JPH07211761A - 処理装置内の被処理体の搬送方法 - Google Patents

処理装置内の被処理体の搬送方法

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JPH07211761A
JPH07211761A JP2193294A JP2193294A JPH07211761A JP H07211761 A JPH07211761 A JP H07211761A JP 2193294 A JP2193294 A JP 2193294A JP 2193294 A JP2193294 A JP 2193294A JP H07211761 A JPH07211761 A JP H07211761A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 クロスコンタミネーションを抑制することが
できる処理装置内の被処理体の搬送方法を提供する。 【構成】 被処理体Wを処理する複数の処理室2A、2
B、2Cと、これらに接続された共通搬送室6と、外部
との間で被処理体を搬出入させるロードロック室8A、
8Bを有する処理装置にて被処理体を搬送する方法にお
いて、共通搬送室と他の室とを連通する直前に、この共
通搬送室に連通すべき室内の圧力を共通搬送室内の圧力
と同一か或いはこれよりも僅かに低い状態にしておき、
連通時に共通搬送室から連通された室に向かう気体の緩
やかな流れを積極的に形成する。これにより、搬送室内
に残留処理ガス等が侵入することを阻止し、クロスコン
タミネーション等が発生することを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置内の被処理体
の搬送方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にあ
っては、半導体ウエハに各種の処理、例えばドライエッ
チング、スパッタリング、CVD(Chemical
Vapor Deposition)等が複数回繰り返
し行なわれるが、最近にあっては、処理の効率化を図る
ために上述したような処理の内、同種或いは異種の処理
を施す処理室を複数個集合させて結合し、1つの処理が
終了した半導体ウエハを大気に晒すことなくこれに次の
処理を連続的に施すことができるようにした、いわゆる
クラスタツール装置が注目されている。
【0003】この種の装置は、例えば特開平3−192
52号公報に開示されているように例えば25枚のウエ
ハを収容できるカセットを外部との間で搬出入するカセ
ットロードロックと、カセット中のウエハを1枚ずつ内
部に取り込んだり、処理済みのウエハをカセット内に収
容するバッファロボットを有するバッファチャンバと、
バッファチャンバに連接された前/後処理チャンバと、
この前/後処理チャンバに連接されて内部に搬送ロボッ
トを有する共通搬送チャンバと、この共通搬送チャンバ
に連接された複数の処理チャンバとにより主に構成され
ている。そして、バッファロボットによりカセットから
移送された未処理ウエハは、前/後処理チャンバにて例
えば予備加熱等の前処理がなされた後に共通搬送チャン
バ内の搬送ロボットにより処理チャンバに移載される。
また、処理チャンバ間の移載はこの搬送ロボットにより
行なわれ、処理済みのウエハは前述したと逆の経路をた
どって、カセット内に収容されることになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、各チャンバ
間にウエハを移動させる場合、例えば共通搬送チャンバ
と処理チャンバとの間でウエハを受け渡しする場合に
は、一般的には搬送チャンバに設けられる真空排気系に
よる到達圧力すなわちベースプレッシャ状態でそれらの
間の仕切りバルブが開かれて連通され、ウエハの受け渡
しが行なわれる。ここで、搬送チャンバ内は内部の構成
部材の部品点数等が処理チャンバ内と比較して比較的少
ないことからそれらの壁からの脱ガスが少なくて到達圧
力、すなわちベースプレッシャは10-3Torr以下の
中真空或いは高真空状態となっているのに対して内部構
造物の多い処理チャンバ内の圧力は搬送チャンバ内より
もベースプレッシャが高いので、両チャンバの連通時に
処理チャンバ内の残留ガスが搬送チャンバ内に拡散して
しまい、ウエハに対するクロスコンタミネーションが発
生するという問題点がある。また、腐食性の処理ガスが
処理チャンバから搬送チャンバ内に流入した場合には、
この搬送チャンバ内の機構部品が腐食される等の問題も
あった。
【0005】また、この種の装置においては、処理効率
を上げると共に各ウエハに対する汚染を防止することが
大きな課題となるが、この装置例にあっては処理効率を
上げるためにロードロックから処理チャンバまでの各室
を横切るように真空勾配を形成して処理チャンバ側を最
も圧力が低い状態とし、従って、ウエハを処理チャンバ
内に移載した時にこのチャンバ内をベースプレッシャま
で排気するに要する排気時間を最小限として、ウエハの
処理時間を短くするようになっている。
【0006】しかしながら、この場合には、大気開放の
時に外部よりカセットロードロック内に取り込まれたが
水分等のコンタミネーションが圧力勾配に従って搬送チ
ャンバを介して各処理チャンバ内に流れ込むことにな
り、結果的にウエハが汚染されるという問題点が生じて
しまう。また、これに類似する技術として特開平4−1
00222号公報に示されるようにウエハの移載時に真
空搬送室から処理室に向かって積極的に不活性ガスを流
すようにしてクロスコンタミネーションを防止すること
も行なわれているが、この場合にも前述のように真空搬
送室内に外部より侵入したコンタミネーションが処理室
内に流れ込み、結果的に歩留まりを低下させるという問
題点があった。
【0007】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、クロスコンタミネーションを抑制することが
できる処理装置内の被処理体の搬送方法を提供すること
にある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、被処理体を処理する複数の処理室と、
これらの処理室に連通可能に接続された共通搬送室と、
この共通搬送室に連通可能に接続されて外部との間で前
記被処理体を搬出入させるロードロック室を有する処理
装置内にて前記被処理体を搬送する方法において、前記
共通搬送室を介して前記処理空間或いは前記処理室と前
記ロードロック室との間に前記被処理体を搬送すべく前
記共通搬送室と前記処理室或いは前記ロードロック室と
を連通する際に、前記処理室或いは前記ロードロック室
内の圧力を前記共通搬送室の圧力と同一か或いはそれよ
りも僅かに低く設定するようにしたものである。
【0009】
【作用】本発明は、以上のように構成したので、共通搬
送室と各室を連通させる直前には、共通搬送室に連通さ
れるべきロードロック室内或いは処理室内の圧力は共通
搬送室内の圧力と同圧或いはこれよりも僅かに低く維持
されているので、連通時にはこの共通搬送室からロード
ロック室内へ、或いは処理室内へ気体の流れが生じる。
従って、カセット搬出入時にロードロック室内へ外部よ
り侵入したコンタミネーションが共通搬送室内へ流入す
ることがなく、また、処理室内に残留する処理ガスやパ
ーティクルも共通搬送室内に侵入することがなくなり、
クロスコンタミネーションやパーティクルに起因する歩
留まりの低下を大幅に抑制することが可能となる。
【0010】
【実施例】以下に、本発明に係る被処理体の搬送方法の
一実施例を図面に基いて詳述する。
【0011】図1は本発明方法を実施するための処理装
置を示す概略断面図、図2は図1に示す処理装置を示す
平面図、図3は本発明方法を実施するためのタイミング
チャートである。
【0012】まず、本発明方法を実施するための処理装
置を説明する。この処理装置は、同一或いは異種の処理
を被処理体である半導体ウエハWに施すために複数、図
示例にあっては3個の処理室2A、2B、2Cを集合さ
せて結合し、いわゆるクラスタツール化されている。こ
れらの処理室の種類としてはプラズマエッチング処理
室、スパッタリング処理室、CVD処理室等を挙げるこ
とができる。尚、この処理室の数は、3個に限定され
ず、2個或いは4個以上設けるようにしてもよい。
【0013】この各処理室2A、2B、2Cは、内部に
多関節式の搬送アーム4を有する共通搬送室6に、それ
ぞれゲートバルブG1、G2、G3を介して連通可能に
連結されている。また、この共通搬送室6には、複数、
図示例にあっては2個のロードロック室8A、8Bがそ
れぞれゲートバルブG4、G5を介して連通可能に連結
されている。各ロードロック室8A、8B内には、例え
ば25枚のウエハWを収容し得るカセット10が設置可
能になされており、このカセット10は、この装置外と
の間を開閉するゲートドアG6、G7を開いて装置外と
の間で搬出入されるようになっている。各ロードロック
室8A、8Bには、これにArやN2 等の不活性ガスを
供給するロードロック室不活性ガス供給系12が接続さ
れると共にこの供給系には質量流量を制御する流量制御
弁として例えばマスフローコントローラ14及び開閉弁
16が順次介設されている。
【0014】また、このロードロック室8A、8Bの底
部には、ロードロック室真空排気系18が接続されると
共にこの排気系18には開閉弁20及び真空ポンプとし
ての例えばドライポンプ22が順に介設されている。各
ロードロック室8A、8B内の圧力は、それぞれに設け
られたロードロック室圧力計24により検出するように
なっている。上記各処理室2A、2B、2Cには、これ
に処理ガスを供給する処理ガス供給系24の他に、N2
やAr等の不活性ガスを供給する処理室不活性ガス供給
系26が接続されており、この供給系26には質量流量
を制御する例えばマスフローコントローラ28及び開閉
弁30が順次介設されている。
【0015】また、各処理室2A、2B、2Cの底部に
は、第1の開閉弁32の介設された処理室主真空排気系
34が接続されると共に、第2の開閉弁36、ターボ分
子ポンプ38及び第3の開閉弁40が順次介設された処
理室補助真空排気系42が接続されている。そして、こ
れら2つの真空排気系34、42の下流は合流されて真
空ポンプとしての例えばドライポンプ44に接続されて
いる。また、各処理室2A、2B、2Cには処理室圧力
計46が設けられており、内部圧力を検出するようにな
っている。上記共通搬送室6には、これにArやN2
の不活性ガスを供給する搬送室不活性ガス供給系48が
接続されると共にこの供給系には質量流量を制御する流
量制御弁として例えばマスフローコントローラ50及び
開閉弁52が順次介設されている。
【0016】また、この共通搬送室6の底部には、第1
の開閉弁54が介設された搬送室主真空排気系56が接
続されると共に、第2の開閉弁58、ターボ分子ポンプ
60及び第3の開閉弁62が順次介設された搬送室補助
真空排気系64が接続されている。そして、これら2つ
の真空排気系56、64の下流は合流されて真空ポンプ
として例えばドライポンプ66に接続されている。特
に、上記搬送室主真空排気系56の上流側排気口56A
は、略全体がケーシングにより被われた搬送アーム4内
に臨ませて設けられており、アーム稼働時にこのアーム
にて発生するパーティクルを効果的に吸引排除し得るよ
うになっている。
【0017】また、この共通搬送室6には、搬送室圧力
計68が設けられており、この内部圧力を検出するよう
になっている。上記各圧力計24、46、68の出力値
は、フィードバック信号として例えばマイクロコンピュ
ータ等よりなる制御部70へ入力され、各不活性ガス供
給系12、26、48に介設したマスフローコントロー
ラ14、28、50を制御することにより各室内を所望
する圧力に制御維持するようになっている。尚、共通搬
送室6と各室との連通時に、これらの間に生じている圧
力差を事前に緩和するために共通搬送室6と各室との間
に、開閉可能になされたバイパス開閉弁72、74を介
在させたバイパス路76、78をそれぞれ設けるように
してもよい。
【0018】次に、以上のように構成された装置例を基
に行なわれる本発明の搬送方法について説明する。本発
明は、ウエハの受け渡しのために共通搬送室6とロード
ロック室との間或いは共通搬送室6と処理室との間を連
通させる場合には、連通させる直前に共通搬送室6に連
通されるべき室内の圧力を共通搬送室6内の圧力と同一
か、これよりも僅かに低い状態すなわち負圧状態にして
圧力傾斜を形成しておくものであり、これにより、各ロ
ードロック室内や処理室内から共通搬送室へ気体が流れ
込むことを防止する。
【0019】本実施例としては、処理室2Aとしてウエ
ハWに対してエッチング処理を施すエッチャーを例にと
って説明する。このエッチングを行なう場合の処理圧力
は300mTorr程度であり、この処理圧力に関して
は処理内容にもよるが、例えば数10mTorr〜数1
00mTorr程度の範囲内で変動する。また、共通搬
送室6内は搬送室主真空排気系56または搬送室補助真
空排気系64を例えば選択的に作動させることにより常
時真空引きされており、同時に、この共通搬送室6内へ
は搬送系不活性ガス供給系48から、不活性ガス例えば
2 ガスが間欠的或いは連続的に供給されている。この
場合、この搬送室6内の圧力は搬送室圧力計68により
検出されてフィードバック信号として制御部70へ供給
されており、この制御部70が搬送室不活性ガス供給系
48のマスフローコントローラ50を制御することによ
り搬送室6内は常時一定の圧力、例えば本実施例では1
00mTorrを維持するようになっている。尚、共通
搬送室6内の設定圧力は、例えば10mTorr〜30
0mTorr程度の範囲内で任意の値に設定できる。
【0020】また、同様にロードロック室8A内も、ロ
ードロック室真空排気系18の作動により真空引きされ
ると共にロードロック室不活性ガス供給系12により連
続的或いは間欠的に不活性ガス、例えばN2 ガスが供給
されて、内部圧力は、上記共通搬送室6内よりも低い圧
力、例えば本実施例においては50mTorr程度に維
持されるようになっている。
【0021】まず、初期状態においては、全てのポンプ
は稼働されて、処理室補助真空排気系42及び搬送室補
助真空排気系64のそれぞれの第3の開閉弁40、62
を開状態とする外、他の全ての開閉弁が閉じられると共
に全ての室が大気圧状態すなわち760Torrになさ
れている。この状態でカセット10を収容するためにロ
ードロック室8AのゲートドアG6を開き、この外部に
予め設定されているカセット10を図示しないカセット
アームによりロードロック室8A内に移載し、このゲー
トドアG6を閉じる。
【0022】次に、ロードロック室真空排気系18の開
閉弁20を開にし、搬送室補助真空排気系64の第3の
開閉弁62及び処理室補助真空排気系42の第3の開閉
弁40を共に閉にすると共に搬送室主真空排気系56の
第1の開閉弁54及び処理室主真空排気系34の第1の
開閉弁32を共に開にし、各室内の真空粗引きを行な
う。そして、ロードロック室8A、共通搬送室6及び処
理室8A内の圧力をそれぞれ50mTorr、10mT
orr、10mTorrにする。尚、ロードロック室8
A内の圧力は、この50mTorrにて維持される。こ
のように粗引きが終了したならば、次に、搬送室主真空
排気系56の第1の開閉弁54を閉にすると共に搬送室
補助真空排気系64の第2の開閉弁58及び第3の開閉
弁62を共に開にし、この搬送室6内を主排気して内部
雰囲気を1mTorr程度のベースプレッシャに設定す
る。
【0023】処理室2Aに関しても同様に行なう。すな
わち粗引きが終了したならば、処理室主真空排気系34
の第1の開閉弁32を閉にすると共に処理室補助真空排
気系42の第2の開閉弁36及び第3の開閉弁40を共
に開にし、この処理室2A内を主排気して内部雰囲気を
1mTorr程度のベースプレッシャに設定する。この
ように主排気を行なってベースプレッシャに到達するこ
とにより室内壁等に付着する不純物ガスを略確実に排除
する。尚、処理室2A内の圧力は、プロセスが開始され
るまで、この1mTorrが維持される。
【0024】次に、共通搬送室6内の主排気が終了した
ならば、搬送室補助真空排気系56の第2の開閉弁58
及び第3の開閉弁62を閉にすると共に搬送室主真空排
気系56の第1の開閉弁54を開にして真空引きを続行
し、更に搬送室不活性ガス供給系48の開閉弁52を開
にし、搬送室6内にN2 ガスを供給する。この後、搬送
室6内へのN2 ガスの供給とこの室内の真空排気は、連
続的或いは間欠的に行なわれ、前述したようにこの内部
雰囲気の圧力は常に100mTorr程度に維持され、
圧力調整が行なわれる。
【0025】次に、カセット10内のウエハWを共通搬
送室6内に取り込むためにロードロック室8A内と共通
搬送室6との間を仕切るゲートバルブG4を開き、搬送
アーム4を伸縮駆動させることによりカセット10内の
ウエハWを一枚取り出す。上記ゲートバルブG4を開く
直前は、ロードロック室8A内の圧力が50mTorr
であるのに対して搬送室6の圧力はそれよりも高い10
0mTorrであるので、ゲートバルブG4を開いて両
室を連通した時に、気体は圧力の高い搬送室6からロー
ドロック室8Aに向けて流れる。そして、搬送室6Aに
は、N2 ガスが供給され続けてその圧力が100mTo
rrに維持されているので、N2 ガスが搬送室6からロ
ードロック室8Aに向けて連続的に流れることになる。
従って、例えばゲートドアG6を開いた時に外部よりロ
ードロック室8A内に侵入したコンタミネーションや当
初よりこのロードロック室8Aに存在したコンタミネー
ションが搬送室6内に流入することがない。また、上述
したような圧力差50mTorr程度ならばゲートバル
ブG4を開いた時の気体の流れも少なく、パーティクル
の巻き上げがほとんど生ずることもない。このようにウ
エハWの搬送室6への移載が完了したならば、ゲートバ
ルブG4を閉じて各室を再度区画する。尚、この後、ロ
ードロック室8A内は直ちに50mTorrの圧力に再
度設定維持されることになる。
【0026】次に、共通搬送室6から処理室2A内へウ
エハWを移載するために、まず、これら両室を仕切るゲ
ートバルブG1を開にしてこれら両室を連通させ、搬送
アーム4に保持しているウエハWを開状態になったゲー
トバルブG1を介して処理室2A内へ移載する。そし
て、移載が完了したならばこのゲートバルブG1を閉に
する。この際、ゲートバルブG1を開く直前は、処理室
2A内の圧力が1mTorrであるのに対して搬送室6
内の圧力はそれよりも高い100mTorrであるの
で、ゲートバルブG2を開いて両室を連通した時に、気
体は圧力の高い搬送室6から処理室2A内に向けて流れ
る。この時、処理室2A内の圧力は、搬送室6内と同圧
の100mTorrに一時的になり、また、搬送室6内
にはN2 ガスが供給され続けているのでN2 ガスが搬送
室6内から処理室2Aに向けて連続的に流れることにな
る。従って、例えばゲートバルブG1を開いた時に、処
理室2A内に残留していた処理ガスや腐食性ガスが搬送
室内に流入することがない。
【0027】また、上述したようにゲートバルブG1を
開いた時には両室の圧力差は99mTorr程度である
が、この程度の圧力差であるならばバルブG1を開いた
時の気体の流れもそれ程多くなく、パーティクルの巻き
上げがほとんど生ずることもない。このようにしてウエ
ハの処理室2A内への移載が完了すると処理室2A内は
再度ベース圧力である1mTorrまで真空引きされ、
その後、処理ガス供給系24の開閉弁80を開にして流
量制御しつつ処理ガスを導入し、処理圧力例えば300
mTorrの基で所定の処理、例えばエッチングをウエ
ハに施す。これ以降の処理室と搬送室の圧力関係及び各
弁の開閉動作を図3に示すタイミングチャートも参照し
つつ説明する。尚、上記タイミングチャートにあっては
搬送室と処理室との間を開閉可能に連通するバイパス路
78の開閉動作も含めて記載されている。
【0028】まず、処理室2A内におけるウエハ処理が
終了すると、ポイントT1にて処理ガス供給系24の開
閉弁80を閉じて処理ガスの供給を停止し、処理室2A
内の真空排気は継続して行なう。すると処理室2A内の
圧力は、ベースプレッシャ(1mTorr)に向けて次
第に低下し、この圧力がポイントT3にてベースプレッ
シャ1mTorrに到達すると両室を仕切るゲートバル
ブG1が開となり、共通搬送室6内の搬送アーム4によ
り処理済みのウエハWが搬出され、また、未処理のウエ
ハWが処理室2A内に搬入されることになる。この場
合、処理室2A内の圧力より搬送室6内の圧力の方が高
く設定されているので、前述と同様に搬送室6より処理
室2Aに向けて気体が流れ、且つ搬送室6内にはN2
スが供給されているのでこのガス流が連続的に流れ、処
理室2A中の残留処理ガス等が搬送室6内に逆流して流
入することはない。また、前述と同様にゲートバルブG
1を開く直前には両室の圧力差は99mTorr程度で
あり、従って、この程度の圧力差であるならばバルブG
1を開いた時の気体の流れもそれ程多くなく、パーティ
クルの巻き上げもほとんど生ずることがない。尚、この
ウエハ交換のために両室が連通されると処理室2A内の
圧力は一時的に100mTorrになる。
【0029】このようにウエハの交換がポイントT4に
て完了してゲートバルブG1を閉じると、処理室2A内
の圧力は再度ベースプレッシャ1mTorrに向けて減
少し、ベースプレッシャに到達したならばポイントT5
にて処理ガスが流されて処理室2A内の圧力が300m
Torrに復帰し、プロセスが再開されることになる。
上記搬送方法はバイパス路74を用いない場合の例であ
るが、ゲートバルブG1を開く直前にバイパス路74を
用いると以下のようになる。
【0030】すなわち、プロセスが終了して処理室2A
内を真空排気している途中において、この処理室2A内
の圧力が搬送室6内の圧力よりも僅かに低くなったポイ
ントP2において、このバイパス路74に介設したバイ
パス開閉弁74を開いて両室をこのバイパス路78を介
して連通させ、この開かれたバイパス路78を介して搬
送室6内の気体を処理室2Aに向けて流し、両室間の圧
力差を低減させる。この圧力差低減後の両室の圧力差は
バイパス路の配管における流体抵抗分だけの差圧に相当
する。そして、処理室中の残留処理ガスの分圧が十分低
減した時点、例えばポイントT3にてゲートバルブG1
を開にして前述のようにウエハWの交換を行なう。尚、
ゲートバルブG1を開にしたならば、その後、直ちにバ
イパス路78のバイパス開閉弁74を閉にする。
【0031】このように両室間を仕切るゲートバルブG
1を開いて両室を完全に連通する前に両室を連絡するバ
イパス路78を開にして両室の圧力差をより少なくする
ことにより、ゲートバルブG1を開いた時に搬送室6か
ら処理室2Aに向けて気体が突発的に流れること、いわ
ゆるジェット流を防ぐことができ、気体の流入に伴うパ
ーティクルの巻き上げを一層抑制することが可能とな
る。尚、このようにバイパス路を用いた操作は、搬送室
6と処理室2Aとの間のみならず、搬送室6とロードロ
ック室8Aとの間に設けたバイパス路76を用いた場合
にも同様に行なわれ、この場合にも先に説明したと同様
な効果を生ぜしめることができる。
【0032】また、上記した操作は、搬送室と各処理室
との間のゲートバルブを開閉する時、例えばウエハを処
理室間において移載する場合にも同様に行なわれる。こ
のように、共通搬送室6とロードロック室8Aとの間或
いは共通搬送室6と処理室との間を連通する場合には、
その直前の内部圧力を同圧或いは共通搬送室内の圧力を
僅かに陽圧とすることにより、ゲートバルブを開いた時
に搬送室6からロードロック室或いは処理室に向かう気
体の流れを積極的に生ぜしめることにより、外部のコン
タミネーションがロードロック室を介して搬送室6内に
入ったり、或いは処理空内の残留処理ガス等が搬送室6
内に侵入することを大幅に抑制することができる。尚、
両室の差圧が同圧の時にゲートバルブを開けた場合にあ
っても搬送室6内にN2 ガスを常時或いは間欠的に供給
することにより、上述したような気体の流れを生ぜしめ
ることができる。従って、処理室内へ外部のパーティク
ルが侵入したり或いは処理室間のクロスコンタミネーシ
ョンが生ずることを大幅に抑制することができる。
【0033】また、上述のように残留処理ガスが搬送室
内に流入することを阻止できるので、この処理ガスとし
てエッチングガスであるHCl等の腐食性ガスを用いた
場合にあっても、搬送室内に設けた部品構造物が腐食さ
れることを大幅に抑制することができる。また、上記実
施例においては、搬送室6内の圧力を10mTorr〜
300mTorrの範囲内で設定するようにしたが、下
限値を10mTorrと規定した理由は、10mTor
rにおけるガス分子の平均自由工程は約5mm程度であ
り、処理室の大きさが略400mm〜500mm角、搬
送室6の大きさが600mm〜700mm角の大きさで
ある点を考慮すると、前述のようにバルブ開時に処理室
側に向かうガス流を生ぜしめたとしても分子の平均自由
工程が大き過ぎると、すなわち搬送室内の圧力が小さい
とガス分子が搬送室内に侵入してしまうからである。ま
た、上限値300mTorrは、過度に搬送室内の圧力
が大き過ぎると両室を連通した時に不必要なパーティク
ルの巻き上げを生ぜしめてしまうからである。
【0034】更には、共通搬送室6には、2つの排気系
の内の一方、例えば搬送室主真空排気系56の排気口5
6Aを、ケーシングに被われた搬送アーム4の内部に臨
ませて設けてあるので、アーム稼働時にこれより発生す
るパーティクルを排気ガス流に乗せて直ちに吸引排除す
ることができ、これが搬送室6内に飛散することを防止
することができる。また、搬送アーム4として一度に2
枚のウエハを保持できるアームを使用すれば、ゲートバ
ルブを開けた状態で一度に処理済みのウエハと未処理の
ウエハを交換することができる。
【0035】尚、上記した各室の圧力関係は一例を示し
たに過ぎず、共通搬送室との連通直前にこの室の圧力
が、連通すべき室の圧力と同一か、それより大きな圧力
であって且つその圧力差が、連通時にパーティクルの巻
き上げを生じないような圧力ならば設定圧力は特に限定
されない。また、上記実施例にあっては、処理室2Aと
してエッチングを行なう場合を例にとって説明したが、
これに限定されず、他の全ての真空処理、例えばスパッ
タリング処理、CVD処理、アッシング処理等にも適用
し得るのは勿論である。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理装置
内の被処理体の搬送方法によれば、次のように優れた作
用効果を発揮することができる。共通搬送室と他の室と
を連通する直前に、他の室の圧力を共通搬送室内の圧力
と同圧或いはこれより僅かに低くなるように設定したの
で、共通搬送室内にロードロック室を介して外部のパー
ティクルや処理室内に残留する処理ガス等が侵入するこ
とを防止することができる。従って、処理室間同士の汚
染、すなわちクロスコンタミネーションを防止できるの
みならず、処理室内に外部のパーティクルが侵入するの
を防止でき、歩留まりを向上させることができる。ま
た、共通搬送室と連通させる直前にこれらの間を連絡す
るバイパス路を開くことによりゲートバルブを開いて連
通させる時の両室間の圧力差をより抑制することがで
き、従って、連通時のパーティクルの巻き上げを一層抑
制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法を実施するための処理装置を示す概
略断面図である。
【図2】図1に示す処理装置を示す平面図である。
【図3】本発明方法を実施するためのタイミングチャー
トである。
【符号の説明】
2A、2B、2C 処理室 4 搬送アーム 6 共通搬送室 8A、8B ロードロック室 10 カセット 12 ロードロック室不活性ガス供給系 18 ロードロック室真空排気系 24 処理ガス供給系 26 処理室不活性ガス供給系 34 処理室主真空排気系 42 処理室補助真空排気系 48 搬送室不活性ガス供給系 56 搬送室主真空排気系 64 搬送室補助真空排気系 70 制御部 76、78 バイパス路 G1〜G5 ゲートバルブ G6、G7 ゲートドア W 半導体ウエハ(被処理体)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体を処理する複数の処理室と、こ
    れらの処理室に連通可能に接続された共通搬送室と、こ
    の共通搬送室に連通可能に接続されて外部との間で前記
    被処理体を搬出入させるロードロック室を有する処理装
    置内にて前記被処理体を搬送する方法において、前記共
    通搬送室を介して前記処理空間或いは前記処理室と前記
    ロードロック室との間に前記被処理体を搬送すべく前記
    共通搬送室と前記処理室或いは前記ロードロック室とを
    連通する際に、前記処理室或いは前記ロードロック室内
    の圧力を前記共通搬送室の圧力と同一か或いはそれより
    も僅かに低く設定するようにしたことを特徴とする処理
    装置内の被処理体の搬送方法。
  2. 【請求項2】 前記共通搬送室と前記処理室或いは前記
    ロードロック室とを連通する直前に、前記搬送室と前記
    処理室或いは前記ロードロック室とを開閉可能に連通す
    るバイパス路を開状態にしたことを特徴とする請求項1
    記載の処理装置内の被処理体の搬送方法。
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Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10223719A (ja) * 1996-12-06 1998-08-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法
JPH10335407A (ja) * 1997-06-03 1998-12-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000232071A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
EP1067585A2 (en) * 1999-07-09 2001-01-10 Applied Materials, Inc. Method and a system for sealing an epitaxial silicon layer on a substrate
JP2002198411A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Tokyo Electron Ltd 圧力制御方法、搬送装置およびクラスタツール
JP2002308419A (ja) * 2001-04-19 2002-10-23 Dainippon Printing Co Ltd 容器搬送システム
WO2005001925A1 (ja) * 2003-06-26 2005-01-06 Tokyo Electron Limited 真空処理装置の操作方法
KR100489638B1 (ko) * 1998-03-12 2005-08-31 삼성전자주식회사 반도체장치제조설비의건식식각설비
JP2005527120A (ja) * 2002-05-21 2005-09-08 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 半導体処理ツール内チャンバ間の相互汚染の減少
JP2007027339A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2007042929A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Hitachi High-Tech Control Systems Corp ロードロック装置とその方法及び半導体製造装置
JP2007149948A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JP2007308730A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置および真空処理方法
JP2007311745A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd クラスタ処理装置
WO2009031419A1 (ja) * 2007-09-03 2009-03-12 Tokyo Electron Limited 真空処理システム
WO2009034869A1 (ja) * 2007-09-10 2009-03-19 Tokyo Electron Limited 真空処理システムおよび基板搬送方法
US7521089B2 (en) 2002-06-13 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling the movement of CVD reaction byproduct gases to adjacent process chambers
JP2009158627A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Tokyo Electron Ltd 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法
JP2009534867A (ja) * 2006-04-24 2009-09-24 アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド ロードロック制御
JP2010040623A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Tokyo Electron Ltd 圧力調整装置、これを用いた処理システム及び圧力調整方法
JP2010067992A (ja) * 2003-06-02 2010-03-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板搬送方法
JP2010135849A (ja) * 2003-06-24 2010-06-17 Tokyo Electron Ltd 被処理体処理装置の圧力制御方法
US7756599B2 (en) 2004-10-28 2010-07-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, program for performing operation and control method thereof, and computer readable storage medium storing the program
CN101958231A (zh) * 2010-05-06 2011-01-26 东莞宏威数码机械有限公司 气体环境缓冲装置
US7972961B2 (en) 2008-10-09 2011-07-05 Asm Japan K.K. Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers
WO2012008439A1 (ja) * 2010-07-13 2012-01-19 住友精密工業株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP2012074496A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
US8216380B2 (en) 2009-01-08 2012-07-10 Asm America, Inc. Gap maintenance for opening to process chamber
US8287648B2 (en) 2009-02-09 2012-10-16 Asm America, Inc. Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
WO2012157370A1 (ja) * 2011-05-13 2012-11-22 シャープ株式会社 反応室開放方法、及び気相成長装置
US8623457B2 (en) 2005-11-28 2014-01-07 Tokyo Electron Limited Vacuum processing system
JP2014059924A (ja) * 2012-09-14 2014-04-03 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法及び装置
CN105575849A (zh) * 2014-10-31 2016-05-11 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP2016115793A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法、基板処理装置、及び記憶媒体
JP2016135894A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 スタンレー電気株式会社 アーク放電イオンプレーティング装置及びその制御方法
US9646643B2 (en) 2013-02-25 2017-05-09 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium fabrication method and apparatus
WO2018025756A1 (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 キヤノン株式会社 インプリント装置、及び物品製造方法
CN109979867A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种晶片传输方法
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102618825B1 (ko) * 2020-01-06 2023-12-27 삼성전자주식회사 베이 내 가스 누출 방지를 위한 에어락 장치 및 제어 시스템

Cited By (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10223719A (ja) * 1996-12-06 1998-08-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法
JPH10335407A (ja) * 1997-06-03 1998-12-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100489638B1 (ko) * 1998-03-12 2005-08-31 삼성전자주식회사 반도체장치제조설비의건식식각설비
JP2000232071A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
EP1067585A3 (en) * 1999-07-09 2006-07-26 Applied Materials, Inc. Method and a system for sealing an epitaxial silicon layer on a substrate
EP1067585A2 (en) * 1999-07-09 2001-01-10 Applied Materials, Inc. Method and a system for sealing an epitaxial silicon layer on a substrate
JP2001077039A (ja) * 1999-07-09 2001-03-23 Applied Materials Inc 基板上でエピタキシャルシリコン層をシールするための方法及びシステム
JP4640879B2 (ja) * 1999-07-09 2011-03-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ウエハを処理する方法、及び半導体ウエハを処理するためのシステム
KR100746380B1 (ko) * 1999-07-09 2007-08-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판상에 에피택셜 실리콘 층을 실링하기 위한 방법 및 시스템
US6685779B2 (en) * 1999-07-09 2004-02-03 Applied Materials, Inc. Method and a system for sealing an epitaxial silicon layer on a substrate
JP2002198411A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Tokyo Electron Ltd 圧力制御方法、搬送装置およびクラスタツール
JP2002308419A (ja) * 2001-04-19 2002-10-23 Dainippon Printing Co Ltd 容器搬送システム
JP4547828B2 (ja) * 2001-04-19 2010-09-22 大日本印刷株式会社 容器搬送システム
JP2005527120A (ja) * 2002-05-21 2005-09-08 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 半導体処理ツール内チャンバ間の相互汚染の減少
US7521089B2 (en) 2002-06-13 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling the movement of CVD reaction byproduct gases to adjacent process chambers
JP2010067992A (ja) * 2003-06-02 2010-03-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板搬送方法
JP2010135849A (ja) * 2003-06-24 2010-06-17 Tokyo Electron Ltd 被処理体処理装置の圧力制御方法
WO2005001925A1 (ja) * 2003-06-26 2005-01-06 Tokyo Electron Limited 真空処理装置の操作方法
US8172949B2 (en) 2004-10-28 2012-05-08 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, program for performing operation and control method thereof, and computer readable storage medium storing the program
US7756599B2 (en) 2004-10-28 2010-07-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, program for performing operation and control method thereof, and computer readable storage medium storing the program
JP2007027339A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP4695936B2 (ja) * 2005-07-15 2011-06-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2007042929A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Hitachi High-Tech Control Systems Corp ロードロック装置とその方法及び半導体製造装置
US8623457B2 (en) 2005-11-28 2014-01-07 Tokyo Electron Limited Vacuum processing system
JP2007149948A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JP4634918B2 (ja) * 2005-11-28 2011-02-16 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP2009534867A (ja) * 2006-04-24 2009-09-24 アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド ロードロック制御
JP2007308730A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置および真空処理方法
JP2007311745A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd クラスタ処理装置
JP4637081B2 (ja) * 2006-05-17 2011-02-23 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 クラスタ処理装置
WO2009031419A1 (ja) * 2007-09-03 2009-03-12 Tokyo Electron Limited 真空処理システム
JP5208948B2 (ja) * 2007-09-03 2013-06-12 東京エレクトロン株式会社 真空処理システム
WO2009034869A1 (ja) * 2007-09-10 2009-03-19 Tokyo Electron Limited 真空処理システムおよび基板搬送方法
JP2009062604A (ja) * 2007-09-10 2009-03-26 Tokyo Electron Ltd 真空処理システムおよび基板搬送方法
JP2009158627A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Tokyo Electron Ltd 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法
JP2010040623A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Tokyo Electron Ltd 圧力調整装置、これを用いた処理システム及び圧力調整方法
US7972961B2 (en) 2008-10-09 2011-07-05 Asm Japan K.K. Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers
US8216380B2 (en) 2009-01-08 2012-07-10 Asm America, Inc. Gap maintenance for opening to process chamber
US8287648B2 (en) 2009-02-09 2012-10-16 Asm America, Inc. Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
US8759226B2 (en) 2009-02-09 2014-06-24 Asm America, Inc. Method for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
CN101958231A (zh) * 2010-05-06 2011-01-26 东莞宏威数码机械有限公司 气体环境缓冲装置
WO2012008439A1 (ja) * 2010-07-13 2012-01-19 住友精密工業株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP2012074496A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
WO2012157370A1 (ja) * 2011-05-13 2012-11-22 シャープ株式会社 反応室開放方法、及び気相成長装置
JP2012238772A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Sharp Corp 反応室開放方法、及び気相成長装置
JP2014059924A (ja) * 2012-09-14 2014-04-03 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法及び装置
US9646643B2 (en) 2013-02-25 2017-05-09 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium fabrication method and apparatus
CN105575849A (zh) * 2014-10-31 2016-05-11 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP2016115793A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法、基板処理装置、及び記憶媒体
JP2016135894A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 スタンレー電気株式会社 アーク放電イオンプレーティング装置及びその制御方法
WO2018025756A1 (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 キヤノン株式会社 インプリント装置、及び物品製造方法
KR20190034632A (ko) * 2016-08-04 2019-04-02 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
US11199770B2 (en) 2016-08-04 2021-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing an article
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US11626313B2 (en) 2017-11-03 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
CN109979867A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种晶片传输方法

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