KR970003239B1 - 전계 발광 조성물 및 그것을 갖는 전계 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

내용없음.

Description

전계 발광 조성물 및 그것을 갖는 전계 발광 소자
제1도는 본 발명에 따른 전계 발광 소자의 종단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 투명 전극판 2 : 발광층
3 : 절연층 4 : 이면 전극(backing electrode)
5 : 케이징(casing) 필름 6 : 단자 전극
본 발명은 전계 발광 조성물 및 조성물의 발광층을 갖는 전계 발광 소자에 관한 것이다. 보다 상세히 설명하면, 본 발명은 매트릭스로서 특정 유전체를 그리고 매트릭스에 분산된 전계 발광성 분립체를 함유하는 전계 발광 조성물, 및 조성물의 발광층을 함유하는 높은 명도의 빛을 균질하게 발광하고 수명 특성이 우수한 분산형 전계 발광 소자에 관한 것이다.
전계 발광 소자는, 다른 형태의 발광 소자와는 달리, 일반적으로 낮은 전력 소비로 평면 광원을 여할 수 있는 것을 특징으로 하고 최근에는 조명 및 파넬표시 단위로서 급속히 주목을 받고 있다. 전계 발광 소자는 발광층의 구조에 따라 분산형 및 박막형으로 분류되며, 전자는 제조의 용이성, 가격의 저렴성, 원하는 형태로의 조형성등과 같은 잇점 때문에 이제 액정표시 단위의 배면(back), 안내등, 철야등 등으로서 실용화되는 개시 단계에 있다.
분산형 전계 발광 소자의 발광체는 매트릭스인 유전체 및 매트릭스중에 균질하게 분산된 황화아연, 셀렌화아연, 규산아연, 질화붕소, 탄화규소 같은 전계 발광성 분립체를 함유하는 조성물로 이루어진 박층이다. 전계 발광 소자는 기본적으로, 유전체 용액에 분산시킨 전계 발광성 분립체의 분산액인 피복액을 전극의 하나로 제공되는 기판에 도포하여 얇은 피복층을 형성하고, 용매를 증발시킨 후 층을 가압히 가열에 의한 접착 결합에 의해 다른 전극 기판으로 샌드위치 시킴으로써 제조된다. 전계 발광층의 명도가 매트릭스인 유전체의 유전율에 의해 좌우되며 보다 큰 유전율을 갖는 유전체가 더 높은 명도를 부여한다는 것이 공지되어 있다.
목적을 위해 사용되는 높은 유전율의 유전체는 통상적으로 시아노에틸 셀룰로스, 시아노에틸 전분, 시아노에틸 풀룰란 등과 같은 시아노에틸화 다당류, 시아노 에틸 히드록시에틸 셀룰로스, 시아노 에틸 글리세롤 풀랄란등과 같은 시아노 에틸화 다당류 유도체, 시아노에틸 폴리(비닐알콜)등과 같은 시아노에틸화 폴리올 화합물 및 폴리(비닐리덴 플루오라이드)등과 같은 플루오로카본 수지를 포함하는 큰 유전율을 갖는 고분자 물질이다.
그러나 이들 공지의 고-유전성 고분자 물질은 여러 결점 및 문제점을 가지며, 전계 발광성 분립체의 매트릭스 물질로서 항상 만족스러운 것은 아니다.
예를들면, 시아노에틸화 다당류, 시아노 에틸화 다당류 유도체 및 시아노에틸 폴리(비닐알콜)은 공통적으로 큰 흡습성이라는 결점을 갖는다. 이러한 고분자 물질을 전계 발광성 분립체의 매트릭스로 사용하면, 즉, 전계 발광성 물질이 매트릭스의 큰 흡습량에 의해 영향을 받아 발광효율이 저하되면 전계 발광소자의 수명이 불가피하게 단축된다. 이러한 바람직하지 않은 현상은 소자의 제조 공정에 있어서 엄중한 습도관리 및 매트릭스 물질의 습도 제거 수단을 취함으로써 어느 정도 방지할 수 있기만 하지만, 이러한 수단은 그로 인해 얻어지는 효과의 불완전성을 언급하지 않는다해도 제조공정의 생산성면에서 바람직하지 않다.
한편, 시아노에틸 셀룰로스 및 시아노에틸 전분은 기판 전극에 대한 접착 결합 강도가 상대적으로 낮아서 때때로 전극과 발광층 사이에 공극이 형성되거나 또는 전극과 발광층의 부분적인 표층박리가 일어나서 전계 발광 소자의 특징중 하나인 발광 균질성이 현저하게 감소되는 문제점을 갖는다. 이러한 낮은 접착 결합 강도의 문제점은 매트릭스 중합체를 가소제와 혼합함으로써 부분적으로 해결할 수 있긴 하지만 가소제의 혼합물은 불가피하게 유전율의 감소를 유발하여 결과적으로 명도를 감소시킬 뿐만 아니라 발광체의 수명도 단축시킨다.
시아노에틸 히드록시에틸 셀룰로스, 시아노 에틸 글리세롤 풀룰란 및 시아노에틸 폴리(비닐 알콜)에 있어서의 또 다른 심각한 문제점은 유전율의 비교적 큰 온도 의존성인데 이는 때때로 이들 중합체를 매트릭스로 사용하는 전계 발광 소자를 이용할 수 있는 온도 범위를 제한한다.
한편, 폴리(비닐리덴 플루오라이드)등과 같은 플루오로 카본수지는 낮은 흡습성 및 유전율의 낮은 온도 의존성의 측면에서는 유리하다. 그러나, 이 계열의 중합체의 유전율은 일반적으로 시아노에틸화 다당류 및 다당류유도체의 약 절반밖에 안되는 정도로 작기 때문에 이러한 중합체를 사용하는 소자의 명도는 본질적으로 충분히 높을 수가 없다.
따라서, 본 발명은 종래기술의 상술한 문제점 및 결점을 갖지 않는 전계 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 하며, 본 발명의 소자의 발광체는(a) 매트릭스로서, 하기 평균 단위식(I)로 표시되는 오르가노 폴리실록산으로 주로 이루어진 유전성 고분자 물질 ; 및
R1aR2bSiO(4-a-b)/2 (I)
(상기 식중, R1은 3 내지 5탄소원자의 시아노알킬이고, R2는 일가탄화수소기 또는 탄소원자이고, 첨자 a는 0.8 내지 1.8범위의 양수이고, 첨자 b는 0 또는 1.0을 넘지 않는 양수이고, 단 a+b는 1.1 내지 1.98이다)
(b) 매트릭스에 분산된 전계 발광 분립체를 함유하는 조성물로 형성된 층이다.
상기 설명으로부터 알수 있는 바와 같이, 본 발명의 전계 발광 조성물의 가장 큰 특징은 매트릭스로서 독특한 유전체를 사용하는 데에 있다. 즉, 본 발명의 전계 발광 조성물의 매트릭스 물질은 큰 유전율 및 적은 유전정접(dielectric tangent) 같은 우수한 전기특성과 함께 낮은 흡습성 및 양호한 필름 성형성을 갖는 시아노알킬기-함유 오르가노폴리실록산이기 때문에, 전계 발광층의 매트릭스로서 이러한 유전체를 사용하여 제조한 전계 발광 소자는 종래 기술의 공지 전계 발광 소자의 문제점 및 결점을 갖지 않는다.
유전성 매트릭스 중에 분산되는 전계 발광성 분립체는 황화카드뮴 Cds, 황화아연 ZnS, 셀렌화아연 ZnSe, 규산아연 ZnSiO, 질화붕소 BN, 탄화규소 SiC 같은 형광체 물질을 포함하는 공지의 것일 수 있다. 전계 발광성 분립체는 바람직하게는 그로부터 제조되는 전계 발광 소자의 발광 효율면에서 50μm를 초과하지 않는 평균 입경을 갖는다.
본 발명의 전계 발광 조성물은 매트릭스인, 하기 평균 단위식 (I)로 나타내지는 특정 시아노알킬기-함유 오르가노폴리실록산으로 주로 이루어진 유전체에 상기 전계 발광성 분립체를 분산 시킴으로서 제조한다.
R1aR2bSiO(4-a-b)/2 (I)
상기 식에서, R1은 2-시아노에틸, 3-시아노프로필, 4-시아노부틸, 2-시아노프로필, 2-시아노부틸 및 2-메틸-2-시아노프로필기 같은 3 내지 5 탄소원자의 시아노알킬이다.
오르가노폴리실록산의 분자내에 두 종류 이상의 이들 시아노알킬기가 함유되어 있는 것은 임의적이다. 식에서, 부호 R2는 수소원자 또는 알킬기(예, 메틸, 에틸, 프로필 및 부틸기), 시클로알킬기(예, 시클로헥실기) 및 아릴기(예, 페닐 톨릴기)로 예시되는 일가 탄화수소기를 나타낸다.
이들 탄화수소기중의 수소원자는 할로겐 원자에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환되어 클로로메틸 3,3,3-트리플루오로프로필 및 6,6,6-트리플루오로헥실기 같은 할로겐-치환탄화수소기를 제공할 수 있다.
성분(a)의 요소인 오르가노폴리실록산은 전기장에 배향 및 분극되어 있는 R1으로 표시되는 시아노알킬기의 고극성 니트릴기에 의해 높은 유전율을 갖는다.
이러한 점에서, 평균 단위식(I)의 점차 a는 0.8이상이어야만 하는데, 이는 그의 a값이 0.8보다 작은 오르가노폴리실록산이 불충분한 양의 니트릴기를 가져서 결과적으로 감소된 유전율을 갖게되어 이러한 오르가노폴리실록산을 매트릭스로 사용하여 제조한 전계 발광 소자가 충분한 명도를 발휘할 수 없기 때문이다. 평균 단위식(I)의 a값은 오르가노폴리실록산의 유전율을 더 증가시키기 위해 가능한 한 클수록 바람직하지만, 다량의 니트릴기를 오르가노폴리실록산에 도입하는 것은 오르가노폴리실록산의 공업적 제조에 어려움을 일으킬 수 있기 때문에 점차 a의 값은 0.8 내지 1.8의 범위를 제한된다. R2로 표시되는 기의 상대적 함량과 관련된 첨자 b는 1.0을 초과하지 않고, 바람직하게는 0.01 내지 0.1의 범위내에 있다. 상술한 상한치보다 큰 b의 값은 기 R2에 대한 R1으로 표시되는 시아노 알킬기의 함량이 너무 감소되어 a+b의 값의 제한이라는 관점에서 유전율의 감소가 유발되는 것을 의미한다. 즉, 평균 단위 식(I)의 a+b는 1.1 내지 1.98의 범위내에 있다. a+b의 값이 1.1 보다 작으면, 오르가노폴리실록산은 측쇄가 매우 많은 분자 구조를 갖는 매우 부서지기 쉬운 수지성 물질의 형태로 있어, 이러한 오르가노폴리실록산을 이용하여 제조한 발광층은 불량한 충격 강도를 가져 충격에 의해 쉽게 균열이 생기며 유연성을 갖는 전계 발광 소자를 제조할 수 없다. 한편, a+b의 값이 너무 크면, 오르가노폴리실록산이 필름 성형성이 없는 오일의 형태로 있어서, 전계 발광성 분립체의 매트릭스 물질로 사용될 수 없다.
시아노알킬기-함유 오르가노폴리실록산은 실리콘 제품의 분야에서 통용되는 공지 방법에 의해 합성할 수 있다. 예를들면, 시아노알킬기-함유 유기화합물을 시아노알킬 화합물과 반응하는 기를 갖는 가수분해성 오르가노실란과 반응시켜 시아노알킬기-함유 가수분해성 오르가노실란 화합물을 제조한 후, 이를 가수분해 및 축합 반응시켜 시아노알킬기-함유 오르가노폴리실록산을 수득한다. 부가반응, 탈알콜 축합반응, 탈수축합 반응을 포함하는 오르가노실리콘 화학에 공지되어 있는 각종 종류의 반응을 필요에 따라 촉매 및/또는 용매를 첨가하거나 또는 첨가하지 않은 채로 오르가노폴리실록산의 제조에 적용할 수 있다.
본 발명의 전계 발광 소자는 상술한 시아노알킬기-함유 오르가노폴리실록산으로 주로 이루어진 매트릭스 물질을 유전체로서, 및 매트릭스중에 분산된 전계 발광성 분립체를 함유하는 조성물로 형성된 발광층을 포함한다. 전계 발광성 분립체를 아세톤, N, N-디메틸포름아미드, 니트로메탄, 아세토니트릴, N-메틸-2-피롤리돈중의 하나 또는 그의 혼합물인 유기 용매에 용해시킨 시아노알킬기-함유 오르가노폴리실록산의 용액에 교반하게 첨가하고 용매를 증발시킴으로써 전계 발광성 분립체를 매트릭스에 분산시킨다. 매트릭스에 첨가되는 전계 발광성 분립체의 양은 시아노알킬기-함유 오르가노폴리실록산을 기준으로 하여 바람직하게는 20 내지 80부피%이다. 그의 양이 너무 적으면, 발광층중의 전계 발광성 분립체의 함량이 너무 적게되어 이러한 발광층을 갖는 전계 발광 소자가 충분한 명도를 나타낼 수 없다, 한편 전계 발광성 분립체의 양이 너무 많으면, 매트릭스에 분말을 균일하게 분산시키기가 어렵게 된다.
본 발명의 전계 발광 조성물의 발광층은, 상술한 방법으로 제조한 시아노알킬기-함유 오르가노폴리실록산의 용액에 분산시킨 전계 발광성 분립체의 분산액을 스크린 인쇄 같은 공지 방법에 의해 예를들면 10 내지 70μm에 피복 두께로 기판전극에 도포하고, 건조시킴으로써 형성된다.
바람직하게는 투명도를 갖는 전극 기판은 특정 종류로 특별히 한정되지는 않는다. 전형적인 전극 기판은 폴리에스테르 필름상에 형성된 투명 전도층인 산화인듐의 박층이다. 상술한 전계 발광성 분립체의 분산액은 필요에 따라 고 유전체, 강유전체, 반도체 산화물을 포함하는 공지의 첨가제와 더 혼합할 수 있다.
본 발명에 따른 전계 발광 소자의 제조에 있어서는, 발광층을 상출한 방법으로 투명 전극 기판상에 형성하고, 공지의 방법으로 절연 오버코팅층을 그 위에 형성하고, 두께 20 내지 100μm의 알루미늄 호일을 80 내지 180℃에서 통과시켜 이면 전극(backing electrode)을 그 위에 제작하고, 투명 전극 및 이면 전극에 각각 납철사를 장착하여 운동회로에 연결된 전극 단자로 사용한다.
본 발명의 전형적인 전계 발광 소자는 첨부되는 도면에 종단면도로서 설명되어 있다. 도면에서, 산화인듐, 산화주석등의 투명 전도성 필름으로 피복된 폴리에스테르 및 셀룰로스 아세테이트 같은 플라스틱 수지의 필름 또는 유리판인 투명 전극판 1에는 매트릭스인 시아노알킬기-함유 오느가노폴리실록산 및 매트릭스 중에 분산된 전계 발광성 분립체를 함유하는 조성물로 이루어진 발광층 2, 소자의 유전 강도를 증가시키고 발광의 전압 의존성을 감소시키기 위해 사용되는 티탄산비륨으로 이루어진 절연층 3, 및 알루미늄, 은 등의 호일로 된 이면 전극 4를 포함하는 층들이 연속적으로 적층되어 있고, 전극 단자 6은 투명전극판 1 및 이면 전극 4에 연결되어 있고 발광 조립체를 싸고 있는 케이징 5의 밖으로 나와 있다.
상술한 구조를 갖는 본 발명의 전계 발광 소자는 전계 발광성 분립체의 매트릭스로서 시아노알킬기-함유오르가노폴리실록산을 사용함으로써 종래의 것에 비해 몇가지 장점 : 높은 명도의 발광 및 명도의 낮은 온도 의존성 ; 장시간의 점등 후에 명도가 약간 감소되지 않는점 ; 우수한 충격강도 및 유연성 ; 및 우수한 내열성 및 높은 열분해 온도를 갖는다. 따라서, 본 발명의 전계 발광 소자는 액정 표시의 백라이트(back light)뿐만 아니라 면 발광체로서 광범위하게 공업적으로 이용할 수 있다.
본 발명은 하기에서 보다 상세히 설명된다. 처음에는 전계 발광성 분립체의 유전성 매트릭스 물질로서 시아노알킬기-함유 오르가노폴리실록산을 제조하는 합성예가 주어지고, 그 다음에 매트릭스 물질을 이용하여 제조한 전계 발광 소자의 예가 주어진다.
[합성 제조예]
제조예 1에서는, 이 작용성 가수분해성 실란으로서의 2-시아노에틸 메틸 디메톡시 실란 15.9g 및 삼작용성 가수분해성 실란으로서의 2-시아노에틸 트리에톡시 실란 21.7g을 100ml 용량의 3경 플라스크에 도입하고, 9g의 정제수에 0,30ml의 15% 테트라메틸 수산화암모늄 수용액을 첨가하여 제조한 수용액을 교반하여 플라스키내의 실란 혼합물에 적가하고, 플라스크내에 균질 용액이 형성되면 혼합물을 90℃에서 2시간동안 가열하여 실란의 공동가수분해 및 축합을 행한다. 생성된 생성물을 반고체의 투명한 물질이며, 이는 화학 분석에 의해 출발 실란 혼합물의 배합에 대략적으로 대응하는 양의 2-시아노에틸기를 함유하는 오르가노폴리실록산으로 확인할 수 있다.
제조예 2 및 3의 합성 공정은 반응 혼합물의 배합을 변형시키는 것을 제외하고, 즉 2-시아노에틸 메틸 디메톡시실란, 2-시아노에틸 트리에톡시 실란, 및 물의 양을 제조예 2에선 각각 9.5g, 30.4g 및 10g으로, 제조예 3에서는 각각 6.4g, 34.7g 및 12g으로 하는 것을 제외하고 상기와 실질적으로 동일하다.
삼작용성 가수분해성 실란에 대한 이작용성 가수분해성 실란의 몰비는 제조예 1에서는 1.0인 반면에 제조예 2 및 3에서는 각각 0.43 및 0.25이다. 따라서, 제조예 2 및 3에서 얻어진 생성물은 반고체이기 보다는 고체이다.
이렇게하여 제조한 시아노에틸기-함유 오르가노폴리실록산의 각각을 아세톤에 용해시키고, 주입 성형 후에 80℃에서 4시간동안 건조시킴으로써 용액으로부터 약 0.10mm의 두께를 갖는 오르가노폴리실록산의 필름을 제조한다. 오르가노폴리실록산 필름에 대하여, 20℃ 및 1kHz의 주파수에서 유전특성, 즉 유전율 및 유전정접을 측정하고, 실온에서 기계적 강도, 즉 인장강도 및 극한 신장을 측정하고, 25℃, 75% 상대습도의 대기에서 120시간동안 보존한 후의 흡습량을 측정하고, 공기중에서 열 분해온도를 측정하고 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
비교를 위하여, 시아노에틸 셀룰로스(아크릴로셀(Acrylocel), 미합중국 Tel System Inc. 사 제품 ) 및 문헌 (Journal of Electrochemical Society, volume 111, No. 11, pages 1239∼1243(1964)에 기술된 공정에 따라 얻은 시아노에틸폴리(비닐알콜)(이후에는 각각 CEC 및 CPVA로 약칭한다)로부터 필름을 더 제조하고, 이들 비교용 필름의 특성을 상기와 동일한 방법으로 측정하고 결과를 역시 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure kpo00001
[실시예]
상실한 제조예 1 내지 3과 동일한 방법으로 얻은 시아노에틸기-함유 오르가노폴리실록산 80g씩을 120g의 N,N-디메틸포름아미드에 용해시켜 용액을 제조한다. 각 용액의 반을 평균 입경 20μm을 갖는 식 ZnS : CuAl의 전계 발광성 황화아연-기초 형광 물질과 오르가노폴리실록산을 기준으로 40부피%의 양으로 혼합하여 전계 발광성 발광층용 피복 분산액을 수득한다.
한편으로, 용액을 다른 반을 1∼2μm의 입경을 갖는 티탄산바륨과 오르가노폴리실록산을 기준으로 40부피%의 양으로 혼합하여 절연층용 피복 분산액을 수득한다.
50×50mm 너비의 유리판에 증착벙에 의해 두께 200nm의 산화인듐 박막을 입혀 투명 전극기판을 제작하고, 상기 발광층용 피복 분산액을 스크린 인쇄에 의해 건조시 두께 약 40μm로 도포하고 150℃에서 4시간동안 건조시킨 후 절연층용 피복 분산액을 스크린 인쇄에 의해 건조시 두께 약 15μm로 연속적으로 도포한 후 150℃에서 4시간동안 건조시킨다. 덧붙여, 두께 50μm의 알루미늄 호일을 10kg/㎠의 입력하에 170℃에서 절연층에 이면전극으로서 압착시킨다. 전극 단자로 이용되는 납 철사를 투명전극 및 이면 전극에 연결하고, 이렇게 하여 제조한 발광 조립체를 220℃에서 폴리(클롤로 트리플루오로 에틸렌)(아크터(Acrer), Allied Chemical Co. 제품)의로 시이트로 포장하여 전계 발광 소자를 완성한다. 이러한 방법으로, 제조예 1,2 및 3에서 얻은 시아노에틸기-함유 오르가노폴리실록산으로부터 각각 세 개의 전계 발광 소자 Ⅰ,Ⅱ 및 Ⅲ을 제작한다. 시아노에틸기-함유 오르가노폴리실록산을, 전계 발광성 분립체의 분산 매질로 사용되는 N, N-디메틸포름아미드 또는 티탄산바륨에 각각 20중량%의 농도로 용해시킨 표 1에 나타낸 것과 동일한 시아노에틸 셀룰로스 또는 시아노에틸화폴리(비닐알콜)로 바꾸는 것을 제외하고 상기와 동일한 방법으로 두개의 전계 발광 소자 Ⅳ 및 Ⅴ를 더 제작한다.
각 소자의 납 철사를 400Hz의 주파수에서 100볼트의 AC 전원에 연결함으로써 상기 전계 발광소자 Ⅰ 내지 Ⅴ를 평가하여 최초 명도를 결정하고 상술한 조건의 인기전력하에 있는 전계 발광 소자를 40℃ 및 90% 상대습도에서 보존했을 때 전계 발광의 명도가 최초값의 반으로 감소되는데 걸리는 시간인 반감기를 결정한다. 결과를하기 표 2에 나타낸다.
[표 2]
Figure kpo00002

Claims (10)

  1. (a) 하기 평균 단위식 (Ⅰ)로 나타내지는 시아노알킬기-함유 오르가노폴리실록산으로 주로 이루어진 유전체를 매트릭스로서 함유하고, 또한 (b) 매트릭스에 분산된 전계 발광성 분립체를 함유함을 특징으로 하는 전계 발광 조성물 :
    R1aR2bSiO(4-a-b)/2 (I)
    (상기 식에서, R1은 3 내지 5 탄소원자의 시아노알킬기이고, R2는 수소원자 또는 일가탄화수소이고, 첨자 a는 0.8 내지 1.8 범위의 양수이고, 첨자 b는 0 또는 1.0을 초과하지 않는 양수이고, 단 a+b는 1.1 내지(1.98의 범위이다.)
  2. 제1항에 있어서, 전계 발광성 분립체의 양이 매트릭스인 유전체를 기준으로 하여 20 내지 80부피% 범위인 전계 발광 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 시아노알킬기가 2-시아노에틸기인 전계 발광 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 첨자 b가 0.01 내지 0.1 범위의 양수인 전계 발광 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 전계 발광성 분립체가 50μm를 초과하지 않는 입경을 갖는 전계 발광 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 전계 발광성 분립체가 황화카드뮴, 황화아연, 셀렌화아연, 규산아연, 질화붕소 및 탄화규소로 이루어진 군으로부터 선택되는 전계 발광 조성물.
  7. (A) (B)하기 평균 단위식 (I)로 나타내지는 시아노알킬기-함유 오르가노폴리실록산으로 주로 이루어진 유도체를 매트릭스로서 함유하고, 또한 (b) 매트릭스에 분산된 전계 발광성 분립체를 함유하는 전계 발광 조성물 층 ; 및 (B) 전계 발광 조성물 층을 샌드위치하는 두 전극판을 함유함을 특징으로 하는 전계 발광 소자 :
    R1aR2bSiO(4-a-b)/2 (I)
    (상기 식에서, R1은 3 내지 5 탄소원자수의 시아노알킬기이고, R2는 수소원자 또는 일가탄화수소기이고, 첨자 a는 0.8 내지 1.8 범위의 양수이고, 첨자 b는 0 또는 1.0을 초과하지 않는 양수이고, 단 a+b는 1.1 내지 1.98의 범위이다.)
  8. 제7항에 있어서, 전계 발광 조성물 층이 10 내지 70μm 범위의 두께를 갖는 전계 발광 소자.
  9. 제7항에 있어서, 전극판 중 하나는 투명하고, 다른 하나는 불투명한 전계 발광 소자.
  10. 제8항에 있어서, 전계 발광 조성물층과 불투명 전극판 사이에 절연층이 삽입되어 있는 전계 발광 소자.
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