JPH0851064A - 基板裏面洗浄方法 - Google Patents
基板裏面洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0851064A JPH0851064A JP20803994A JP20803994A JPH0851064A JP H0851064 A JPH0851064 A JP H0851064A JP 20803994 A JP20803994 A JP 20803994A JP 20803994 A JP20803994 A JP 20803994A JP H0851064 A JPH0851064 A JP H0851064A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photoresist
- cleaning liquid
- linse
- discharged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板裏面の洗浄時に、オリフラ部分に付着し
たフォトレジストも確実に洗浄除去することができる基
板裏面洗浄方法を提供する。 【構成】 フォトレジスト塗布の後、ステップS4では
回転している基板下方から鉛直方向に対して基板外方へ
傾斜した所定の角度をもって上方へ洗浄液を吐出する。
この処理によって基板裏面を洗浄するとともに、基板の
周縁に付着したフォトレジストを除去する。さらにオリ
フラ部の回転進行方向側は回転に伴う気流があたらない
ので、洗浄液が端面で上方に回り込む。したがってオリ
フラ部分のうち回転進行方向側が洗浄される。次に、ス
テップS5では基板回転方向をステップS4とは逆方向
にして洗浄液を吐出する。これによってステップS4で
は洗浄されなかったオリフラ部が洗浄される。
たフォトレジストも確実に洗浄除去することができる基
板裏面洗浄方法を提供する。 【構成】 フォトレジスト塗布の後、ステップS4では
回転している基板下方から鉛直方向に対して基板外方へ
傾斜した所定の角度をもって上方へ洗浄液を吐出する。
この処理によって基板裏面を洗浄するとともに、基板の
周縁に付着したフォトレジストを除去する。さらにオリ
フラ部の回転進行方向側は回転に伴う気流があたらない
ので、洗浄液が端面で上方に回り込む。したがってオリ
フラ部分のうち回転進行方向側が洗浄される。次に、ス
テップS5では基板回転方向をステップS4とは逆方向
にして洗浄液を吐出する。これによってステップS4で
は洗浄されなかったオリフラ部が洗浄される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハや、フォ
トマスク用ガラス基板などの基板を回転させつつその裏
面に下方から洗浄液を吐出して基板の裏面を洗浄する基
板裏面洗浄方法に関する。
トマスク用ガラス基板などの基板を回転させつつその裏
面に下方から洗浄液を吐出して基板の裏面を洗浄する基
板裏面洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の基板裏面洗浄装置とし
て、例えば、特公平5−1972号公報に示すようなも
のがある。この装置を図10を参照して説明する。
て、例えば、特公平5−1972号公報に示すようなも
のがある。この装置を図10を参照して説明する。
【0003】この装置は、基板Wを略水平姿勢で吸引支
持して回転させるスピンチャックを備えた支持回転部1
0と、この支持回転部10に支持された基板Wの下方か
ら、鉛直方向に対して基板外方へ傾斜した所定の角度を
もって上方へ洗浄液を吐出する吐出部20と、基板Wの
回転中心の上方からフォトレジスト液を吐出するフォト
レジスト液吐出ノズル30とを備えている(図10
(a))。なお、以下の説明においては、水平面に対す
る角度θ1 で洗浄液の吐出角度を表現し、この角度θ1
を噴角と称する。吐出部20は支持回転部10を挟んで
対向する2か所に配設されており、平面視でのその吐出
向きは(図10(b))、基板回転中心を通って二つの
吐出部20を結ぶラインを基準として、基板Wの回転進
行方向(反時計周り方向)への所定の角度θ2 (噴出方
向)をもって配設されている。
持して回転させるスピンチャックを備えた支持回転部1
0と、この支持回転部10に支持された基板Wの下方か
ら、鉛直方向に対して基板外方へ傾斜した所定の角度を
もって上方へ洗浄液を吐出する吐出部20と、基板Wの
回転中心の上方からフォトレジスト液を吐出するフォト
レジスト液吐出ノズル30とを備えている(図10
(a))。なお、以下の説明においては、水平面に対す
る角度θ1 で洗浄液の吐出角度を表現し、この角度θ1
を噴角と称する。吐出部20は支持回転部10を挟んで
対向する2か所に配設されており、平面視でのその吐出
向きは(図10(b))、基板回転中心を通って二つの
吐出部20を結ぶラインを基準として、基板Wの回転進
行方向(反時計周り方向)への所定の角度θ2 (噴出方
向)をもって配設されている。
【0004】この種の基板裏面洗浄装置では、まず、基
板Wが支持回転部10に支持され、所定の回転速度で回
転駆動される。そしてフォトレジスト液吐出ノズル30
から所定量のフォトレジスト液が吐出される。さらに所
定時間だけ回転駆動することにより余剰のフォトレジス
ト液が振り切られ、基板Wの表面には所定膜厚のフォト
レジスト膜が形成される。このとき基板Wの端面や、基
板Wに形成されたオリエンテーション・フラットOFの
端面には、基板Wの表面に吐出されたフォトレジスト液
が付着し、さらには基板Wの裏面周辺部にまで余剰のフ
ォトレジスト液が回り込むこともある。さらに基板Wの
裏面には、フォトレジスト液が振り切られて霧状になっ
たミストが回り込んで付着する。これらの付着したフォ
トレジスト液は、自然乾燥し、あるいはその後の硬化処
理によって基板表面と同様に硬化膜となるが、その後の
基板搬送工程やフォトリソグラフィー工程等において剥
がれてパーティクル発生の原因となるなどの不都合を引
き起こす。
板Wが支持回転部10に支持され、所定の回転速度で回
転駆動される。そしてフォトレジスト液吐出ノズル30
から所定量のフォトレジスト液が吐出される。さらに所
定時間だけ回転駆動することにより余剰のフォトレジス
ト液が振り切られ、基板Wの表面には所定膜厚のフォト
レジスト膜が形成される。このとき基板Wの端面や、基
板Wに形成されたオリエンテーション・フラットOFの
端面には、基板Wの表面に吐出されたフォトレジスト液
が付着し、さらには基板Wの裏面周辺部にまで余剰のフ
ォトレジスト液が回り込むこともある。さらに基板Wの
裏面には、フォトレジスト液が振り切られて霧状になっ
たミストが回り込んで付着する。これらの付着したフォ
トレジスト液は、自然乾燥し、あるいはその後の硬化処
理によって基板表面と同様に硬化膜となるが、その後の
基板搬送工程やフォトリソグラフィー工程等において剥
がれてパーティクル発生の原因となるなどの不都合を引
き起こす。
【0005】したがって、通常は、フォトレジスト液の
吐出、回転振り切り後に、基板Wの裏面に対して吐出部
20から洗浄液を吐出し、支持回転部10のスピンチャ
ック部分を除く基板Wの裏面を洗浄液で覆ってミストの
付着を防止したり、余剰フォトレジスト液の基板Wの端
面、裏面への回り込みを阻止したり、付着したフォトレ
ジスト液やそのミストを洗い流すという、いわゆるバッ
クリンスを行うようにしている。
吐出、回転振り切り後に、基板Wの裏面に対して吐出部
20から洗浄液を吐出し、支持回転部10のスピンチャ
ック部分を除く基板Wの裏面を洗浄液で覆ってミストの
付着を防止したり、余剰フォトレジスト液の基板Wの端
面、裏面への回り込みを阻止したり、付着したフォトレ
ジスト液やそのミストを洗い流すという、いわゆるバッ
クリンスを行うようにしている。
【0006】この基板裏面洗浄装置では、洗浄液を噴角
θ1 で吐出してバックリンスを行っており、基板Wの端
面に付着して固定化しつつあるフォトレジストをほぼ除
去することができる。
θ1 で吐出してバックリンスを行っており、基板Wの端
面に付着して固定化しつつあるフォトレジストをほぼ除
去することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、オリエ
ンテーション・フラットOFを有する基板Wの場合、前
記公報に記載の装置によって洗浄液を基板裏面に向けて
斜め向きに吐出すると、裏面が洗浄されるのに加えて、
オリエンテーション・フラットOFの端面に付着してい
るフォトレジストもある程度は除去できるが、オリエン
テーション・フラットOFの一方の端部付近だけはフォ
トレジストが除去されずに残りやすい傾向があった。
ンテーション・フラットOFを有する基板Wの場合、前
記公報に記載の装置によって洗浄液を基板裏面に向けて
斜め向きに吐出すると、裏面が洗浄されるのに加えて、
オリエンテーション・フラットOFの端面に付着してい
るフォトレジストもある程度は除去できるが、オリエン
テーション・フラットOFの一方の端部付近だけはフォ
トレジストが除去されずに残りやすい傾向があった。
【0008】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板裏面の洗浄時に、オリエンテーシ
ョン・フラット部分に付着したフォトレジストも確実に
洗浄除去することができる基板裏面洗浄方法を提供する
ことを目的とする。
たものであって、基板裏面の洗浄時に、オリエンテーシ
ョン・フラット部分に付着したフォトレジストも確実に
洗浄除去することができる基板裏面洗浄方法を提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明に係る基板裏面洗浄方法は、基板を回転させ
つつその裏面に下方から洗浄液を吐出して基板の裏面を
洗浄する方法であって、基板を略水平姿勢で支持して回
転させつつ、支持された基板の下方から鉛直方向に対し
て基板外方へ傾斜した所定の角度をもって上方へ洗浄液
を吐出する第1の工程と、基板を略水平姿勢で支持して
前記第1の工程と逆方向に回転させつつ、支持された基
板の下方から鉛直方向に対して基板外方へ傾斜した所定
の角度をもって上方へ洗浄液を吐出する第2の工程と、
からなることを特徴とするものである。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明に係る基板裏面洗浄方法は、基板を回転させ
つつその裏面に下方から洗浄液を吐出して基板の裏面を
洗浄する方法であって、基板を略水平姿勢で支持して回
転させつつ、支持された基板の下方から鉛直方向に対し
て基板外方へ傾斜した所定の角度をもって上方へ洗浄液
を吐出する第1の工程と、基板を略水平姿勢で支持して
前記第1の工程と逆方向に回転させつつ、支持された基
板の下方から鉛直方向に対して基板外方へ傾斜した所定
の角度をもって上方へ洗浄液を吐出する第2の工程と、
からなることを特徴とするものである。
【0010】
【作用】本発明の作用は次のとおりである。第1の工程
では、基板を回転させつつその下方から鉛直方向に対し
て基板外方に傾斜した所定の角度をもって上方へ洗浄液
を吐出するので、基板裏面を流れた洗浄液は基板端面で
上方へと回り込み、端面に付着したフォトレジストを洗
浄除去する。また、オリエンテーション・フラットのう
ち、回転進行方向側の部分においても、付着したフォト
レジストを同様に洗浄除去する。この第1の工程では、
オリエンテーション・フラットの回転進行方向側とは逆
側、すなわち回転進行方向後方側の部分の端面において
は、付着したフォトレジストが完全には除去されず、残
りがちになる。
では、基板を回転させつつその下方から鉛直方向に対し
て基板外方に傾斜した所定の角度をもって上方へ洗浄液
を吐出するので、基板裏面を流れた洗浄液は基板端面で
上方へと回り込み、端面に付着したフォトレジストを洗
浄除去する。また、オリエンテーション・フラットのう
ち、回転進行方向側の部分においても、付着したフォト
レジストを同様に洗浄除去する。この第1の工程では、
オリエンテーション・フラットの回転進行方向側とは逆
側、すなわち回転進行方向後方側の部分の端面において
は、付着したフォトレジストが完全には除去されず、残
りがちになる。
【0011】第2の工程では、基板を第1の工程とは逆
方向に回転させつつ、第1の工程と同様に洗浄液を吐出
する。基板裏面を流れた洗浄液は基板端面で上方へと回
り込み、端面に付着したフォトレジストを洗浄除去す
る。この場合、基板回転方向が第1の工程とは逆になっ
ているので、第1の工程で回転進行方向後方側であった
部分が第2の工程では回転進行方向側となる。そのた
め、オリエンテーション・フラットの端面のうち、第1
の工程では洗浄されなかった部分に付着したフォトレジ
ストを洗浄除去することができる。
方向に回転させつつ、第1の工程と同様に洗浄液を吐出
する。基板裏面を流れた洗浄液は基板端面で上方へと回
り込み、端面に付着したフォトレジストを洗浄除去す
る。この場合、基板回転方向が第1の工程とは逆になっ
ているので、第1の工程で回転進行方向後方側であった
部分が第2の工程では回転進行方向側となる。そのた
め、オリエンテーション・フラットの端面のうち、第1
の工程では洗浄されなかった部分に付着したフォトレジ
ストを洗浄除去することができる。
【0012】これは、以下のような洗浄液の挙動による
ものと思われる。第1の工程において、例えば基板は平
面視で反時計方向に回転駆動される。このとき、基板を
そのオリエンテーション・フラットOF(以下、これを
オリフラOFと称する)の正面の側方から見たのが図9
(a)である。この図9(a)においてオリフラOFの
右側(オリフラ右端部OFR )の端面は、回転進行方向
に対して前側にある基板Wの円弧部分の後を追って移動
するので、基板Wの回転によって風を切ることはほとん
どない。そのため、基板Wの下方から基板外方へ傾斜し
た所定の角度をもって上方へ吐出された洗浄液は、図9
(b)に示すようにオリフラ右端部OFR に回り込んで
その部分に付着したフォトレジストを洗浄除去する。逆
に、図9(a)においてオリフラOFの左側(オリフラ
左端部OFL )の端面は、回転進行方向に基板Wの円弧
部分がないので、基板Wの回転によって風が当たり、そ
の風を切って移動することになる。そして、基板Wの回
転によってオリフラ左端部OFL に当たった風はオリフ
ラ左端部OFL の上下に分かれて流れ、基板Wの下方か
ら吐出されて裏面を流れてきた洗浄液は、図9(c)に
示すようにその風によってオリフラ左端部OFL への回
り込みを妨げられることになり、オリフラ左端部OFL
の部分のフォトレジストの洗浄除去が不十分となりがち
であり、フォトレジストが残りがちになる。続いて、第
2の工程で、基板を第1の工程とは逆方向に回転させれ
ば、基板Wに対する相対的な風の流れが逆になるので、
オリフラ左端部OFL の端面が基板Wの回転によって風
を切ることはほとんどなくなり、第1の工程で洗浄され
ずに残ったフォトレジストが洗浄除去される。
ものと思われる。第1の工程において、例えば基板は平
面視で反時計方向に回転駆動される。このとき、基板を
そのオリエンテーション・フラットOF(以下、これを
オリフラOFと称する)の正面の側方から見たのが図9
(a)である。この図9(a)においてオリフラOFの
右側(オリフラ右端部OFR )の端面は、回転進行方向
に対して前側にある基板Wの円弧部分の後を追って移動
するので、基板Wの回転によって風を切ることはほとん
どない。そのため、基板Wの下方から基板外方へ傾斜し
た所定の角度をもって上方へ吐出された洗浄液は、図9
(b)に示すようにオリフラ右端部OFR に回り込んで
その部分に付着したフォトレジストを洗浄除去する。逆
に、図9(a)においてオリフラOFの左側(オリフラ
左端部OFL )の端面は、回転進行方向に基板Wの円弧
部分がないので、基板Wの回転によって風が当たり、そ
の風を切って移動することになる。そして、基板Wの回
転によってオリフラ左端部OFL に当たった風はオリフ
ラ左端部OFL の上下に分かれて流れ、基板Wの下方か
ら吐出されて裏面を流れてきた洗浄液は、図9(c)に
示すようにその風によってオリフラ左端部OFL への回
り込みを妨げられることになり、オリフラ左端部OFL
の部分のフォトレジストの洗浄除去が不十分となりがち
であり、フォトレジストが残りがちになる。続いて、第
2の工程で、基板を第1の工程とは逆方向に回転させれ
ば、基板Wに対する相対的な風の流れが逆になるので、
オリフラ左端部OFL の端面が基板Wの回転によって風
を切ることはほとんどなくなり、第1の工程で洗浄され
ずに残ったフォトレジストが洗浄除去される。
【0013】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。図1は、基板裏面洗浄装置の一例である回転式
基板処理装置を示す縦断面図である。図2は、図1の一
部拡大図である。
明する。図1は、基板裏面洗浄装置の一例である回転式
基板処理装置を示す縦断面図である。図2は、図1の一
部拡大図である。
【0014】図中、符号10は吸引式スピンチャックで
あり、基板Wを略水平姿勢で吸着支持する。この吸引式
スピンチャック10は、中空の回転軸11を介して回転
モーター12によって回転駆動される。回転モーター1
2は可逆転モーターよりなる。さらに吸引式スピンチャ
ック10の周囲には、フォトレジスト液や洗浄液の飛散
を防止するための飛散防止カップ13が配設されてい
る。また、図示しない搬送手段が未処理の基板Wを吸引
式スピンチャック10に載置または吸引式スピンチャッ
ク10から処理済みの基板Wを受け取る際には、図示し
ない昇降手段が回転軸11と飛散防止カップ13とを相
対昇降させることによって、吸引式スピンチャック10
を飛散防止カップ13の上方へと移動させる(図中の二
点鎖線)。
あり、基板Wを略水平姿勢で吸着支持する。この吸引式
スピンチャック10は、中空の回転軸11を介して回転
モーター12によって回転駆動される。回転モーター1
2は可逆転モーターよりなる。さらに吸引式スピンチャ
ック10の周囲には、フォトレジスト液や洗浄液の飛散
を防止するための飛散防止カップ13が配設されてい
る。また、図示しない搬送手段が未処理の基板Wを吸引
式スピンチャック10に載置または吸引式スピンチャッ
ク10から処理済みの基板Wを受け取る際には、図示し
ない昇降手段が回転軸11と飛散防止カップ13とを相
対昇降させることによって、吸引式スピンチャック10
を飛散防止カップ13の上方へと移動させる(図中の二
点鎖線)。
【0015】飛散防止カップ13は、上カップ14と、
円形整流部材15と、バックリンスバット16と、下カ
ップ17とから構成されている。上カップ14は、上部
に開口部14aと、基板Wの回転によるフォトレジスト
液や洗浄液の飛沫を下方へ案内する傾斜面14bとを有
する。上カップ14は、下カップ17の外周壁の上端部
段落面に嵌め込まれている。
円形整流部材15と、バックリンスバット16と、下カ
ップ17とから構成されている。上カップ14は、上部
に開口部14aと、基板Wの回転によるフォトレジスト
液や洗浄液の飛沫を下方へ案内する傾斜面14bとを有
する。上カップ14は、下カップ17の外周壁の上端部
段落面に嵌め込まれている。
【0016】円形整流部材15は、バックリンスバット
16に嵌め込まれ、バックリンスバット16が下カップ
17に嵌め込まれることによって飛散防止カップ13に
取り付けられている。そして開口部14aから流入して
基板Wの周縁に沿って流下する気流を下カップ17に整
流して案内するとともに、上カップ14の傾斜面14b
によって下方に案内されたフォトレジスト液や洗浄液の
飛沫をこの気流に乗せて下カップ17に案内する傾斜整
流面15aを有する。
16に嵌め込まれ、バックリンスバット16が下カップ
17に嵌め込まれることによって飛散防止カップ13に
取り付けられている。そして開口部14aから流入して
基板Wの周縁に沿って流下する気流を下カップ17に整
流して案内するとともに、上カップ14の傾斜面14b
によって下方に案内されたフォトレジスト液や洗浄液の
飛沫をこの気流に乗せて下カップ17に案内する傾斜整
流面15aを有する。
【0017】下カップ17は、外周壁の下部に内接する
リング状の排液ゾーン17aと、この排液ゾーン17a
の内側に形成したリング状の排気ゾーン17bとを有す
る。排液ゾーン17aの底部には、排液口17cが配設
されている。この排液口17cは、排液タンク17dに
接続されており、回転振り切り後のフォトレジスト液や
洗浄液を回収する。排気ゾーン17bの底部には、カッ
プ排気口17eが配設されている。このカップ排気口1
7eは、排気ポンプ17fに接続されており、飛散防止
カップ13内に滞留する霧状のフォトレジスト液や洗浄
液、いわゆるミストを空気とともに吸引排気する。
リング状の排液ゾーン17aと、この排液ゾーン17a
の内側に形成したリング状の排気ゾーン17bとを有す
る。排液ゾーン17aの底部には、排液口17cが配設
されている。この排液口17cは、排液タンク17dに
接続されており、回転振り切り後のフォトレジスト液や
洗浄液を回収する。排気ゾーン17bの底部には、カッ
プ排気口17eが配設されている。このカップ排気口1
7eは、排気ポンプ17fに接続されており、飛散防止
カップ13内に滞留する霧状のフォトレジスト液や洗浄
液、いわゆるミストを空気とともに吸引排気する。
【0018】下カップ17と円形整流部材15との間に
配設されているバックリンスバット16について、図3
および図4を参照して説明する。図3はバックリンスバ
ット16の平面図であり、図4はそのA−A矢視断面図
である。
配設されているバックリンスバット16について、図3
および図4を参照して説明する。図3はバックリンスバ
ット16の平面図であり、図4はそのA−A矢視断面図
である。
【0019】平面視におけるバックリンスバット16の
上面周辺部に形成された環状の凹部16aは、底面が水
平面に形成され、その底面には、基板回転中心部をはさ
んで対称な位置に貫通孔16bが2か所に形成されてい
る。図2を参照して、貫通孔16bは、その側壁に形成
された雌ネジ部16pと、雌ネジ部16pの下端に連な
る水平部16qと、水平部16qの中心に形成されたす
り鉢部16rと、すり鉢部16rの下部とバックリンス
バット16の下面とを連通させる連通部16sとからな
っている。この貫通孔16bには、洗浄液を吐出するた
めのバックリンスノズル20が取り付けられている。バ
ックリンスノズル20は、中空部を有する吐出管20a
と、その上端部に一体的に形成されて水平面に対して噴
角θ1 で斜め上方へ向けて洗浄液を吐出するノズル部2
0bと、吐出管20aの下端部に、その吐出管20aの
外径よりも半径方向に突出形成された大径部20cと、
大径部20cの下方に形成された先細部20rとから構
成されている。バックリンスノズル20は、その大径部
20cを押さえネジ21によって押さえられてバックリ
ンスバット16の貫通孔16bに取り付けられている。
押さえネジ21の外側面には、貫通孔16bの雌ネジ部
16pと螺合する雄ネジ部21pが形成され、押さえネ
ジ21の内部にはバックリンスノズル20の大径部20
cを押さえる押さえ壁21cが形成されている。また、
押さえ壁21cには、バックリンスノズル20の吐出管
20aが貫通する開口21aが形成されている。
上面周辺部に形成された環状の凹部16aは、底面が水
平面に形成され、その底面には、基板回転中心部をはさ
んで対称な位置に貫通孔16bが2か所に形成されてい
る。図2を参照して、貫通孔16bは、その側壁に形成
された雌ネジ部16pと、雌ネジ部16pの下端に連な
る水平部16qと、水平部16qの中心に形成されたす
り鉢部16rと、すり鉢部16rの下部とバックリンス
バット16の下面とを連通させる連通部16sとからな
っている。この貫通孔16bには、洗浄液を吐出するた
めのバックリンスノズル20が取り付けられている。バ
ックリンスノズル20は、中空部を有する吐出管20a
と、その上端部に一体的に形成されて水平面に対して噴
角θ1 で斜め上方へ向けて洗浄液を吐出するノズル部2
0bと、吐出管20aの下端部に、その吐出管20aの
外径よりも半径方向に突出形成された大径部20cと、
大径部20cの下方に形成された先細部20rとから構
成されている。バックリンスノズル20は、その大径部
20cを押さえネジ21によって押さえられてバックリ
ンスバット16の貫通孔16bに取り付けられている。
押さえネジ21の外側面には、貫通孔16bの雌ネジ部
16pと螺合する雄ネジ部21pが形成され、押さえネ
ジ21の内部にはバックリンスノズル20の大径部20
cを押さえる押さえ壁21cが形成されている。また、
押さえ壁21cには、バックリンスノズル20の吐出管
20aが貫通する開口21aが形成されている。
【0020】バックリンスノズル20の貫通孔16bへ
の取付けは、以下のように行われる。すなわち、バック
リンスノズル20を貫通孔16に差し込んでその先細部
20rと貫通孔16bのすり鉢部16rとのはめあいに
よって位置決めし、バックリンスノズル20の吐出管2
0aを押さえネジ21の開口21aに貫通させ、ノズル
部20bを所望の向きに向けた状態で、押さえネジ21
の雄ネジ部21pを貫通孔16bの雌ネジ部16pと螺
合させて締め付ける。そしてこのとき、バックリンスノ
ズル20のノズル部20bの向きを容易に調整設定する
ことができる。すなわち、押さえネジ21の締め付け前
においては、バックリンスノズル20のノズル部20b
の向きすなわち洗浄液の吐出向きは、バックリンスノズ
ル20の鉛直軸まわりでの回転により回転調整可能であ
る。このとき、バックリンスノズル20の回転は、バッ
クリンスノズル20の先細部20rと貫通孔16bのす
り鉢部16rとのはめあいによって案内され、微妙な調
整作業を円滑に行い得る。また、押さえネジ21の締め
付け時においては、バックリンスノズル20の大径部2
0cは押さえネジ21の押さえ壁21cによってバック
リンスバット16との間で押さえられ、ノズル部20b
の向きは固定される。なお、噴角θ1 は、0°<θ1 <
90°の範囲で適宜設定され、これにより、ノズル部2
0bは鉛直方向に対して所定の角度をもって上方へ向け
て洗浄液を吐出することになるが、この噴角θ1 は基板
Wの裏面および端面の洗浄度に関連するので、基板Wの
サイズや回転モーター12の回転数などの条件に応じて
20°〜60°程度の範囲内で設定される。
の取付けは、以下のように行われる。すなわち、バック
リンスノズル20を貫通孔16に差し込んでその先細部
20rと貫通孔16bのすり鉢部16rとのはめあいに
よって位置決めし、バックリンスノズル20の吐出管2
0aを押さえネジ21の開口21aに貫通させ、ノズル
部20bを所望の向きに向けた状態で、押さえネジ21
の雄ネジ部21pを貫通孔16bの雌ネジ部16pと螺
合させて締め付ける。そしてこのとき、バックリンスノ
ズル20のノズル部20bの向きを容易に調整設定する
ことができる。すなわち、押さえネジ21の締め付け前
においては、バックリンスノズル20のノズル部20b
の向きすなわち洗浄液の吐出向きは、バックリンスノズ
ル20の鉛直軸まわりでの回転により回転調整可能であ
る。このとき、バックリンスノズル20の回転は、バッ
クリンスノズル20の先細部20rと貫通孔16bのす
り鉢部16rとのはめあいによって案内され、微妙な調
整作業を円滑に行い得る。また、押さえネジ21の締め
付け時においては、バックリンスノズル20の大径部2
0cは押さえネジ21の押さえ壁21cによってバック
リンスバット16との間で押さえられ、ノズル部20b
の向きは固定される。なお、噴角θ1 は、0°<θ1 <
90°の範囲で適宜設定され、これにより、ノズル部2
0bは鉛直方向に対して所定の角度をもって上方へ向け
て洗浄液を吐出することになるが、この噴角θ1 は基板
Wの裏面および端面の洗浄度に関連するので、基板Wの
サイズや回転モーター12の回転数などの条件に応じて
20°〜60°程度の範囲内で設定される。
【0021】バックリンスバット16の下面周辺部に
は、リング状の浅い溝である洗浄液供給溝16cが形成
されている。この洗浄液供給溝16cの下面には、流通
する洗浄液の漏れがないように蓋材16dが溶接されて
いる。洗浄液供給溝16cには、蓋材16dに配設され
たL字状の管継手18と、これに接続された供給配管1
8aを介して洗浄液供給部18b(図1参照)から洗浄
液が所定圧力で供給されるようになっている。
は、リング状の浅い溝である洗浄液供給溝16cが形成
されている。この洗浄液供給溝16cの下面には、流通
する洗浄液の漏れがないように蓋材16dが溶接されて
いる。洗浄液供給溝16cには、蓋材16dに配設され
たL字状の管継手18と、これに接続された供給配管1
8aを介して洗浄液供給部18b(図1参照)から洗浄
液が所定圧力で供給されるようになっている。
【0022】バックリンスバット16に取り付けられた
バックリンスノズル20は、その上部に取り付けられた
円形整流部材15の、リング状の凹部15b(図2参
照)に形成された貫通孔15cから突出している。した
がってバックリンスノズル20から吐出された洗浄液が
円形整流部材15の貫通孔15cから流下したり、洗浄
液供給溝16cから洗浄液が大径部20c,押さえネジ
21の周囲を伝ってバックリンスバット16の凹部16
aににじみ出して滞留する場合がある。そこで凹部16
aに貫通孔16eを形成し、これに管継手19を配設す
ることによって凹部16aに滞留した洗浄液を排出する
ようにしている。この管継手19は、排液タンク17d
に接続されている。
バックリンスノズル20は、その上部に取り付けられた
円形整流部材15の、リング状の凹部15b(図2参
照)に形成された貫通孔15cから突出している。した
がってバックリンスノズル20から吐出された洗浄液が
円形整流部材15の貫通孔15cから流下したり、洗浄
液供給溝16cから洗浄液が大径部20c,押さえネジ
21の周囲を伝ってバックリンスバット16の凹部16
aににじみ出して滞留する場合がある。そこで凹部16
aに貫通孔16eを形成し、これに管継手19を配設す
ることによって凹部16aに滞留した洗浄液を排出する
ようにしている。この管継手19は、排液タンク17d
に接続されている。
【0023】平面視でのバックリンスノズル20の洗浄
液の吐出向きである噴出方向θ2 は、図5に示すように
設定されている。噴出方向θ2 は、平面視で基板回転中
心を通って二つのバックリンスノズル20を結ぶライン
を基準として、基板Wの回転進行方向(反時計周り方
向)の角度で定義する。
液の吐出向きである噴出方向θ2 は、図5に示すように
設定されている。噴出方向θ2 は、平面視で基板回転中
心を通って二つのバックリンスノズル20を結ぶライン
を基準として、基板Wの回転進行方向(反時計周り方
向)の角度で定義する。
【0024】さらに、飛散防止カップ13の開口部14
aの上方であって、基板Wのほぼ回転中心の上方には、
フォトレジスト液を吐出する吐出ノズル30が、また、
基板Wの周縁よりも若干回転中心側の上方には、エッジ
リンスノズル60が、それぞれ位置するように設けられ
る。このエッジリンスノズル60とバックリンスノズル
20からは、吐出ノズル30から吐出されるフォトレジ
スト液の溶剤と同種の溶剤が吐出される。また、吐出ノ
ズル30へフォトレジスト液を所定量だけ供給する図示
しない処理液供給手段と、吸引式スピンチャック10を
相対昇降する図示しない昇降手段と、回転モーター11
とは、制御部50によって制御される。エッジリンスノ
ズル60とバックリンスノズル20からの溶剤の吐出の
タイミングや吐出量も、制御部50によって制御され
る。この制御部50は、メモリ51に格納されたプログ
ラムに応じて制御を行うように構成されている。
aの上方であって、基板Wのほぼ回転中心の上方には、
フォトレジスト液を吐出する吐出ノズル30が、また、
基板Wの周縁よりも若干回転中心側の上方には、エッジ
リンスノズル60が、それぞれ位置するように設けられ
る。このエッジリンスノズル60とバックリンスノズル
20からは、吐出ノズル30から吐出されるフォトレジ
スト液の溶剤と同種の溶剤が吐出される。また、吐出ノ
ズル30へフォトレジスト液を所定量だけ供給する図示
しない処理液供給手段と、吸引式スピンチャック10を
相対昇降する図示しない昇降手段と、回転モーター11
とは、制御部50によって制御される。エッジリンスノ
ズル60とバックリンスノズル20からの溶剤の吐出の
タイミングや吐出量も、制御部50によって制御され
る。この制御部50は、メモリ51に格納されたプログ
ラムに応じて制御を行うように構成されている。
【0025】次に、図6のフローチャートを参照してフ
ォトレジスト塗布処理について説明する。なお、このフ
ローチャートに相当するプログラムは、メモリ51に格
納されて制御部50によって実行される。また、処理対
象の基板Wは既に吸引式スピンチャック10に載置され
て吸引保持され、さらに基板Wの回転中心付近の上方に
は、吐出ノズル30が位置しているものとする。
ォトレジスト塗布処理について説明する。なお、このフ
ローチャートに相当するプログラムは、メモリ51に格
納されて制御部50によって実行される。また、処理対
象の基板Wは既に吸引式スピンチャック10に載置され
て吸引保持され、さらに基板Wの回転中心付近の上方に
は、吐出ノズル30が位置しているものとする。
【0026】ステップS1(回転開始)では、回転モー
ター12の回転駆動を開始する。具体的には、制御部5
0が回転モーター12を正転駆動することによって、基
板Wを平面視で『反時計方向』に回転する。このときの
回転数は、例えば、900rpmである。
ター12の回転駆動を開始する。具体的には、制御部5
0が回転モーター12を正転駆動することによって、基
板Wを平面視で『反時計方向』に回転する。このときの
回転数は、例えば、900rpmである。
【0027】ステップS2(フォトレジスト塗布)で
は、吐出ノズル30からフォトレジスト液Rを基板Wの
表面に吐出する(図7(a))。具体的には、制御部5
0が図示しない処理液吐出手段を制御して所定量だけフ
ォトレジスト液を吐出する。このときの吐出時間は、例
えば3秒間であり、吐出後に吐出ノズル30は基板Wの
上方から所定の待機位置に退出する。
は、吐出ノズル30からフォトレジスト液Rを基板Wの
表面に吐出する(図7(a))。具体的には、制御部5
0が図示しない処理液吐出手段を制御して所定量だけフ
ォトレジスト液を吐出する。このときの吐出時間は、例
えば3秒間であり、吐出後に吐出ノズル30は基板Wの
上方から所定の待機位置に退出する。
【0028】フォトレジスト液の吐出後、表面に吐出さ
れたフォトレジスト液の余剰分を振り切って飛散させる
(図7(b))。例えば、回転数を3000rpm程度
にすることによって余剰フォトレジスト液は、遠心力に
よって基板Wの周囲に飛散する。結果、基板Wの表面の
フォトレジスト液Rは、所定の膜厚になる。また、この
とき基板Wの裏面や周縁およびオリフラ部には、フォト
レジスト液Rが付着する。
れたフォトレジスト液の余剰分を振り切って飛散させる
(図7(b))。例えば、回転数を3000rpm程度
にすることによって余剰フォトレジスト液は、遠心力に
よって基板Wの周囲に飛散する。結果、基板Wの表面の
フォトレジスト液Rは、所定の膜厚になる。また、この
とき基板Wの裏面や周縁およびオリフラ部には、フォト
レジスト液Rが付着する。
【0029】ステップS3(エッジリンス)では、エッ
ジリンスノズル60から溶剤を吐出して基板Wの周縁に
供給することによって基板Wの周辺部のフォトレジスト
液を除去する、いわゆるエッジリンスを行う(図7
(c))。基板表面のフォトレジスト液Rは、塗布後の
乾燥や硬化処理によって硬化膜となるが、周辺部の硬化
膜は剥がれてパーティクルを発生するので、通常はこの
エッジリンスによって除去する。このときの回転数は、
例えば500rmp程度である。このエッジリンスによ
って、基板Wの表面周辺部のフォトレジスト液を完全に
除去するとともに、周縁部のフォトレジスト液をほぼ除
去することができる。しかし、オリフラOF部のフォト
レジスト液Rは、エッジリンスの洗浄液がオリフラOF
部には触れないので、除去されずに残っている。
ジリンスノズル60から溶剤を吐出して基板Wの周縁に
供給することによって基板Wの周辺部のフォトレジスト
液を除去する、いわゆるエッジリンスを行う(図7
(c))。基板表面のフォトレジスト液Rは、塗布後の
乾燥や硬化処理によって硬化膜となるが、周辺部の硬化
膜は剥がれてパーティクルを発生するので、通常はこの
エッジリンスによって除去する。このときの回転数は、
例えば500rmp程度である。このエッジリンスによ
って、基板Wの表面周辺部のフォトレジスト液を完全に
除去するとともに、周縁部のフォトレジスト液をほぼ除
去することができる。しかし、オリフラOF部のフォト
レジスト液Rは、エッジリンスの洗浄液がオリフラOF
部には触れないので、除去されずに残っている。
【0030】ステップS4(バックリンス1)では、バ
ックリンスノズル20から洗浄液を吐出して、基板裏面
やオリフラOFの端面に付着したフォトレジスト液Rを
洗浄除去する(図7(d))。このときの回転数は、例
えば上記のエッジリンスと同じ500rmp程度であ
り、洗浄液の吐出時間は、例えば10秒間程度である。
このバックリンスではバックリンスノズル20から洗浄
液が鉛直方向に対して所定の角度(すなわち90°−噴
角θ1 )をもって、基板外方へ傾斜した向きで基板裏面
に吐出されるので、基板の裏面を流れた洗浄液は基板端
面で上方へ回り込む。これによって基板裏面周辺部と、
オリフラ右端部OFR のフォトレジスト液Rは洗浄除去
される。しかし、基板の回転駆動によって発生する相対
的な気流があたるオリフラ左端部OFL のフォトレジス
ト液Rは、気流の影響によって洗浄液が吹き飛ばされて
触れないので除去されずに残留する。なお、このバック
リンス1は、本発明における第1の工程に相当する。
ックリンスノズル20から洗浄液を吐出して、基板裏面
やオリフラOFの端面に付着したフォトレジスト液Rを
洗浄除去する(図7(d))。このときの回転数は、例
えば上記のエッジリンスと同じ500rmp程度であ
り、洗浄液の吐出時間は、例えば10秒間程度である。
このバックリンスではバックリンスノズル20から洗浄
液が鉛直方向に対して所定の角度(すなわち90°−噴
角θ1 )をもって、基板外方へ傾斜した向きで基板裏面
に吐出されるので、基板の裏面を流れた洗浄液は基板端
面で上方へ回り込む。これによって基板裏面周辺部と、
オリフラ右端部OFR のフォトレジスト液Rは洗浄除去
される。しかし、基板の回転駆動によって発生する相対
的な気流があたるオリフラ左端部OFL のフォトレジス
ト液Rは、気流の影響によって洗浄液が吹き飛ばされて
触れないので除去されずに残留する。なお、このバック
リンス1は、本発明における第1の工程に相当する。
【0031】ステップS5(バックリンス2)では、回
転駆動を上記のステップS4(バックリンス1)とは逆
方向にしてバックリンスを行う(図7(e))。具体的
には、制御部50が回転モーター12の回転を一端停止
し、その後にステップS4の回転駆動方向とは逆方向と
なる、平面視で『時計方向』となるように逆転駆動す
る。このときの回転数は、例えば上記のバックリンス1
と同じ500rmp程度であり、洗浄液の吐出時間は、
例えば10秒間程度である。このバックリンス2では、
回転駆動に伴う気流の影響を受ける部分が既に洗浄され
たオリフラ右端部OFR となり、フォトレジスト液Rが
残留しているオリフラ左端部OFL は気流の影響を受け
ないので、洗浄液によって残留しているオリフラ左端部
OFL のフォトレジスト液Rが除去される。結果、基板
裏面の洗浄とともに、オリフラOF端面のフォトレジス
トも確実に洗浄除去することができる。なお、このバッ
クリンス2は、本発明における第2の工程に相当する。
転駆動を上記のステップS4(バックリンス1)とは逆
方向にしてバックリンスを行う(図7(e))。具体的
には、制御部50が回転モーター12の回転を一端停止
し、その後にステップS4の回転駆動方向とは逆方向と
なる、平面視で『時計方向』となるように逆転駆動す
る。このときの回転数は、例えば上記のバックリンス1
と同じ500rmp程度であり、洗浄液の吐出時間は、
例えば10秒間程度である。このバックリンス2では、
回転駆動に伴う気流の影響を受ける部分が既に洗浄され
たオリフラ右端部OFR となり、フォトレジスト液Rが
残留しているオリフラ左端部OFL は気流の影響を受け
ないので、洗浄液によって残留しているオリフラ左端部
OFL のフォトレジスト液Rが除去される。結果、基板
裏面の洗浄とともに、オリフラOF端面のフォトレジス
トも確実に洗浄除去することができる。なお、このバッ
クリンス2は、本発明における第2の工程に相当する。
【0032】ステップS6(スピンドライ)では、基板
Wを高速回転(正転駆動『反時計方向』または逆転駆動
『時計方向』)させて洗浄液等を振り切り乾燥させる。
この処理は、例えば2800rpm程度の回転数で15
秒間程度行う。乾燥終了後、基板Wの回転は停止され
る。
Wを高速回転(正転駆動『反時計方向』または逆転駆動
『時計方向』)させて洗浄液等を振り切り乾燥させる。
この処理は、例えば2800rpm程度の回転数で15
秒間程度行う。乾燥終了後、基板Wの回転は停止され
る。
【0033】以上のステップS1ないしステップS6を
経て、一枚の基板にフォトレジスト膜が形成されるとと
もに、基板裏面と周縁およびオリフラ部に付着している
不要のフォトレジストを除去することができる。
経て、一枚の基板にフォトレジスト膜が形成されるとと
もに、基板裏面と周縁およびオリフラ部に付着している
不要のフォトレジストを除去することができる。
【0034】なお、本実施例では、バックリンスノズル
20を2か所に配設した基板裏面洗浄装置を例に説明し
たが、バックリンスノズル20は1個以上であれば適宜
の個数でよい。
20を2か所に配設した基板裏面洗浄装置を例に説明し
たが、バックリンスノズル20は1個以上であれば適宜
の個数でよい。
【0035】さらに図8(a)の変形例に示すように、
二つのバックリンスノズル201 とバックリンスノズル
202 の噴出方向をそれぞれ反対方向に向けて配設して
もよい。この場合は、バックリンスノズル201 が噴出
方向θ2 であり、バックリンスノズル202 が噴出方向
θ2 ’(−θ2 )としている。制御部50は、正転時に
はバックリンスノズル201 から洗浄液を吐出し、逆転
時にはバックリンスノズル202 から洗浄液を吐出する
ように各ノズルを切り換える。これにより正転/逆転時
のそれぞれおいて基板裏面を流れる洗浄液の軌跡が同じ
になるので、基板端面から上方へ回り込む洗浄液による
端面洗浄の度合いをほぼ同じにすることができる。
二つのバックリンスノズル201 とバックリンスノズル
202 の噴出方向をそれぞれ反対方向に向けて配設して
もよい。この場合は、バックリンスノズル201 が噴出
方向θ2 であり、バックリンスノズル202 が噴出方向
θ2 ’(−θ2 )としている。制御部50は、正転時に
はバックリンスノズル201 から洗浄液を吐出し、逆転
時にはバックリンスノズル202 から洗浄液を吐出する
ように各ノズルを切り換える。これにより正転/逆転時
のそれぞれおいて基板裏面を流れる洗浄液の軌跡が同じ
になるので、基板端面から上方へ回り込む洗浄液による
端面洗浄の度合いをほぼ同じにすることができる。
【0036】また、図8(b)の変形例に示すように、
噴出方向θ2 に調整された二つのバックリンスノズル2
01 からなる一対のノズルと、噴出方向を前記噴出方向
θ2とは反対方向(θ2 ’(−θ))にした二つのバッ
クリンスノズル202 からなる一対のノズルを配設して
もよい。この場合は、それぞれの一対のバックリンスノ
ズル201 ,202 が制御部50によって正逆転時に切
り換えられる。これにより正転/逆転時のそれぞれおい
て基板裏面を流れる洗浄液の軌跡が同じになるので、基
板端面から上方へ回り込む洗浄液による端面洗浄の度合
いをほぼ同じにすることができる。さらに、二つのバッ
クリンスノズルからなる一対のノズルから洗浄液が吐出
されるので、一つのノズルから洗浄液を吐出する場合に
比較して洗浄能力を高めることができる。
噴出方向θ2 に調整された二つのバックリンスノズル2
01 からなる一対のノズルと、噴出方向を前記噴出方向
θ2とは反対方向(θ2 ’(−θ))にした二つのバッ
クリンスノズル202 からなる一対のノズルを配設して
もよい。この場合は、それぞれの一対のバックリンスノ
ズル201 ,202 が制御部50によって正逆転時に切
り換えられる。これにより正転/逆転時のそれぞれおい
て基板裏面を流れる洗浄液の軌跡が同じになるので、基
板端面から上方へ回り込む洗浄液による端面洗浄の度合
いをほぼ同じにすることができる。さらに、二つのバッ
クリンスノズルからなる一対のノズルから洗浄液が吐出
されるので、一つのノズルから洗浄液を吐出する場合に
比較して洗浄能力を高めることができる。
【0037】なお、本実施例では、バックリンス1(第
1の工程)で基板を正転駆動し、バックリンス2(第2
の工程)で基板を逆転駆動したが、本発明はこれに限定
されることなく第1の工程で基板を逆転駆動し、第2の
工程で正転駆動するようにしてもよい。また、本実施例
では、エッジリンスを行った後にバックリンス1、バッ
クリンス2を行ったが、バックリンス1、バックリンス
2を行った後にエッジリンスを行うようにしてもよい。
さらにこの場合、バックリンス2の後半の時間とエッジ
リンスの前半の時間に重なりをもたせるようにすること
もできる。また、各処理の回転数や時間は適宜決定され
る。洗浄液の種類もフォトレジスト液の種類等の条件に
応じて適宜決定され、本実施例ではフォトレジスト液の
溶剤と同種の溶剤を使用したが、異種のものであっても
よく、また例えば、エッジリンスとバックリンス1、バ
ックリンス2とで異なる種類の洗浄液を用いてもよい。
さらに、エッジリンスを行わない場合には、レジスト塗
布とバックリンス1とをほぼ同時または一部重複するよ
うに行って、全体の処理時間を短縮するようにしてもよ
い。
1の工程)で基板を正転駆動し、バックリンス2(第2
の工程)で基板を逆転駆動したが、本発明はこれに限定
されることなく第1の工程で基板を逆転駆動し、第2の
工程で正転駆動するようにしてもよい。また、本実施例
では、エッジリンスを行った後にバックリンス1、バッ
クリンス2を行ったが、バックリンス1、バックリンス
2を行った後にエッジリンスを行うようにしてもよい。
さらにこの場合、バックリンス2の後半の時間とエッジ
リンスの前半の時間に重なりをもたせるようにすること
もできる。また、各処理の回転数や時間は適宜決定され
る。洗浄液の種類もフォトレジスト液の種類等の条件に
応じて適宜決定され、本実施例ではフォトレジスト液の
溶剤と同種の溶剤を使用したが、異種のものであっても
よく、また例えば、エッジリンスとバックリンス1、バ
ックリンス2とで異なる種類の洗浄液を用いてもよい。
さらに、エッジリンスを行わない場合には、レジスト塗
布とバックリンス1とをほぼ同時または一部重複するよ
うに行って、全体の処理時間を短縮するようにしてもよ
い。
【0038】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、第1の工程において基板回転時に基板円弧部
分後を追って移動するオリエンテーション・フラット部
分に付着したフォトレジストを洗浄除去し、第1の工程
とは逆回転となる第2の工程において、第1の工程で洗
浄されなかったオリエンテーション・フラット部分に付
着したフォトレジストを洗浄除去することができる。し
たがって、第1/第2の工程を経ることによって、基板
裏面の洗浄時に、基板のオリエンテーション・フラット
部分に付着したフォトレジストも確実に洗浄除去するこ
とができる。
によれば、第1の工程において基板回転時に基板円弧部
分後を追って移動するオリエンテーション・フラット部
分に付着したフォトレジストを洗浄除去し、第1の工程
とは逆回転となる第2の工程において、第1の工程で洗
浄されなかったオリエンテーション・フラット部分に付
着したフォトレジストを洗浄除去することができる。し
たがって、第1/第2の工程を経ることによって、基板
裏面の洗浄時に、基板のオリエンテーション・フラット
部分に付着したフォトレジストも確実に洗浄除去するこ
とができる。
【図1】実施例に係る回転式基板処理装置の縦断面図で
ある。
ある。
【図2】回転式基板処理装置の一部拡大図である。
【図3】バックリンスバットの平面図である。
【図4】図3のA−A矢視断面図である。
【図5】バックリンスノズルの噴出方向の説明に供する
図である。
図である。
【図6】実施例に係るフォトレジスト塗布処理を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図7】基板裏面洗浄の説明に供する図である。
【図8】回転式基板処理装置の変形例を示す図である。
【図9】基板裏面洗浄方法の説明に供する図である。
【図10】従来例に係る基板裏面洗浄装置を示す図であ
る。
る。
10 … 吸引式スピンチャック 11 … 回転軸 12 … 回転モーター 13 … 飛散防止カップ 14 … 上カップ 15 … 円形整流部材 16 … バックリンスバット 17 … 下カップ 20 … バックリンスノズル 30 … 吐出ノズル W … 基板 θ1 … 噴角 θ2 … 噴出方向
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/304 341 N (72)発明者 杉本 憲司 京都府京都市伏見区羽束師古川町322 大 日本スクリーン製造株式会社洛西工場内 (72)発明者 西村 譲一 京都府京都市伏見区羽束師古川町322 大 日本スクリーン製造株式会社洛西工場内
Claims (1)
- 【請求項1】 基板を回転させつつその裏面に下方から
洗浄液を吐出して基板の裏面を洗浄する方法であって、 基板を略水平姿勢で支持して回転させつつ、支持された
基板の下方から鉛直方向に対して基板外方へ傾斜した所
定の角度をもって上方へ洗浄液を吐出する第1の工程
と、 基板を略水平姿勢で支持して前記第1の工程と逆方向に
回転させつつ、支持された基板の下方から鉛直方向に対
して基板外方へ傾斜した所定の角度をもって上方へ洗浄
液を吐出する第2の工程と、 からなることを特徴とする基板裏面洗浄方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20803994A JPH0851064A (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 基板裏面洗浄方法 |
KR1019950023969A KR100191848B1 (ko) | 1994-08-08 | 1995-08-03 | 기판이면 세정방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20803994A JPH0851064A (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 基板裏面洗浄方法 |
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JPH0851064A true JPH0851064A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16549641
Family Applications (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2007300129A (ja) * | 2001-11-12 | 2007-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2008518767A (ja) * | 2004-11-03 | 2008-06-05 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 基板を保持する回転式装置 |
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1994
- 1994-08-08 JP JP20803994A patent/JPH0851064A/ja active Pending
-
1995
- 1995-08-03 KR KR1019950023969A patent/KR100191848B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (7)
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JP2007300129A (ja) * | 2001-11-12 | 2007-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2008518767A (ja) * | 2004-11-03 | 2008-06-05 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 基板を保持する回転式装置 |
US7950347B2 (en) | 2004-11-03 | 2011-05-31 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Rotatable device for holding a substrate |
JP4836958B2 (ja) * | 2004-11-03 | 2011-12-14 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 基板を保持する回転式装置 |
JP2007134671A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US7976896B2 (en) | 2005-10-11 | 2011-07-12 | Tokyo Electron Limited | Method of processing a substrate and apparatus processing the same |
JP2018147979A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR100191848B1 (ko) | 1999-06-15 |
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