JP2568371B2 - 真空チャンバ用の新規な蓋および扉、並びにそれに対する前処理 - Google Patents
真空チャンバ用の新規な蓋および扉、並びにそれに対する前処理Info
- Publication number
- JP2568371B2 JP2568371B2 JP5190301A JP19030193A JP2568371B2 JP 2568371 B2 JP2568371 B2 JP 2568371B2 JP 5190301 A JP5190301 A JP 5190301A JP 19030193 A JP19030193 A JP 19030193A JP 2568371 B2 JP2568371 B2 JP 2568371B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- vacuum chamber
- door
- chamber
- quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 22
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 description 1
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/16—Vessels; Containers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/914—Differential etching apparatus including particular materials of construction
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、真空チャンバ用の改善
された交換可能部品に関する。特に、交換に至る(for r
eplacement) 時間を延長するために前処理された真空エ
ッチングチャンバ用の交換部品に関する。
された交換可能部品に関する。特に、交換に至る(for r
eplacement) 時間を延長するために前処理された真空エ
ッチングチャンバ用の交換部品に関する。
【0002】
【従来の技術】真空チャンバは、半導体産業において特
に集積回路の製造中に半導体基板において薄膜をエッチ
ングおよび堆積するため、並びにコンタクトを形成する
ために公知であり採用されている。最新技術における加
工チャンバは真空加工のために基板を条件付けかつ前洗
浄し、真空雰囲気を去ることなく(without leaving a v
acuum environment)基板を加工できる装置等の一部を形
成している。 しかしながら、基板前処理工程、それは
基板の表面に付着した材料を除去する時に有効である
が、真空チャンバ内の他の表面、例えば、真空チャンバ
の壁やシールド、蓋および扉の上にこの材料を運んでし
まう。基板表面上に堆積される薄片の原因となり、これ
ら表面上に形成される材料の蓄積がいずれは現れる。そ
の時点で真空チャンバは洗浄するために分解されなけれ
ばならない。
に集積回路の製造中に半導体基板において薄膜をエッチ
ングおよび堆積するため、並びにコンタクトを形成する
ために公知であり採用されている。最新技術における加
工チャンバは真空加工のために基板を条件付けかつ前洗
浄し、真空雰囲気を去ることなく(without leaving a v
acuum environment)基板を加工できる装置等の一部を形
成している。 しかしながら、基板前処理工程、それは
基板の表面に付着した材料を除去する時に有効である
が、真空チャンバ内の他の表面、例えば、真空チャンバ
の壁やシールド、蓋および扉の上にこの材料を運んでし
まう。基板表面上に堆積される薄片の原因となり、これ
ら表面上に形成される材料の蓄積がいずれは現れる。そ
の時点で真空チャンバは洗浄するために分解されなけれ
ばならない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】エッチング用の真空チ
ャンバの現在の蓋は、高周波ガスケットにより分離され
たアルミニウムの二枚蓋を備えているが、この高周波ガ
スケットは真空チャンバに対する60MHzの高周波電
源に対して低抵抗のコンタクトである。二枚のアルミニ
ウム板は、これらを固定する複数のねじによって互いに
締め付けられているので、それらの間で高周波ガスケッ
トと良好なコンタクトをなす。前述のとおり、しかしな
がら材料が蓋の上に蓄積するので、定期的にその蓄積材
料を除去するために洗浄しなければならない。これは一
般に、湿式化学洗浄方法により行われるが、それには蓋
を分解し、ねじをはずし、蓋を洗浄し、それからまた蓋
を組み立てることが必要である。しかしながら、組立作
業、例えばねじの挿入、固定は、それ自体が粒子を発生
し、その結果、たとえ洗浄工程後であっても、チャンバ
は洗浄状態すなわち無粒子状態(free of particles) で
はない。真空チャンバの他の部品、例えば蓋に対する扉
および真空チャンバの壁に材料が堆積するのを防止する
基板支持部周囲のシールドもまた定期的に洗浄されなけ
ればならない。このことが装置のダウンタイムに付加さ
れ、結果的に製造コストを上昇することになる。
ャンバの現在の蓋は、高周波ガスケットにより分離され
たアルミニウムの二枚蓋を備えているが、この高周波ガ
スケットは真空チャンバに対する60MHzの高周波電
源に対して低抵抗のコンタクトである。二枚のアルミニ
ウム板は、これらを固定する複数のねじによって互いに
締め付けられているので、それらの間で高周波ガスケッ
トと良好なコンタクトをなす。前述のとおり、しかしな
がら材料が蓋の上に蓄積するので、定期的にその蓄積材
料を除去するために洗浄しなければならない。これは一
般に、湿式化学洗浄方法により行われるが、それには蓋
を分解し、ねじをはずし、蓋を洗浄し、それからまた蓋
を組み立てることが必要である。しかしながら、組立作
業、例えばねじの挿入、固定は、それ自体が粒子を発生
し、その結果、たとえ洗浄工程後であっても、チャンバ
は洗浄状態すなわち無粒子状態(free of particles) で
はない。真空チャンバの他の部品、例えば蓋に対する扉
および真空チャンバの壁に材料が堆積するのを防止する
基板支持部周囲のシールドもまた定期的に洗浄されなけ
ればならない。このことが装置のダウンタイムに付加さ
れ、結果的に製造コストを上昇することになる。
【0004】従って、洗浄のために分解したり、再び組
み立てる必要がない真空チャンバを有することが望まし
い。さらに、真空チャンバ内にて発生した、蓋、扉およ
びシールドの表面に付着している粒子がこれら表面への
付着を改善し、その結果、洗浄周期の間の時間が延長で
き、従って装置の休止期間を短縮し得するために真空チ
ャンバ用の交換部品を前処理しておくことが望ましい。
み立てる必要がない真空チャンバを有することが望まし
い。さらに、真空チャンバ内にて発生した、蓋、扉およ
びシールドの表面に付着している粒子がこれら表面への
付着を改善し、その結果、洗浄周期の間の時間が延長で
き、従って装置の休止期間を短縮し得するために真空チ
ャンバ用の交換部品を前処理しておくことが望ましい。
【0005】本発明の目的は、装置のダウンタイムに至
る時間を延長できるようにエッチング用の真空チャンバ
に対する交換可能な部品を処理する方法、これらの部品
により構成される真空チャンバ、および洗浄のために分
解したり、再び組み立てたりする必要のない単純で耐久
性に優れた真空チャンバ用の蓋を提供することにある。
る時間を延長できるようにエッチング用の真空チャンバ
に対する交換可能な部品を処理する方法、これらの部品
により構成される真空チャンバ、および洗浄のために分
解したり、再び組み立てたりする必要のない単純で耐久
性に優れた真空チャンバ用の蓋を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の前述の目的は、
エッチング用の真空チャンバ内の交換可能な部品を処理
する方法であって、部品の表面を粗面化するために表面
にビード(bead)を吹き付ける工程と、表面の粒子を除
去するために部品を超音波洗浄する工程と、部品をゆす
ぎ・乾燥する工程とを備えることによって達成される。
あるいは、本発明のエッチング用の真空チャンバによれ
ば、該真空チャンバ内に設けられた開孔部と、真空チャ
ンバ内において加工される基板に対するカソード支持部
と、カソード支持部を取り囲んでいる石英のシールド、
真空チャンバの蓋を閉じる時にシールドに適合する石英
の扉およびシールドに対する単一体のアルミニウムの蓋
を含む交換可能な部品とを備え、蓋は扉に密閉するよう
に係合する上敷き部分を有することによって達成され
る。あるいは、本発明の真空エッチングチャンバ用の単
一体加工アルミニウム蓋によれば、第1表面からの伸長
壁および蓋が閉じられるとき前記チャンバの扉と密閉す
るように係合する上敷き部分を有することによって達成
される。
エッチング用の真空チャンバ内の交換可能な部品を処理
する方法であって、部品の表面を粗面化するために表面
にビード(bead)を吹き付ける工程と、表面の粒子を除
去するために部品を超音波洗浄する工程と、部品をゆす
ぎ・乾燥する工程とを備えることによって達成される。
あるいは、本発明のエッチング用の真空チャンバによれ
ば、該真空チャンバ内に設けられた開孔部と、真空チャ
ンバ内において加工される基板に対するカソード支持部
と、カソード支持部を取り囲んでいる石英のシールド、
真空チャンバの蓋を閉じる時にシールドに適合する石英
の扉およびシールドに対する単一体のアルミニウムの蓋
を含む交換可能な部品とを備え、蓋は扉に密閉するよう
に係合する上敷き部分を有することによって達成され
る。あるいは、本発明の真空エッチングチャンバ用の単
一体加工アルミニウム蓋によれば、第1表面からの伸長
壁および蓋が閉じられるとき前記チャンバの扉と密閉す
るように係合する上敷き部分を有することによって達成
される。
【0007】
【作用】本発明は、石英のリングまたは扉と密閉するよ
うに係合し、かつ真空チャンバに対し蓋および扉が閉じ
られる時に、順番に基板支持部を取り囲んでいるシール
ドの内側に適合する単一体加工アルミニウム板を備える
新規な真空チャンバ用の蓋および扉を提供する。蓋、シ
ールドおよび扉といった交換可能な部品は、基板の前洗
浄および基板を加工する間にチャンバ内に発生した粒子
がこれらの表面によく付着するように前処理され、従っ
て真空チャンバの分解・洗浄あるいは部品交換が必要と
なる前に、より多くの基板を処理することができる。こ
の前処理は、交換可能な部品、例えば、蓋、扉およびシ
ールドのそれぞれのアルミニウムおよび石英といった材
料に不均一な表面を生成するビードを吹き付ける工程を
備えている。チャンバ内に生成された材料あるいは粒子
は滑らかな表面上よりも十分に交換可能な部品に付着
し、続いて交換可能な部品を超音波洗浄する工程によっ
て、ビード吹き付け工程後に当該表面に残留する全ての
粒子を除去する。この前処理は、加工用の真空チャンバ
において長寿命のアルミニウムおよび石英の扉、蓋、シ
ールドの組立体を提供する。
うに係合し、かつ真空チャンバに対し蓋および扉が閉じ
られる時に、順番に基板支持部を取り囲んでいるシール
ドの内側に適合する単一体加工アルミニウム板を備える
新規な真空チャンバ用の蓋および扉を提供する。蓋、シ
ールドおよび扉といった交換可能な部品は、基板の前洗
浄および基板を加工する間にチャンバ内に発生した粒子
がこれらの表面によく付着するように前処理され、従っ
て真空チャンバの分解・洗浄あるいは部品交換が必要と
なる前に、より多くの基板を処理することができる。こ
の前処理は、交換可能な部品、例えば、蓋、扉およびシ
ールドのそれぞれのアルミニウムおよび石英といった材
料に不均一な表面を生成するビードを吹き付ける工程を
備えている。チャンバ内に生成された材料あるいは粒子
は滑らかな表面上よりも十分に交換可能な部品に付着
し、続いて交換可能な部品を超音波洗浄する工程によっ
て、ビード吹き付け工程後に当該表面に残留する全ての
粒子を除去する。この前処理は、加工用の真空チャンバ
において長寿命のアルミニウムおよび石英の扉、蓋、シ
ールドの組立体を提供する。
【0008】
【実施例】図1は、真空処理チャンバに用いられる、本
発明の新規な単体アルミニウム蓋、その石英扉および石
英基板支持シールドを例示している。この蓋は処理され
る基板が加工中に置かれる真空チャンバ内のカソードに
対面して置かれる。本発明の蓋および扉は、本発明の方
法に従って前処理されている。
発明の新規な単体アルミニウム蓋、その石英扉および石
英基板支持シールドを例示している。この蓋は処理され
る基板が加工中に置かれる真空チャンバ内のカソードに
対面して置かれる。本発明の蓋および扉は、本発明の方
法に従って前処理されている。
【0009】伸長した壁14は石英の扉16の内側に適
合する。蓋12が定位置にあり、扉16が閉じられる
時、扉16は、石英のシールド18の頂部に適合する
が、このシールド18は、加工される基板が加工中に定
置されるカソード17を取り囲むように形成されてい
る。扉16は、外部から駆動されるアクチュエータによ
って、蓋12とともに静止的に(stationary)昇降され
る。扉16が昇降されるのと同時に、石英のシールド1
8内のスロットを通過するセラミックフィンガ(図示せ
ず)が基板をカソード17上に昇降する。これはチャン
バ内外に基板を移送する間に行われる。固定された石英
のシールド18は、基板からエッチングされた材料が真
空チャンバ(図示せず)の壁に付着するのを防止するの
に役立つ。蓋12は、加工中にその扉に接触し密閉する
該第1の表面の上敷き部分13も有する。従来は、真空
を引く時にチャンバを密閉するために、好適なOリング
シール(図示せず)が使われている。
合する。蓋12が定位置にあり、扉16が閉じられる
時、扉16は、石英のシールド18の頂部に適合する
が、このシールド18は、加工される基板が加工中に定
置されるカソード17を取り囲むように形成されてい
る。扉16は、外部から駆動されるアクチュエータによ
って、蓋12とともに静止的に(stationary)昇降され
る。扉16が昇降されるのと同時に、石英のシールド1
8内のスロットを通過するセラミックフィンガ(図示せ
ず)が基板をカソード17上に昇降する。これはチャン
バ内外に基板を移送する間に行われる。固定された石英
のシールド18は、基板からエッチングされた材料が真
空チャンバ(図示せず)の壁に付着するのを防止するの
に役立つ。蓋12は、加工中にその扉に接触し密閉する
該第1の表面の上敷き部分13も有する。従来は、真空
を引く時にチャンバを密閉するために、好適なOリング
シール(図示せず)が使われている。
【0010】アルミニウムの蓋12、石英の扉16およ
び石英のシールド18は本発明の洗浄工程に従って前処
理される。より詳しくは以下に記述する。
び石英のシールド18は本発明の洗浄工程に従って前処
理される。より詳しくは以下に記述する。
【0011】本発明の新規な蓋はねじを必要としない、
従って、前洗浄または加工用の真空チャンバ内において
ほとんど粒子を発生せず、加工中に発生した粒子がより
十分に付着する、前処理された表面を有し、高周波ガス
ケットを必要としない。その結果、より良好なアースが
行われ、また、洗浄または交換のための蓋の組み立てま
たは分解は必要とされない。必要な時には、蓋および扉
の単純な交換を実施でき、装置のダウンタイムを短縮す
る。また、蓋、扉およびシールドは、どんな適した真空
チャンバ内においても再利用のために容易に再洗浄かつ
再処理され得る。アルミニウムの部品および石英の部品
はビードを吹き付ける工程および化学洗浄をする工程の
組み合わせによって再利用ができるように洗浄される。
両方の場合の最後の工程はビードを吹き付ける工程であ
って、これに、以下に説明する脱イオン水中での超音波
洗浄をするリンス処理、乾燥処理が続く。
従って、前洗浄または加工用の真空チャンバ内において
ほとんど粒子を発生せず、加工中に発生した粒子がより
十分に付着する、前処理された表面を有し、高周波ガス
ケットを必要としない。その結果、より良好なアースが
行われ、また、洗浄または交換のための蓋の組み立てま
たは分解は必要とされない。必要な時には、蓋および扉
の単純な交換を実施でき、装置のダウンタイムを短縮す
る。また、蓋、扉およびシールドは、どんな適した真空
チャンバ内においても再利用のために容易に再洗浄かつ
再処理され得る。アルミニウムの部品および石英の部品
はビードを吹き付ける工程および化学洗浄をする工程の
組み合わせによって再利用ができるように洗浄される。
両方の場合の最後の工程はビードを吹き付ける工程であ
って、これに、以下に説明する脱イオン水中での超音波
洗浄をするリンス処理、乾燥処理が続く。
【0012】本発明の前処理方法は、ビードを吹き付け
る工程およびそれに続く超音波洗浄をする工程を備え
る。
る工程およびそれに続く超音波洗浄をする工程を備え
る。
【0013】好適には、アルミニウムの蓋および石英の
扉にビードを吹き付ける工程の処理は、約5.6Kg/
cm2 (約80psi)の圧力、および多少粗めの粒、
約36〜80グリット(grit)径を有する酸化アルミニウ
ムの粉末を使用して、蓋、扉およびシールドをたたくこ
とによって適切に実施される。ビード吹き付けは商業的
に利用できるビード吹き付け装置において実施できる。
ビード吹き付け粉末粒子は、蓋のアルミニウム表面、石
英のドアおよび石英のシールドの表面を僅かに不規則に
あるいは粗面化するのに十分大きくなければならない。
機械加工された単一体のアルミニウムの蓋は、先行技術
である二枚板のアルミニウム金属製の蓋よりも厚いの
で、より粗いグリット径の材料によるビード吹き付けに
耐えることができ、従って、より耐久性に富む。微視的
スケールにおいて、不規則な表面は基板加工中に堆積し
得る物質の界面のクラック伝達を高めるであろう。その
表面の不規則性により薄片の寸法において小さい断片に
堆積膜を粉砕する結果をもたらし、顕著にそれが剥げ落
ちるのを妨げる。加えて、不規則なあるいは粗い表面
は、材料が堆積できる増大した表面領域を有し、収容で
きる堆積材料の量を増加できる。
扉にビードを吹き付ける工程の処理は、約5.6Kg/
cm2 (約80psi)の圧力、および多少粗めの粒、
約36〜80グリット(grit)径を有する酸化アルミニウ
ムの粉末を使用して、蓋、扉およびシールドをたたくこ
とによって適切に実施される。ビード吹き付けは商業的
に利用できるビード吹き付け装置において実施できる。
ビード吹き付け粉末粒子は、蓋のアルミニウム表面、石
英のドアおよび石英のシールドの表面を僅かに不規則に
あるいは粗面化するのに十分大きくなければならない。
機械加工された単一体のアルミニウムの蓋は、先行技術
である二枚板のアルミニウム金属製の蓋よりも厚いの
で、より粗いグリット径の材料によるビード吹き付けに
耐えることができ、従って、より耐久性に富む。微視的
スケールにおいて、不規則な表面は基板加工中に堆積し
得る物質の界面のクラック伝達を高めるであろう。その
表面の不規則性により薄片の寸法において小さい断片に
堆積膜を粉砕する結果をもたらし、顕著にそれが剥げ落
ちるのを妨げる。加えて、不規則なあるいは粗い表面
は、材料が堆積できる増大した表面領域を有し、収容で
きる堆積材料の量を増加できる。
【0014】ビードを吹き付ける工程の後には、超音波
洗浄をする工程が続くが、超音波洗浄をする工程は、ビ
ード吹き付けにより取り残された粒子のためであろう
と、アルミニウム、石英、その他の微細な粒子であろう
と、蓋、扉およびシールドの表面のしっかり結合してい
ない(loose) 粒子を全て取り除いてしまう。最初に、
蓋、扉およびシールドを脱イオン水でゆすぎ、脱イオン
水で満たした超音波洗浄器に浸漬する。適合しうる超音
波洗浄器は商業的に手に入り、一般に、脱イオン水の約
38リットル(約10ガロン)を含んでいるチャンバを
利用して、約9.2〜18.5ワット/リットル(約3
5〜70ワット/ガロン)の出力密度で数分間かけて作
動するように調節される。超音波発振器にスイッチを入
れると直ちに、それ以前に埋め込まれていた固体の残渣
が、その発生源であるビード吹き付けがなされた表面に
わたって、雲状に舞い上がるのが見られる。この雲は急
速に消散し、除去された固体材料は、水性懸濁液の中に
残留するか、沈澱する。こうして、超音波処理の作用の
大部分は処理の初期数秒間に発生する。しかしながら、
固着していない全ての固体材料の徹底除去を保証するた
めに、処理は大抵約5分間は続けられる。次いで、部品
を高温の脱イオン水で徹底的にゆすいで、処理されたア
ルミニウムおよび石英の部品の表面に確実に粒子が残留
しないようにする。
洗浄をする工程が続くが、超音波洗浄をする工程は、ビ
ード吹き付けにより取り残された粒子のためであろう
と、アルミニウム、石英、その他の微細な粒子であろう
と、蓋、扉およびシールドの表面のしっかり結合してい
ない(loose) 粒子を全て取り除いてしまう。最初に、
蓋、扉およびシールドを脱イオン水でゆすぎ、脱イオン
水で満たした超音波洗浄器に浸漬する。適合しうる超音
波洗浄器は商業的に手に入り、一般に、脱イオン水の約
38リットル(約10ガロン)を含んでいるチャンバを
利用して、約9.2〜18.5ワット/リットル(約3
5〜70ワット/ガロン)の出力密度で数分間かけて作
動するように調節される。超音波発振器にスイッチを入
れると直ちに、それ以前に埋め込まれていた固体の残渣
が、その発生源であるビード吹き付けがなされた表面に
わたって、雲状に舞い上がるのが見られる。この雲は急
速に消散し、除去された固体材料は、水性懸濁液の中に
残留するか、沈澱する。こうして、超音波処理の作用の
大部分は処理の初期数秒間に発生する。しかしながら、
固着していない全ての固体材料の徹底除去を保証するた
めに、処理は大抵約5分間は続けられる。次いで、部品
を高温の脱イオン水で徹底的にゆすいで、処理されたア
ルミニウムおよび石英の部品の表面に確実に粒子が残留
しないようにする。
【0015】最後に、アルミニウムの蓋、石英のドアお
よび石英のシールドといった部品の表面から全ての湿気
を除去するために乾燥する。好適には、濾過した空気あ
るいは窒素を部品に吹き付けて乾燥させ、次いで、例え
ば、部品から全ての湿気を除去するために濾過した空気
の雰囲気にて30分、約60℃で、軽くベークをする。
次いで、洗浄された部品は出荷のために包装される。
よび石英のシールドといった部品の表面から全ての湿気
を除去するために乾燥する。好適には、濾過した空気あ
るいは窒素を部品に吹き付けて乾燥させ、次いで、例え
ば、部品から全ての湿気を除去するために濾過した空気
の雰囲気にて30分、約60℃で、軽くベークをする。
次いで、洗浄された部品は出荷のために包装される。
【0016】好ましい洗浄方法においては、ビードを吹
き付ける工程の前に部品は表面の汚染、例えば、アルミ
ニウムからの酸化物および石英表面からの有機物を除去
するために化学的に洗浄される。セラミックに対して好
適な化学洗浄溶液は、例えば1/3硝酸、1/3ふっ
酸、1/3水とすることができる。一般に、この化学洗
浄溶液中で部品を約15秒間ディップすることで十分で
ある。次いで、部品を脱イオン水でゆすいで化学薬品を
除去し、清浄な、濾過された空気または窒素を利用して
吹き付けによって乾燥させる。
き付ける工程の前に部品は表面の汚染、例えば、アルミ
ニウムからの酸化物および石英表面からの有機物を除去
するために化学的に洗浄される。セラミックに対して好
適な化学洗浄溶液は、例えば1/3硝酸、1/3ふっ
酸、1/3水とすることができる。一般に、この化学洗
浄溶液中で部品を約15秒間ディップすることで十分で
ある。次いで、部品を脱イオン水でゆすいで化学薬品を
除去し、清浄な、濾過された空気または窒素を利用して
吹き付けによって乾燥させる。
【0017】図2は、本発明の方法の好ましい具体例の
流れ図であって、第1工程である化学洗浄をする工程、
それに続くビードを吹き付ける工程、超音波洗浄をする
工程および、最後の、ゆすぎおよび乾燥し、包装する工
程により終了となる。
流れ図であって、第1工程である化学洗浄をする工程、
それに続くビードを吹き付ける工程、超音波洗浄をする
工程および、最後の、ゆすぎおよび乾燥し、包装する工
程により終了となる。
【0018】真空チャンバの蓋および石英といった部品
の本発明の方法による処理、および本発明の単純化され
たより強固な蓋の活用は、より清浄であって、従来の技
術によるチャンバより多くの基板を加工することができ
る真空チャンバをもたらして、装置のダウンタイムを短
縮し、また、チャンバを洗浄し、かつ上記の部品を交換
する迅速かつ低原価である方法を提供する。
の本発明の方法による処理、および本発明の単純化され
たより強固な蓋の活用は、より清浄であって、従来の技
術によるチャンバより多くの基板を加工することができ
る真空チャンバをもたらして、装置のダウンタイムを短
縮し、また、チャンバを洗浄し、かつ上記の部品を交換
する迅速かつ低原価である方法を提供する。
【0019】上記の発明は、本発明の特定の好適実施態
様の形で説明されたが、当業者は、本発明に包含される
ものと解される加工および装置の代替的実施態様を体得
することと思われる。例えば、一般に、半導体基板は断
面において円形をなすシリコンウエハであって、シール
ドおよびカソード支持部もまた結局円形ということにな
るものの、四角形のガラス板のような他の基板を使用す
ることもできる。アルミニウムの代わりに他の材料、例
えばステンレス鋼が使用され、かつ特定の結果を目的と
して、他の洗浄およびゆすぎをする工程をこの方法に挿
入することができる。従って、本発明は、付記の請求範
囲によってのみ限定されるものと解される。
様の形で説明されたが、当業者は、本発明に包含される
ものと解される加工および装置の代替的実施態様を体得
することと思われる。例えば、一般に、半導体基板は断
面において円形をなすシリコンウエハであって、シール
ドおよびカソード支持部もまた結局円形ということにな
るものの、四角形のガラス板のような他の基板を使用す
ることもできる。アルミニウムの代わりに他の材料、例
えばステンレス鋼が使用され、かつ特定の結果を目的と
して、他の洗浄およびゆすぎをする工程をこの方法に挿
入することができる。従って、本発明は、付記の請求範
囲によってのみ限定されるものと解される。
【0020】
【発明の効果】本発明の方法によれば、ビードを吹き付
ける工程により、真空チャンバの内壁が不均一となり、
基板エッチングにより生成される堆積膜が堆積する表面
積を増大するので、より多くの基板を加工することがで
きる真空チャンバとなり、したがって装置のダウンタイ
ムに至る時間を延長することができる。しかも本発明の
蓋は、単一体加工アルミニウム製なので、単純化されよ
り強固な蓋となり、したがってチャンバ洗浄の際に、分
解・組立てが必要とされないので作業時間の短縮に寄与
し、しかも作業自体からの粒子発生を防止するので、真
空チャンバ内の部品をより清浄に保持し得、装置のダウ
ンタイムを短縮できる。すなわち真空チャンバの蓋およ
び石英といった部品の本発明の方法による処理、および
本発明の単純化されたより強固な蓋の活用は、より清浄
であって、従来の技術によるチャンバより多くの基板を
加工することができる真空チャンバをもたらして、装置
のダウンタイムを短縮し、また、チャンバを洗浄し、か
つ上記の部品を交換する迅速かつ低原価である方法を提
供する。
ける工程により、真空チャンバの内壁が不均一となり、
基板エッチングにより生成される堆積膜が堆積する表面
積を増大するので、より多くの基板を加工することがで
きる真空チャンバとなり、したがって装置のダウンタイ
ムに至る時間を延長することができる。しかも本発明の
蓋は、単一体加工アルミニウム製なので、単純化されよ
り強固な蓋となり、したがってチャンバ洗浄の際に、分
解・組立てが必要とされないので作業時間の短縮に寄与
し、しかも作業自体からの粒子発生を防止するので、真
空チャンバ内の部品をより清浄に保持し得、装置のダウ
ンタイムを短縮できる。すなわち真空チャンバの蓋およ
び石英といった部品の本発明の方法による処理、および
本発明の単純化されたより強固な蓋の活用は、より清浄
であって、従来の技術によるチャンバより多くの基板を
加工することができる真空チャンバをもたらして、装置
のダウンタイムを短縮し、また、チャンバを洗浄し、か
つ上記の部品を交換する迅速かつ低原価である方法を提
供する。
【図1】図1は、真空チャンバに対する交換可能な蓋、
扉およびシールドの断面図である。
扉およびシールドの断面図である。
【図2】図2は、本発明の方法に対する流れ図である。
12…蓋、14…伸長壁、16…扉、17…カソード、
18…シールド。
18…シールド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダン マーシャル アメリカ合衆国, カリフォルニア州 95137, サン ノゼ, エラン ヴィ レッジ レーン ナンバー 319, 390 (72)発明者 エイヴィー テップマン アメリカ合衆国, カリフォルニア州 95014, キュパティノ, マルヴァー ン コート 10380 (72)発明者 ドナルド エム. ミンツ アメリカ合衆国, カリフォルニア州 94087, サニーヴェール, エス. メリー アヴェニュー 1633
Claims (6)
- 【請求項1】 エッチング用の真空チャンバ内の交換可
能な部品を処理する方法であって、 前記部品の表面を粗面化するために前記表面にビード
(bead)を吹き付ける工程と、 前記表面の粒子を除去するために前記部品を超音波洗浄
する工程と、 前記部品をゆすぎ・乾燥する工程とを備える方法。 - 【請求項2】 最初に前記部品を化学洗浄溶液を使って
洗浄する請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 前記部品のうちの一つは前記真空チャン
バ用のアルミニウムの単一体の蓋である請求項1記載の
方法。 - 【請求項4】 一つ以上の部品が石英からなる請求項1
記載の方法。 - 【請求項5】 前記真空チャンバ内において加工される
基板に対するカソード支持部と、 前記カソード支持部を取り囲んでいる石英のシールド、
前記真空チャンバの蓋を閉じる時に前記シールドに適合
する(fits)石英の扉および前記シールドに対する単一体
のアルミニウムの蓋を含む交換可能な部品とを備え、前
記蓋は前記扉に密閉するように係合する上敷き部分(ove
rlying portion) を有する真空エッチングチャンバ。 - 【請求項6】 真空エッチングチャンバ用の単一体加工
アルミニウム蓋であって、第1表面からの伸長壁および
蓋が閉じられるとき前記チャンバの扉と密閉するように
係合する上敷き部分を有する単一体加工アルミニウム
蓋。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/936433 | 1992-08-27 | ||
US07/936,433 US5401319A (en) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0817792A JPH0817792A (ja) | 1996-01-19 |
JP2568371B2 true JP2568371B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=25468625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5190301A Expired - Fee Related JP2568371B2 (ja) | 1992-08-27 | 1993-07-30 | 真空チャンバ用の新規な蓋および扉、並びにそれに対する前処理 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5401319A (ja) |
EP (1) | EP0589237B1 (ja) |
JP (1) | JP2568371B2 (ja) |
KR (1) | KR100271190B1 (ja) |
DE (1) | DE69322043T2 (ja) |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5916454A (en) * | 1996-08-30 | 1999-06-29 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for reducing byproduct particle generation in a plasma processing chamber |
US6007673A (en) * | 1996-10-02 | 1999-12-28 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus and method of producing an electronic device |
US5945354A (en) * | 1997-02-03 | 1999-08-31 | Motorola, Inc. | Method for reducing particles deposited onto a semiconductor wafer during plasma processing |
US6036780A (en) * | 1997-08-27 | 2000-03-14 | Cypress Semiconductor Corporation | Mechanism for detecting particulate formation and/or failures in the removal of gas from a liquid |
US6105435A (en) * | 1997-10-24 | 2000-08-22 | Cypress Semiconductor Corp. | Circuit and apparatus for verifying a chamber seal, and method of depositing a material onto a substrate using the same |
US6368410B1 (en) * | 1999-06-28 | 2002-04-09 | General Electric Company | Semiconductor processing article |
US6504233B1 (en) | 1999-06-28 | 2003-01-07 | General Electric Company | Semiconductor processing component |
US6168696B1 (en) | 1999-09-01 | 2001-01-02 | Micron Technology, Inc. | Non-knurled induction coil for ionized metal deposition, sputtering apparatus including same, and method of constructing the apparatus |
JP4294176B2 (ja) * | 1999-09-13 | 2009-07-08 | 株式会社山形信越石英 | 表面が砂目加工された石英物品の洗浄方法 |
US20020069970A1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-06-13 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled semiconductor processing chamber liner |
WO2002015255A1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Chem Trace Corporation | System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment parts |
US6805952B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-10-19 | Lam Research Corporation | Low contamination plasma chamber components and methods for making the same |
US6777045B2 (en) * | 2001-06-27 | 2004-08-17 | Applied Materials Inc. | Chamber components having textured surfaces and method of manufacture |
US20030047464A1 (en) * | 2001-07-27 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Electrochemically roughened aluminum semiconductor processing apparatus surfaces |
US6587750B2 (en) | 2001-09-25 | 2003-07-01 | Intuitive Surgical, Inc. | Removable infinite roll master grip handle and touch sensor for robotic surgery |
KR100439478B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-07-09 | 동부전자 주식회사 | 금속막 증착설비용 실드 세정방법 |
US6776873B1 (en) * | 2002-02-14 | 2004-08-17 | Jennifer Y Sun | Yttrium oxide based surface coating for semiconductor IC processing vacuum chambers |
US6812471B2 (en) * | 2002-03-13 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method of surface texturizing |
JP3958080B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置内の被洗浄部材の洗浄方法 |
US7026009B2 (en) * | 2002-03-27 | 2006-04-11 | Applied Materials, Inc. | Evaluation of chamber components having textured coatings |
DE10224547B4 (de) * | 2002-05-24 | 2020-06-25 | Khs Corpoplast Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken |
AU2003233770A1 (en) * | 2002-05-24 | 2003-12-12 | Sig Technology Ltd. | Method and device for plasma treating workpieces |
WO2004012242A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-05 | Applied Materials, Inc. | Hydrophilic components for a spin-rinse-dryer |
US6902628B2 (en) * | 2002-11-25 | 2005-06-07 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a coated process chamber component |
US7964085B1 (en) | 2002-11-25 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Electrochemical removal of tantalum-containing materials |
US20060105182A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant textured chamber surface |
US20040221959A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-11 | Applied Materials, Inc. | Anodized substrate support |
US7045072B2 (en) * | 2003-07-24 | 2006-05-16 | Tan Samantha S H | Cleaning process and apparatus for silicate materials |
US20050048876A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-03 | Applied Materials, Inc. | Fabricating and cleaning chamber components having textured surfaces |
EP1664370A1 (en) * | 2003-09-25 | 2006-06-07 | Honeywell International Inc. | Pvd component and coil refurbishing methods |
US7910218B2 (en) * | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
US7416076B2 (en) * | 2004-01-12 | 2008-08-26 | Halliburton Energy Services, Inc. | Apparatus and method for packaging and shipping of high explosive content components |
US7264679B2 (en) * | 2004-02-11 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of chamber components |
US20050211276A1 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Lid for a semiconductor device processing apparatus and methods for using the same |
US20050238807A1 (en) * | 2004-04-27 | 2005-10-27 | Applied Materials, Inc. | Refurbishment of a coated chamber component |
US7618769B2 (en) * | 2004-06-07 | 2009-11-17 | Applied Materials, Inc. | Textured chamber surface |
US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
US7579067B2 (en) * | 2004-11-24 | 2009-08-25 | Applied Materials, Inc. | Process chamber component with layered coating and method |
US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
US7762114B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
US9127362B2 (en) * | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US20070113783A1 (en) * | 2005-11-19 | 2007-05-24 | Applied Materials, Inc. | Band shield for substrate processing chamber |
US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
US7648582B2 (en) * | 2005-12-23 | 2010-01-19 | Lam Research Corporation | Cleaning of electrostatic chucks using ultrasonic agitation and applied electric fields |
US8173228B2 (en) * | 2006-01-27 | 2012-05-08 | Applied Materials, Inc. | Particle reduction on surfaces of chemical vapor deposition processing apparatus |
US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
DE102006026828A1 (de) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Hydro Aluminium Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Behälters aus Aluminiumblechen |
US7981262B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
US8444926B2 (en) * | 2007-01-30 | 2013-05-21 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber with heated chamber liner |
US20080196661A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-21 | Brian West | Plasma sprayed deposition ring isolator |
US7741583B2 (en) * | 2007-03-22 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Bake plate lid cleaner and cleaning method |
US10242888B2 (en) | 2007-04-27 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus with a ceramic-comprising surface which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
US10622194B2 (en) | 2007-04-27 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Bulk sintered solid solution ceramic which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
US20090084317A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
US20090194414A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Nolander Ira G | Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof |
JP4669017B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2011-04-13 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置、ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 |
US20090261065A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Lam Research Corporation | Components for use in a plasma chamber having reduced particle generation and method of making |
TWI502617B (zh) * | 2010-07-21 | 2015-10-01 | 應用材料股份有限公司 | 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件 |
WO2012032732A1 (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-15 | 株式会社瑞光 | 着用物品の製造方法及び製造装置並びに着用物品 |
CN102513305B (zh) * | 2011-12-30 | 2016-03-02 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 半导体硅片的清洗装置及其清洗方法 |
CN103510064B (zh) * | 2012-06-15 | 2016-06-29 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 真空处理装置及控制制程颗粒沉积路径的方法 |
US9101954B2 (en) | 2013-09-17 | 2015-08-11 | Applied Materials, Inc. | Geometries and patterns for surface texturing to increase deposition retention |
US11139151B1 (en) * | 2018-03-15 | 2021-10-05 | Intel Corporation | Micro-surface morphological matching for reactor components |
USD913979S1 (en) | 2019-08-28 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | Inner shield for a substrate processing chamber |
US11534967B2 (en) | 2019-12-12 | 2022-12-27 | Arcam Ab | Additive manufacturing apparatuses with powder distributors and methods of use |
USD973609S1 (en) | 2020-04-22 | 2022-12-27 | Applied Materials, Inc. | Upper shield with showerhead for a process chamber |
CN114102440A (zh) * | 2020-08-28 | 2022-03-01 | 长鑫存储技术有限公司 | 用于石英部件的表面处理方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3617463A (en) * | 1969-06-18 | 1971-11-02 | Ibm | Apparatus and method for sputter etching |
SE425707B (sv) * | 1981-03-20 | 1982-10-25 | Asea Ab | Sett att innesluta utbrenda kernbrenslestavar i en behallare av koppar |
US4411575A (en) * | 1981-05-01 | 1983-10-25 | The Perkin-Elmer Corporation | Sample transfer vessel |
US4466872A (en) * | 1982-12-23 | 1984-08-21 | At&T Technologies, Inc. | Methods of and apparatus for depositing a continuous film of minimum thickness |
JPS60100657A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-04 | Toshiba Corp | 金属の表面処理法 |
US4657616A (en) * | 1985-05-17 | 1987-04-14 | Benzing Technologies, Inc. | In-situ CVD chamber cleaner |
JP2859632B2 (ja) * | 1988-04-14 | 1999-02-17 | キヤノン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
US5233144A (en) * | 1988-06-14 | 1993-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Heat generating container for microwave oven |
JPH0222822A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
US5017439A (en) * | 1989-07-19 | 1991-05-21 | Seagate Technology, Inc. | Micro-contamination-free coating for die-cast component in magnetic disk drive |
JPH03180500A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-06 | Fujitsu Ltd | ステンレス鋼製の真空容器内壁の表面処理方法 |
EP0440377B1 (en) * | 1990-01-29 | 1998-03-18 | Varian Associates, Inc. | Collimated deposition apparatus and method |
US5202008A (en) * | 1990-03-02 | 1993-04-13 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
ES2076385T3 (es) * | 1990-03-02 | 1995-11-01 | Applied Materials Inc | Procedimiento para preparar una armadura, con el fin de reducir las particulas dentro de una camara de deposicion fisica de vapor. |
JP3471032B2 (ja) * | 1991-12-27 | 2003-11-25 | アネルバ株式会社 | 薄膜堆積装置 |
JPH05247635A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-24 | Fujitsu Ltd | スパッタリング装置 |
-
1992
- 1992-08-27 US US07/936,433 patent/US5401319A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5190301A patent/JP2568371B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-26 KR KR1019930016654A patent/KR100271190B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-08-27 DE DE69322043T patent/DE69322043T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-27 EP EP93113770A patent/EP0589237B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-11-08 US US08/335,611 patent/US5565058A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-05 US US08/658,784 patent/US5762748A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0589237B1 (en) | 1998-11-11 |
JPH0817792A (ja) | 1996-01-19 |
KR100271190B1 (ko) | 2000-12-01 |
DE69322043T2 (de) | 1999-06-24 |
US5565058A (en) | 1996-10-15 |
KR940004741A (ko) | 1994-03-15 |
EP0589237A3 (en) | 1995-05-24 |
US5762748A (en) | 1998-06-09 |
DE69322043D1 (de) | 1998-12-17 |
US5401319A (en) | 1995-03-28 |
EP0589237A2 (en) | 1994-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2568371B2 (ja) | 真空チャンバ用の新規な蓋および扉、並びにそれに対する前処理 | |
KR100272111B1 (ko) | 물리적인 증착 챔버내에서 입자들을 감소시키도록 시일드를 준비하기 위한 방법 | |
JP4514336B2 (ja) | 基板処理装置及びその洗浄方法 | |
JP4648392B2 (ja) | プラズマ処理チャンバ用の構成要素の石英表面をウェット洗浄する方法 | |
US5660640A (en) | Method of removing sputter deposition from components of vacuum deposition equipment | |
JP2674488B2 (ja) | ドライエッチング室のクリーニング方法 | |
CN101205621A (zh) | 一种铝材料零件的清洗方法 | |
CN101154558A (zh) | 刻蚀设备组件的清洗方法 | |
JPH05315098A (ja) | プロセス装置 | |
JP4398091B2 (ja) | 半導体処理装置の部品の洗浄液及び洗浄方法 | |
US6545245B2 (en) | Method for dry cleaning metal etching chamber | |
JP2000091327A (ja) | プラズマ処理装置のクリーニング方法およびその装置 | |
JP2003309105A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2000124137A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH1140502A (ja) | 半導体製造装置のドライクリーニング方法 | |
JP3207638B2 (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
US6632689B2 (en) | Method for processing semiconductor wafers in an enclosure with a treated interior surface | |
JP2002028599A (ja) | 再利用部品の洗浄方法 | |
JP2005142367A (ja) | 膜剥離方法 | |
JP3265047B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
JPH08261535A (ja) | 排塵装置、半導体処理装置及び蒸着装置 | |
KR20040061096A (ko) | 반도체 웨이퍼의 스핀 스크러버 | |
JPH11145115A (ja) | アッシング装置のクリーニング方法 | |
JPH1032186A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2005243765A (ja) | プラズマ処理装置におけるクリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960820 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |