JP3142338B2 - 常圧cvd方法およびその装置 - Google Patents

常圧cvd方法およびその装置

Info

Publication number
JP3142338B2
JP3142338B2 JP03345638A JP34563891A JP3142338B2 JP 3142338 B2 JP3142338 B2 JP 3142338B2 JP 03345638 A JP03345638 A JP 03345638A JP 34563891 A JP34563891 A JP 34563891A JP 3142338 B2 JP3142338 B2 JP 3142338B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
belt conveyor
film
belt
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP03345638A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05182912A (ja
Inventor
教行 平田
正一 北神
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP03345638A priority Critical patent/JP3142338B2/ja
Publication of JPH05182912A publication Critical patent/JPH05182912A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3142338B2 publication Critical patent/JP3142338B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】発明は、ベルトコンベアにて被
成膜物を搬送する常圧CVD方法およびその装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、たとえば液晶表示装置などの製造
に際し、ガラス基板に薄膜を形成する手段として、常圧
CVD装置が用いられている。
【0003】この常圧CVD装置としては、たとえば図
4に示す構成が知られている。この図4に示す構成は、
図示しない被成膜物であるガラス基板を基板搬入部1か
ら搬入し、この基板搬入部1から搬入されたガラス基板
を予備加熱部2で予備加熱し、この予備加熱されたガラ
ス基板上にCVD部3で気相化学成長により成膜し、こ
の成膜されたガラス基板を冷却部4で冷却し、この冷却
されたガラス基板を基板搬出部5で搬出するようになっ
ている。そして、基板搬入部1、予備加熱部2、CVD
部3、冷却部4および基板搬出部5に、ガラス基板を図
示しないベルトコンベアにより順次移動させられる。
【0004】また、クリーンルーム6と一般室7との境
界壁8に沿って、基板搬入部1、予備加熱部2、CVD
部3、冷却部4および基板搬出部5が配置され、基板搬
入部1および基板搬出部5の出入口はクリーンルーム6
側に対向する。
【0005】そして、ベルトコンベアは、たとえば金属
製のメッシュで、ベルト駆動部によりある一定速度で駆
動され、基板搬入部1より、既に前処理の完了している
ガラス基板を搬入する。また、搬入されたガラス基板
は、予備加熱部2によりある設定された温度勾配で設定
温度まで加熱され、加熱されたガラス基板は、CVD部
3において一定温度に保たれながらガラス基板上に薄膜
を形成する。さらに、薄膜を形成されたガラス基板は、
冷却部4にて設定された温度勾配で冷却し、基板搬出部
5より薄膜を形成された状態のガラス基板を搬出する。
【0006】ところが、CVD部3において、ガラス基
板上だけではなくガラス基板以外のベルト上にも成膜し
てしまうため、ある程度の累積成膜時間に達すると、ベ
ルトコンベアに形成された膜がゴミとなり、ガラス基板
上の膜に悪影響をおよぼす。そこで、累積限界成膜時間
に達する前に、金属製のメッシュのベルトを新しいもの
に交換している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
常圧CVD装置では、被成膜物であるガラス基板の製造
の歩留まりを維持するために、頻繁に金属製のメッシュ
のベルトを交換しなければならず、このベルト交換に多
大な時間と労力を費やし、装置稼働率を大幅に低下させ
る。
【0008】また、移動時における発塵、搬入の際の発
塵およびクリーンルーム内に長時間暴露させることによ
り発塵する。
【0009】さらに、基板搬入部1と基板搬出部5が装
置両端にあるため、CVD装置をクリーンルーム6と一
般室7の境界壁8面に沿って設置する必要があり、非常
に効率の悪いレイアウトになる問題を有している。
【0010】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、装置稼働率を向上し、効率のよいレイアウトにする
ことができる常圧CVD方法およびその装置を提供する
ことを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の常圧CV
D方法は、被成膜物をベルトコンベアで搬送し、搬入さ
れた前記被成膜物を前記ベルトコンベア上で洗浄し、こ
の洗浄された被成膜物を前記ベルトコンベア上で気相化
学成長させ、この気相化学成長された被成膜物を前記
ルトコンベヤから搬出し、前記被成膜物が搬出された
前記ベルトコンベヤを化学的にエッチングした後にブラ
シで洗浄し、この洗浄された前記ベルトコンベアで新た
な被成膜物を搬送するものである。
【0012】請求項2記載の常圧CVD装置は、被成膜
物を搬入する搬入部と、この搬入された被成膜物を洗浄
する前処理部と、この洗浄された被成膜物を気相化学成
長させるCVD部と、この気相化学成長された被成膜物
を搬出する搬出部と、前記被成膜物を前記搬入部から前
記搬出部へと搬送するベルトコンベアと、このベルトコ
ンベアを駆動させるベルト駆動部と、前記搬出部から前
記被成膜物を搬出した前記ベルトコンベアを化学的にエ
ッチングするベルトエッチ部、およびこのベルトエッチ
部を経た前記ベルトコンベヤをブラシで洗浄するブラシ
洗浄部を備えたベルトコンベヤ洗浄部とを具備したもの
である。
【0013】
【作用】求項1記載の常圧CVD方法は、被成膜物を
ベルトコンベアで搬送し、このベルトコンべア上で搬入
された被成膜物を洗浄し、この洗浄された被成膜物を
ルトコンベア上で気相化学成長させ、この気相化学成長
された被成膜物をベルトコンベアから排出し、被成膜
物が排出されたベルトコンベアを化学的にエッチングし
た後にブラシで洗浄し、この洗浄されたベルトコンベア
で新たな被成膜物を搬送するため、新たな被成膜物を搬
送するベルトコンベアは膜付着がなく、気相化学成長さ
れる被成膜物上の膜もゴミの影響を受けにくく、また、
搬入された被成膜物を洗浄処理するため、移動時におけ
る発塵、搬入の際の発塵およびクリーンルーム内に長時
間暴露させることによる発塵を防止できる。さらに、気
相化学成長により付着された膜を化学的なエッチングで
除去した後に、エッチングの残渣物などをブラシで物理
的に除去するので、ベルトコンベアが十分に清掃され
る。
【0014】請求項2記載の常圧CVD装置は、搬入部
から搬入された被成膜物を前処理部で洗浄し、この洗浄
された被成膜物をCVD部で気相化学成長させ、さら
に、この気相化学成長された被成膜物を搬出部から搬出
したベルトコンベヤを、ベルトコンベヤ洗浄部のベルト
エッチ部で化学的にエッチングし、このベルトエッチ部
を経たベルトコンベヤをブラシ洗浄部にてブラシで洗浄
する。このため、、搬入部では膜付着のない常にきれい
なベルトコンベアとなり、CVD部において成膜される
被成膜物上の膜もゴミの影響を受けにくく、また、搬入
後に前処理部で洗浄処理するため、移動時における発
塵、搬入の際の発塵およびクリーンルーム内に長時間暴
露させることによる発塵を防止できる。さらに、気相化
学成長により付着された膜を化学的なエッチングで除去
した後に、エッチング残渣物などをブ ラシで物理的に除
去するので、ベルトコンベアが十分に清掃される。
【0015】
【実施例】下、本発明の常圧CVD装置の一実施例を
図面を参照して説明する。なお、図4に示す従来例に対
応する部分には、同一符号を付して説明する。
【0016】図1に示すように、ガラス基板を搬入する
基板搬入部1およびこのガラス基板を気相化学成長(C
VD)による成膜処理前の洗浄などを行なうガラス基板
前処理部11と、CVD前に予備加熱する予備加熱部2、
CVD処理を行なうCVD部3、CVD処理されたガラ
ス基板を冷却する冷却部4およびガラス基板を搬出する
基板搬出部5とが並列に配設され、ガラス基板前処理部
11と予備加熱部2との間にはクリーントンネル部12が配
設され、ガラス基板前処理部11と予備加熱部2とがクリ
ーントンネル部12によって連通される。このクリーント
ンネル部12は、上部にヘパフィルタを設け、清浄空気の
ダウンフロー状態雰囲気にしてあり、その中をコロ搬送
によりガラス基板を予備加熱部2まで搬送する。
【0017】また、基板搬入部1、ガラス基板前処理部
11、クリーントンネル部12、予備加熱部2、CVD部
3、冷却部4および基板搬出部5はコ字状に配設され、
基板搬入部1および基板搬出部5はクリーンルーム6側
に、ガラス基板前処理部11、クリーントンネル部12、予
備加熱部2、CVD部3および冷却部4はクリーンルー
ム6と境界壁8を介した一般室7にそれぞれ配設されて
いる。一方、基板搬入部1と基板搬出部5とのガラス基
板の搬出入口は、クリーンルーム6側に対向して設けら
れ、基板搬入部1はヘパフィルタを上部に設け、清浄空
気のダウンフロー状態雰囲気にしてある。
【0018】さらに、予備加熱部2、CVD部3、冷却
部4および基板搬出部5は、図2に示すようになってい
る。これら予備加熱部2、CVD部3、冷却部4および
基板搬出部5は、金属製のメッシュのベルトコンベア15
の往路により順次搬送されるとともに、これら予備加熱
部2、CVD部3、冷却部4および基板搬出部5の下部
に位置し、復路となる部分にはベルトコンベア15を回転
駆動するベルト駆動部16およびベルトコンベア15を洗浄
するベルトコンベア洗浄部17が配設されている。
【0019】そして、ベルトコンベア洗浄部17には、ベ
ルトコンベア15の表面が成膜された部分をエッチングす
るベルトエッチ部21、超音波により洗浄を行なう超音波
洗浄槽22、ベルトコンベア15を乾燥させるベルト乾燥部
23およびブラシ洗浄部24を有している。
【0020】さらに、超音波洗浄槽22、ベルト乾燥部23
およびブラシ洗浄部24は、図3に示すようになってい
る。すなわち、ベルトコンベア15は、超音波洗浄槽22の
純水中で超音波洗浄され、ブラシ洗浄部24に設けられた
シャワーノズル25で純水を噴出しながらブラシ体26を回
転させて洗浄し、エアーナイフ27により水切りする。さ
らに、ベルト乾燥部23でベルトコンベア15を乾燥する。
【0021】次に、上記実施例の動作について説明す
る。
【0022】まず、ガラス基板を数十枚毎にカセットに
収納して基板搬入部1にセットすると、基板搬入部1は
ガラス基板を1枚ずつ所定間隔で、ガラス基板前処理部
11へ搬送する。ガラス基板前処理部11では、ガラス基板
を図示しない純水シャワー、ブラシ洗浄、キャビテーシ
ョンジェット、純水シャワーおよび温風エアーナイフ乾
燥等の各工程処理の後、クリーントンネル部12に搬送す
る。クリーントンネル部12は、清浄空気のダウンフロー
状態雰囲気中に、コロ搬送によりガラス基板を予備加熱
部2まで搬送する。
【0023】そして、ベルト駆動部16により一定速度で
駆動されるベルトコンベア15で、クリーントンネル部12
からのガラス基板を搬入する。この搬入されたガラス基
板は、予備加熱部2によりある設定された温度勾配で設
定温度まで加熱され、加熱されたガラス基板はCVD部
3において一定温度に保たれながらガラス基板上に薄膜
を形成する。さらに、薄膜を形成されたガラス基板は、
冷却部4にて設定された温度勾配で冷却し、基板搬出部
5では一定間隔で、薄膜が形成されたガラス基板を1枚
ずつカセット内に取り込み、搬出する。
【0024】また、ガラス基板とともに成膜されたベル
トコンベア15は、ベルトエッチ部21のHFベーパー雰囲
気のHFチャンバ内にて付着形成された薄膜をエッチン
グする。このエッチングされたベルトコンベア15は、超
音波洗浄槽22内の純水にて洗浄され、ベルト乾燥部23に
て乾燥される。さらに、一度乾燥されたベルトコンベア
15は、再び超音波洗浄槽22にて純水で洗浄される。超音
波洗浄槽22で2度目の洗浄をされたベルトコンベア15
は、シャワーノズル25で純水の噴射を受けながらブラシ
体26により洗浄され、エアーナイフ27により水切りす
る。その後、べルトコンベア15は、再度、ベルト乾燥部
23にて完全に水分を除去される。
【0025】上記実施例によると、ガラス基板前処理部
11を設け搬入後のガラス基板を洗浄することにより、ガ
ラス基板の移動中における発塵や、基板搬入部1での発
塵によるパーティクルを確実に除去することができる。
また、ベルトコンベア洗浄部17を設けたことにより、ベ
ルトコンベア15がCVD部3にて薄膜が形成されても、
ベルトコンベア15は、1回毎に洗浄、エッチングするた
め、ベルトコンベア15自体が破損により使用不可能とな
るまで交換する必要がなく、装置稼働率を大幅に向上さ
せ、しかも低パーティクルな薄膜を得ることができる。
【0026】さらに、CVDによりベルトコンベアに付
着した膜は、ブラシのみでは完全に除去しにくく、まし
てはベルトコンベアに微細な隙間、例えばメッシュ部分
などが形成されている場合には、このメッシュ部の網目
内などの洗浄には不充分である。そこで、このメッシュ
部全面を均一に洗浄することは困難であるが、化学的な
エッチングでベルトコンベアを洗浄する。また、この化
学的なエッチングでは、ベルトコンベアにエッチング残
渣物が残る場合がある。このため、エッチングで洗浄し
たベルトコンベアを、さらにブラシ洗浄部でブラシによ
り洗浄する。これにより、このベルトコンベアに残った
エッチング残渣物を除去することができ る。
【0027】この結果、搬出部からガラス基板を搬出し
たベルトコンベヤを、ベルトエッチング部で化学的なエ
ッチングした後に、ブラシ洗浄部でブラシにより洗浄す
ることにより、CVDによりベルトコンベアに付着した
膜を効率良く洗浄することができる。
【0028】また、基板搬入部1と基板搬出部5のみを
クリーンルーム6内に並列に設置することにより、装置
レイアウトがシンプルにしかも効率良くできる。
【0029】さらに、基板搬入部1と予備加熱部2の間
に、ガラス基板前処理部11を設けることにより、前処理
後のガラス基板を人手による運搬をせずに成膜できるた
め、被成膜物である製品基板の歩留まりが飛躍的に向上
する。
【0030】
【発明の効果】本発明によれば、被成膜物を搬送するベ
ルトコンベアに付着した気相化学成長による膜を化学的
にエッチングした後に、エッチングの残渣物などをブラ
シで物理的に除去するので、このベルトコンベアに付着
した膜を効率良く洗浄できるとともに、被成膜物を搬送
する際には膜付着のない常にきれいなベルトコンベアと
なり、被成膜物上の膜もゴミの影響を受けにくく、ま
た、被成膜物を搬送する際に洗浄処理するため、移動時
における発塵、搬入の際の発塵およびクリーンルーム内
に長時間暴露させることによる発塵を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の常圧CVD装置の一実施例の全体の構
成図である。
【図2】同上一部の構成を示す構成図である。
【図3】同上ベルトコンベア洗浄部の構成図である。
【図4】従来例の常圧CVD装置の全体の構成図であ
る。
【符号の説明】
1 基板搬入部 3 CVD部 5 基板搬出部 6 クリーンルーム 7 一般室 11 ガラス基板前処理部 15 ベルトコンベア 16 ベルト駆動部 17 ベルトコンベア洗浄部21 ベルトエッチ部 24 ブラシ洗浄部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−225515(JP,A) 特開 昭60−127726(JP,A) 特開 昭52−139378(JP,A) 特開 平1−169920(JP,A) 特開 昭59−78421(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/205 C23C 16/54 H01L 21/31

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被成膜物をベルトコンベアで搬送し、 搬入された前記被成膜物を前記ベルトコンベア上で洗浄
    し、この洗浄された 被成膜物を前記ベルトコンベア上で気相
    化学成長させ、 この気相化学成長された被成膜物を前記ベルトコンベヤ
    から搬出し、前記被成膜物が搬出された前記 ベルトコンベヤを化学的
    にエッチングした後にブラシで洗浄し、 この洗浄された前記ベルトコンベアで新たな被成膜物を
    搬送することを特徴とする常圧CVD方法。
  2. 【請求項2】 被成膜物を搬入する搬入部と、 この搬入された被成膜物を洗浄する前処理部と、この洗浄された 被成膜物を気相化学成長させるCVD部
    と、この気相化学成長された 被成膜物を搬出する搬出部と、 前記被成膜物を前記搬入部から前記搬出部へと搬送する
    ベルトコンベアと、 このベルトコンベアを駆動させるベルト駆動部と、前記搬出部から前記被成膜物を搬出した 前記ベルトコン
    ベアを化学的にエッチングするベルトエッチ部、および
    このベルトエッチ部を経た前記ベルトコンベヤをブラシ
    洗浄するブラシ洗浄部を備えたベルトコンベヤ洗浄部
    とを具備したことを特徴とする常圧CVD装置。
JP03345638A 1991-12-26 1991-12-26 常圧cvd方法およびその装置 Expired - Fee Related JP3142338B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03345638A JP3142338B2 (ja) 1991-12-26 1991-12-26 常圧cvd方法およびその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03345638A JP3142338B2 (ja) 1991-12-26 1991-12-26 常圧cvd方法およびその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05182912A JPH05182912A (ja) 1993-07-23
JP3142338B2 true JP3142338B2 (ja) 2001-03-07

Family

ID=18377961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03345638A Expired - Fee Related JP3142338B2 (ja) 1991-12-26 1991-12-26 常圧cvd方法およびその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3142338B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112705514A (zh) * 2020-12-31 2021-04-27 有研半导体材料有限公司 一种用于apcvd的履带线下清洗的装置和方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05182912A (ja) 1993-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5660640A (en) Method of removing sputter deposition from components of vacuum deposition equipment
KR100323502B1 (ko) 액정표시패널의 제조방법 및 이것에 사용되는 세정장치
JPH08327959A (ja) ウエハ及び基板の処理装置及び処理方法、ウエハ及び基板の移載装置
US6365531B1 (en) Cleaning and drying method and apparatus for manufacturing semiconductor devices
US20060144822A1 (en) Apparatus and method for wet-etching
JP3142338B2 (ja) 常圧cvd方法およびその装置
KR20100071895A (ko) 세정 장치, 기판 처리 시스템, 세정 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체
JP3254482B2 (ja) プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法
JPH01276720A (ja) 半導体基板の表面処理方法、半導体基板の表面処理装置及び半導体基板表面処理膜
JP2001108977A (ja) 液晶表示装置の製造装置およびその方法
JP2000349059A (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
JPH05166789A (ja) 基板の洗浄乾燥装置
JPS59228932A (ja) 気相成長装置
JP2003124285A (ja) ウエット処理装置及び搬送方法
JP2006237277A (ja) 基板処理装置
KR100693761B1 (ko) 상압 플라즈마 발생기를 구비한 세정장치
JPS62264622A (ja) 半導体製造装置
JP3103997B2 (ja) インライン型成膜装置に於けるトレイ洗浄装置
JPH08261535A (ja) 排塵装置、半導体処理装置及び蒸着装置
JPH09129596A (ja) 反応室のクリーニング方法
JP2001284310A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP3362539B2 (ja) ウェーハの洗浄方法、リンス処理方法及び半導体の製造方法
JP3265047B2 (ja) ドライエッチング装置
JPS63227010A (ja) 成膜装置
US7514371B2 (en) Semiconductor substrate surface protection method

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees