JPH081502B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH081502B2 JPH081502B2 JP5148762A JP14876293A JPH081502B2 JP H081502 B2 JPH081502 B2 JP H081502B2 JP 5148762 A JP5148762 A JP 5148762A JP 14876293 A JP14876293 A JP 14876293A JP H081502 B2 JPH081502 B2 JP H081502B2
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は、１つの透明絶縁基板上にゲート線及びデータ
線が互いに交差して形成され、ゲート線及びデータ線の
各交差点にスイッチング・トランジスタ及び表示電極を
含む液晶表示素子が夫々形成されている液晶表示装置に
関する。
線が互いに交差して形成され、ゲート線及びデータ線の
各交差点にスイッチング・トランジスタ及び表示電極を
含む液晶表示素子が夫々形成されている液晶表示装置に
関する。
【０００２】
【０００３】液晶表示装置は、パーソナル・コンピュー
タ、ワードプロセッサ等の表示装置として用いられてき
ている。液晶表示装置は、２つのガラス基板及びこれら
の間に保持された液晶材料を含む。一方のガラス基板に
はゲート線及びデータ線が互いに交差して形成されてお
り、そしてゲート線及びデータ線の各交点にはスイッチ
ング・トランジスタ及び表示電極を含む液晶表示素子が
形成されている。他のガラス基板には、共通電極、カラ
ー・フィルタ等が形成されている。図３は上記一方のガ
ラス基板３１及び他方のガラス基板３２を示す。ガラス
基板３１は、表示領域３３及び周辺領域３４に分けられ
ており、表示領域３３には、ゲート線３５及びデータ線
３６が形成されている。周辺領域３４には、表示領域に
於ける隣接するゲート線間の距離Ｌ１よりも小さい距離
Ｌ２だけ離されたゲート線接続端子３７及び表示領域に
於けるデータ線相互間の距離Ｌ３よりも小さい距離Ｌ４
だけ離されたデータ線接続端子３８並びに全ての接続端
子を短絡する短絡線４７が形成されている。ゲート線接
続端子３７及びデータ線接続端子３８は複数のグループ
３７Ａ，３７Ｂ等そして３８Ａ，３８Ｂ等に分けられて
おり、そして隣接するグループ相互間には領域３９及び
４０が存在する。領域３９及び４０には、接続端子３７
及び３８に対してフレキシブル回路板を接続するための
位置合わせマーク（図示せず）が形成される。ガラス基
板３１の短絡線４７は、両基板３１及び３２を重ねた後
に線４１に沿って切断される事により除去される。
タ、ワードプロセッサ等の表示装置として用いられてき
ている。液晶表示装置は、２つのガラス基板及びこれら
の間に保持された液晶材料を含む。一方のガラス基板に
はゲート線及びデータ線が互いに交差して形成されてお
り、そしてゲート線及びデータ線の各交点にはスイッチ
ング・トランジスタ及び表示電極を含む液晶表示素子が
形成されている。他のガラス基板には、共通電極、カラ
ー・フィルタ等が形成されている。図３は上記一方のガ
ラス基板３１及び他方のガラス基板３２を示す。ガラス
基板３１は、表示領域３３及び周辺領域３４に分けられ
ており、表示領域３３には、ゲート線３５及びデータ線
３６が形成されている。周辺領域３４には、表示領域に
於ける隣接するゲート線間の距離Ｌ１よりも小さい距離
Ｌ２だけ離されたゲート線接続端子３７及び表示領域に
於けるデータ線相互間の距離Ｌ３よりも小さい距離Ｌ４
だけ離されたデータ線接続端子３８並びに全ての接続端
子を短絡する短絡線４７が形成されている。ゲート線接
続端子３７及びデータ線接続端子３８は複数のグループ
３７Ａ，３７Ｂ等そして３８Ａ，３８Ｂ等に分けられて
おり、そして隣接するグループ相互間には領域３９及び
４０が存在する。領域３９及び４０には、接続端子３７
及び３８に対してフレキシブル回路板を接続するための
位置合わせマーク（図示せず）が形成される。ガラス基
板３１の短絡線４７は、両基板３１及び３２を重ねた後
に線４１に沿って切断される事により除去される。
【０００４】図４は、図３の点線４２により表された部
分の拡大図である。隣接するゲート線３５の間に基準電
圧線４３Ａ，４３Ｂ及び４３Ｃが形成されている。ゲー
ト線３５及びデータ線３６の交差点に液晶表示素子４４
が形成されている。ガラス基板３１及び３２は、シール
４８により密封されている。基準電圧線４３Ａ，４３Ｂ
および４３Ｃは、接続部分５０Ａ，５０Ｂおよび５０Ｃ
を有する。接続部分５０Ａ，５０Ｂ及び５０Ｃは、ガラ
ス基板３１の全面を覆う絶縁層に形成された開口５１
Ａ，５１Ｂ及び５１Ｃを介して接続線４９に接続され
る。この接続線４９は、基準電圧線に接続されている。
液晶表示素子４４の等価回路が図４に示されている。液
晶表示素子４４は、薄膜トランジスタ５６、ＩＴＯ５４
及びガラス基板３２に形成された共通電極５７並びにＩ
ＴＯ５４及び基準電圧線４３Ｂを有する。ＩＴＯ５４及
び共通電極５７の間に液晶材料が存在する。ＩＴＯ５４
及び基準電圧線４３Ｂの間には絶縁層が存在して、蓄積
コンデンサを形成する。線４５Ａ及び線４５Ｂに沿った
断面が図５に示されており、そして線４６Ａ及び４６Ｂ
に沿った断面が図６に示されている。図５において、ガ
ラス基板３１上にゲート電極３５が形成され、そして絶
縁層５１が形成され、そして半導体層例えばアモルファ
ス・シリコン層５２が形成される。表示電極であるＩＴ
Ｏ５４が形成される。更に、データ線の延長部分である
ソース電極３６及びドレイン電極５３が形成される。ソ
ース電極３６及びドレイン電極５３のあいだの半導体層
５２の部分は薄膜トランジスタのチャネル領域を形成す
る。
分の拡大図である。隣接するゲート線３５の間に基準電
圧線４３Ａ，４３Ｂ及び４３Ｃが形成されている。ゲー
ト線３５及びデータ線３６の交差点に液晶表示素子４４
が形成されている。ガラス基板３１及び３２は、シール
４８により密封されている。基準電圧線４３Ａ，４３Ｂ
および４３Ｃは、接続部分５０Ａ，５０Ｂおよび５０Ｃ
を有する。接続部分５０Ａ，５０Ｂ及び５０Ｃは、ガラ
ス基板３１の全面を覆う絶縁層に形成された開口５１
Ａ，５１Ｂ及び５１Ｃを介して接続線４９に接続され
る。この接続線４９は、基準電圧線に接続されている。
液晶表示素子４４の等価回路が図４に示されている。液
晶表示素子４４は、薄膜トランジスタ５６、ＩＴＯ５４
及びガラス基板３２に形成された共通電極５７並びにＩ
ＴＯ５４及び基準電圧線４３Ｂを有する。ＩＴＯ５４及
び共通電極５７の間に液晶材料が存在する。ＩＴＯ５４
及び基準電圧線４３Ｂの間には絶縁層が存在して、蓄積
コンデンサを形成する。線４５Ａ及び線４５Ｂに沿った
断面が図５に示されており、そして線４６Ａ及び４６Ｂ
に沿った断面が図６に示されている。図５において、ガ
ラス基板３１上にゲート電極３５が形成され、そして絶
縁層５１が形成され、そして半導体層例えばアモルファ
ス・シリコン層５２が形成される。表示電極であるＩＴ
Ｏ５４が形成される。更に、データ線の延長部分である
ソース電極３６及びドレイン電極５３が形成される。ソ
ース電極３６及びドレイン電極５３のあいだの半導体層
５２の部分は薄膜トランジスタのチャネル領域を形成す
る。
【０００５】図６において、ゲート線３５及び基準電圧
線４３Ｂは、ガラス基板上に同時に形成される。そして
上記のように、絶縁層を介して、ＩＴＯ５４が形成され
る。部分５５の基準電圧線４３Ｂ，絶縁層５１及びＩＴ
Ｏ５４は、液晶表示素子４４の蓄積コンデンサを形成す
る。
線４３Ｂは、ガラス基板上に同時に形成される。そして
上記のように、絶縁層を介して、ＩＴＯ５４が形成され
る。部分５５の基準電圧線４３Ｂ，絶縁層５１及びＩＴ
Ｏ５４は、液晶表示素子４４の蓄積コンデンサを形成す
る。
【０００６】本発明は、上記の構造を有する液晶表示装
置に於て発生する特定な問題点を解決する。液晶表示装
置では、製造工程の間に生じる種々な原因により線欠陥
若しくは点欠陥が発生する。これらの欠陥のうち特に、
図４に於ける領域３９の上側のゲート線３５Ｂだけに接
続された液晶表示素子に点欠陥が生じることが判明し
た。最初のうちは、この点欠陥の原因を見いだす事がで
きなかった。本発明の発明者は、この点欠陥が、他の種
々な欠陥と異なるものであり、そしてこの点欠陥は、図
３及び図４の領域３９に電荷が蓄積して図４の基準電圧
線４３Ｂに放電する事によって発生されることを最終的
に見いだした。この放電を図７を参照して説明すると、
最初の製造工程に於てガラス基板３１の上には、ゲート
線３５Ａ乃至３５Ｄ，ゲート線接続端子３７、基準電圧
線４３Ａ乃至４３Ｃ、接続部分５０Ａ乃至５０Ｃ及び短
絡線４７が同時に形成される。次に、図５及び図６に示
される絶縁層５１が一面に形成される。次に、半導体層
５２が形成され、そしてＩＴＯ５４が形成される。この
段階で、図６に示される蓄積コンデンサの構造が完成さ
れる。この段階では、図７に示されるように、ゲート線
３５Ａ，３５Ｂ及び３５Ｃは、短絡線４７により互いに
接続されている。一方、基準電圧線４３Ａ，４３Ｂ及び
４３Ｃはどの電位にも接続されておらず、浮動状態であ
る。図７の領域３９は前述のように、フレキシブル回路
板を接続するための位置合わせマーク（図示せず）が形
成されているために、領域５８よりも大きい。領域３９
の大きさは、領域５８の約１００倍である。従って、製
造工程の間の摩擦等により蓄積する静電荷の量は、領域
３９において大きく、そして領域５８に於て小さい。そ
して領域３９に蓄積された静電荷がゲート線３５Ｂ及び
３５Ｃ並びに基準電圧線４３Ｂに放電する。ゲート線３
５Ｂ及び３５Ｃは、短絡線４７により互いに接続されて
おり、そしてこれらが形成する容量は大きく、従って、
この放電が発生したとしても静電荷はこの大容量に吸収
されて絶縁破壊は生じない。一方、基準電圧線４３Ｂが
形成する容量は小さく、従って基準電圧線４３Ｂが形成
する蓄積コンデンサ５５の絶縁層５１が、この放電によ
り破壊される。このようにして、ゲート線３５Ｂに接続
された液晶表示素子の蓄積コンデンサが絶縁破壊されて
点欠陥が発生される。
置に於て発生する特定な問題点を解決する。液晶表示装
置では、製造工程の間に生じる種々な原因により線欠陥
若しくは点欠陥が発生する。これらの欠陥のうち特に、
図４に於ける領域３９の上側のゲート線３５Ｂだけに接
続された液晶表示素子に点欠陥が生じることが判明し
た。最初のうちは、この点欠陥の原因を見いだす事がで
きなかった。本発明の発明者は、この点欠陥が、他の種
々な欠陥と異なるものであり、そしてこの点欠陥は、図
３及び図４の領域３９に電荷が蓄積して図４の基準電圧
線４３Ｂに放電する事によって発生されることを最終的
に見いだした。この放電を図７を参照して説明すると、
最初の製造工程に於てガラス基板３１の上には、ゲート
線３５Ａ乃至３５Ｄ，ゲート線接続端子３７、基準電圧
線４３Ａ乃至４３Ｃ、接続部分５０Ａ乃至５０Ｃ及び短
絡線４７が同時に形成される。次に、図５及び図６に示
される絶縁層５１が一面に形成される。次に、半導体層
５２が形成され、そしてＩＴＯ５４が形成される。この
段階で、図６に示される蓄積コンデンサの構造が完成さ
れる。この段階では、図７に示されるように、ゲート線
３５Ａ，３５Ｂ及び３５Ｃは、短絡線４７により互いに
接続されている。一方、基準電圧線４３Ａ，４３Ｂ及び
４３Ｃはどの電位にも接続されておらず、浮動状態であ
る。図７の領域３９は前述のように、フレキシブル回路
板を接続するための位置合わせマーク（図示せず）が形
成されているために、領域５８よりも大きい。領域３９
の大きさは、領域５８の約１００倍である。従って、製
造工程の間の摩擦等により蓄積する静電荷の量は、領域
３９において大きく、そして領域５８に於て小さい。そ
して領域３９に蓄積された静電荷がゲート線３５Ｂ及び
３５Ｃ並びに基準電圧線４３Ｂに放電する。ゲート線３
５Ｂ及び３５Ｃは、短絡線４７により互いに接続されて
おり、そしてこれらが形成する容量は大きく、従って、
この放電が発生したとしても静電荷はこの大容量に吸収
されて絶縁破壊は生じない。一方、基準電圧線４３Ｂが
形成する容量は小さく、従って基準電圧線４３Ｂが形成
する蓄積コンデンサ５５の絶縁層５１が、この放電によ
り破壊される。このようにして、ゲート線３５Ｂに接続
された液晶表示素子の蓄積コンデンサが絶縁破壊されて
点欠陥が発生される。
【０００７】
【０００８】本発明に従うと、複数の液晶表示素子がマ
トリクス上に形成された表示領域及び該表示領域を囲む
周辺領域を含み、上記表示領域は、互いに平行に配列さ
れた複数のゲート線及び該ゲート線の間に形成され且つ
上記液晶表示素子の蓄積コンデンサの一電極として夫々
働く複数の基準電圧線を含み、上記周辺領域は上記表示
領域の隣接するゲート線間の距離よりも小さい距離だけ
互いに離された複数の接続端子を含み、上記接続端子は
複数のグループに分けられ、上記ゲート線は上記接続端
子に夫々接続され、そして導電性の短絡線が上記接続端
子を短絡するように上記周辺領域に沿って形成されてい
る液晶表示装置に於て、上記導電性の短絡線から延長さ
れた導電線が上記グループ相互間の領域と該領域に対面
する上記基準電圧線との間に形成されている。上記導電
性の短絡線、上記ゲート線、上記基準電圧線及び上記導
電線はガラス基板上に形成されている。上記導電性の短
絡線、上記ゲート線、上記基準電圧線及び上記導電線は
タンタル及びモリブデンの合金、タンタル、アルミニウ
ム並びにクロムから成る群から選ばれた１つの金属材料
で形成されている。
トリクス上に形成された表示領域及び該表示領域を囲む
周辺領域を含み、上記表示領域は、互いに平行に配列さ
れた複数のゲート線及び該ゲート線の間に形成され且つ
上記液晶表示素子の蓄積コンデンサの一電極として夫々
働く複数の基準電圧線を含み、上記周辺領域は上記表示
領域の隣接するゲート線間の距離よりも小さい距離だけ
互いに離された複数の接続端子を含み、上記接続端子は
複数のグループに分けられ、上記ゲート線は上記接続端
子に夫々接続され、そして導電性の短絡線が上記接続端
子を短絡するように上記周辺領域に沿って形成されてい
る液晶表示装置に於て、上記導電性の短絡線から延長さ
れた導電線が上記グループ相互間の領域と該領域に対面
する上記基準電圧線との間に形成されている。上記導電
性の短絡線、上記ゲート線、上記基準電圧線及び上記導
電線はガラス基板上に形成されている。上記導電性の短
絡線、上記ゲート線、上記基準電圧線及び上記導電線は
タンタル及びモリブデンの合金、タンタル、アルミニウ
ム並びにクロムから成る群から選ばれた１つの金属材料
で形成されている。
【０００９】図１は、本発明の第１実施例を示す。ガラ
ス基板１は、図３に示されている従来のガラス基板３１
に対応する。ガラス基板３１上には、図３に示されるよ
うなゲート線４Ａ，４Ｂ，４Ｃ及び４Ｄ、ゲート線接続
端子６，導電性の短絡線１１，データ線５、接続線１
３，液晶表示素子１０等が形成され、そして表示領域２
においては、水平方向に複数のゲート線が互いに平行に
形成され、ゲート線相互間には、液晶表示素子の蓄積コ
ンデンサの一電極として動作する基準電圧線が形成さ
れ、そして垂直方向に複数のデータ線が互いに平行に形
成されている。周辺領域３には、ゲート線接続端子６，
短絡線１１及び短絡線１１から延長された導電線１２が
形成されている。ゲート線は夫々ゲート線接続端子に接
続されている。液晶表示装置に対して、ゲート信号を供
給するフレキシブル回路板がゲート線接続端子に接続さ
れる。図１のガラス基板１には、図３に示されるような
データ線接続端子及び電圧供給端子が形成されており、
これらの端子にデータ信号、クロック・パルス及び駆動
電圧等を供給するためのフレキシブル回路板が接続され
る。
ス基板１は、図３に示されている従来のガラス基板３１
に対応する。ガラス基板３１上には、図３に示されるよ
うなゲート線４Ａ，４Ｂ，４Ｃ及び４Ｄ、ゲート線接続
端子６，導電性の短絡線１１，データ線５、接続線１
３，液晶表示素子１０等が形成され、そして表示領域２
においては、水平方向に複数のゲート線が互いに平行に
形成され、ゲート線相互間には、液晶表示素子の蓄積コ
ンデンサの一電極として動作する基準電圧線が形成さ
れ、そして垂直方向に複数のデータ線が互いに平行に形
成されている。周辺領域３には、ゲート線接続端子６，
短絡線１１及び短絡線１１から延長された導電線１２が
形成されている。ゲート線は夫々ゲート線接続端子に接
続されている。液晶表示装置に対して、ゲート信号を供
給するフレキシブル回路板がゲート線接続端子に接続さ
れる。図１のガラス基板１には、図３に示されるような
データ線接続端子及び電圧供給端子が形成されており、
これらの端子にデータ信号、クロック・パルス及び駆動
電圧等を供給するためのフレキシブル回路板が接続され
る。
【００１０】周辺領域３に於けるゲート線接続端子６相
互間の距離Ｌ２は、表示領域２に於けるゲート線４Ａ相
互間の距離Ｌ１よりも小さい。例えば、距離Ｌ１は約３
００ミクロンメータであり、そして距離Ｌ２は約６０ミ
クロンメータである。ゲート線接続端子６は、複数のグ
ループ６Ａ及び６Ｂに分けられており、これらグループ
相互間に広い領域７が存在する。この領域７には、フレ
キシブル回路板をゲート線接続端子に正確に接続するた
めの位置合わせマークが形成される。領域７の距離Ｌ５
は約６ミリメートルであり、その結果領域７の大きさは
領域７Ａの約１００倍である。本発明によると、第１の
製造工程で、一方のガラス基板１の全面に、タンタル及
びモリブデンの合金、タンタル、アルミニウム、若しく
はクロムが付着され、エッチング・マスクを介して選択
的にエッチングされてゲート線４Ａ，４Ｂ及び４Ｃ、ゲ
ート線接続端子６、導電性の短絡線１１，基準電圧線９
Ａ，９Ｂ及び９Ｃ並びに導電線１２が同時に形成され
る。導電線１２は、領域７を取り囲む２つのゲート線４
Ｂ及び４Ｃの一方即ちゲート線４Ｃに隣接するように導
電性の短絡線１１から延長され、そして領域７及び基準
電圧線９Ｂの間に延ばされ、そしてこれの先端部分１２
Ａは他方のゲート線４Ｂに近接して終端される。これに
より、領域７から基準電圧線９Ｂに向かって放電する静
電荷は導電線１２に吸収され、その結果、基準電圧線９
Ｂに静電荷が放電せず、従って、図６で説明したような
基準電圧線、絶縁層及びＩＴＯにより形成される液晶表
示素子の蓄積コンデンサの静電破壊が防止される。導電
線１２は、静電荷を短絡線１１に逃がすに十分な断面積
を有する事が必要である。導電線１２は，１０ミクロン
メータ乃至８０ミクロンメータの幅及び５００乃至５０
００オングストロームの厚さを有する事が望ましい。第
２の工程で、図５及び図６の絶縁層５１に対応する絶縁
層が全面に付着される。絶縁層の材料はシリコン酸化物
又はチッソ酸化物である。第３の工程で、図５に示され
ているようなアモルファス・シリコンの半導体層が絶縁
層の上に形成される。第４の工程で、図５に示されてい
るような表示電極として動作するＩＴＯが、絶縁層の上
に形成される。第５の工程で、例えばアルミニウムが全
面に付着され、そして選択的にエッチングされて、図５
に示されるようなデータ線及びドレイン電極が形成され
る。そしてこれと同時に図１の短絡線の上に沿ってそし
て図３に示されているようにガラス基板の水平エッジに
沿って水平方向に延びるアルミニウムの短絡線が形成さ
れる。アルミニウムの付着の前に、ゲート線と同じ材料
の短絡線１１の絶縁層には開口が形成され、これにより
短絡線１１はアルミニウムの短絡線に電気的に接続され
る。この結果全てのゲート線及びデータ線は短絡線によ
り互いに接続される。この短絡線による相互接続は従来
から周知であるので、図示されていない。これにより、
液晶表示素子の薄膜トランジスタの絶縁破壊が防止され
る。
互間の距離Ｌ２は、表示領域２に於けるゲート線４Ａ相
互間の距離Ｌ１よりも小さい。例えば、距離Ｌ１は約３
００ミクロンメータであり、そして距離Ｌ２は約６０ミ
クロンメータである。ゲート線接続端子６は、複数のグ
ループ６Ａ及び６Ｂに分けられており、これらグループ
相互間に広い領域７が存在する。この領域７には、フレ
キシブル回路板をゲート線接続端子に正確に接続するた
めの位置合わせマークが形成される。領域７の距離Ｌ５
は約６ミリメートルであり、その結果領域７の大きさは
領域７Ａの約１００倍である。本発明によると、第１の
製造工程で、一方のガラス基板１の全面に、タンタル及
びモリブデンの合金、タンタル、アルミニウム、若しく
はクロムが付着され、エッチング・マスクを介して選択
的にエッチングされてゲート線４Ａ，４Ｂ及び４Ｃ、ゲ
ート線接続端子６、導電性の短絡線１１，基準電圧線９
Ａ，９Ｂ及び９Ｃ並びに導電線１２が同時に形成され
る。導電線１２は、領域７を取り囲む２つのゲート線４
Ｂ及び４Ｃの一方即ちゲート線４Ｃに隣接するように導
電性の短絡線１１から延長され、そして領域７及び基準
電圧線９Ｂの間に延ばされ、そしてこれの先端部分１２
Ａは他方のゲート線４Ｂに近接して終端される。これに
より、領域７から基準電圧線９Ｂに向かって放電する静
電荷は導電線１２に吸収され、その結果、基準電圧線９
Ｂに静電荷が放電せず、従って、図６で説明したような
基準電圧線、絶縁層及びＩＴＯにより形成される液晶表
示素子の蓄積コンデンサの静電破壊が防止される。導電
線１２は、静電荷を短絡線１１に逃がすに十分な断面積
を有する事が必要である。導電線１２は，１０ミクロン
メータ乃至８０ミクロンメータの幅及び５００乃至５０
００オングストロームの厚さを有する事が望ましい。第
２の工程で、図５及び図６の絶縁層５１に対応する絶縁
層が全面に付着される。絶縁層の材料はシリコン酸化物
又はチッソ酸化物である。第３の工程で、図５に示され
ているようなアモルファス・シリコンの半導体層が絶縁
層の上に形成される。第４の工程で、図５に示されてい
るような表示電極として動作するＩＴＯが、絶縁層の上
に形成される。第５の工程で、例えばアルミニウムが全
面に付着され、そして選択的にエッチングされて、図５
に示されるようなデータ線及びドレイン電極が形成され
る。そしてこれと同時に図１の短絡線の上に沿ってそし
て図３に示されているようにガラス基板の水平エッジに
沿って水平方向に延びるアルミニウムの短絡線が形成さ
れる。アルミニウムの付着の前に、ゲート線と同じ材料
の短絡線１１の絶縁層には開口が形成され、これにより
短絡線１１はアルミニウムの短絡線に電気的に接続され
る。この結果全てのゲート線及びデータ線は短絡線によ
り互いに接続される。この短絡線による相互接続は従来
から周知であるので、図示されていない。これにより、
液晶表示素子の薄膜トランジスタの絶縁破壊が防止され
る。
【００１１】第６の工程で、絶縁保護層、配向膜等が形
成される。これらは周知であるので、図示されていな
い。第７の工程で、他方のガラス基板にカラー・フィル
タ、このカラー・フィルタを囲むブラック・マトリク
ス、配向膜等が形成される。この工程も周知であるので
図示しない。第８の工程で、両方のガラス基板が図１に
示されるように所定の間隔を保って重ねられて、シール
される。そして液晶材料が封入される。上記第２乃至第
８の工程は、周知であるので詳述しない。上述のように
本発明によると、導電線１２が、第１の工程に於てゲー
ト線４Ａ，４Ｂ，４Ｃ及び４Ｄ，ゲート線接続端子６，
導電性の短絡線１１並びに基準電圧線９Ａ，９Ｂ，及び
９Ｃと同時に形成される。この導電線１２は、短絡線１
１から延長されており、そして領域７とこの領域７に対
面する基準電圧線９Ｂとの間に形成されている。第４の
工程が終了した段階の構造は図５及び図６に示されてい
る構造である。この段階で、静電荷が発生して基準電圧
線９Ｂに向かって放電したとしても、静電荷は導電線１
２を介して短絡線１、ゲート線及びデータ線が形成する
大きな容量に吸収され、従って基準電圧線９Ｂに静電荷
が到達せず、前述のような蓄積コンデンサの絶縁破壊が
防止される。 図２は、本発明の第２の実施例を示す。
この第２の実施例の於て、導電線１２は、領域７を完全
に囲むように、この領域に隣接する２つのゲート線４Ｂ
及び４Ｃに沿って形成され、そして導電線の両端は短絡
線１１に接続される。
成される。これらは周知であるので、図示されていな
い。第７の工程で、他方のガラス基板にカラー・フィル
タ、このカラー・フィルタを囲むブラック・マトリク
ス、配向膜等が形成される。この工程も周知であるので
図示しない。第８の工程で、両方のガラス基板が図１に
示されるように所定の間隔を保って重ねられて、シール
される。そして液晶材料が封入される。上記第２乃至第
８の工程は、周知であるので詳述しない。上述のように
本発明によると、導電線１２が、第１の工程に於てゲー
ト線４Ａ，４Ｂ，４Ｃ及び４Ｄ，ゲート線接続端子６，
導電性の短絡線１１並びに基準電圧線９Ａ，９Ｂ，及び
９Ｃと同時に形成される。この導電線１２は、短絡線１
１から延長されており、そして領域７とこの領域７に対
面する基準電圧線９Ｂとの間に形成されている。第４の
工程が終了した段階の構造は図５及び図６に示されてい
る構造である。この段階で、静電荷が発生して基準電圧
線９Ｂに向かって放電したとしても、静電荷は導電線１
２を介して短絡線１、ゲート線及びデータ線が形成する
大きな容量に吸収され、従って基準電圧線９Ｂに静電荷
が到達せず、前述のような蓄積コンデンサの絶縁破壊が
防止される。 図２は、本発明の第２の実施例を示す。
この第２の実施例の於て、導電線１２は、領域７を完全
に囲むように、この領域に隣接する２つのゲート線４Ｂ
及び４Ｃに沿って形成され、そして導電線の両端は短絡
線１１に接続される。
【発明の効果】前述のごとく、本発明は、液晶表示装置
の特定なゲート線に接続される液晶表示素子の蓄積コン
デンサの絶縁破壊を防止する。
の特定なゲート線に接続される液晶表示素子の蓄積コン
デンサの絶縁破壊を防止する。
【図１】本発明の液晶表示装置の１つのガラス基板の第
１の実施例を示す図である。
１の実施例を示す図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の１つのガラス基板の第
２の実施例を示す図である。
２の実施例を示す図である。
【図３】本発明及び従来技術に共通な液晶表示装置の構
造を示す図である。
造を示す図である。
【図４】図３の点線４２で示される部分の拡大図であ
る。
る。
【図５】図４の線４５Ａ及び４５Ｂに沿った断面図であ
る。
る。
【図６】図４の線４６Ａ及び４６Ｂに沿った断面図であ
る。
る。
【図７】従来の構造の問題点を示す図である。
１ ・・・ ガラス基板 ２ ・・・ 表示領域 ３ ・・・ 周辺領域 ４ ・・・ ゲート線 ５ ・・・ データ線 ６ ・・・ ゲート線接続端子 ７ ・・・ 領域 ８ ・・・ 切断線 ９ ・・・ 基準電圧線 １０ ・・・ 液晶表示素子 １１ ・・・ 短絡線 １２ ・・・ 導電線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 俊彦 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内
Claims (3)
- 【請求項１】複数の液晶表示素子がマトリクス上に形成
された表示領域及び該表示領域を囲む周辺領域を含み、
上記表示領域は、互いに平行に配列された複数のゲート
線及び該ゲート線の間に形成され且つ上記液晶表示素子
の蓄積コンデンサの一電極として夫々働く複数の基準電
圧線を含み、上記周辺領域は、上記表示領域内の隣接す
るゲート線間の距離よりも小さい距離だけ互いに離され
た複数の接続端子を含み、上記接続端子は複数のグルー
プに分けられ、上記ゲート線は上記接続端子に夫々接続
され、そして導電性の短絡線が上記接続端子を短絡する
ように上記周辺領域に沿って形成されている液晶表示装
置に於て、 上記導電性の短絡線から延長された導電線が上記グルー
プ相互間の領域と該領域に対面する上記基準電圧線との
間に形成されていることを特徴とする上記液晶表示装
置。 - 【請求項２】上記短絡線、上記ゲート線、上記基準電圧
線及び上記導電線はガラス基板上に形成されている請求
項１の液晶表示装置。 - 【請求項３】上記短絡線、上記ゲート線、上記基準電圧
線及び上記導電線はタンタル及びモリブデンの合金、タ
ンタル、アルミニウム並びにクロムから成る群から選ば
れた１つの金属材料で形成されている請求項２の液晶表
示装置。 【０００１】
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|---|---|---|---|
| JP5148762A JPH081502B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 液晶表示装置 |
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|---|---|---|---|
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| JPH081502B2 true JPH081502B2 (ja) | 1996-01-10 |
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Family Applications (1)
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| JP5148762A Expired - Fee Related JPH081502B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 液晶表示装置 |
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| EP (1) | EP0629895B1 (ja) |
| JP (1) | JPH081502B2 (ja) |
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| JP4179483B2 (ja) * | 1996-02-13 | 2008-11-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| JP3747336B2 (ja) * | 1996-05-08 | 2006-02-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の製造方法および液晶パネル |
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| JPH1010550A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
| US6525718B1 (en) * | 1997-02-05 | 2003-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flexible circuit board and liquid crystal display device incorporating the same |
| KR100260611B1 (ko) * | 1997-04-03 | 2000-07-01 | 윤종용 | 배선을 수리하기 위한 평판 표시 장치용 기판 |
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| US6734925B1 (en) * | 1998-12-07 | 2004-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multiple testing bars for testing liquid crystal display and method thereof |
| JP3907804B2 (ja) | 1997-10-06 | 2007-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US8310262B2 (en) * | 1997-12-05 | 2012-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multiple testing bars for testing liquid crystal display and method thereof |
| JPH11271790A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
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| KR101075599B1 (ko) * | 2004-06-23 | 2011-10-20 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
| KR101316635B1 (ko) * | 2006-07-27 | 2013-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판의 제조 방법, 표시 기판 및 마스크 |
| US8183755B2 (en) | 2008-06-12 | 2012-05-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display apparatus and method of manufacturing the same |
| KR101843872B1 (ko) * | 2011-06-27 | 2018-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR102367137B1 (ko) * | 2014-03-27 | 2022-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 데이터 구동부 및 이를 구비한 표시 장치 |
| KR102223125B1 (ko) | 2014-03-27 | 2021-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 데이터 구동부 및 이를 구비한 표시 장치 |
| US10121843B2 (en) * | 2015-09-30 | 2018-11-06 | Apple Inc. | Corrosion resistant test lines |
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| JP2764139B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1998-06-11 | ホシデン・フィリップス・ディスプレイ株式会社 | アクティブマトリックス液晶表示素子 |
| JP2916824B2 (ja) * | 1991-05-31 | 1999-07-05 | アルプス電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| DE69319760T2 (de) * | 1992-02-21 | 1999-02-11 | Toshiba Kawasaki Kk | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP5148762A patent/JPH081502B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-05-24 EP EP94303692A patent/EP0629895B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-24 DE DE69407486T patent/DE69407486T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-21 US US08/263,094 patent/US5598283A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|
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