JP3197969B2 - 半導体基板の処理方法 - Google Patents
半導体基板の処理方法Info
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Description
てウェーハ等の被処理物にパーティクルや不純物を付着
させない半導体基板の処理方法に関する。
図である。従来方法は、処理室内で被処理物を減圧下で
処理する場合、置換用ガスの供給下で被処理物を処理室
内に搬入した後、図4に示すように処理室の圧力が76
0Torr(大気圧)で、置換用ガスを流さずに排気をt1
時点でスタートし、到達圧力P1 になるまで真空排気す
る。しかる後、t2 時点で置換用ガス, 処理用ガスなど
を流し始めて被処理物を処理し始め、所望の圧力P2 に
してCVD膜生成などの処理を行っている。
方法にあっては、t2 時点で置換用ガス等を流し始め、
このガスの流し始めにガスが処理室内に突入するため、
ガス流量及び圧力がQa,Pa で示すように急変するこ
とにより処理室の室壁等に付着しているパーティクルや
不純物を巻き上げ、被処理物の表面に付着するという課
題がある。
決するため、処理室内で被処理物を減圧下で処理する方
法において、被処理物の設置された処理室を減圧状態か
ら大気圧状態にガス置換する場合、真空ポンプにて排気
しながら置換用ガスを流して、大気圧に戻すことを特徴
とする。
処理する場合も、処理室を大気圧に戻す場合も置換用ガ
スを流しながら行うことにより従来技術の課題である真
空排気後のガスの流し始めに発生するパーティクルや不
純物の巻き上げを防止できることにな、被処理物にパー
ティクルや不純物が付着する量を大幅に軽減できること
になる。
るための図である。まず、本実施例の構成を説明する。
図1において1は被処理物を減圧下で処理する処理室、
2,3はそれぞれ処理室1の供給口に接続された置換用
ガス供給管及び処理用ガス供給管、4,5はそれぞれ各
ガス供給管2,3に挿設された置換用ガス供給バルブ及
び処理用ガス供給バルブ、9,10はそれぞれ各ガス供
給バルブ4,5に直列に挿設された流量制御器である。
8は処理室1の排気口に接続された排気管で、主排気、
補助排気バルブ6,7が並列に連結されて挿設されてい
る。11は排気管8に接続された真空ポンプである。
明する。図2は本発明におけるガス置換シーケンスの1
例を示す説明図、図3は同じく成膜シーケンスの1例を
示す説明図である。図3に示すように処理室1に置換用
ガス供給バルブ4を開いて置換用ガスを流しておき、こ
の状態で処理室1内に被処理物を搬入する。しかる後、
図2及び図3に示すように置換用ガスを流しながら補助
排気バルブ7を開き、真空ポンプ11により排気をt1
時点でスタートし、処理室1の圧力を,760Torr(大
気圧)から減圧する。
ったら、主排気バルブ6を開き、到達圧力P1 になるま
で排気する。しかる後、図3に示すようにt2 時点で処
理用ガス供給バルブ5を開き、処理用ガスを処理室1に
流し始め、例えば被処理物に成膜する処理をスタート
し、所望の圧力P2 にして被処理物に成膜する。従来方
法では図4に示すように成膜開始時点t2 で置換用ガス
と処理用ガスを流し始め、それ迄ガスを流していないの
で、ガスの流し始めにガスが処理室1内に突入してガス
流量及び圧力がQa ,Pa で示すように急変するが、本
発明では成膜開始時点t2 前に置換用ガスを流してある
ので、処理用ガスの流し始めにガスが処理室1内に突入
してガス流量及び圧力がQc ,Pc で示すように緩やか
に変化し急変することがないため、処理室1の室壁等に
付着しているパーティクルや不純物を巻き上げることが
殆どなくなり、被処理物にこれらが付着する量を大幅に
軽減できることになる。
ガスに多量の水素ガスを使用し、処理用ガスとしてSi
H4 (モノシラン)ガスを使用する場合、処理室(反応
室)の室壁にシリコンポリマーが多量に付着するため、
本発明の場合、減圧プロセスで特に有効であり、従来、
1枚の被処理物に数百個付着していたのを数個にまで大
幅に軽減することができる。又、半導体基板カセットの
ロードロック室等には、機械的機構のパーティクル発生
源,例えば半導体基板搬送機構が存在するため、このよ
うな真空容器の真空不活性ガス置換を行う場合にも本発
明は好適であり、従来、1枚の被処理物に数十個付着し
ていたのを数個に低減することができる。
ため、処理室1内をガス置換する場合、処理用ガス供給
バルブ5を閉じてから図2に示すように主排気バルブ6
をt3 時点で閉じ、次いでt4 時点で補助排気バルブ7
を閉じることになるが、その間、置換用ガスを流しなが
ら減圧排気し、大気圧に戻すことになる。なお、本実施
例では図2から判るように置換用ガス,処理用ガスの全
ガス量は、常に一定の流量になるよう流量制御器9,1
0により制御される。本発明方法及び装置は、減圧式の
CVD装置,エピタキシャル成長装置,拡散装置,熱処
理装置等の処理室に適応できることは勿論である。
で被処理物を減圧下で処理する方法において、被処理物
の設置された処理室を減圧状態から大気圧状態にガス置
換する場合、真空ポンプにて排気しながら置換用ガスを
流して、大気圧に戻すようにしたため、置換用ガスを流
しておくことにより処理室の室壁に付着しているパーテ
ィクルや不純物が巻き上げられて被処理物に付着する量
を大幅に軽減することができる。
図である。
す説明図である。
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 処理室内で被処理物を減圧下で処理する
方法において、 被処理物の設置された処理室を減圧状態から大気圧状態
にガス置換する場合、真空ポンプにて排気しながら置換
用ガスを流して、大気圧に戻すことを特徴とする半導体
基板の処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1966693A JP3197969B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 半導体基板の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1966693A JP3197969B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 半導体基板の処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06208991A JPH06208991A (ja) | 1994-07-26 |
JP3197969B2 true JP3197969B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=12005572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1966693A Expired - Lifetime JP3197969B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 半導体基板の処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3197969B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100470998B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조설비의 로드락챔버에서 진공형성방법 |
CN102177407A (zh) * | 2008-08-08 | 2011-09-07 | 芝浦机械电子株式会社 | 热处理装置及热处理方法 |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP1966693A patent/JP3197969B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06208991A (ja) | 1994-07-26 |
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