したように、印加電界に対する輝度の急峻度
がいずれの周波数においても小さいので、非選択セグメ
ントで生じるクロストークにより発光する光のため鮮明
なマトリクス表示を得るための十分なコントラストが得
られないという不都合があった。
この発明は上記課題を解決するためになされたものであ
って、クロストークの発生が少なく、デユーティ−駆動
した場合の選択セグメントと非選択セグメントとのコン
トラストが大きなEL素子を提供することを目的として
いる。
って、クロストークの発生が少なく、デユーティ−駆動
した場合の選択セグメントと非選択セグメントとのコン
トラストが大きなEL素子を提供することを目的として
いる。
[課題を解決するための手段]
この発明のEL素子は、透明電極が形成された透明基板
と対向電極が形成された絶縁基板との間に、蛍光体粉末
と液晶とからなる発光層を設けたことを解決手段とした
。
と対向電極が形成された絶縁基板との間に、蛍光体粉末
と液晶とからなる発光層を設けたことを解決手段とした
。
この発明のEL素子にあっては、透明電極が形成された
透明基板と対向電極が形成された絶縁基板との間に、蛍
光体粉末と液晶とからなる発光層を設け、印加する電界
に応じてこの発光層中の液晶が示す急峻な透過率の変化
により、EL素子の電界−輝度特性に急峻度を付与する
ようにし、表示コントラストを良好にした。
透明基板と対向電極が形成された絶縁基板との間に、蛍
光体粉末と液晶とからなる発光層を設け、印加する電界
に応じてこの発光層中の液晶が示す急峻な透過率の変化
により、EL素子の電界−輝度特性に急峻度を付与する
ようにし、表示コントラストを良好にした。
以下、この発明の詳細な説明する。
第1図は、この発明のEL素子の一例を示したものであ
る。第1図に示したEL素子が第5図に示した有機分散
型のEL素子と異なるところは、蛍光体粉末5・・・と
液晶7とからなる発光層3を接着剤9によって透明電極
2を形成1.た透明基板lおよび対向電極4を形成した
絶縁基板8との間に封止したところである。
る。第1図に示したEL素子が第5図に示した有機分散
型のEL素子と異なるところは、蛍光体粉末5・・・と
液晶7とからなる発光層3を接着剤9によって透明電極
2を形成1.た透明基板lおよび対向電極4を形成した
絶縁基板8との間に封止したところである。
発光層3における液晶7は、印加電界に応じて液晶が示
す急峻な透過率の変化を利用してEL素子の電界−輝度
特性に急峻度を付与するためのものである。この液晶7
は印加する電界の大きさに応じて透過率を大きく変化さ
せるものであり、たとえば第2図に示したような特性を
示すものである。第2図中、横軸は液晶7に印加する電
界の大きさを示し、縦軸は液晶7の透過率を示す。
す急峻な透過率の変化を利用してEL素子の電界−輝度
特性に急峻度を付与するためのものである。この液晶7
は印加する電界の大きさに応じて透過率を大きく変化さ
せるものであり、たとえば第2図に示したような特性を
示すものである。第2図中、横軸は液晶7に印加する電
界の大きさを示し、縦軸は液晶7の透過率を示す。
このような液晶7は、印加電界が0〜2X10’V /
amの間で透過率が急峻に変化するので、クロストーク
により発光した光を遮蔽するためEL*子の電界−輝度
特性に急峻度を付与して、コントラストをより高くする
ことができる。
amの間で透過率が急峻に変化するので、クロストーク
により発光した光を遮蔽するためEL*子の電界−輝度
特性に急峻度を付与して、コントラストをより高くする
ことができる。
よってこの発明のEL素子によれば、電界を印加した時
に輝度が急峻に変化するようになるので、クロストーク
により発光した光を遮蔽できるため、ElとE、間の電
界差が小さなデユーティ−駆動を行なっても十分なコン
トラストを有する発光を得ることができる。この結果、
従来は困難であるとされていたセグメントあるいはドツ
トマトリクス駆動の有機分散型のEL素子を実現するこ
とができる。
に輝度が急峻に変化するようになるので、クロストーク
により発光した光を遮蔽できるため、ElとE、間の電
界差が小さなデユーティ−駆動を行なっても十分なコン
トラストを有する発光を得ることができる。この結果、
従来は困難であるとされていたセグメントあるいはドツ
トマトリクス駆動の有機分散型のEL素子を実現するこ
とができる。
このような構成のEL素子は、たとえば以下の工程によ
って製造することができる。
って製造することができる。
まずガラスあるいは高分子フィルム等からなる透明基板
lと絶縁基板8とを用意し、この透明基板!上にITO
等からなる透明電極2を形成ずろ。
lと絶縁基板8とを用意し、この透明基板!上にITO
等からなる透明電極2を形成ずろ。
この透明電極2は、真空蒸着あるいはスパッタリング法
等により形成し、そのバターニングは、マスキングによ
り行なっても、あるいは蒸着後のエツチングにより行な
ってよい。またここで透明電極2はIkΩ/C−以下の
シート抵抗が好ましい。また絶縁基板8上にはIkΩ/
cm”以下のシート抵抗の対向電極4を形成する。この
対向電極4は、アルミニウム(A 12)の金属やIT
O等の導電性を有する金属酸化物からなるものであって
、真空蒸着等により被着させるほか、AQ等の金属粉末
を有機樹脂中に分散させた導電性ペーストを塗布するこ
とにより形成することができる。
等により形成し、そのバターニングは、マスキングによ
り行なっても、あるいは蒸着後のエツチングにより行な
ってよい。またここで透明電極2はIkΩ/C−以下の
シート抵抗が好ましい。また絶縁基板8上にはIkΩ/
cm”以下のシート抵抗の対向電極4を形成する。この
対向電極4は、アルミニウム(A 12)の金属やIT
O等の導電性を有する金属酸化物からなるものであって
、真空蒸着等により被着させるほか、AQ等の金属粉末
を有機樹脂中に分散させた導電性ペーストを塗布するこ
とにより形成することができる。
ついでこの対向電極4上に、蛍光体粉末5・・・と液晶
7とからなる発光層3を形成する。この発光層3は、ま
ずフッ素樹脂等からなる樹脂6の希薄溶液中に蛍光体粉
末5・・・を分散させてなる溶液をスクリーン印刷やブ
レード法等の厚膜形成手段により塗布した後、溶媒を加
熱乾燥させることにより!0〜80 p mの膜厚に形
成し、ついで透明基板lおよび絶縁基板8を、透明電極
2と対向電極4とが互いに対向するように配置し、エポ
キシ樹脂等からなる接着剤9によって第3図に示したよ
うに、透明基板lの周辺部の一部に液晶注入口IOを開
口せしめて接着してセルを作成する。
7とからなる発光層3を形成する。この発光層3は、ま
ずフッ素樹脂等からなる樹脂6の希薄溶液中に蛍光体粉
末5・・・を分散させてなる溶液をスクリーン印刷やブ
レード法等の厚膜形成手段により塗布した後、溶媒を加
熱乾燥させることにより!0〜80 p mの膜厚に形
成し、ついで透明基板lおよび絶縁基板8を、透明電極
2と対向電極4とが互いに対向するように配置し、エポ
キシ樹脂等からなる接着剤9によって第3図に示したよ
うに、透明基板lの周辺部の一部に液晶注入口IOを開
口せしめて接着してセルを作成する。
ついでこのセル内に、液晶注入口lOから液晶7を注入
した後、液晶注入口10をエポキシ樹脂等からなる接着
剤によって接着封止してで発光層3を形成する。
した後、液晶注入口10をエポキシ樹脂等からなる接着
剤によって接着封止してで発光層3を形成する。
ここで、接着剤9は、透明なガラスピーズ等からなるス
ペーサが混入されたものであってもよい。
ペーサが混入されたものであってもよい。
また樹脂6および蛍光体粉末5からなる層と透明電極l
との間に、スペーサとして蛍光体粉末5あるいは透明な
ガラスピーズ等を介在させてしよい。
との間に、スペーサとして蛍光体粉末5あるいは透明な
ガラスピーズ等を介在させてしよい。
ここで液晶7としては、液晶表示素子等に広く用いられ
ているツィステッドネマチック型液晶、スメクチック型
液晶、コレステリック型液晶などのほか、ポリシロキサ
ン系の高分子液晶を、単体あるいは数種混合して利用す
ることができる。
ているツィステッドネマチック型液晶、スメクチック型
液晶、コレステリック型液晶などのほか、ポリシロキサ
ン系の高分子液晶を、単体あるいは数種混合して利用す
ることができる。
またこの液晶7中に、少なくとも蛍光体粉末5の発光色
を吸収する二色性色素を添加すると、コントラストをよ
り一層増大させることができる。
を吸収する二色性色素を添加すると、コントラストをよ
り一層増大させることができる。
発光Fe2に用いられる蛍光体粉末5・・・は、El。
素子の表示色によって適宜選択されるが、ELJR子と
して通常用いられる蛍光体粉末を用いることができ、た
とえば硫化亜鉛(Z nS )またはZnSとセレン化
亜鉛(ZnSe)の混晶などの母材中に、発光色に応じ
て適宜、銅(Cu)、マンガン(Mn)、フソ化テルビ
ウム(TbFs)、フッ化サマリウム(SmFs)など
の付活剤等を添加して発光中心を形成したもの等を用い
ることができる。
して通常用いられる蛍光体粉末を用いることができ、た
とえば硫化亜鉛(Z nS )またはZnSとセレン化
亜鉛(ZnSe)の混晶などの母材中に、発光色に応じ
て適宜、銅(Cu)、マンガン(Mn)、フソ化テルビ
ウム(TbFs)、フッ化サマリウム(SmFs)など
の付活剤等を添加して発光中心を形成したもの等を用い
ることができる。
そして透明電極2と対向電極4とをそれぞれリード線に
より接続した後、素子全体を三フッ化塩化エヂレン等の
防湿性の有機フィルム等により封止して、この発明の電
場発光素子とすることができる。
より接続した後、素子全体を三フッ化塩化エヂレン等の
防湿性の有機フィルム等により封止して、この発明の電
場発光素子とすることができる。
なお、この発明のEL素子にあっては、透明電極2と対
向電極4との間に誘電体層を設けてもよい。たとえば、
発光層3と対向電極4との間に設ける誘電体層として、
誘電材料を樹脂中に分散させてなるものがあり、この際
の誘電材料としては、酸化ケイ素(SiOt)、酸化ア
ルミニウム(AQtos)、酸化イツトリウム(y t
o 3)、窒化ケイ素(Si*N4)などのほか、チタ
ン酸バリウム(B aT io 3)や五酸化タンタル
(’r ato s)等が好適に用いられる。
向電極4との間に誘電体層を設けてもよい。たとえば、
発光層3と対向電極4との間に設ける誘電体層として、
誘電材料を樹脂中に分散させてなるものがあり、この際
の誘電材料としては、酸化ケイ素(SiOt)、酸化ア
ルミニウム(AQtos)、酸化イツトリウム(y t
o 3)、窒化ケイ素(Si*N4)などのほか、チタ
ン酸バリウム(B aT io 3)や五酸化タンタル
(’r ato s)等が好適に用いられる。
このような誘電体層を設けることにより、電界印加時の
蛍光体粉末5の誘電破壊を防止することができるように
なり、EL素子の安定性を向上させることかできる。
蛍光体粉末5の誘電破壊を防止することができるように
なり、EL素子の安定性を向上させることかできる。
[実施例コ
(実施例1)
ガラス基板を2枚用意し、その一方の基板の片面上に、
ITOを真空蒸着して所定パターンを有するシート抵抗
10Ω/C−の透明電極を形成し、また他方の基板の片
面上には、膜厚0.3μmのAft薄膜を所定パターン
に被着して対向電極を形成した。次にPVAの溶液中に
、ZnS:Cu系の平均粒径25μmの蛍光体粉末を加
え、十分に撹拌した後、これを上記対向電極上にスクリ
ーン印刷法により均一に塗布し、100℃で2時間乾燥
し、約30μmの層を形成した。ついで、この2枚のガ
ラス基板を、透明電極と対向電極とが対向するように配
置し、エポキシ樹脂からなる接着剤によってこれら基板
の周辺部の一部に液晶注入口を開口せしめて接着し、こ
れを120℃で2時間加熱して、セルを作成した。この
後このセル内に、液晶(E M Chemicals
:E 7 )を真空注入法により注入した後、液晶注入
口をエポキシ樹脂によって接着封止することにより発光
層を形成した。ついで透明電極と対向電極とをリード線
で接続し、このようにして形成されたEL素子全体を防
湿性の三フッ化塩化エヂレンフィルムにより封止して、
実施例1のEL索子とした。
ITOを真空蒸着して所定パターンを有するシート抵抗
10Ω/C−の透明電極を形成し、また他方の基板の片
面上には、膜厚0.3μmのAft薄膜を所定パターン
に被着して対向電極を形成した。次にPVAの溶液中に
、ZnS:Cu系の平均粒径25μmの蛍光体粉末を加
え、十分に撹拌した後、これを上記対向電極上にスクリ
ーン印刷法により均一に塗布し、100℃で2時間乾燥
し、約30μmの層を形成した。ついで、この2枚のガ
ラス基板を、透明電極と対向電極とが対向するように配
置し、エポキシ樹脂からなる接着剤によってこれら基板
の周辺部の一部に液晶注入口を開口せしめて接着し、こ
れを120℃で2時間加熱して、セルを作成した。この
後このセル内に、液晶(E M Chemicals
:E 7 )を真空注入法により注入した後、液晶注入
口をエポキシ樹脂によって接着封止することにより発光
層を形成した。ついで透明電極と対向電極とをリード線
で接続し、このようにして形成されたEL素子全体を防
湿性の三フッ化塩化エヂレンフィルムにより封止して、
実施例1のEL索子とした。
この実施例IのEL素子に、交流電界を周波数400H
zにて0から3 、OX I O’V/cmまで変化さ
せつつ印加し、その発光輝度を測定したところ第4図に
示したような電界−輝度特性が得られた。
zにて0から3 、OX I O’V/cmまで変化さ
せつつ印加し、その発光輝度を測定したところ第4図に
示したような電界−輝度特性が得られた。
また第4図中に示したように、選択状態E、を2.5
X I O’V/cm、非選択状態E、を0.9×10
’V/amとし、この間でデユーティ−駆動させたとこ
ろ、B、:Bt−30:Iのコントラストを有する発光
が得られ、従来の有機分散型のEL発光素子の45:l
のコントラストに比較して格段に向上していることが確
認できた。
X I O’V/cm、非選択状態E、を0.9×10
’V/amとし、この間でデユーティ−駆動させたとこ
ろ、B、:Bt−30:Iのコントラストを有する発光
が得られ、従来の有機分散型のEL発光素子の45:l
のコントラストに比較して格段に向上していることが確
認できた。
(実施例2)
実施例1のEL素子の液晶として、黄色系の二色性色素
であるG−232(日本感光色素製)、赤色系の二色性
色素であるLSR−405(三菱化成製)および青色系
の二色性色素であるL M B040(三菱化成製)を
1 :1 :1の割合で混合して得られた黒色の二色性
色素を液晶に対して5重量%添加し、均一に分散させた
以外は実施例Iと全く同様にしてE L素子を製造して
、これを実施例2とした。
であるG−232(日本感光色素製)、赤色系の二色性
色素であるLSR−405(三菱化成製)および青色系
の二色性色素であるL M B040(三菱化成製)を
1 :1 :1の割合で混合して得られた黒色の二色性
色素を液晶に対して5重量%添加し、均一に分散させた
以外は実施例Iと全く同様にしてE L素子を製造して
、これを実施例2とした。
この実施例2のEL素子を、実施例1と全く同様の条件
にて発光させたところ、コントラスト100:1が得ら
れた。
にて発光させたところ、コントラスト100:1が得ら
れた。
なお本実施例において、発光層に蛍光体粉末が樹脂に固
定された構造を用いているが、この発明はこれらに限ら
れるものではなく、たとえば蛍光体粉末が透明基板と絶
縁基板の間に充填された構造を用いてもよい。
定された構造を用いているが、この発明はこれらに限ら
れるものではなく、たとえば蛍光体粉末が透明基板と絶
縁基板の間に充填された構造を用いてもよい。
また対向電極としてAffを用いた構造を示したが、こ
の発明はこれに限られるものではなく、たとえば絶縁基
板に透明材料を用い、かつ対向電極としてITO等の透
明電極を用いてもよい。
の発明はこれに限られるものではなく、たとえば絶縁基
板に透明材料を用い、かつ対向電極としてITO等の透
明電極を用いてもよい。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明のEL素子は、透明電極
が形成された透明基板と対向電極が形成された透明基板
との間に、蛍光体粉末および液晶とからなる発光層を設
けたので、電界印加時に発光層中の液晶が示す透過率の
急峻な変化によりEI、素子の輝度に急峻な変化を付与
することができるため、クロストークにより発光した光
を遮蔽せしめることで、表示コントラストを大きくする
ことができ、その結果、従来の有機分散型のEL素子に
おいては困難であるとされていたセグメントあるいはド
ツトマトリクス表示を行うことができるようになる。
が形成された透明基板と対向電極が形成された透明基板
との間に、蛍光体粉末および液晶とからなる発光層を設
けたので、電界印加時に発光層中の液晶が示す透過率の
急峻な変化によりEI、素子の輝度に急峻な変化を付与
することができるため、クロストークにより発光した光
を遮蔽せしめることで、表示コントラストを大きくする
ことができ、その結果、従来の有機分散型のEL素子に
おいては困難であるとされていたセグメントあるいはド
ツトマトリクス表示を行うことができるようになる。
さらにこの発明のEL素子においては、発光層中の液晶
に少なくとも蛍光体粉末の発光色の波長を吸収する二色
性色素を添加することによりコントラストを格段に大き
くすることができる。
に少なくとも蛍光体粉末の発光色の波長を吸収する二色
性色素を添加することによりコントラストを格段に大き
くすることができる。
第1図はこの発明のEL素子の一例の概略構成図、第2
図は第1図に示したEL素子の液晶の電界−透過率特性
を示したグラフ、第3図はこの発明のEL素子を製造す
る際の接着剤の接着パターンを示した平面図、第4図は
第1図に示したEL素子の電界−輝度特性を示したグラ
フ、第5図は従来の有機分散型のEL素子の概略構成図
、第6図は第5図に示した有機分散型のEL素子の電界
輝度特性を示したグラフである。 1・・・透明基板、 2・・・透明電極、 3・・・発光層、 4・・・対向電極、 5・・・蛍光体粉末、 6・・樹脂、 7・・・液晶、 8・・・絶縁基板、 9・・・接着剤。
図は第1図に示したEL素子の液晶の電界−透過率特性
を示したグラフ、第3図はこの発明のEL素子を製造す
る際の接着剤の接着パターンを示した平面図、第4図は
第1図に示したEL素子の電界−輝度特性を示したグラ
フ、第5図は従来の有機分散型のEL素子の概略構成図
、第6図は第5図に示した有機分散型のEL素子の電界
輝度特性を示したグラフである。 1・・・透明基板、 2・・・透明電極、 3・・・発光層、 4・・・対向電極、 5・・・蛍光体粉末、 6・・樹脂、 7・・・液晶、 8・・・絶縁基板、 9・・・接着剤。
Claims (1)
- 透明電極を形成した透明基板と対向電極を形成した絶
縁基板との間に、蛍光体粉末と液晶とからなる発光層を
設けたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子
。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1211687A JPH0375686A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | エレクトロルミネッセンス素子 |
US07/530,134 US5115329A (en) | 1989-08-17 | 1990-05-29 | Electroluminescent device having a liquid crystal layer adjacent to the electroluminescent layer without any electrode placed therebetween |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1211687A JPH0375686A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0375686A true JPH0375686A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16609924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1211687A Pending JPH0375686A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5115329A (ja) |
JP (1) | JPH0375686A (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2838735B2 (ja) * | 1991-07-05 | 1998-12-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像読取装置 |
KR100440365B1 (ko) * | 1995-09-25 | 2004-12-30 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전광조명시스템및그러한시스템을구비한평판화상디스플레이장치 |
DE19645869A1 (de) * | 1996-11-07 | 1998-05-14 | Deutsche Telekom Ag | Tragbarer, kartenförmiger Datenträger mit einer optischen Anzeigeeinrichtung |
JPH10145476A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-29 | Casio Comput Co Ltd | 表示部及び操作部付き電子機器 |
US20070164661A1 (en) * | 1999-07-26 | 2007-07-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Fluorescent conversion medium and color light emitting device |
DE19950782A1 (de) * | 1999-10-21 | 2001-05-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Transparente organische Elektrolumineszenzanordnungen |
JP2001291594A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Canon Inc | 導電性液晶素子 |
JP4300396B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2009-07-22 | 富士ゼロックス株式会社 | 表示素子の製造方法及び表示素子 |
JP4269748B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2009-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP4446697B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2010-04-07 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
GB0805751D0 (en) * | 2008-03-29 | 2008-04-30 | Pelikon Ltd | Electoluminescent displays |
GB0413121D0 (en) * | 2004-06-11 | 2004-07-14 | Pelikon Ltd | Improved displays |
KR100719706B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 유기 발광표시장치 |
US8203619B2 (en) * | 2009-09-30 | 2012-06-19 | Sony Corporation | Target bit rate decision method for wavelet-based image compression |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4845187A (ja) * | 1971-10-11 | 1973-06-28 | ||
US4097776A (en) * | 1977-03-25 | 1978-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Coated electroluminescent phosphors |
JPS53133460A (en) * | 1977-04-27 | 1978-11-21 | Seiko Epson Corp | Display device |
DE3031126A1 (de) * | 1980-08-18 | 1982-04-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur darstellung von bildern |
JPS58221828A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-23 | Sharp Corp | 表示装置 |
JPS5994740A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-05-31 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JPH086087B2 (ja) * | 1988-02-09 | 1996-01-24 | 信越化学工業株式会社 | 電界発光素子 |
-
1989
- 1989-08-17 JP JP1211687A patent/JPH0375686A/ja active Pending
-
1990
- 1990-05-29 US US07/530,134 patent/US5115329A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5115329A (en) | 1992-05-19 |
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