JP3766563B2

JP3766563B2 - 液晶表示装置

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Publication number: JP3766563B2
Application number: JP13526099A
Authority: JP
Inventors: 啓一郎芦沢; 益幸太田; 正行引場
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1999-05-17
Filing date: 1999-05-17
Publication date: 2006-04-12
Anticipated expiration: 2019-05-17
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に画素毎にスイッチング素子を配置したアクティブ・マトリクス型の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各種の画像表示装置用のディスプレイデバイスとして液晶表示装置が広く普及している。液晶表示装置は、少なくとも一方が透明な２枚の絶縁基板（以下、単に基板とも称する）の対向間隙に液晶分子を有する液晶組成物を封入し、上記２枚の絶縁基板の一方または双方の内面（主面）に形成した画素選択用の電極間に形成される電界で当該液晶分子の配向を制御して透過光または反射光をオン／オフすることによって画像を表示するものである。
【０００３】
特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代表されるスイッチング素子で画像表示動作を制御するアクティブ・マトリクス型の液晶表示装置は、小型軽量かつ高画質という利点からコンピュータなどの表示端末用のディスプレイデバイスとして多用されている。
【０００４】
上記したように、アクティブ・マトリクス型の液晶表示装置は、画素毎にスイッチング素子が配置され、このスイッチング素子で電位が制御される第１の電極（画素電極）と、第１の電極に対し電位変動が少ない第２の電極（対向電極）を有し、これらの電極間に発生する電界により液晶組成物を構成する液晶分子の配向状態を制御して画像表示を行うものである。
【０００５】
また、アクティブ・マトリクス型液晶表示装置は、上記の電極が２枚の基板間に封入された液晶分子へ印加する電界の電気力線の方向により２種類に分類される。
【０００６】
その一つは、液晶組成物の層（以下、単に液晶層とも言う）を挟んで電極を対向させ、これら電極間に基板面に対して縦方向の電界を形成する、所謂縦電界方式（例えば、特開平５−２５７１４２号公報、および対応する米国特許明細書第５，４３２，６２６号明細書参照）である。
【０００７】
他の一つは、液晶層に対して電極の位置をずらし、基板面と平行な方向に電界を形成する方式（日本国特許第２，７０８，０９８号、米国特許明細書第５，７５４，２６６号明細書参照）である。
【０００８】
後者の方式は、液晶分子の配向が基板面方向に発生する電気力線に依存することから、面内スイッチング（ＩｎＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ：ＩＰＳ）方式、あるいは横電界方式と呼ばれる。
【０００９】
ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、上記米国特許明細書第５，７５４，２６６号明細書に開示されているように、液晶分子の配向を制御する電界を発生する２種類の電極を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられた基板（ＴＦＴ基板）側に形成したものもあれば、米国特許明細書第５，５９８，２８５号明細書に開示されているように、第１および第２の電極の一方をＴＦＴ基板側に、他方をもう一方の基板に形成したものもある。
【００１０】
何れの構成においても、上記第１および第２の電極には、それぞれ他方の電極に対向しない領域が存在し、殊に第１の電極のその領域に対向する主面（すなわち、液晶層に対向した側）の上には導電性の薄膜を形成しないように配慮されている。この技術に関しては、遮光膜すなわちブラックマトリクス材料の抵抗値を低く抑えるようにした特開平７−１９１９９４号公報などに記載がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このようなＩＰＳ方式の液晶表示装置に関して、本発明者らは、薄膜トランジスタ（電界効果トランジスタ）のゲート電極に制御信号を伝送するゲート線の断線検査端子を、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）に１〜５重量％の酸化錫（ＳｎＯ₂）を添加したＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）と呼ばれる導電性材料で形成した。
【００１２】
この材料は、従来の検査端子に利用されていた金属材料に比べて、その構成元素による液晶層の汚染が少なく、また酸化等による劣化も少ないという利点を有する。一方、上記ゲート線および上記トランジスタのソース・ドレイン電極の一方に映像信号を供給するデータ線をＩＴＯより導電率で勝る金属材料で形成した。
【００１３】
上記ＩＴＯからなる検査端子は、上記ゲート線を覆うゲート絶縁膜およびゲート絶縁膜と上記データ線を覆う保護膜（パッシベーション膜と呼ばれる）の少なくとも２種類の絶縁膜を貫通する孔（開口：コンタクトホール）を形成し、その内部でゲート線に接しかつ上記保護膜上に引き出されるように形成した。
【００１４】
また、液晶層を封止する領域を形成するシール材の塗布部分と表示領域（画像表示に実際に寄与する領域）との間には、所定のスペースを設定しなければならない。
【００１５】
このような条件の下に、表示領域に対する周縁部分の面積を狭くするという狭額縁化の要請を考慮し、上記ＩＴＯの検査端子を液晶封止領域に設けた。これにより、上記ＩＴＯの検査端子は液晶層に近い位置に配置される。
【００１６】
しかし、このようなＩＴＯの検査端子を有する液晶表示装置を動作させたとき、表示領域の端部に位置する画素において予期せぬ光漏れ、黒表示の状態であるにも係わらず、上記端部に位置する画素において表示色のストライプ（輝線）が生じるという問題（第１の課題）があった。
【００１７】
また、上記第２の電極（対向電極）の電位を安定させる上で、各画素の対向電極に電圧を分配する対向電圧信号線の各々を基板端部に配置した共通配線（コモン・バスライン）に導通させることが要請される。この対向電圧信号線は、基板の液晶層に対向する主面に形成される以上、対向電極と同様に、その上にゲート絶縁膜、保護膜、又はオーバーコート膜を形成し、更に液晶層に接する位置に配向膜を形成しなければならない。したがって、対向電圧信号線を絶縁膜で覆う工程が必要となる。
【００１８】
しかし、殊にプラズマを用いたＣＶＤ（化学的気相成長法）で絶縁膜を形成する際、絶縁膜の成長に伴い、対向電圧信号線に発生した電荷が上記共通配線に流れ込んで蓄積されると、この共通配線と上記プラズマ又はこれを発生する電極との間に予期せぬ放電が生じる。
【００１９】
この放電に因ると考えられる電流が対向電圧信号線に戻り、その電力が対向電圧信号線の許容量を越えると、対向電圧信号線を構成する材料（クロム等）が溶け、これが隣接する別の配線と短絡したり、対向電圧信号線自体の断線を招くという問題（第２の課題）があった。
【００２０】
さらに、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の画素電極および対向電極は、上記ＩＴＯ以外の材料で形成することも可能である。この場合、上記保護膜をなす絶縁層および上記検査端子をなすＩＴＯ膜の成膜状態を評価する部分は、上記ゲート線から検査端子を取り出すコンタクトホールに限られる。
【００２１】
しかし、このコンタクトホールの形状は各ゲート線の断線評価をなるべく同じ条件で行うべく、同じ寸法に設計される。したがって、このコンタクトホールだけでは成膜評価において参照するデータを取れないという問題（第３の課題）に直面する。
【００２２】
本発明の目的は、上記の検査端子の構造、対向電圧信号線のレイアウト、又はＩＴＯ材料以外からなる画素電極および対向電極の少なくとも一つを採用した場合に生じる上記３つの問題（第１〜第３の課題）を解消した液晶表示装置を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の構成のうち、各課題を解決するための代表的なものそれぞれについて記述すれば次のとおりである。すなわち、
「第１の課題を解決する手段」
（１）：それぞれの主面を対向させて配置した第１の基板と第２の基板に挟まれた空間に液晶材料を封止した液晶封止領域を形成し、
前記第１の基板と第２の基板の少なくとも一方に当該基板よりも光透過率が低い材料で形成された遮光膜の開口により前記液晶封止領域内に規定された表示領域を持ち、
前記第１の基板と第２の基板の少なくとも一方の前記液晶封止領域における前記主面に、前記表示領域から外側に延在して形成された第１の導電層と、第１の導電層を覆って形成された絶縁層とを有し、
前記表示領域の外側において前記第１の導電層に接し、前記絶縁層上に延在した端子を有し、
前記絶縁層上で前記表示領域と前記端子との間に設けられ、前記第１の導電層とは電位が異なる第２の導電層とを有することを特徴とする。
【００２４】
（２）：（１）の構成における前記第２の導電層が前記第１の導電層を覆う前記絶縁層上に形成され、かつ当該第２の導電層の第１の導電層の延在方向に沿った長さが、前記端子の第１の導電層の延在方向に沿った長さより大であることを特徴とする。
【００２５】
（３）：（１）の構成における前記第１の導電層が、前記表示領域から外側に延在して並設形成された複数の導電層からなり、
前記複数の第１の導電層の間に前記絶縁層に形成された開口を通して前記第２の導電層と電気的に接続された第３の導電層を有することを特徴とする。
【００２６】
（４）：（３）の構成における前記第１の基板と第２の基板の少なくとも一方の前記表示領域における前記主面にスイッチング素子と画素電極を有する複数の画素が形成され、前記第１の導電層がこのスイッチング素子に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２７】
（５）：（４）の構成における前記スイッチング素子が半導体素子で構成され、前記第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の表示領域の前記主面に、前記第１の導電層の延在方向と交差する方向に形成されて前記スイッチング素子を構成する半導体素子のチャネルの一端に電圧信号を供給する第４の導電層を有し、
前記絶縁層が、前記第１の導電層の上面と前記第４の導電層の下面の間に形成された第１の絶縁層と第２の絶縁層とからなり、
前記チャネルの他端が前記画素に設けられた前記画素電極と電気的に接続され、前記第１の導電層が前記半導体素子のチャネルに当該第１の絶縁層を通して電界を印加する電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２８】
（６）：（５）の構成における前記第３の導電層が前記画素電極との間に前記液晶材料に印加する電界を生成する対向電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２９】
（７）：（６）の構成における前記端子とこの端子に対向する前記表示領域の端部とが、前記画素の前記第１の導電層の延在方向に沿った長さの４倍以上の間隔を以って離間配置されていることを特徴とする。
【００３０】
（８）：（６）の構成における前記第１の導電層は、前記第２の導電層と交差する位置と前記端子と接する位置との間に、前記表示領域からの第１の延在方向に対して所定の角度の曲がりを以って第２の方向に延在する部分を有することを特徴とする。
【００３１】
（９）：（８）の構成における前記第１の導電層の前記端子に対向する前記表示領域の端部から前記第２の延在方向に曲がる部分までの前記第１の延在方向に沿う長さが、前記画素の当該第１の延在方向に沿う長さの４倍以上の間隔を以て離間配置されていることを特徴とする。
【００３２】
上記の（１）〜（９）の各構成としたことにより、表示領域の端部に位置する画素での予期せぬ光漏れや、黒表示の状態であるにも係わらず、上記端部に位置する画素において表示色のストライプ（輝線）が生じる問題が解消される。
【００３３】
「第２の課題を解決する手段」
（１０）：それぞれの主面を対向させて配置した第１の基板と第２の基板に挟まれた空間に液晶材料を封止した液晶封止領域を形成し、
前記第１の基板と第２の基板の少なくとも一方に当該基板よりも光透過率が低い材料で形成された遮光膜の開口により前記液晶封止領域内に規定された表示領域を持ち、
前記第１の基板と第２の基板の少なくとも一方の前記液晶封止領域における前記主面に、前記表示領域から外側に延在して並設形成された複数の第１の導電層と、
前記表示領域の外側に、前記第１の導電層の延在方向と交差する方向に延び、かつ当該第１の導電層と離間して形成された第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層を覆って形成された絶縁層とを有し、
前記表示領域の外側において前記絶縁層に設けた開口を通して前記第１の導電層および第２の導電層に夫々電気的に接続し、かつ前記絶縁層上に形成された部分を持つ第３の導電層を有することを特徴とする。
【００３４】
（１１）：（１０）の構成における前記絶縁層は、第１の絶縁層とその上部に形成された第２の絶縁層とからなり、前記第２の導電層は前記第１の絶縁層の下部に形成された第１の部分と前記第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に形成された第２の部分とを有し、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層と第２の絶縁層に形成された開口を通して前記第１の部分と電気的に接続され、前記第２の絶縁層に形成された開口を通して前記第２の部分と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００３５】
（１２）：（１１）の構成における前記第２の導電層には、前記第１の絶縁層および第２の絶縁層に形成された開口を通して前記第１の部分に電気的に接続すると共に当該第２の絶縁層に形成された開口を通して前記第２の部分に電気的に接続して前記２つの開口の間で前記第２の絶縁層上に形成された導電性材料からなる端子が形成されていることを特徴とする。
【００３６】
（１３）：（１１）の構成における前記表示領域と前記第２の導電層との間の前記絶縁層上に前記第１の導電層の延在方向と交差する方向に延びる第４の導電層を有し、
前記導電層は、前記絶縁層に形成された開口を通して前記複数の第１の導電層と夫々電気的に接続されていることを特徴とする。
【００３７】
（１４）：（１３）の構成における前記絶縁層は、第１の絶縁層とその上部に形成された第２の絶縁層からなり、前記第１の導電層は、前記第３の導電層と電気的に接続する部分と前記第４の導電層と電気的に接続する部分との間で、前記第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に前記第４の導電層と電気的に接続する部分から前記表示領域側に延在する部分において前記第１の絶縁層の下部に分かれて形成され、
前記第１の導電層の分離した部分は前記第１の絶縁層および第２の絶縁層に形成された開口を通して夫々前記第４の導電層と接して電気的に接続されていることを特徴とする。
【００３８】
（１５）：（１３）の構成における前記第４の導電層と第１の導電層とが接する領域の当該第１の導電層の延在方向に沿った長さが、当該第４の導電層の前記第１の導電層の延在方向に沿った長さの半分以上であることを特徴とする。
【００３９】
（１６）：（１３）の構成における前記複数の第１の導電層の前記第２の導電層に対向する端部は、当該第１の導電層の延在方向と交差する方向に延びた導電層により電気的に接続されていることを特徴とする。
【００４０】
（１７）：（１５）の構成における前記複数の第１の導電層の端部に接続される導電層の当該第１の導電層の延在方向に沿った長さが、前記第２の導電層の当該第１の導電層の延在方向に沿った長さより小であることを特徴とする。
【００４１】
（１８）：（１７）の構成における前記第２の導電層と第３の導電層とが接する前記絶縁層の開口は当該第２の導電層の延在方向に沿って延び、前記第１の導電層と第３の導電層とが接する領域の当該第１の導電の延在方向に層長さは当該第２の導電層と第３の導電層とが接する領域の当該第１の導電層の延在方向に沿った長さより大であることを特徴とする。
【００４２】
（１９）：（１３）の構成における前記第３の導電層および第４の導電層は、ＩＴＯやＳｎＯ₂などの酸化物材料で形成されていることを特徴とする。
【００４３】
上記（１０）〜（１９）の構成としたことにより、プラズマを用いたＣＶＤ（化学的気相成長法）で絶縁膜を形成する際の絶縁膜の成長に伴う対向電圧信号線に発生した電荷が上記共通配線に流れ込んで共通配線と上記プラズマ又はこれを発生する電極との間に予期せぬ放電が生じたり、この放電に因る電流が対向電圧信号線に戻り、その構成材料が溶けて隣接する別の配線と短絡したり、対向電圧信号線自体の断線を招くという問題が解消される。
【００４４】
「第３の課題を解決する手段」
（２０）：それぞれの主面を対向させて配置した第１の基板と第２の基板に挟まれた空間に液晶材料を封止した液晶封止領域を形成し、
前記第１の基板と第２の基板の少なくとも一方に当該基板よりも光透過率が低い材料で形成された遮光膜の開口により前記液晶封止領域内に規定された表示領域を持ち、
前記表示領域には、第１の方向に延在する並設形成された複数の第１の導電層と、第１の方向に交差する第２の方向に延在する並設形成された複数の第２の導電層と、前記第１の導電層と第２の導電層で囲まれた領域に形成される画素とが配置され、
前記第１の導電層の上部と第２の導電層の下部との間に形成された第１の絶縁層と、前記第２の導電層の上部に形成された第２の絶縁層とを有し、
前記第１の導電層および第２の導電層の少なくとも一方は、前記表示領域の外側に延びると共に当該表示領域の外側において前記第１の絶縁層および第２の絶縁層に形成された開口を通して前記第３の導電層に接すると共に当該第３の導電層は前記第２の絶縁層上に形成された部分を有し、
前記表示領域の外側には前記第１の絶縁層の下部に形成された第４の導電層と当該第１の絶縁層および第２の絶縁層の間に形成された第５の導電層を有し、
前記第１の絶縁層および第２の絶縁層には前記第４の導電層の上面に至る第１の開口が形成され、前記第２の絶縁層には前記第１の開口とは互いに離間して前記第５の導電層の上面に至る第２の開口が形成され、かつ前記第１の開口および第２の開口の内部から夫々の開口を囲んで前記第２の絶縁層の上部に広がって形成された第６の導電層を有し、
前記第３の導電層および第６の導電層は、前記第４の導電層および第５の導電層よりも光透過率の高い導電性材料で形成されていることを特徴とする。
【００４５】
（２１）：（２０）の構成における前記第１の開口に形成される前記第６の導電層と前記第２の開口に形成される前記第６の導電層が前記第２の絶縁層上で互いに離間して配置されていることを特徴とする。
【００４６】
（２２）：（２０）の構成における前記第４の導電層および第５の導電層の何れも前記第１〜第３も導電層とは電気的に絶縁されていることを特徴とする。
【００４７】
（２３）：（２０）の構成における前記第３の導電層および第６の導電層は、ＩＴＯやＳｎＯ₂などの酸化物材料で形成されていることを特徴とする。
【００４８】
上記（２０）〜（２３）の構成としたことにより、各ゲート線の断線評価が可能となる。
【００４９】
また、上記した第１〜第３の課題を解決する手段の構成間の組合せとして、下記の構成を挙げることができる。すなわち、
（２４）：第１の解決手段における第２の導電層を、第２の解決手段における第４の導電層と兼用したことを特徴とする。
【００５０】
（２５）：第１の解決手段における端子を第２の解決手段における第２の導電層より表示領域側に設け、第２の解決手段における複数の第１の導電層の端部に接続し、かつ第２の導電層に沿って延在する導電層より表示領域側に設けたことを特徴とする。
【００５１】
（２６）：第１の解決手段における表示領域を第４の導電層のうちの表示領域の端部に最も近く配置されたものの表示領域側の辺で規定し、あるいは遮光材料に形成された開口の表示領域の端部に最も近い縁で規定したことを特徴とする。
【００５２】
（２７）：第３の解決手段における第１および第２の開口を、第１の解決手段における第２の導電層または第２の解決手段における第４の導電層の端部に対向する位置に設けたことを特徴とする。
【００５３】
なお、本発明は上記の各構成および後述する実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【００５４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、ＩＰＳ方式のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置を例とした実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【００５５】
《表示領域（画素を中心として見た）平面構成》
図１は本発明を適用したアクティブ・マトリクス型のカラー液晶表示装置の１画素とその周辺を説明する要部平面図である。なお、図中、ブラックマトリクスＢＭは開口縁で示し、１画素はこの開口部分に形成されている。
【００５６】
同図において、各画素は、ゲート信号線（走査信号線または水平信号線）ＧＬと、対向電圧信号線（対向電極配線）ＣＬと、隣接する２本のデータ信号線（映像信号線、ドレイン線または垂直信号線）ＤＬとの交差領域内、すなわちこれら４本の信号線で囲まれた領域内に配置されている。
【００５７】
各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇ、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを含んでいる。ゲート信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは、図１では左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されている。
【００５８】
画素電極ＰＸは、その印加電圧をスイッチングするスイッチング素子としての薄膜トランジスタＴＦＴと接続され、対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体になっている。
【００５９】
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界により液晶ＬＣ（図２参照）の光学的な状態を制御し、表示を制御する。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛歯状に構成され、それぞれ図１の上下方向に長い電極となっている。
【００６０】
図１から明らかなように、一対のゲート信号線ＧＬとデータ信号線ＤＬに囲まれた画素領域は、ゲート信号線ＧＬに沿った辺に対し、データ信号線ＤＬに沿った辺の方が長い。
【００６１】
《表示領域の断面構成》
図２は図１のII−II切断線に沿った画素付近の断面図、図３は図１のIII −III 切断線に沿った画素付近の断面図である。液晶層ＬＣを基準にして下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃstg およびその他の電極群が形成され、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、ガラス基板等の材料に比べて光透過率の低い材料からなる遮光膜であるブラックマトリクスＢＭのパターンが形成されている。
【００６２】
また、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞれの内側（液晶ＬＣ側、すなわち主面）には、液晶の初期配向を制御する配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２が設けられている。透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞれの外側の表面には、偏光軸が直交して配置（クロスニコル配置）された偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２がそれぞれ設けられている。
【００６３】
薄膜トランジスタＴＦＴや蓄積容量Ｃｓｔｇの詳細については、例えば前記した米国特許第５，５９８，２８５号明細書において、断面を以って説明されている。
【００６４】
図１及び図２で示される実施例の構成において、ゲート信号線ＧＬは導電膜ｇ１で構成されている。このゲート信号線ＧＬの導電膜ｇ１はゲート電極ＧＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。このゲート信号線ＧＬにより、外部回路からゲート電圧Ｖｇをゲート電極ＧＴに供給する。
【００６５】
図２では、ゲート信号線ＧＬをアルミニウム（Ａｌ）で形成し、その上にアルミニウムの陽極酸化膜ＡＯＦを設けている。
【００６６】
なお、ゲート信号線ＧＬは上記アルミニウム（Ａｌ）に限らずクロム（Ｃｒ）やこれとクロム・モリブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）との積層、その他、金属又は合金材料の単層又は多層に代えてもよく、また上記陽極酸化膜ＡＯＦはゲート信号線ＧＬの材料の選択によっては形成しなくてもよい。ゲート信号線ＧＬは、前記の薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴと共に形成される。
【００６７】
対向電極（コモン電極又は共通電極）ＣＴはゲート電極ＧＴおよびゲート信号線ＧＬと同層の導電膜ｇ１で構成されている。
【００６８】
また、対向電極ＣＴ上にもアルミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜ＡＯＦが設けられている。但し、上記のゲート信号線の場合と同様、その材料を適宜変更することができ、また陽極酸化膜を形成しなくてもよい。本実施例の場合、対向電極ＣＴは陽極酸化膜ＡＯＦで覆われていることから、データ信号線ＤＬと接近させても、それらが短絡する確率を低減できる。また、それらを交差させて構成させることもできる。
【００６９】
対向電圧信号線ＣＬも導電膜ｇ１で構成されている。本実施形態においては、この対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１をゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬおよび対向電極ＣＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成し、かつ対向電極ＣＴと一体としている。
【００７０】
この対向電圧信号線ＣＬにより、外部回路から供給される電圧で対向電極の電位をほぼ安定に保つ。本実施例では、対向電圧信号線ＣＬ上にもアルミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜ＡＯＦが設けられているが、その必然性及び長所は上記ゲート信号線や対向電極で述べたとおりである。
【００７１】
絶縁膜ＧＩは、薄膜トランジスタＴＦＴにおいてゲート電極ＧＴから後述の半導体層ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜として使用される。そして、表示領域を作製するプロセス上、絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴのみならずゲート信号線ＧＬの上層にも形成されている。
【００７２】
絶縁膜ＧＩとしては、例えばプラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜（ＳｉＮ）が選ばれ、１２００〜２７００Åの厚さに（本実施例では、２４００Å程度）形成される。ゲート絶縁膜ＧＩは表示領域ＡＲの全域に形成され、周辺部は後述の外部接続端子Ｔｄ，Ｔｇを露出するよう除去されている。また、絶縁膜ＧＩはデータ信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬとデータ信号線ＤＬの電気的絶縁にも寄与している。
【００７３】
非晶質シリコンからなるｉ型半導体層ＡＳは、２００〜２２００Åの厚さに（本実施例では、２０００Å程度の膜厚）で形成される。薄膜トランジスタＴＦＴでは、ｉ型半導体層ＡＳは電界効果トランジスタのチャネルを構成する。
【００７４】
ｉ型半導体層ＡＳの上にはリン（Ｐ）をドープしたＮ（＋）型非晶質シリコン半導体層ｄ０が形成され、後述の金属又は合金材料からなるデータ信号線ＤＬの分岐部分とのオーミックコンタクトを図り、ｉ型半導体層ＡＳにキャリア（電子又は正孔）を注入しやすくしてある。Ｎ（＋）型非晶質シリコン半導体層ｄ０は、上記ゲート電極ＧＴからの電界が印加されるｉ型半導体層ＡＳのチャネルの領域上でソース側、ドレイン側の２つに分離されている。
【００７５】
ゲート絶縁膜ＧＩの上部には、データ信号線ＤＬとこれから薄膜トランジスタＴＦＴに分岐するドレイン電極、上記のチャネル上でドレイン電極と対向するソース電極及びこれに接続する画素電極が形成される。
【００７６】
ソース電極及びドレイン電極の定義は、薄膜トランジスタＴＦＴの動作条件に依存するため、データ信号線ＤＬから薄膜トランジスタＴＦＴに分岐するドレイン電極がソース電極として機能し、これに対向するソース電極がドレイン電極として機能する場合もあるが、ここでは便宜的に上記のような名称を付けて説明する。
【００７７】
図１〜図３に示した実施例では、データ信号線ＤＬ、ドレイン電極、ソース電極及び画素電極ＰＸを同じプロセスで形成することもできる。データ信号線ＤＬはゲート絶縁膜ＧＩ上又はこの上に形成されたｉ型半導体層ＡＳ上に形成される。これに対し、ドレイン電極及びソース電極は、このｉ型半導体層ＡＳ上に形成されたＮ（＋）型半導体層ｄ０の上に形成されることが異なる。データ信号線ＤＬは、スパッタで形成した５００〜１０００Åの厚さのクロム（Ｃｒ）膜でなる導電膜ｄ１とアルミニウム（Ａｌ）膜でなる導電膜ｄ２との積層で構成する。
【００７８】
導電膜ｄ１として、Ｃｒ膜の他に高融点金属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂）膜を用いることもできる。
【００７９】
導電膜ｄ２はＡｌのスパッタリングで３０００〜５０００Åの厚さに（本実施例では、４０００Å程度）形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレスが小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬの抵抗値を低減したり、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層ＡＳに起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカバーレッジを良くする）働きがある。また、データ信号線ＤＬ、ドレイン電極、ソース電極及び画素電極ＰＸの何れも、ゲート信号線ＧＬのようにＣｒ膜ｄ１のみという、単層の金属膜でも形成できる。後述する図５はデータ信号線ＤＬ及びこれから分岐した薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤを単層の金属膜で形成した例を示す。
【００８０】
画素電極ＰＸは対向電圧信号線ＣＬ上に形成された絶縁膜ＧＩ上に形成されている。この画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬとの重ね合わせは、蓄積容量（静電容量素子）Ｃｓｔｇを構成する。
【００８１】
図５に示されたように、データ信号線ＤＬ（ｄｌ）、ドレイン電極、ソース電極及び画素電極ＰＸの上部には、保護膜（パッシベーション膜）ＰＳＶ１を形成する。保護膜ＰＳＶ１は、窒化シリコン等の絶縁性材料からなる。その上面には、ポリイミド等の有機材料からなる配向膜ＯＲＩ１を形成してある。
【００８２】
《表示領域周辺の構成》
図４は上下の透明ガラス基板（上部透明ガラス基板と下部透明ガラス基板、以下単に下基板、上基板とも言う）ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬの表示領域又はマトリクスと呼ばれる領域（ＡＲ）周辺の平面を示す図である。また、図５は、左側にゲート信号線の検査端子ＧＰと複数の対向電圧信号線ＣＴに電気的に接続されてその電位を安定化する対向電圧バス線ＣＢ２が配置されるパネル端部のシール部付近を示す断面図である。なお、図５では、薄膜トランジスタＴＦＴおよび各種電極、端子を形成した下基板ＳＵＢ１側をＴＦＴＳＵＢ、カラーフィルタＦＩＬやブラックマトリクスＢＭを形成した上基板ＳＵＢ２側をＯＰＳＵＢとして示してある。
【００８３】
このパネルの製造では、小さいサイズであればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個分のデバイス（パネル部品）を同時に加工してから分割し、大きいサイズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化された大きさのガラス基板を加工してから各品種に合ったサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経てからガラスを切断する。
【００８４】
図４及び図５は後者の例を示すもので、両図とも上下基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の切断後を表している。上記いずれの場合も、完成状態ではゲート信号線ＧＬ及びデータ信号線ＤＬと外部回路との接続端子群Ｔｇ，Ｔｄ並びに対向電圧信号線ＣＴに電位を与える端子（対向電極端子）ＴＣ１，ＴＣ２が存在する部分（図で上辺と左辺の）は，それらを露出するように上基板ＳＵＢ２の大きさが下基板ＳＵＢ１よりも内側になるように制限されている。
【００８５】
端子群Ｔｇ，Ｔｄは、それぞれゲート信号供給回路接続用端子、データ信号供給回路接続用端子と各々に対応する引出配線部を集積回路チップが搭載されたテープキャリアパッケージ毎に複数本まとめて記したものである。この集積回路チップの実装方法に関しては、例えば上記米国特許第５、５９８、２８５号明細書に詳述されている。
【００８６】
各群のマトリクス部から外部接続端子部に至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜している。これは、テープキャリアパッケージの配線ピッチ及び接続端子ピッチと表示パネルＰＮＬのデータ信号線ＤＬ、ゲート信号線ＧＬのピッチの差を調整するためである。
【００８７】
また、対向電極端子ＴＣ１，ＴＣ２は、対向電極ＣＴに対向電圧を外部回路から与えるための端子である。対向電圧信号線ＣＬは、表示領域ＡＲに関してゲート信号供給回路用端子Ｔｇ側とその反対側（図では左右側）に引き出し、各対向電圧信号線を共通バスラインＣＢ（ＣＢ１，ＣＢ２）でそれぞれ一纏めにして対向電極端子ＣＴＭに接続している。
【００８８】
透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間には夫々の縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、エポキシ樹脂等からなるシール材ＳＬの枠が形成され、この枠内の空間に液晶材料の層（液晶層）ＬＣが封止される（図５の右側参照）。即ち、この空間が液晶封止領域となる。配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２の層は、液晶封止領域の内側に形成される。下部配向膜ＯＲＩ１は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の液晶層に対向する主面の上部に形成された保護膜ＰＳＶ１の上面に形成される。偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面（液晶封止領域に対向しない面）に構成されている。
【００８９】
この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種々の層を積み重ね、シール材ＳＬの枠状のパターンを上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側に形成する。下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口部ＩＮＪから液晶材料を注入した後、注入口ＩＮＪをエポキシ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって組み立てられる。このシール材ＳＬの枠内は、液晶材料が封止されて液晶封止領域となる。
【００９０】
《実施例の詳細》
図６は下部ガラス基板ＳＵＢ１上に形成されたアクティブ・マトリックス型液晶表示装置の回路構成の概要を示す模式図である。下部ガラス基板ＳＵＢ１の長辺方向に延びた２本のゲート信号線ＧＬと基板の短辺方向に延びた２本のデータ信号線ＤＬで囲まれた空間毎に薄膜トランジスタＴＦＴを有する複数の画素が配置されている。各画素毎に示される容量の記号は液晶層を挟んで対向する画素電極と対向電極を示す。
【００９１】
図示した複数の画素のうち、ハッチングされた領域にある画素群は表示領域ＡＲ内に配置されたもので、その周囲にある画素群は表示領域ＡＲの外側に配置された画像表示に寄与しないダミーの画素である。
【００９２】
この表示領域に配置されたゲート信号線ＧＬ、これに沿って延びる対向電圧信号線ＣＬ、及びデータ信号線ＤＬは表示領域の外側に延在している。
【００９３】
各々のゲート信号線ＧＬの表示領域の一端から外側へ出た配線部分には、パネルＰＮＬ外部に設けられたゲート信号供給回路との接続端子ＴＧが設けられ、他端から外側に出た部分にはその結線状態を検査するための検査端子ＧＰが設けられている。
【００９４】
各々のデータ信号線ＤＬの表示領域の一端から外側へ出た配線部分には、パネルＰＮＬの外部に設けられたデータ信号供給回路との接続端子ＴＤが設けられ、他端から外側に出た部分にはその結線状態を検査するための検査端子ＤＰが設けられている。
【００９５】
複数の対向電圧信号線ＣＬは、表示領域ＡＲの一端から外側へ出た配線部分で対向電圧バス配線（コモン・バスライン）ＣＢ１に接続され、他端から外側へ出た部分で対向電圧バス配線ＣＢ２に接続されている。
【００９６】
対向電圧バス配線ＣＢ１は表示領域の一端側に形成された対向電極端子ＴＣ１で、対向電圧バス配線ＣＢ２は表示領域ＡＲの他端側に形成された対向電極端子ＴＣ２で夫々パネルＰＮＬ外部に設けられた電源回路に接続され、パネルＰＮＬ上に形成された各画素の対向電極ＣＴ（図１参照）の電位を安定に保つ。
【００９７】
図７は表示領域ＡＲの外側に延びたゲート信号線ＧＬの検査端子ＧＰの構造の平面図であり、図８は図７の要部の断面図で、図８（ａ）は図７のVIIIa −VIIIa 線に沿った断面図、図８（ｂ）および同（ｃ）は図７のVIIIb −VIIIb 線に沿った断面図である。
【００９８】
図８（ａ）に示したように、検査端子ＧＰは、ゲート信号線ＧＬ上部に形成された絶縁膜ＧＩに形成された開口でゲート信号線ｇｌに接する部分からゲート絶縁膜ＧＩ上に形成された部分へ延びた形状を有する。このため、検査端子ＧＰは液晶層の近くに配置され、その残留電荷等の液晶層への影響が無視できない（表示領域への光漏れの発生）。
【００９９】
この対策として、本実施例では、絶縁膜ＧＩ上の表示領域ＡＲと検査端子ＧＰとの間に新たに導電層ＳＨを設けた（図８（ａ））。以下、これを便宜的にシールド電極と呼ぶ。そして、ゲート信号線ＧＩの電位に対し、シールド電極ＳＨの電位が変わり得るよう、このシールド電極ＳＨに外部回路を接続した結果、上記第１の課題（表示領域への予期せぬ光漏れ）はほぼ解消された。上記光漏れの原因が上記残留電荷と考えると、シールド電極ＳＨにゲート信号線以外の電圧源を結線することで、残留電荷により形成される電気力線が表示領域に到達せず、シールド電極でほぼ終端させられたものと考えられる。
【０１００】
シールド電極ＳＨをゲート信号線ＧＬを覆う絶縁膜ＧＩ上に延ばすと、検査端子ＧＰからゲート信号線ＧＬ沿いに表示領域ＡＲに向かう予期せぬ発光（出射光）の延びが抑えられる。
【０１０１】
シールド電極ＳＨのゲート信号線ＧＬの延伸方向に沿った寸法を、検査端子ＧＰのそれより長くするほど、光漏れが抑止される。
【０１０２】
下部ガラス基板ＳＵＢ１の主面上に複数のゲート信号線ＧＬと、対向電圧信号線ＣＬ又は上記ゲート信号線と別の回路系統に接続された導電層とを交互に配置する場合、図８（ｂ）のように夫々の対向電圧信号線の上面に至る開口を絶縁膜ＧＩに形成し、シールド電極ＳＨと対向電圧信号線を接するとよい。これにより、シールド電極ＳＨ自体のチャージアップが抑えられる。また、シールド電極ＳＨを、対向電圧信号線ＣＬのようにゲート信号線ＧＬに比べて電位変動の少ない配線に接続すると光漏れが確実に防止できる。
【０１０３】
このシールド電極は、図８（ａ）に示したような検査端子ＧＰをゲート信号線ＧＬ又はデータ信号線ＤＬに設けた液晶表示装置に適用して有効である。
【０１０４】
ゲート信号線ＧＬに沿った画素の辺はデータ信号線ＤＬに沿ったそれより短いため、表示領域の周囲にダミー画素を配してもゲート信号線の検査端子については光漏れを解消しきれない。この場合、シールド電極ＳＨの効果は、ゲート信号線ＧＬの検査端子ＧＰにおいて効果が際立つ。
【０１０５】
また、ゲート信号線ＧＬ沿いに対向電圧信号線ＣＬを配するＩＰＳ型の液晶表示装置では、図８（ｂ）に示したような構成が採用できるため、その効果が大きい。
【０１０６】
本発明の実施に際し、ゲート信号線ＧＬの検査端子ＧＰとこれに対向する上記表示領域ＡＲの端部との距離（図５のＬ２）は、画素のゲート信号線ＧＬの延在方向に沿った長さ（図５のＬ１）の４倍以上、すなわち１画素を構成する３色の単位画素分離した距離以上に設定するとよい。
【０１０７】
なお、上記した表示領域ＡＲの端部の定義は、表示領域ＡＲの端部の画素の基板端部側に位置したデータ信号線ＤＬの画素領域側の辺を基準としても、また遮光膜（ブラックマトリクス）ＢＭの開口の基板端部に最も近い縁を基準としてもよい（基準設定の差は、誤差範囲であるため）。
【０１０８】
ゲート信号線ＧＬやデータ信号線ＤＬの表示領域ＡＲの外側におけるピッチは、検査端子ＧＰのピッチに合せてある。これらの表示領域ＡＲ内のピッチと検査端子ＧＰのピッチが異なるとき、ゲート信号線ＧＬ又はデータ信号線ＤＬには表示領域ＡＲでの延在方向に対し表示領域ＡＲ外で所定の角度で曲がる部分（図７にＧＬ’で示す）ができる。この場合、検査端子ＧＰでの光漏れは、この曲がり部分ＧＬ’においても顕著となる。このような問題もシールド電極ＳＨを設けたことにより解消される。
【０１０９】
上記曲がり部分ＧＬ’からの光漏れを抑止するには、上記の表示領域ＡＲの端部から曲がり部分ＧＬ’までの距離を、上記したように画素のゲート信号線ＧＬの延在方向に沿った長さの４倍以上とするとよい。
【０１１０】
検査端子ＧＰ及びシールド電極ＳＨは、導電性を有する酸化物材料（ＩＴＯ、酸化錫等）で形成するとよい。液晶層の近くに配置する場合、金属層に比べて液晶層汚染の心配ない。
【０１１１】
表示領域ＡＲの外側に延びた複数の対向電圧信号線ＣＬは表示領域の外側において対向電圧信号線ＣＬの延伸方向と交差する方向に延び、且つこれと離間して形成された対向電圧バス配線ＣＢ２、これらの導電層の上部に形成された絶縁膜ＧＩ及び保護膜ＰＳＶ１と表示領域ＡＲの外側で絶縁膜ＧＩ及び保護膜ＰＳＶ１に設けられた開口ＣＬＣ，ＣＢＣ２（ＣＢＣ２ａ，ＣＢＣ２ｂ）を通して対向電圧信号線ＣＬと対向電圧バス配線ＣＢ２に夫々接し、且つ保護膜ＰＳＶ１上に形成された部分を有する導電層ＣＣ２とを有する。
【０１１２】
ゲート絶縁膜ＧＩや保護膜ＰＳＶ１の形成時に、複数の対向電圧信号線ＣＬと対向電圧バス配線ＣＢ２とを離しておく。対向電圧信号線ＣＬと対向電圧バス配線ＣＢ２は、絶縁膜ＧＩ及び保護膜ＰＳＶ１を形成した後、これらの絶縁物層に夫々の導電層に至る開口を形成し、一方の開口で対向電圧信号線ＣＬに接した導電層ＣＣ２を保護膜ＰＳＶ１上を経て他方の開口に延ばし、対向電圧バス配線ＣＢ２に接触させる。
【０１１３】
このような構成としたことにより、ゲート絶縁膜ＧＩや保護膜ＰＳＶ１形成において対向電圧信号線ＣＬの各々に発生した電荷（静電気）は対向電圧バス配線ＣＢ２に入らない。
【０１１４】
対向電圧バス配線ＣＢ２には余剰の電荷が蓄積されないため、特にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）によりゲート絶縁膜ＧＩ又は保護膜ＰＳＶ１を形成する場合、プラズマやこれを発生する電極と対向電圧信号線ＣＬ、対向電圧バス配線ＣＢ２等の基板上部に配置された導電層との間にこれら導電層を断線させるような放電は生じなくなる。
【０１１５】
図８（ｂ）に示した実施形態では、対向電圧バス配線ＣＢ２をゲート絶縁膜ＧＩの下部に形成された第１の部分ＣＢ２ａと絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＳＶ１との間に形成された第２の部分ＣＢ２ｂの２層を積層した構造とし、第１の部分ＣＢ２ａの上面に至る開口を保護膜ＰＳＶ１と絶縁膜ＧＩとに、第２の部分ＣＢ２ｂの上面に至る開口を保護膜ＰＳＶ１に夫々形成し、各々の開口において第１の部分ＣＢ２ａ及び第２の部分ＣＢ２ｂに接するように導電層ＣＣ２を形成する。
【０１１６】
対向電圧信号線ＣＬと対向電圧バス配線ＣＢ２とを導電層ＣＣ２で接続するため、接続部での抵抗上昇が対向電極端子ＴＣ２（図４参照）から供給される電位を変動させる可能性がある。この局部的な抵抗上昇を予め相殺するため、対向電圧バス配線ＣＢ２を２層構造とし、ここでの抵抗を低減した。
【０１１７】
対向電極端子ＴＣ２の抵抗低減も、導電層ＣＣ２の接続部で抵抗上昇が生じた場合、これを相殺するに効果的なものとして推奨される。
【０１１８】
図９は対向電圧バス配線ＣＢ２を構成する第１の部分ＣＢ２ａと第２の部分ＣＢ２ｂの間を電気的に接続する構造例を説明する要部断面図である。
【０１１９】
図９に示したように、対向電極端子ＴＣ２は、対向電圧バス配線の第１部分ＣＢ２ａに絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＳＶ１とに形成された開口で接し、第２部分ＣＢ２ｂに保護膜ＰＳＶ１に形成された開口で接する導電層ＴＥＲを、これらの開口間で保護膜ＰＳＶ１上に延ばして形成する。
【０１２０】
表示領域ＡＲと対向電圧バス配線ＣＢ２との間の保護膜ＰＳＶ１上に対向電圧信号線の延伸方向と交差する方向に延びた導電層ＳＨを配置し、これを保護膜ＰＳＶ１に形成された開口（ＳＨＣに相当）において複数の対向電圧信号線ＣＬと夫々接する。
【０１２１】
これにより、各対向電圧信号線ＣＬ間の電位のばらつきを補正することができる。上記したように対向電圧信号線ＣＬの電位を安定に保つため、対向電圧バス配線ＣＢ２の面積を２層構造の採用等で大きくしていたが、導電層ＳＨは対向電圧バス配線ＣＢ２の働きを助けるため、対向電圧バス配線を小さくすることができる。この導電層ＳＨの採用は、液晶パネルＰＮＬの表示領域ＡＲの周囲を狭くする所謂「狭額縁化」に好適である。
【０１２２】
図から明らかなように、この導電層は上述の第１の問題を解決するために用
いたシールド電極ＳＨと類似する。換言すれば、この導電層は上述のシールド電極の機能も兼ねるものである。
【０１２３】
導電層ＳＨを採用する一例として、図８（ｃ）には対向電圧信号線ＣＬを導電層ＣＣ２と接する部分と導電層ＳＨと接する部分との間で絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＳＶ１との間に、導電層ＳＨと接する部分から表示領域ＡＲに延びる部分で絶縁膜ＧＩの下部に別けて形成し、この分断された対向電圧信号線は保護膜ＰＳＶ１又はこれと絶縁膜ＧＩに形成された開口において夫々導電層ＳＨと接して電気的に接続されている。導電層ＳＨは、これらの開口間に保護膜ＰＳＶ上に形成された部分を有する。
【０１２４】
この構造は、前記第２の課題をより確実に解決するものであり、プラズマＣＶＤのプロセス条件が予想以上に基板上の導電層にダメージを与えることを考慮したものである。プラズマから対向電圧信号線に多量の電荷が入ると、対向電圧信号線の端部とこれと離間した対向電圧バス配線ＣＢ２との間に放電が生じる。この放電による電流で、対向電圧信号線が溶けて断線する。
【０１２５】
この問題に対し、絶縁膜ＧＩの形成時にて表示領域から延びる対向電圧信号線ＣＬの端部を対向電圧バス配線ＣＢ２から離し、保護膜ＰＳＶ１の形成時には対向電圧信号線ＣＬの端部を対向電圧バス配線ＣＢ２に近づけながらも、その表示領域へ延伸する部分を除く（先に絶縁膜ＧＩ下部に形成してしまう）ことで、この対向電圧信号線ＣＬへの電荷の注入量を低減することができる。
【０１２６】
図８（ｃ）の実施例では、対向電圧信号線ＣＬの表示領域ＡＲ側をゲート絶縁膜ＧＩの下部に、対向電圧バス配線ＣＢ２側を絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＳＶ１との間に配したが、表示領域ＡＲ側における対向電圧信号線ＣＬの配置によっては、表示領域ＡＲ側と対向電圧バス配線ＣＢ２側における配置関係を逆転させてもよい。
【０１２７】
導電層ＳＨを採用する場合、これと対向電圧信号線ＣＬとが接する領域ＳＨＣの対向電圧信号線ＣＬの延伸方向に沿う長さは、導電層ＳＨ自体の対向電圧信号線ＣＬの延伸方向に沿う長さの半分以上とするとよい。これにより、対向電圧間の導電層ＳＨの抵抗の低減が有利となる。
【０１２８】
複数の対向電圧信号線ＣＬの対向電圧バス配線ＣＢ２に対向する端部は、図７に点線で示すように対向電圧信号線ＣＬの延伸方向と交差する方向に延びた第２の対向電圧バス配線ＣＢ２’により電気的に接続してもよい。第２の対向電圧バス配線ＣＢ２’は、ＩＰＳ型液晶表示装置でコモン・バスラインとして用いられたものである。本実施例の対向電圧バス配線ＣＢ２の採用により、上記の配線ＣＢ２’は不要となるが、対向電圧信号線ＣＬと対向電極端子ＴＣ２との間の抵抗低減のために利用してもよい。
【０１２９】
本実施例の対向電圧バス配線ＣＢ２と併用するため、第２の対向電圧バス配線ＣＢ２’の幅は対向電圧バス配線ＣＢ２に比べて狭くできる。このため、ゲート絶縁膜ＧＩや保護膜ＰＳＶ１の成膜時に第２の対向電圧バス配線ＣＢ２’が対向電圧信号線ＣＬとつながっていても、放電の確率は低く、対向電圧信号線ＣＬの破損は無視できる（図７参照）。
【０１３０】
対向電圧バス配線ＣＢ２と導電層ＣＣ２とが接する絶縁物層の開口ＣＢＣ２は、対向電圧バス配線ＣＢ２の延伸方向に沿って延び、対向電圧信号線ＣＬと導電層ＣＣ２とが接する領域（開口）ＣＬＣの対向電圧信号線ＣＬの延在方向に沿う長さは、対向電圧バス配線ＣＢ２と導電層ＣＣ２とが接する領域の対向電圧信号線ＣＬの延伸方向に沿う長さ（所謂長手方向に対する幅）より大きい値を有する（図７参照）。
【０１３１】
対向電圧信号線ＣＬ、対向電圧バス配線ＣＢ２とも、できるだけ絶縁物層で覆うことが、これらの構成材料による液晶層の汚染を防ぐ上で好ましい。対向電圧バス配線ＣＢ２と導電層ＣＣ２とが接する領域に比べて、対向電圧信号線ＣＬと導電層ＣＣ２とが接する領域（開口）ＣＬＣの形成スペースは限られるため、領域ＣＢＣ２に比べて領域ＣＬＣを対向電圧信号線ＣＬの延在方向に沿って長くするとよい。
【０１３２】
導電層ＣＣ２及び導電層ＳＨは、導電性を有する酸化物材料（ＩＴＯ、酸化錫等）で形成する。この利点は、前記したように、液晶層の汚染がないことである。
【０１３３】
図１０は本発明の第２実施例を説明する要部平面図であり、対向電圧バス配線ＣＢ１に前記実施例と同様の構成を適用したものである。また、図１１は〜図１３図１０の要部断面図であり、図１１は図１０のXI-XI 線に沿った断面図、図１２は図１０のXII-XII 線に沿った断面図、図１３は図１０のXIII-XIII 線に沿った断面図を示す。なお、図１０では、図７に対して、ＣＢ１はＣＢ２に、ＣＢＣ１はＣＢＣ２に、ＳＨ１はＳＨに、ＳＨＣ１はＳＨＣに夫々対応する。ゲート信号線ＧＬは図面左側の外に位置するゲート信号供給端子Ｔｇ（図４参照）に延びる。
【０１３４】
前記したような放電による導電層の破壊（静電破壊）はゲート信号線ＧＬでも起こる。ゲート信号供給端子Ｔｇでは、ゲート信号線ＧＬの配線層面積が広がる部分も生じ得るため、その対策を講じることが望ましい。
【０１３５】
上記の対策として、図６に示したような保護ダイオードＤＧ１を設ける。その平面構造を図１０に、断面構造を図１３に夫々示す。保護ダイオードＤＧ１の一端はゲート信号線ＧＬに配線層ＧＬＢを経由して、他端はダイオードバス配線ＢＤＧに配線層ＤＩｇを経由して接続される。
【０１３６】
ダイオードバス配線ＢＤＧは図６に示すように各ゲート信号線ＧＬに配置されたダイオードの他端に接続され、特定のゲート信号線に生じた異常電流をこれらのゲート信号線ＧＬ分配し、特定のゲート信号線の破損を防ぐ。
【０１３７】
ダイオードの断面は、絶縁膜ＧＩ及び保護膜ＰＳＶ１に形成されたスルーホールＴＨａ，ＴＨｄ及び保護膜ＰＳＶ１に形成されたスルーホールＴＨｂ，ＴＨｃを通した配線構造を有し、上記のｉ半導体層ＡＳとともに形成されたチャネルを有する。配線層ＧＬＢ，ＤＩｇはゲート信号線ＧＬ等と共に、配線層ＤＩｄはデータ信号線ＤＬ等と共に、同じプロセスで形成される。
【０１３８】
図１４は本発明の第３実施例を説明する図７のXIV −XIV に沿った断面図である。図６及び図７に示したように、第１の方向に延伸する複数のゲート信号線ＧＬや対向電圧信号線ＣＬと、この第１の方向に交差する第２の方向に延伸する複数のデータ信号線ＤＬと、２本のゲート信号線ＧＬ又は対向電圧信号線ＣＬ及び２本のデータ信号線ＤＬで囲まれた領域に応じて形成される画素とが配置され、ゲート信号線ＧＬや対向電圧信号線ＣＬの上部とデータ信号線ＤＬの下部との間にゲート絶縁膜ＧＩが、またデータ信号線ＤＬの上部に保護膜ＰＳＶ１が夫々形成され、ゲート信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬ、及びデータ信号線ＤＬの少なくとも一方は、表示領域ＡＲの外側に延び、表示領域ＡＲ外側で絶縁膜ＧＩや保護膜ＰＳＶ１に形成された開口により導電層ＧＰ，ＳＨに接し、且つ導電層ＧＰ，ＳＨは保護膜ＰＳＶ１上に形成された部分を有する液晶表示装置において、これらの導電層ＧＰ，ＳＨのプロセス評価を行うために、図７及び図１３に示すように、表示領域ＡＲの外側にゲート絶縁膜ＧＩの下部に導電膜ＰＡＴ１を、またゲート絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＳＶ１の間に導電膜ＰＡＴ２を形成する。そして、ゲート絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＳＶ１に導電膜ＰＡＴ１上面に至る第１開口を、保護膜ＰＳＶ１に導電膜ＰＡＴ２上面に至る第２開口を互いに離間して形成し、且つ第１及び第２開口の内部から各々の開口を囲む保護膜ＰＳＶ１上部に広がる導電膜ＩＴＯ１を導電層ＧＰ，ＳＨとともに導電膜ＰＡＴ１，ＰＡＴ２より光透過率の高い導電性材料で形成する。
【０１３９】
導電層ＧＰ，ＳＨをＩＴＯなどの光透過率の高い導電性材料で形成する場合、図１４に示したように、これらの導電層や保護膜ＰＳＶ１の形成結果（プロセス状態）を２種類の開口の底部の面積Ｗ_PASの夫々と導電膜ＩＴＯ１の面積Ｗ_ITOの比から光学的に評価することができる。本実施例では、導電膜ＩＴＯ、保護膜ＰＳＶ１、及び絶縁膜ＧＩの積層を通して、各々のＷ_PASを観察することができる。
【０１４０】
また、第１開口に形成される導電膜ＩＴＯ１と第２開口に形成される導電膜ＩＴＯ１を保護膜ＰＳＶ１上で互いに離間させることで、上記のプロセス評価の精度が上がる。
【０１４１】
導電膜ＰＡＴ１はゲート信号線ＧＬ等と、導電膜ＰＡＴ２はデータ信号線ＤＬ等と同じプロセスで形成してもよい。導電膜ＰＡＴ１，ＰＡＴ２は導電膜ＩＴＯより光透過率の低い材料であれば十分なため、ゲート信号線ＧＬやデータ信号線ＤＬ等と接続する必要はなく、またこれらの信号線に雑音信号を入れないために、これらの信号線とは電気的に接続しない方が望ましい。
【０１４２】
光透過率の高い導電性材料としては、前記と同様に導電性を有する酸化物材料（ＩＴＯ、酸化錫等）を用いることが推奨される。
【０１４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ＩＴＯの検査端子を液晶封止領域に設けた場合の表示領域の端部に位置する画素における光漏れが回避できる。また、プラズマを用いたＣＶＤ（化学的気相成長法）等で絶縁膜を形成する際の放電に起因する対向電圧信号線の溶断や、隣接配線の短絡など防止できる。さらに、各ゲート線の断線評価が可能となり、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したアクティブ・マトリクス型のカラー液晶表示装置の１画素とその周辺を説明する要部平面図である。
【図２】図１のII−II切断線に沿った画素付近の断面図である。
【図３】図１のIII −III 切断線に沿った画素付近の断面図である。
【図４】上下の透明ガラス基板を含む表示パネルの表示領域の周辺の構成を説明する平面図である。
【図５】液晶パネル端部のシール部付近の構成を示す断面図である。
【図６】下部ガラス基板上に形成されたアクティブ・マトリックス型液晶表示装置の回路構成の概要を示す模式図である。
【図７】表示領域ＡＲの外側に延びたゲート信号線の検査端子の構造を説明する平面図である。
【図８】図７の要部を説明する断面図である。
【図９】対向電圧バス配線を構成する第１の部分と第２の部分の間を電気的に接続する構造例を説明する要部断面図である。
【図１０】本発明の第２実施例を説明する要部平面図である。
【図１１】図１０のXI−XI線に沿った断面図である。
【図１２】図１０のXII − XII線に沿った断面図である。
【図１３】図１０のXIII−XIII線に沿った断面図である。
【図１４】本発明の第３実施例を説明する図７のXIV −XIV に沿った断面図である。
【符号の説明】
ＧＬゲート信号線
ＣＬ対向電圧信号線
ＤＬデータ信号線
ＴＦＴ薄膜トランジスタ
Ｃｓｔｇ蓄積容量
ＰＸ画素電極
ＣＴ対向電極
ＬＣ液晶
ＢＭブラックマトリクス
ＧＰ検査端子。

Claims

第１の基板と第２の基板とシール材とで形成された液晶封止領域を有し、
第１の基板は一対のゲート信号線とデータ信号線に囲まれた画素を有し、複数の画素から表示領域が構成され、
前記ゲート信号線と前記データ信号線の間にゲート絶縁膜を有し、前記データ信号線より上層に保護膜を有し、
第１の基板上に形成された画素電極と対向電極の間の電界により表示を制御する液晶表示装置において、
前記液晶封止領域に、前記表示領域の外側に設けられた検査端子を有し、該検査端子は前記ゲート信号線と前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜を貫通する開口で接続され、
前記表示領域と前記検査端子の間に前記ゲート信号線に比べて電位変動の少ない配線に接続されたシールド電極を有することを特徴とする液晶表示装置。
前記検査端子及び前記シールド電極が導電性を有する酸化物で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記シールド電極の前記ゲート信号線の延在方向に沿った寸法は、前記検査端子の前記ゲート信号線の延在方向に沿った寸法より長いことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
前記シールド電極が、ブラックマトリクスの開口の基板端部に最も近い縁より外側にあることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。