JP2000091212A - 基板被膜の端縁部除去方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 下方から供給した処理液を基板の端縁部表面
に回り込ませることにより、簡単な工程でオリフラ部の
被膜を除去することができ、かつほぼ一定の除去幅で被
膜を除去することができる。 【解決手段】 基板Ｗの表面に形成された塗布被膜Ｆの
うち、基板Ｗの端縁部表面の被膜を除去する基板被膜の
端縁部除去方法において、基板Ｗの回転を低速にした状
態で、基板Ｗの下方から裏面に向けて処理液ＬＱを供給
して処理液ＬＱを基板Ｗの端縁部表面に回り込ませる。
これによりオリフラ部においても端縁から除去幅Ｄで被
膜Ｆを除去することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光
ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）の表面
に形成された塗布被膜のうち端縁部表面の被膜を除去す
る技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板を回転させることにより塗布液を表
面全体に塗り拡げて塗布被膜を形成するスピンコーティ
ング法では、塗布液が基板の裏面に回り込むため、元々
裏面に付着していたパーティクルとともにそれを除去す
る裏面洗浄処理（バックリンス処理とも呼ばれる）と、
剥がれによるパーティクルの発生を抑制するために塗布
被膜のうち端縁部表面のみを除去する端縁部除去処理
（エッジリンス処理とも呼ばれる）が一般的に行われて
いる。

【０００３】この端縁部除去処理は、一般的に以下に説
明するような方法で実施されている。

【０００４】『処理液による方法』（EBR(Edge Bead Re
mover)とも呼ばれる）は、基板の端縁部表面にノズルを
移動し、ノズルから処理液を供給して端縁部の塗布被膜
だけを溶解除去するものである。

【０００５】『露光による方法』（エッジ露光とも呼ば
れる）は、塗布被膜がフォトレジスト被膜などの感光性
である場合にのみ利用され、エッジ露光ユニットを用い
て基板の端縁部を露光した後、現像を行うことによって
端縁部の塗布被膜を除去するものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来例の場合には、次のような問題がある。すなわ
ち、『処理液による方法』では半導体基板に形成されて
いるオリエンテーションフラット（以下、オリフラと称
する）部分の処理が困難であるという問題がある。例え
ば、除去幅を２ｍｍとして端縁部除去処理を行った場
合、オリフラ部には処理液が触れないためこの部分の被
膜を除去することはできない。このオリフラ部の被膜を
除去するためには、例えば、６インチ径の半導体基板の
場合で３．５ｍｍ以上の除去幅が必要になるが、半導体
ウエハの中心部に残る被膜の面積が小さくなるため一枚
の半導体基板から採取できるチップ数が減少してしま
う。また、この方法による処理では、基板から見た処理
液が円を描くためオリフラ部とそれ以外の部分の除去幅
を一定にすることができない。

【０００７】また、『露光による方法』では、一定の幅
で被膜を除去することができる一方、エッジ露光ユニッ
トが必要になるとともに工程数が増えるためスループッ
トが低下する。また、除去対象の塗布被膜が非感光性の
場合には、その上に感光性被膜を形成した後に、露光・
現像・エッチングを行って端縁部の塗布被膜を除去する
必要があって工程が複雑になる。

【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、下方から供給した処理液を基板の端縁
部表面に回り込ませることにより、簡単な工程でオリフ
ラ部の被膜を除去することができ、かつほぼ一定の除去
幅で被膜を除去することができる基板被膜の端縁部除去
方法及びその装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の方法発明は、基板の表面に形成さ
れた塗布被膜のうち、基板の端縁部表面の被膜を除去す
る基板被膜の端縁部除去方法において、基板の回転を低
速にした状態で、基板の下方から裏面に向けて処理液を
供給し、処理液を基板の端縁部表面に回り込ませるよう
にしたことを特徴とするものである。

【００１０】なお、処理液が基板の表面に回り込みやす
いように、バックリンス処理時に比較して処理液の流量
はやや多めに設定し、その供給方向を回転中心側から円
周側に斜め上方に向けることが好ましい。

【００１１】また、請求項２に記載の方法発明は、請求
項１に記載の基板被膜の端縁部除去方法において、前記
処理液としてメタノール、エタノール、ＩＰＡ（イソプ
ロピルアルコール）のいずれか一つを用いるようにした
ことを特徴とするものである。

【００１２】また、請求項３に記載の方法発明は、請求
項１に記載の基板被膜の端縁部除去方法において、前記
処理液としてメタノール、エタノール、ＩＰＡ（イソプ
ロピルアルコール）のいずれか一つとＮＭＰ（N-メチル
-2- ピロリドン）を混合した混合溶液を用いるようにし
たことを特徴とするものである。

【００１３】また、請求項４に記載の方法発明は、請求
項１に記載の基板被膜の端縁部除去方法において、前記
処理液としてメタノール、エタノール、ＩＰＡ（イソプ
ロピルアルコール）のいずれか一つとＮＭＰ（N-メチル
-2- ピロリドン）を混合した混合溶液を用いて処理した
後に、メタノール、エタノール、ＩＰＡ（イソプロピル
アルコール）のいずれか一つを処理液として用いて処理
するようにしたことを特徴とするものである。

【００１４】また、請求項５に記載の方法発明は、請求
項１ないし４に記載の基板被膜の端縁部除去方法におい
て、前記処理を、基板の表面に塗布被膜を形成する塗布
処理に引き続いて実施するようにしたことを特徴とする
ものである。

【００１５】また、請求項６に記載の装置発明は、基板
の表面に形成された塗布被膜のうち、基板の端縁部表面
の被膜を除去する基板被膜の端縁部除去装置において、
基板を回転自在に支持する回転支持手段と、基板の下方
から裏面に向けて処理液を供給する処理液供給手段と、
前記回転支持手段により基板の回転を低速にした状態
で、前記処理液供給手段から処理液を供給して前記基板
の端縁部表面に処理液を回り込ませるように制御する制
御手段と、を備えていることを特徴とするものである。

【００１６】

【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。基板が低速回転された状態で、その裏面に向けて下
方から供給された処理液は、弱い遠心力によって外周方
向に裏面を伝って移動し、その端縁部裏面において上方
に向かう。このとき表面張力が作用して処理液が基板の
端縁部表面に一旦回り込むため、半導体基板のオリフラ
部にも処理液が回り込み被膜を除去することができる。

【００１７】また、請求項２に記載の発明によれば、メ
タノール、エタノール、ＩＰＡのいずれか一つを処理液
として用いることにより、基板の端縁部表面に処理液が
回り込みやすくなる。

【００１８】また、請求項３に記載の発明によれば、ア
ルコール系溶剤を溶媒として使用している塗布被膜に対
して同様のアルコール系溶剤を処理液として使用する
と、被膜への浸透力が強過ぎて被膜の除去端部分が盛り
上がる現象が生じる。このように被膜が盛り上がると、
特に、シリカ系被膜形成材や強誘電体材料からなる被膜
ではその後の高温熱処理プロセスを行うため、この工程
で盛り上がり部分が剥がれてパーティクルを発生する原
因となる。そこでＮＭＰを混合した混合溶液を用いるこ
とにより、被膜への浸透が抑制されて被膜の盛り上がり
を防止することができる。

【００１９】また、請求項４に記載の発明によれば、ア
ルコール系溶剤とＮＭＰの混合溶液により処理すると、
被膜の盛り上がりを防止しつつも基板の表面に回り込み
やすくすることができる一方、ＮＭＰは非常に乾燥しに
くい性質をもっているため乾燥処理に時間を要すること
になる。そこで、上記混合溶液の後にメタノール、エタ
ノール、ＩＰＡのいずれかで処理することにより、乾燥
しにくいＮＭＰを乾燥しやすいアルコール系溶剤で置換
して乾きやすくすることができる。

【００２０】また、請求項５に記載の発明によれば、処
理液を基板の裏面から供給する端縁部除去方法であるた
め塗布処理に続けて同一装置内で実施することができ、
処理を効率的に施すことができる。

【００２１】また、請求項６に記載の発明によれば、制
御手段が回転支持手段を制御し、基板の回転を遅くした
状態で処理液供給手段から処理液を供給すると、その裏
面に向けて下方から供給された処理液は、弱い遠心力に
よって外周方向に向かうとともに端縁部裏面において上
方に向かう。このとき表面張力により処理液が基板の端
縁部表面に一旦回り込むため、半導体基板のオリフラ部
にも処理液が回り込み被膜を除去することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は、半導体基板にフォトレジス
ト被膜を形成するとともに、本発明に係る基板被膜の端
縁部除去方法を実施する基板塗布装置の概略構成を示す
縦断面図である。

【００２３】図中、符号１は、本発明の回転支持手段に
相当する真空吸引式のスピンチャックであり、半導体基
板Ｗを水平姿勢で吸着支持するものである。このスピン
チャック１は、中空の回転軸３を介して電動モータ５に
よって回転駆動される。スピンチャック１の周囲には、
被膜形成用のフォトレジスト液や被膜の端縁部を除去す
るための処理液の飛散を防止する飛散防止カップ７が配
設されている。図示しない基板搬送手段とスピンチャッ
ク１との間で半導体基板Ｗを受け渡す際には、図示しな
い昇降手段が回転軸３と飛散防止カップ７とを相対昇降
させることにより、スピンチャック１を飛散防止カップ
７の上方に移動させるようになっている（図中の二点鎖
線）。また、飛散防止カップ７の側方には、半導体基板
Ｗの回転中心付近にあたる供給位置に移動して、フォト
レジスト液を供給するノズル９が配備されている。

【００２４】上述した飛散防止カップ７は、上カップ１
１と、円形整流板１３と、リンスバット１５と、下カッ
プ１７とから構成されている。上カップ１１は、上部に
開口部を有し、さらに半導体基板Ｗの周囲に飛散したフ
ォトレジスト液やエッジリンスやバックリンス用の処理
液の飛沫を下方へ案内する傾斜面を備えている。この上
カップ１１は、下カップ１７の外周壁の上端部段落面に
嵌め込まれている。

【００２５】円形整流板１３は、リンスバット１５に嵌
め込まれて、これとともに下カップ１７に嵌め込まれて
取付けられている。その上部には、上カップ１１の開口
部から流入して半導体基板Ｗの周縁に沿って流下する気
流を下カップ１７に整流して案内するとともに、上カッ
プ１１の傾斜面により下方に案内されたフォトレジスト
液や処理液の飛沫を気流に乗せて下カップ１７に案内す
る整流面が形成されている。

【００２６】下カップ１７は、外周壁の下部に内接する
リング状の排液ゾーン１７ａと、この排液ゾーン１７ａ
の内側に形成されたリング状の排気ゾーン１７ｂとを有
する。排液ゾーン１７ａは、その底部の排液口を介して
排液タンクに接続されている。排気ゾーン１７ｂの底部
は、カップ排気口を介して排気ポンプに接続されてい
る。

【００２７】リンスバット１５には、平面視で回転軸３
を挟む対称な位置に２本のリンスノズル２１が立設けら
れ、それらの先端部が円形整流板１３の上部に突出した
状態となっている。本発明の処理液供給手段に相当する
これらのリンスノズル２１には、リンスバット１５の一
部位に取り付けられた管継ぎ手２３と供給配管２５を介
して処理液供給源２７から処理液が供給される。上記の
リンスノズル２１は、半導体基板Ｗの回転中心側の下方
からその円周側の裏面に向けて斜め上方に処理液が供給
できるようにその吐出口２１ａが形成されている（図３
（ａ）を参照）。

【００２８】供給配管２５には開閉弁と流量調節弁の機
能を兼ね備えた流量調節弁２９と、流量センサ３１とが
取り付けられている。これらは本発明の制御手段に相当
する制御部３３に接続されており、後述する処理プログ
ラムに応じて流量調節弁２９の開閉タイミングおよび開
度が調節されるとともに、流量センサ３１で検出された
実流量と処理プログラムでの設定流量との差分に応じて
開度が微調整される。制御部３３に接続されているメモ
リ３５は、上記の処理プログラムなどを予め記憶してい
る。また、制御部３３は、上述した電動モータ５の回転
駆動、ノズル９からのフォトレジスト液の供給、半導体
基板Ｗの受け渡し時における飛散防止カップ７とスピン
チャック１との相対昇降駆動などを制御している。

【００２９】次に、上記のように構成されている基板塗
布装置の動作について、処理プログラムのタイムチャー
トである図２を参照しながら説明する。なお、半導体基
板Ｗは、図１に示すように既にスピンチャック１に吸着
保持されており、ノズル９は図１に示す位置よりも下方
の供給位置に移動してフォトレジスト液の供給準備が整
っているものとする。

【００３０】まず、制御部３３は、電動モータ５を回転
駆動する前、具体的にはt₁時点からt₂時点の間（供給時
間Ｔ_SU）、ノズル９からフォトレジスト液をほぼ一定の
流量で吐出させ所要量のフォトレジスト液を半導体基板
Ｗの表面に供給する。このとき供給されたフォトレジス
ト液は、半導体基板Ｗの中心部で平面視略円形の状態と
なっている。

【００３１】ノズル９からのフォトレジスト液の供給が
完了するのと同時に、制御部３３は電動モータ５の回転
駆動を開始する。その回転駆動は、t₃時点において半導
体基板Ｗの回転数がＲ１（例えば、５００ｒｐｍ）に達
するような加速度で行われる。回転数Ｒ１による回転駆
動は、t₄時点まで維持される。すると、図３（ａ）に示
すように半導体基板Ｗの中心部にあったフォトレジスト
液Ｒは遠心力により端縁部に向かって拡がってゆき、最
終的には半導体基板Ｗの表面全体を厚く覆うとともに、
その周縁部を覆ったり端縁部裏面に回り込む。

【００３２】そして、t₄時点において回転数が上昇され
始め、t₅時点で半導体基板Ｗの回転数がＲ２（例えば、
３，０００ｒｐｍ）に達するように加速される。この回
転数Ｒ２はt₆時点まで維持される。これにより半導体基
板Ｗを覆っていたフォトレジスト液Ｒのうちの余剰分が
振り切られるとともに、フォトレジスト液Ｒに含まれて
いる溶媒の揮発が促進され、フォトレジスト液Ｒが全面
にわたって薄膜化されてフォトレジスト被膜Ｆが形成さ
れる（図３（ａ））。なお、図では省略しているが、高
速回転Ｒ２により振り切られたフォトレジスト液がミス
トとなって半導体基板Ｗの裏面に付着している。

【００３３】次いで、t₇時点において回転数がＲ３（例
えば、３００ｒｐｍ）に達するようにt₆時点で減速を開
始する。この低速回転はt₉時点まで維持されるが、回転
数Ｒ３に減速した後、制御部３３はt₈時点からt₉時点ま
での間、流量センサ３１で実流量を測定しつつこれが処
理流量（例えば、２００ｃｃ／ｍｉｎ）に一致するよう
に流量調節弁２９を調節する。これにより処理液供給源
２７の処理液がリンスノズル２１から半導体基板Ｗの裏
面に向けて供給時間Ｔ_ERの間だけ供給される。すると図
３（ｂ）に示すように処理液ＬＱは半導体基板Ｗの端縁
部に向かい、裏面に付着しているフォトレジスト液のミ
ストを溶解除去するとともに、表面張力で表面に回り込
んでフォトレジスト被膜Ｆの端縁部を溶解除去しつつ周
囲に飛散する。

【００３４】なお、回転数Ｒ３は低速であるため遠心力
が弱く、処理液ＬＱが回転中心側にも入りやすくなって
いる関係上、スピンチャック１の直径は従来のものより
も小さくしておくことが好ましい。具体的には上述した
６インチ径用の装置の場合、スピンチャック１の径はφ
５４ｍｍと小さくしてある。これにより吸着不良や搬送
不良が生じることを防止することができる。

【００３５】また、回転数Ｒ３は１００〜５００ｒｐｍ
の範囲が好ましい。回転数Ｒ３が１００ｒｐｍを下回る
場合には、遠心力が弱すぎて処理液が裏面を伝って端縁
部に達しにくく端縁部表面への回り込み量が小さくな
る。また、回転数Ｒ３が５００ｒｐｍを越える場合に
は、遠心力が強すぎてやはり端縁部表面への回り込み量
が小さくなるからである。

【００３６】t₉時点において、流量調節弁２９が閉止さ
れるとともに回転数が再びＲ２に上昇され、この回転数
Ｒ２を t₁₁時点まで維持することにより、乾燥処理が行
われる。最終的には、図３（ｃ）に示すようにフォトレ
ジスト被膜Ｆが除去幅Ｄで端縁部から除去されることに
なる。この除去幅Ｄは、回転数Ｒ３や処理液の設定流量
によって調節することができる。

【００３７】このように処理液を半導体基板Ｗの裏面か
ら供給して、その表面に回り込ませることによってフォ
トレジスト被膜Ｆの端縁部を除去するようにしているた
め、図４に示すように半導体基板Ｗのオリフラ部におい
ても処理液が同様に回り込んでフォトレジスト被膜Ｆを
除去することができる。したがって、簡単な工程であっ
ても半導体基板Ｗのオリフラ部のフォトレジスト被膜Ｆ
を除去することができる。しかもその除去幅Ｄ’は、処
理液の回り込み量がどの部分でもほぼ同じであるため除
去幅Ｄとほぼ同じにすることができる。

【００３８】上述した『フォトレジスト被膜Ｆ』の処理
液としては以下のものが挙げられる。

【００３９】すなわち、一般的には、フォトレジスト被
膜Ｆに含まれる溶媒と同成分の溶剤を処理液として利用
することができる。具体的には、メタノール、エタノー
ル、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などがあり、こ
れらのうちのいずれか一つを処理液として用いる。実際
に上述した条件で処理液としてメタノールを用い、６イ
ンチ径の半導体基板を処理した結果、除去幅Ｄ＝５ｍｍ
（オリフラ部の除去幅Ｄ’も略同一）で除去することが
できた。

【００４０】しかしながら、その除去端Ｆ_BD（図４参
照）では、図５の膜厚分布に示されるように半導体基板
Ｗの表面（膜厚＝０）から大きく盛り上がる現象が生じ
た。これはフォトレジスト被膜への処理液の浸透力が強
過ぎることが原因である。但し、フォトレジスト被膜の
場合には、高温プロセス時に剥がれてパーティクルを生
じるシリカ系被膜形成材や強誘電体材料からなる被膜に
比較して問題となることは少ない。

【００４１】その他に、ＰＥＧＭＩＡ（プロピレングリ
コール・モノメチル・エーテル・アセテート）、ＥＥＰ
（エチル−３−エトシン・プロピオネート）、ＧＢＲ
（γ−ブチル・ラクトン）、ＮＢＡ（ｎ−ブチル・アセ
テート）等やその混合液を採用することができる。

【００４２】また、塗布被膜がフォトレジスト被膜Ｆで
はなく、チタン酸ジルコン酸鉛Pb(Zr,Ti)O₃ によって形
成された『強誘電体薄膜』である場合には、以下のもの
が処理液として好適である。

【００４３】ＮＭＰ（N-メチル-2- ピロリドン） ポリイミド樹脂などの溶媒として用いられているＮＭＰ
を処理液として利用すると、上述したフォトレジスト被
膜に対してアルコール系溶剤を処理液として用いた場合
に生じた問題を防止することができる。実際に、処理し
た半導体基板のオリフラ部分における除去端Ｆ_BDの膜厚
分布は、図６に示すようになり、アルコール系溶剤によ
って発生した盛り上がりが全く生じていないことが判
る。しかしながら、このＮＭＰは、粘性が高いためか裏
面から表面に回り込みにくく除去幅Ｄを大きくするには
条件調整が必要である。

【００４４】ＮＭＰと溶剤の混合溶液 上述した溶剤，ＮＭＰの処理液に生じる不都合を解決す
るものであり、例えば、溶剤とＮＭＰを１対１で混合し
たものを処理液として用いる。実際に、メタノールにＮ
ＭＰを混合した溶液で半導体基板を処理した場合、オリ
フラ部分における除去端Ｆ_BDの膜厚分布は図７に示すよ
うになり、被膜の盛り上がりが全く生じていないことが
判る。つまり、このような混合溶液により半導体基板の
裏面から表面に処理液を回り込みやすくでき、しかも除
去端における盛り上がりの発生を防止することができ
て、除去端部分を綺麗に仕上げることができる。

【００４５】また、このように溶剤とＮＭＰを混合する
場合には、その混合比を調節することによって除去幅や
除去端の状態を制御することができる。

【００４６】さらに、塗布被膜がフォトレジスト被膜Ｆ
ではなく、『シリカ系被膜（ＳＯＧ）』である場合に
は、シクロヘキサノン、ＧＢＲ（γ−ブチル・ラクト
ン）、乳酸エチル、ピルビン酸エチル等やその混合液が
処理液として好適である。

【００４７】ところで、上述したＮＭＰには上述したよ
うな利点がある一方で、非常に乾燥しにくい。そのため
ＮＭＰを含む処理液で端縁部除去を行うと、その後の乾
燥処理（図２のt₉〜t₁₂ 時点）に長時間を要することに
なる。そこで図８に示すように第１リンスノズル２２
と、第２リンスノズル２４との２種類のリンスノズルを
配設する。そして、最初に第１リンスノズル２２からエ
タノールとＮＭＰの混合溶液を処理液として供給してフ
ォトレジスト被膜の端縁部を除去し、次に、回転数をや
や高めて（例えば、１，５００ｒｐｍ）、第２リンスノ
ズル２４からエタノールを処理液として供給する。これ
により裏面に付着している乾燥しにくいＮＭＰを速乾性
のエタノールで置換することができ、その後の乾燥処理
に要する時間を短縮することができる。

【００４８】なお、処理液供給手段であるリンスノズル
２１、第１リンスノズル２２は、半導体基板Ｗの裏面に
向けて斜め上方に処理液が供給できるように構成されて
いるが、これは半導体基板Ｗの表面の端縁部に回り込み
やすくするためであり、除去幅が小さい場合には真上に
処理液を供給する構造を採用してもよい。

【００４９】また、上述した実施例では、同一の装置内
においてフォトレジスト液の塗布処理に続けてその端縁
部除去を行ったが、塗布処理を終えた基板を塗布処理と
は別体の端縁部除去装置に搬送してから、上述した方法
を用いて端縁部の除去処理を行うようにしてもよい。

【００５０】また、上記の説明においてはほぼ円形状の
半導体基板を例に採って説明したが、基板の全周囲にわ
たってほぼ均一に処理液を回り込ませて端縁部の被膜を
除去することができるので、液晶表示器のガラス基板な
どの角形基板であっても四隅でムラを生じることなく端
縁部表面の被膜を除去することができる。

【００５１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の方法発明によれば、裏面から端縁部で上方に
向かった処理液が表面張力により基板の端縁部表面に一
旦回り込むため、半導体基板のオリフラ部でも処理液が
同様に回り込んで被膜を除去することができる。したが
って、簡単な工程であっても半導体基板においてオリフ
ラ部の被膜を除去することができ、しかも処理液の回り
込み量はどの部分でもほぼ同じであるため除去幅をほぼ
一定にすることができる。その結果、従来に比較して半
導体基板に形成可能なチップ数を多くすることができ
る。

【００５２】なお、基板の全周囲にわたってほぼ均一に
処理液を回り込ませて端縁部の被膜を除去するので、液
晶表示器のガラス基板であっても四隅でムラを生じるこ
となく端縁部表面の被膜を除去することができる。

【００５３】また、請求項２に記載の方法発明によれ
ば、メタノール、エタノール、ＩＰＡのいずれか一つを
処理液として用いることにより、処理液が基板の端縁部
表面に回り込みやすくなるので、端縁部表面の被膜を安
定して除去することができる。

【００５４】また、請求項３に記載の方法発明によれ
ば、アルコール系溶剤にＮＭＰを混合した混合溶液を処
理液として用いることにより、処理液が端縁部表面に回
り込みやすくして端縁部表面の被膜を安定して除去する
ことができるとともに被膜の除去端の盛り上がりを防止
することができる。したがって、塗布被膜の除去端部分
を綺麗に仕上げることができる。

【００５５】また、請求項４に記載の方法発明によれ
ば、ＮＭＰを含む混合溶液の後にメタノール、エタノー
ル、ＩＰＡのいずれかで処理することにより、乾燥しに
くいＮＭＰを乾燥しやすいアルコール系溶剤で置換して
乾きやすくすることができる。したがって、被膜の盛り
上がりを防止することができるとともにスループットを
向上することができる。

【００５６】また、請求項５に記載の方法発明によれ
ば、塗布処理に続けて同一装置内で実施することがで
き、基板被膜の端縁部除去処理を効率的に施すことがで
きる。

【００５７】また、請求項６に記載の装置発明によれ
ば、請求項１に記載の方法発明を好適に実施することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係る基板塗布装置の概略構成を示す縦
断面図である。

【図２】処理プログラムの一例を示すタイムチャートで
ある。

【図３】フォトレジスト被膜の端縁部除去の過程を説明
する模式図である。

【図４】フォトレジスト被膜の端縁部が除去された状態
の説明に供する図である。

【図５】メタノールを処理液として用いた場合の除去端
の膜厚分布を示すグラフである。

【図６】ＮＭＰを処理液として用いた場合の除去端の膜
厚分布を示すグラフである。

【図７】ＮＭＰとメタノールの混合溶液を処理液として
用いた場合の除去端の膜厚分布を示すグラフである。

【図８】変形例を示す要部の縦断面図である。

【符号の説明】

Ｗ … 半導体基板 １ … スピンチャック（回転支持手段） ３ … 回転軸 ５ … 電動モータ ７ … 飛散防止カップ １５ … リンスバット ２１ … リンスノズル（処理液供給手段） ２１ａ … 吐出口 ２９ … 流量調節弁 ３１ … 流量センサ ３３ … 制御部（制御手段） Ｒ … フォトレジスト液 Ｆ … フォトレジスト被膜 Ｄ … 除去幅 Ｄ’ … オリフラ部の除去幅 Ｆ_BD … 除去端

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 CA14 FA10 LA13 4J038 RA02 RA04 RA16 5F046 JA02 JA06 JA09 JA13 JA15

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の表面に形成された塗布被膜のう
   ち、基板の端縁部表面の被膜を除去する基板被膜の端縁
   部除去方法において、 基板の回転を低速にした状態で、基板の下方から裏面に
   向けて処理液を供給し、処理液を基板の端縁部表面に回
   り込ませるようにしたことを特徴とする基板被膜の端縁
   部除去方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板被膜の端縁部除去
   方法において、 前記処理液としてメタノール、エタノール、ＩＰＡ（イ
   ソプロピルアルコール）のいずれか一つを用いるように
   したことを特徴とする基板被膜の端縁部除去方法。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板被膜の端縁部除去
   方法において、 前記処理液としてメタノール、エタノール、ＩＰＡ（イ
   ソプロピルアルコール）のいずれか一つとＮＭＰ（N-メ
   チル-2- ピロリドン）を混合した混合溶液を用いるよう
   にしたことを特徴とする基板被膜の端縁部除去方法。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の基板被膜の端縁部除去
   方法において、 前記処理液としてメタノール、エタノール、ＩＰＡ（イ
   ソプロピルアルコール）のいずれか一つとＮＭＰ（N-メ
   チル-2- ピロリドン）を混合した混合溶液を用いて処理
   した後に、 メタノール、エタノール、ＩＰＡ（イソプロピルアルコ
   ール）のいずれか一つを処理液として用いて処理するよ
   うにしたことを特徴とする基板被膜の端縁部除去方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４に記載の基板被膜の端
   縁部除去方法において、 前記処理を、基板の表面に塗布被膜を形成する塗布処理
   に引き続いて実施するようにしたことを特徴とする基板
   被膜の端縁部除去方法。
6. 【請求項６】 基板の表面に形成された塗布被膜のう
   ち、基板の端縁部表面の被膜を除去する基板被膜の端縁
   部除去装置において、 基板を回転自在に支持する回転支持手段と、 基板の下方から裏面に向けて処理液を供給する処理液供
   給手段と、 前記回転支持手段により基板の回転を低速にした状態
   で、前記処理液供給手段から処理液を供給して前記基板
   の端縁部表面に処理液を回り込ませるように制御する制
   御手段と、 を備えていることを特徴とする基板被膜の端縁部除去装
   置。