JPH08261535A - 排塵装置、半導体処理装置及び蒸着装置 - Google Patents
排塵装置、半導体処理装置及び蒸着装置Info
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- JPH08261535A JPH08261535A JP6441195A JP6441195A JPH08261535A JP H08261535 A JPH08261535 A JP H08261535A JP 6441195 A JP6441195 A JP 6441195A JP 6441195 A JP6441195 A JP 6441195A JP H08261535 A JPH08261535 A JP H08261535A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】物の製造、加工、処理等の行われるチャンバー
の内部機構に悪影響を及ぼすことなく、チャンバー内の
各部に生じた塵を、容易且つ効果的に除去することので
きる排塵装置を得る。 【構成】 物の製造、加工、処理等が行われるチャンバ
ー１内に気体を供給する気体供給源１０と、そのチャン
バー１内の気体を排気する排気手段１７とを設けたもの
である。
の内部機構に悪影響を及ぼすことなく、チャンバー内の
各部に生じた塵を、容易且つ効果的に除去することので
きる排塵装置を得る。 【構成】 物の製造、加工、処理等が行われるチャンバ
ー１内に気体を供給する気体供給源１０と、そのチャン
バー１内の気体を排気する排気手段１７とを設けたもの
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は排塵装置、半導体処理装
置及び蒸着装置に関する。
置及び蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)
（化学気相成長）、真空蒸着等を行う半導体成膜装置で
は、チャンバー内でウェーハに対し成膜処理を行うが、
ウェーハ以外の治具、チャンバーの内壁等に、成膜処理
に伴って、成膜原料から生成する生成物が大量に付着
し、又、その一部が剥離して塵（ダスト）等となって、
チャンバー内を浮遊したり、ウェーハ以外の治具、チャ
ンバーの内壁等に再度付着したりする。このため、かか
る半導体成膜装置の実稼働率は頗る低くなる。
（化学気相成長）、真空蒸着等を行う半導体成膜装置で
は、チャンバー内でウェーハに対し成膜処理を行うが、
ウェーハ以外の治具、チャンバーの内壁等に、成膜処理
に伴って、成膜原料から生成する生成物が大量に付着
し、又、その一部が剥離して塵（ダスト）等となって、
チャンバー内を浮遊したり、ウェーハ以外の治具、チャ
ンバーの内壁等に再度付着したりする。このため、かか
る半導体成膜装置の実稼働率は頗る低くなる。
【０００３】又、チャンバー内で基材上に蒸着により磁
性材料を付着させて磁気テープ、磁気ディスク等の磁気
媒体を製造する装置や、チャンバー内で液晶装置の基板
上に蒸着によりＩＴＯ膜（酸化インジウム膜）からなる
電極を形成する装置等においても、ウェーハ以外の治
具、チャンバーの内壁等に、蒸着処理に伴って、蒸着材
料が大量に付着し、又、その一部が剥離して塵（ダス
ト）等となって、チャンバー内を浮遊したり、被蒸着物
以外の治具、チャンバーの内壁等に再度付着したりす
る。このため、蒸着装置の実稼働率は頗る低くなる。
性材料を付着させて磁気テープ、磁気ディスク等の磁気
媒体を製造する装置や、チャンバー内で液晶装置の基板
上に蒸着によりＩＴＯ膜（酸化インジウム膜）からなる
電極を形成する装置等においても、ウェーハ以外の治
具、チャンバーの内壁等に、蒸着処理に伴って、蒸着材
料が大量に付着し、又、その一部が剥離して塵（ダス
ト）等となって、チャンバー内を浮遊したり、被蒸着物
以外の治具、チャンバーの内壁等に再度付着したりす
る。このため、蒸着装置の実稼働率は頗る低くなる。
【０００４】そこで、かかるチャンバー内を清浄化する
方法としては、プラズマクリーニング法やメカニカルク
リーニング法がある。プラズマクリーニング法は、チャ
ンバー内に浸食性ガスを封入した状態で、チャンバーの
周囲にコイルを配して、これに高周波電流を流すか、チ
ャンバー内に１対の対向電極を配して、それら間に高周
波電圧を印加して、チャンバー内にプラズマを発生させ
てクリーニングを行う方法である。又、メカニカルクリ
ーニング法は、チャンバー内の治具、チャンバー内壁等
を、擦ったり、生成物を剥離させたり、拭いたりしてク
リーニングを行う方法で、このクリーニングは、通常
は、成膜処理を何回か行った後の定期メンテナンス時に
実施される。
方法としては、プラズマクリーニング法やメカニカルク
リーニング法がある。プラズマクリーニング法は、チャ
ンバー内に浸食性ガスを封入した状態で、チャンバーの
周囲にコイルを配して、これに高周波電流を流すか、チ
ャンバー内に１対の対向電極を配して、それら間に高周
波電圧を印加して、チャンバー内にプラズマを発生させ
てクリーニングを行う方法である。又、メカニカルクリ
ーニング法は、チャンバー内の治具、チャンバー内壁等
を、擦ったり、生成物を剥離させたり、拭いたりしてク
リーニングを行う方法で、このクリーニングは、通常
は、成膜処理を何回か行った後の定期メンテナンス時に
実施される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】プラズマクリーニング
法は、半導体処理の行われるチャンバーの内壁や治具に
薄く付着している生成物の除去や局部的な清浄化は可能
であるが、全体的な清浄化は困難であるし、又、浸食性
ガスを使用するため、チャンバーの内部機構に悪影響を
及ぼすおそれがある。
法は、半導体処理の行われるチャンバーの内壁や治具に
薄く付着している生成物の除去や局部的な清浄化は可能
であるが、全体的な清浄化は困難であるし、又、浸食性
ガスを使用するため、チャンバーの内部機構に悪影響を
及ぼすおそれがある。
【０００６】メカニカルクリーニング法は、チャンバー
の内壁や治具に厚く付着している生成物の除去や全体的
な清浄化は可能であるが、このメカニカルクリーニング
によって、チャンバー内に生成物の塵（ダスト）等が浮
遊し、又、これが再度チャンバー内の各部に付着するお
それがある。
の内壁や治具に厚く付着している生成物の除去や全体的
な清浄化は可能であるが、このメカニカルクリーニング
によって、チャンバー内に生成物の塵（ダスト）等が浮
遊し、又、これが再度チャンバー内の各部に付着するお
それがある。
【０００７】かかる点に鑑み、本発明は、物の製造、加
工、処理等の行われるチャンバーの内部機構に悪影響を
及ぼすことなく、チャンバー内の各部に生じた塵（ダス
ト）を、容易且つ効果的に除去することのできる排塵装
置を提案しようとするものである。
工、処理等の行われるチャンバーの内部機構に悪影響を
及ぼすことなく、チャンバー内の各部に生じた塵（ダス
ト）を、容易且つ効果的に除去することのできる排塵装
置を提案しようとするものである。
【０００８】本発明は、半導体処理が行われるチャンバ
ーの内部機構に悪影響を及ぼすことなく、チャンバー内
の各部に生じた塵（ダスト）を、容易且つ効果的に除去
することのできる半導体処理装置を提案しようとするも
のである。
ーの内部機構に悪影響を及ぼすことなく、チャンバー内
の各部に生じた塵（ダスト）を、容易且つ効果的に除去
することのできる半導体処理装置を提案しようとするも
のである。
【０００９】本発明は、蒸着が行われるチャンバーの内
部機構に悪影響を及ぼすことなく、チャンバー内の各部
に生じた塵（ダスト）を、容易且つ効果的に除去するこ
とのできる蒸着装置を提案しようとするものである。
部機構に悪影響を及ぼすことなく、チャンバー内の各部
に生じた塵（ダスト）を、容易且つ効果的に除去するこ
とのできる蒸着装置を提案しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、物の製造、加
工、処理等を行うチャンバー内に気体を供給する気体供
給源と、そのチャンバー内の気体を排気する排気手段と
を設けたことを特徴とする排塵装置である。
工、処理等を行うチャンバー内に気体を供給する気体供
給源と、そのチャンバー内の気体を排気する排気手段と
を設けたことを特徴とする排塵装置である。
【００１１】
【作用】かかる本発明によれば、気体供給源からチャン
バー内に気体を供給し、その気体を排気手段によって外
部に排気することによって、チャンバー内の塵を外部に
排出する。
バー内に気体を供給し、その気体を排気手段によって外
部に排気することによって、チャンバー内の塵を外部に
排出する。
【００１２】
【実施例】以下に、半導体成膜装置としてのプラズマＣ
ＶＤ装置に本発明を適用した実施例を詳細に説明する。
１は円筒、角筒等の筒状チャンバーで、その内周面に対
向する如くシールド板２が配されている。所定の気体の
封入されたチャンバー１内に、互いに対向する上下の電
極（電極板）３、７が、その各対向面が平行となるよう
に配されている。上側の電極３上にシールド板４が設け
られている。下側の電極７上には半導体ウェーハ８が載
置されている。これら電極３、７は、それぞれチャンバ
ー１の外側に貫通する如く電極３、７に取付けられた棒
５、９によって、上下に移動せしめられる。そして、プ
ラズマＣＶＤ処理時に、上下の電極３、７間に高周波電
圧が印加されて、チャンバー１内に封入された気相原料
がプラズマ化される。
ＶＤ装置に本発明を適用した実施例を詳細に説明する。
１は円筒、角筒等の筒状チャンバーで、その内周面に対
向する如くシールド板２が配されている。所定の気体の
封入されたチャンバー１内に、互いに対向する上下の電
極（電極板）３、７が、その各対向面が平行となるよう
に配されている。上側の電極３上にシールド板４が設け
られている。下側の電極７上には半導体ウェーハ８が載
置されている。これら電極３、７は、それぞれチャンバ
ー１の外側に貫通する如く電極３、７に取付けられた棒
５、９によって、上下に移動せしめられる。そして、プ
ラズマＣＶＤ処理時に、上下の電極３、７間に高周波電
圧が印加されて、チャンバー１内に封入された気相原料
がプラズマ化される。
【００１３】ボンベ、又は、ボンベとポンプ等からなる
気体供給源（ガス供給源）１０が、チャンバー１内に連
通するパイプ１１を通じて、例えば、チャンバー１の天
板に取付けられている。パイプ１１の途中には、気体内
の塵（ダスト）等を除去するフィルタ１２及びバルブ１
３が取付けられている。
気体供給源（ガス供給源）１０が、チャンバー１内に連
通するパイプ１１を通じて、例えば、チャンバー１の天
板に取付けられている。パイプ１１の途中には、気体内
の塵（ダスト）等を除去するフィルタ１２及びバルブ１
３が取付けられている。
【００１４】排気ポンプ（真空ポンプ、電気掃除機等も
可）１７が、チャンバー１内に連通するパイプ１４を通
じて、チャンバー１の底板に取付けられている。パイプ
１４の途中にはバルブ１５が設けられている。
可）１７が、チャンバー１内に連通するパイプ１４を通
じて、チャンバー１の底板に取付けられている。パイプ
１４の途中にはバルブ１５が設けられている。
【００１５】ウェーハ８に対するプラズマＣＶＤ処理に
よる半導体成膜処理が終了した後、先ず、チャンバー１
内の治具、チャンバー内壁等を、擦ったり、生成物を剥
離させたり、拭いたりしてメカニカルクリーニングを行
う。しかる後、バルブ１３、１５を開放し、気体供給源
１０からの空気等の浸食性のない加圧された気体を、パ
イプ１１を通じてフィルタ１２に供給して清浄化した
後、バルブ１１を通じて、チャンバー１内に大量に吹き
出させると共に、チャンバー１内の気体をパイプ１４を
通じて排気ポンプ１７によって排気する。この場合、チ
ャンバー１内が、チャンバー１内の塵を十分排除できる
ような圧力（例えば、１気圧に近い圧力、又は、それ以
上高い圧力）になるように、気体の供給及び排気の状態
を設定する。かくして、チャンバー１内の各部に残存
し、剥離し易くなっているＣＶＤ処理による生成物のダ
スト（塵）等１６が、その気体によって吹き飛ばされて
剥離して、その生成物のダスト（塵）１６がチャンバー
１内の気体中に浮遊し、パイプ１４を通じてその気体と
共に、排気ポンプ１７によって外部に排出されて、チャ
ンバー１の内部は清浄化される。
よる半導体成膜処理が終了した後、先ず、チャンバー１
内の治具、チャンバー内壁等を、擦ったり、生成物を剥
離させたり、拭いたりしてメカニカルクリーニングを行
う。しかる後、バルブ１３、１５を開放し、気体供給源
１０からの空気等の浸食性のない加圧された気体を、パ
イプ１１を通じてフィルタ１２に供給して清浄化した
後、バルブ１１を通じて、チャンバー１内に大量に吹き
出させると共に、チャンバー１内の気体をパイプ１４を
通じて排気ポンプ１７によって排気する。この場合、チ
ャンバー１内が、チャンバー１内の塵を十分排除できる
ような圧力（例えば、１気圧に近い圧力、又は、それ以
上高い圧力）になるように、気体の供給及び排気の状態
を設定する。かくして、チャンバー１内の各部に残存
し、剥離し易くなっているＣＶＤ処理による生成物のダ
スト（塵）等１６が、その気体によって吹き飛ばされて
剥離して、その生成物のダスト（塵）１６がチャンバー
１内の気体中に浮遊し、パイプ１４を通じてその気体と
共に、排気ポンプ１７によって外部に排出されて、チャ
ンバー１の内部は清浄化される。
【００１６】尚、気体供給源１０よりのパイプ１１を、
チャンバー１内に導入し、そのパイプ１１の複数箇所に
ノズルを設けて、チャンバー１内の塵（ダスト）等を除
去すべき複数の部分に局部的に気体を吹きつけるように
しても良い。
チャンバー１内に導入し、そのパイプ１１の複数箇所に
ノズルを設けて、チャンバー１内の塵（ダスト）等を除
去すべき複数の部分に局部的に気体を吹きつけるように
しても良い。
【００１７】又、実施例の半導体成膜装置によるチャン
バー内の清浄化は、これ単独に行うことができるが、上
述したメカニカルクリーニングの後に行うと、一層効果
的である。
バー内の清浄化は、これ単独に行うことができるが、上
述したメカニカルクリーニングの後に行うと、一層効果
的である。
【００１８】本発明は、上述のプラズマＣＶＤ装置の他
に、熱ＣＶＤ装置、レーザ光を用いた光ＣＶＤ装置や、
抵抗加熱法、電子ビーム加熱法、レーザビーム加熱法、
高周波加熱法、アーク蒸発法、フラッシュ蒸発法等の蒸
発方式の異なる各種真空蒸着装置等及びこれらを利用し
た半導体処理装置に適用することができる。
に、熱ＣＶＤ装置、レーザ光を用いた光ＣＶＤ装置や、
抵抗加熱法、電子ビーム加熱法、レーザビーム加熱法、
高周波加熱法、アーク蒸発法、フラッシュ蒸発法等の蒸
発方式の異なる各種真空蒸着装置等及びこれらを利用し
た半導体処理装置に適用することができる。
【００１９】
【発明の効果】上述せる本発明の排塵装置によれば、物
の製造、加工、処理等が行われるチャンバー内に気体を
供給する気体供給源と、そのチャンバー内の気体を排気
する排気手段とを設けたので、チャンバーの内部機構に
悪影響を及ぼすことなく、物の製造、加工、処理等によ
ってチャンバー内の各部に生じた塵（ダスト）等を、チ
ャンバーの内部機構に悪影響を及ぼすことなく、容易且
つ効果的に除去することができる。特に、チャンバー内
の各治具間の狭い所の塵（ダスト）等をも効果的に除去
することができる。
の製造、加工、処理等が行われるチャンバー内に気体を
供給する気体供給源と、そのチャンバー内の気体を排気
する排気手段とを設けたので、チャンバーの内部機構に
悪影響を及ぼすことなく、物の製造、加工、処理等によ
ってチャンバー内の各部に生じた塵（ダスト）等を、チ
ャンバーの内部機構に悪影響を及ぼすことなく、容易且
つ効果的に除去することができる。特に、チャンバー内
の各治具間の狭い所の塵（ダスト）等をも効果的に除去
することができる。
【００２０】上述せる本発明の半導体処理装置によれ
ば、チャンバー内で半導体処理を行うようにした半導体
処理装置において、チャンバー内に気体を供給する気体
供給源と、チャンバー内の気体を排気する排気手段とを
設けたので、チャンバーの内部機構に悪影響を及ぼすこ
となく、半導体処理によってチャンバー内の各部に生じ
た塵（ダスト）等を、チャンバーの内部機構に悪影響を
及ぼすことなく、容易且つ効果的に除去することができ
る。特に、チャンバー内の各治具間の狭い所の塵（ダス
ト）等をも効果的に除去することができる。尚、本発明
を半導体ウェーハに対する半導体成膜装置に適用すると
きは、特に効果的である。
ば、チャンバー内で半導体処理を行うようにした半導体
処理装置において、チャンバー内に気体を供給する気体
供給源と、チャンバー内の気体を排気する排気手段とを
設けたので、チャンバーの内部機構に悪影響を及ぼすこ
となく、半導体処理によってチャンバー内の各部に生じ
た塵（ダスト）等を、チャンバーの内部機構に悪影響を
及ぼすことなく、容易且つ効果的に除去することができ
る。特に、チャンバー内の各治具間の狭い所の塵（ダス
ト）等をも効果的に除去することができる。尚、本発明
を半導体ウェーハに対する半導体成膜装置に適用すると
きは、特に効果的である。
【００２１】上述せる本発明の蒸着装置によれば、蒸着
処理が行われるチャンバー内に気体を供給する気体供給
源と、そのチャンバー内の気体を排気する排気手段とを
設けたので、蒸着処理によってチャンバー内の各部に生
じた塵（ダスト）等を、チャンバーの内部機構に悪影響
を及ぼすことなく、容易且つ効果的に除去することがで
きる。特に、チャンバー内の各治具間の狭い所の塵（ダ
スト）等をも効果的に除去することができる。
処理が行われるチャンバー内に気体を供給する気体供給
源と、そのチャンバー内の気体を排気する排気手段とを
設けたので、蒸着処理によってチャンバー内の各部に生
じた塵（ダスト）等を、チャンバーの内部機構に悪影響
を及ぼすことなく、容易且つ効果的に除去することがで
きる。特に、チャンバー内の各治具間の狭い所の塵（ダ
スト）等をも効果的に除去することができる。
【図１】本発明の実施例を示す略線的側面図である。
１ チャンバー ２ シールド板 ３ 電極 ４ 電極シールド板 ５ 棒 ７ 電極 ８ ウェーハ ９ 棒 １０ 気体供給源 １１ パイプ １２ フィルタ １３ バルブ １４ パイプ １５ バルブ １６ ダスト（塵） １７ 排気ポンプ
Claims (4)
- 【請求項１】 物の製造、加工、処理等が行われるチャ
ンバー内に気体を供給する気体供給源と、 上記チャンバー内の気体を排気する排気手段とを設けた
ことを特徴とする排塵装置。 - 【請求項２】 チャンバー内で半導体処理を行うように
した半導体処理装置において、 上記チャンバー内に気体を供給する気体供給源と、 上記チャンバー内の気体を排気する排気手段とを設けた
ことを特徴とする半導体処理装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体処理装置におい
て、 上記半導体処理は、半導体ウェーハに対する半導体成膜
処理であることを特徴とする半導体処理装置。 - 【請求項４】 蒸着処理が行われるチャンバー内に気体
を供給する気体供給源と、 上記チャンバー内の気体を排気する排気手段とを設けた
ことを特徴とする蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6441195A JPH08261535A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 排塵装置、半導体処理装置及び蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6441195A JPH08261535A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 排塵装置、半導体処理装置及び蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08261535A true JPH08261535A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13257537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6441195A Pending JPH08261535A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 排塵装置、半導体処理装置及び蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08261535A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009127981A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | クリーンルーム、成膜方法、および半導体装置の作製方法 |
| JP2010001554A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Canon Inc | 堆積物除去方法 |
-
1995
- 1995-03-23 JP JP6441195A patent/JPH08261535A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009127981A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | クリーンルーム、成膜方法、および半導体装置の作製方法 |
| JP2010001554A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Canon Inc | 堆積物除去方法 |
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