JP2002198411A - 圧力制御方法、搬送装置およびクラスタツール - Google Patents
圧力制御方法、搬送装置およびクラスタツールInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 トランスファチャンバ内の圧力制御を効率よ
く行う。 【解決手段】 カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２とトラ
ンスファチャンバＴＣとでドライポンプＤＰ１を共有化
するとともに、ウエハＷの搬送時にトランスファチャン
バＴＣ内の排気を停止し、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２
を開いた時だトランスファチャンバＴＣ内のＮ２パージ
を行う。
く行う。 【解決手段】 カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２とトラ
ンスファチャンバＴＣとでドライポンプＤＰ１を共有化
するとともに、ウエハＷの搬送時にトランスファチャン
バＴＣ内の排気を停止し、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２
を開いた時だトランスファチャンバＴＣ内のＮ２パージ
を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は圧力制御方法、搬送
装置およびクラスタツールに関し、特に、半導体装置や
液晶表示装置などの製造プロセスに適用して好適なもの
である。
装置およびクラスタツールに関し、特に、半導体装置や
液晶表示装置などの製造プロセスに適用して好適なもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体などの製造プロセスでは、ウエハ
を大気に曝すことなく、複数の処理を行うために、複数
のプロセスチャンバが連結されたクラスタツールが普及
してきている。このようなクラスタツールでは、複数の
プロセスチャンバに対してウエハを出し入れするトラン
スファチャンバが設けられている。そして、トランスフ
ァチャンバ内の圧力制御を行いつつ、ウエハの搬送を行
うことにより、大気やパーティクルなどによるコンタミ
ネーションからウエハが保護される。ここで、従来のト
ランスファチャンバ内の圧力制御方法では、トランスフ
ァチャンバ内の圧力を一定に維持するために、トランス
ファチャンバ内を常時真空引きしながら、Ｎ２パージが
行われていた。
を大気に曝すことなく、複数の処理を行うために、複数
のプロセスチャンバが連結されたクラスタツールが普及
してきている。このようなクラスタツールでは、複数の
プロセスチャンバに対してウエハを出し入れするトラン
スファチャンバが設けられている。そして、トランスフ
ァチャンバ内の圧力制御を行いつつ、ウエハの搬送を行
うことにより、大気やパーティクルなどによるコンタミ
ネーションからウエハが保護される。ここで、従来のト
ランスファチャンバ内の圧力制御方法では、トランスフ
ァチャンバ内の圧力を一定に維持するために、トランス
ファチャンバ内を常時真空引きしながら、Ｎ２パージが
行われていた。
【０００３】図５は、従来の圧力制御方法が適用される
クラスタツールの概略構成を示す断面図である。図５に
おいて、トランスファチャンバＴＣには、カセットチャ
ンバＣＣ１、ＣＣ２がゲートバルブＣＧ１、ＣＧ２を介
して連結されるとともに、プロセスチャンバＰＣ１、Ｐ
Ｃ２がゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を介して連結されて
いる。
クラスタツールの概略構成を示す断面図である。図５に
おいて、トランスファチャンバＴＣには、カセットチャ
ンバＣＣ１、ＣＣ２がゲートバルブＣＧ１、ＣＧ２を介
して連結されるとともに、プロセスチャンバＰＣ１、Ｐ
Ｃ２がゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を介して連結されて
いる。
【０００４】ここで、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２
には、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２内の排気を行う
ためのドライポンプＤＰ２が設けられるとともに、トラ
ンスファチャンバＴＣには、トランスファチャンバＴＣ
内の排気を行うためのドライポンプＤＰ３が設けられて
いる。また、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２には、プ
ロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２内の排気を行うためのド
ライポンプＤＰ４、ＤＰ５およびターボポンプＴＰ１、
ＴＰ２がそれぞれ設けられている。
には、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２内の排気を行う
ためのドライポンプＤＰ２が設けられるとともに、トラ
ンスファチャンバＴＣには、トランスファチャンバＴＣ
内の排気を行うためのドライポンプＤＰ３が設けられて
いる。また、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２には、プ
ロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２内の排気を行うためのド
ライポンプＤＰ４、ＤＰ５およびターボポンプＴＰ１、
ＴＰ２がそれぞれ設けられている。
【０００５】また、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２お
よびトランスファチャンバＴＣには、Ｎ２パージを行う
ためのＮ２排出部１〜３が設けられ、さらに、トランス
ファチャンバＴＣには、トランスファチャンバＴＣ内の
圧力を検出するためのキャパシタンスマノメータ４およ
びコンベクトロン（ピラニーゲージ）５が設けられると
ともに、トランスファチャンバＴＣ内の圧力を制御する
ための圧力コントローツバルブＰＣＶが設けられてい
る。
よびトランスファチャンバＴＣには、Ｎ２パージを行う
ためのＮ２排出部１〜３が設けられ、さらに、トランス
ファチャンバＴＣには、トランスファチャンバＴＣ内の
圧力を検出するためのキャパシタンスマノメータ４およ
びコンベクトロン（ピラニーゲージ）５が設けられると
ともに、トランスファチャンバＴＣ内の圧力を制御する
ための圧力コントローツバルブＰＣＶが設けられてい
る。
【０００６】ここで、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２
内にウエハＷを搬入する場合、ウエハＷが収容されたカ
セットＣ１、Ｃ２をカセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２内
に設置する。そして、ゲートバルブＣＧ１、ＣＧ２を閉
じた状態で、ドライポンプＤＰ２によりカセットチャン
バＣＣ１、ＣＣ２内を排気することにより、カセットチ
ャンバＣＣ１、ＣＣ２内の圧力を１７０ｍＴｏｒｒ程度
にし、１７０ｍＴｏｒｒ程度まで真空引きしたら排気を
終了する。
内にウエハＷを搬入する場合、ウエハＷが収容されたカ
セットＣ１、Ｃ２をカセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２内
に設置する。そして、ゲートバルブＣＧ１、ＣＧ２を閉
じた状態で、ドライポンプＤＰ２によりカセットチャン
バＣＣ１、ＣＣ２内を排気することにより、カセットチ
ャンバＣＣ１、ＣＣ２内の圧力を１７０ｍＴｏｒｒ程度
にし、１７０ｍＴｏｒｒ程度まで真空引きしたら排気を
終了する。
【０００７】また、トランスファチャンバＴＣ内でも、
Ｎ２パージを行いつつ、ドライポンプＤＰ３による排気
を行い、１００又は２００ｍＴｏｒｒ程度の圧力に維持
する。
Ｎ２パージを行いつつ、ドライポンプＤＰ３による排気
を行い、１００又は２００ｍＴｏｒｒ程度の圧力に維持
する。
【０００８】さらに、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２
内においても、ドライポンプＤＰ４、ＤＰ５およびター
ボポンプＴＰ１、ＴＰ２による排気を行い、０．１ｍＴ
ｏｒｒ程度の圧力に維持する。
内においても、ドライポンプＤＰ４、ＤＰ５およびター
ボポンプＴＰ１、ＴＰ２による排気を行い、０．１ｍＴ
ｏｒｒ程度の圧力に維持する。
【０００９】そして、各チャンバ内の圧力が所定値に達
すると、ゲートバルブＣＧ１、ＣＧ２を開き、搬送アー
ムＡＲを用いることにより、カセットＣ１、Ｃ２に収容
されたウエハＷをトランスファチャンバＴＣ内に搬送
し、さらに、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を開き、トラ
ンスファチャンバＴＣ内に搬送されたウエハＷをプロセ
スチャンバＰＣ１、ＰＣ２内に搬送する。
すると、ゲートバルブＣＧ１、ＣＧ２を開き、搬送アー
ムＡＲを用いることにより、カセットＣ１、Ｃ２に収容
されたウエハＷをトランスファチャンバＴＣ内に搬送
し、さらに、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を開き、トラ
ンスファチャンバＴＣ内に搬送されたウエハＷをプロセ
スチャンバＰＣ１、ＰＣ２内に搬送する。
【００１０】ここで、ゲートバルブＣＧ１、ＣＧ２、Ｐ
Ｇ１、ＰＧ２を開いた際に、トランスファチャンバＴＣ
内の圧力を制御し、トランスファチャンバＴＣ内の圧力
を常に一定（１００または２００ｍＴｏｒｒ程度）に維
持する。これにより、各チャンバ間の圧力差を所定の範
囲内に収めて、パーティクルの巻き上げを防止するとと
もに、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２内に残留する処
理ガスＧ１、Ｇ２の流出を防止する。
Ｇ１、ＰＧ２を開いた際に、トランスファチャンバＴＣ
内の圧力を制御し、トランスファチャンバＴＣ内の圧力
を常に一定（１００または２００ｍＴｏｒｒ程度）に維
持する。これにより、各チャンバ間の圧力差を所定の範
囲内に収めて、パーティクルの巻き上げを防止するとと
もに、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２内に残留する処
理ガスＧ１、Ｇ２の流出を防止する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
圧力制御方法では、トランスファチャンバＴＣ内を常時
排気するために、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２及び
トランスファチャンバＴＣにドライポンプＤＰ２、ＤＰ
３をそれぞれ独自に設ける必要があった。また、トラン
スファチャンバＴＣ内の圧力を制御するために、キャパ
シタンスマノメータ４や圧力コントローツバルブＰＣＶ
などの圧力制御部品を用いる必要があった。このため、
これらの整備にかかるコストや消費電力が大きいという
問題があった。さらに、トランスファチャンバＴＣ内の
排気中は常にＮ２パージが行われるため、Ｎ２の消費量
が大きいという問題もあった。
圧力制御方法では、トランスファチャンバＴＣ内を常時
排気するために、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２及び
トランスファチャンバＴＣにドライポンプＤＰ２、ＤＰ
３をそれぞれ独自に設ける必要があった。また、トラン
スファチャンバＴＣ内の圧力を制御するために、キャパ
シタンスマノメータ４や圧力コントローツバルブＰＣＶ
などの圧力制御部品を用いる必要があった。このため、
これらの整備にかかるコストや消費電力が大きいという
問題があった。さらに、トランスファチャンバＴＣ内の
排気中は常にＮ２パージが行われるため、Ｎ２の消費量
が大きいという問題もあった。
【００１２】そこで、本発明の目的は、トランスファチ
ャンバ内の圧力制御を効率よく行うことが可能な圧力制
御方法、搬送装置およびクラスタツールを提供すること
である。
ャンバ内の圧力制御を効率よく行うことが可能な圧力制
御方法、搬送装置およびクラスタツールを提供すること
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１記載の発明によれば、トランスファチ
ャンバを介してカセットチャンバからプロセスチャンバ
へ処理対象を搬送する際に、前記トランスファチャンバ
内の排気を停止させることを特徴とする。
ために、請求項１記載の発明によれば、トランスファチ
ャンバを介してカセットチャンバからプロセスチャンバ
へ処理対象を搬送する際に、前記トランスファチャンバ
内の排気を停止させることを特徴とする。
【００１４】これにより、トランスファチャンバ内の圧
力をほぼ一定に保ちつつ、カセットチャンバからプロセ
スチャンバへ処理対象を搬送することができ、処理対象
の搬送時におけるトランスファチャンバ内の圧力制御を
不要として、給排気設備を集約化することができる。
力をほぼ一定に保ちつつ、カセットチャンバからプロセ
スチャンバへ処理対象を搬送することができ、処理対象
の搬送時におけるトランスファチャンバ内の圧力制御を
不要として、給排気設備を集約化することができる。
【００１５】また、請求項２記載の発明によれば、前記
プロセスチャンバのゲートバルブの開閉状態に基づい
て、前記トランスファチャンバへのパージを行うステッ
プをさらに備えることを特徴とする。
プロセスチャンバのゲートバルブの開閉状態に基づい
て、前記トランスファチャンバへのパージを行うステッ
プをさらに備えることを特徴とする。
【００１６】これにより、プロセスチャンバのゲートバ
ルブが開いた時だけ、トランスファチャンバからプロセ
スチャンバへ向かう気流を生成することが可能となり、
トランスファチャンバ内の排気を停止させた場合におい
ても、パージガスの消費量を抑制しつつ、トランスファ
チャンバ内のパーティクルや汚染物質をプロセスチャン
バを介して排気することが可能となる。
ルブが開いた時だけ、トランスファチャンバからプロセ
スチャンバへ向かう気流を生成することが可能となり、
トランスファチャンバ内の排気を停止させた場合におい
ても、パージガスの消費量を抑制しつつ、トランスファ
チャンバ内のパーティクルや汚染物質をプロセスチャン
バを介して排気することが可能となる。
【００１７】また、請求項３記載の発明によれば、前記
トランスファチャンバをアイドル中に排気するステップ
と、前記トランスファチャンバの排気を停止させ、前記
処理対象が載置されたカセットチャンバを排気するステ
ップと、前記カセットチャンバから前記トランスファチ
ャンバへ前記処理対象を搬送する際に、前記カセットチ
ャンバ内の排気を停止させるステップをさらに備えるこ
とを特徴とする。
トランスファチャンバをアイドル中に排気するステップ
と、前記トランスファチャンバの排気を停止させ、前記
処理対象が載置されたカセットチャンバを排気するステ
ップと、前記カセットチャンバから前記トランスファチ
ャンバへ前記処理対象を搬送する際に、前記カセットチ
ャンバ内の排気を停止させるステップをさらに備えるこ
とを特徴とする。
【００１８】これにより、カセットチャンバとトランス
ファチャンバとの排気を交互に行うことが可能となるこ
とから、カセットチャンバとトランスファチャンバとで
ドライポンプを共有した場合においても、これらのチャ
ンバ間での大気突入を防止することが可能となり、設備
にかかるコストを低減することが可能となる。
ファチャンバとの排気を交互に行うことが可能となるこ
とから、カセットチャンバとトランスファチャンバとで
ドライポンプを共有した場合においても、これらのチャ
ンバ間での大気突入を防止することが可能となり、設備
にかかるコストを低減することが可能となる。
【００１９】また、請求項４記載の発明によれば、トラ
ンスファチャンバを介してカセットチャンバからプロセ
スチャンバへ処理対象を搬送する搬送手段と、前記処理
対象を前記プロセスチャンバに搬送する際に、前記トラ
ンスファチャンバ内の排気を停止させる圧力制御手段と
を備えることを特徴とする。
ンスファチャンバを介してカセットチャンバからプロセ
スチャンバへ処理対象を搬送する搬送手段と、前記処理
対象を前記プロセスチャンバに搬送する際に、前記トラ
ンスファチャンバ内の排気を停止させる圧力制御手段と
を備えることを特徴とする。
【００２０】これにより、トランスファチャンバ内の排
気の停止中に、カセットチャンバの排気を行うことが可
能となることから、トランスファチャンバとカセットチ
ャンバとでドライポンプを共有化して、給排気設備を集
約化することができる。
気の停止中に、カセットチャンバの排気を行うことが可
能となることから、トランスファチャンバとカセットチ
ャンバとでドライポンプを共有化して、給排気設備を集
約化することができる。
【００２１】また、請求項５記載の発明によれば、処理
対象を載置するカセットチャンバと、前記処理対象の処
理を行うプロセスチャンバと、前記カセットチャンバお
よび前記プロセスチャンバとゲートバルブを介して連結
され、前記カセットチャンバから前記プロセスチャンバ
へ前記処理対象を搬送するトランスファチャンバと、前
記カセットチャンバと前記トランスファチャンバとに共
通して設けられたドライポンプと、前記プロセスチャン
バへ前記処理対象を搬送する際に、前記トランスファチ
ャンバ内の排気を停止させる圧力制御手段とを備えるこ
とを特徴とする。
対象を載置するカセットチャンバと、前記処理対象の処
理を行うプロセスチャンバと、前記カセットチャンバお
よび前記プロセスチャンバとゲートバルブを介して連結
され、前記カセットチャンバから前記プロセスチャンバ
へ前記処理対象を搬送するトランスファチャンバと、前
記カセットチャンバと前記トランスファチャンバとに共
通して設けられたドライポンプと、前記プロセスチャン
バへ前記処理対象を搬送する際に、前記トランスファチ
ャンバ内の排気を停止させる圧力制御手段とを備えるこ
とを特徴とする。
【００２２】これにより、トランスファチャンバとカセ
ットチャンバとでドライポンプを共有化することが可能
となり、ウエハのコンタミネーションを抑制しつつ、設
備にかかるコストを抑制することができる。
ットチャンバとでドライポンプを共有化することが可能
となり、ウエハのコンタミネーションを抑制しつつ、設
備にかかるコストを抑制することができる。
【００２３】また、請求項６記載の発明によれば、前記
圧力制御手段は、前記トランスファチャンバ内の排気の
停止中に、前記ドライポンプを用いて前記カセットチャ
ンバ内の排気を行うことを特徴とする。
圧力制御手段は、前記トランスファチャンバ内の排気の
停止中に、前記ドライポンプを用いて前記カセットチャ
ンバ内の排気を行うことを特徴とする。
【００２４】これにより、カセットチャンバとトランス
ファチャンバとでドライポンプを共有した場合において
も、大気突入を防止しつつ、カセットチャンバ内の圧力
とトランスファチャンバ内の圧力とをそれぞれ別個に制
御することが可能となる。
ファチャンバとでドライポンプを共有した場合において
も、大気突入を防止しつつ、カセットチャンバ内の圧力
とトランスファチャンバ内の圧力とをそれぞれ別個に制
御することが可能となる。
【００２５】また、請求項７記載の発明によれば、前記
トランスファチャンバおよび前記カセットチャンバの排
気の停止に伴って、前記ドライポンプの電源をオフする
ことを特徴とする。
トランスファチャンバおよび前記カセットチャンバの排
気の停止に伴って、前記ドライポンプの電源をオフする
ことを特徴とする。
【００２６】これにより、ドライポンプの消費電力の大
幅な削減が可能となる。
幅な削減が可能となる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係わる
圧力制御方法について図面を参照しながら説明する。
圧力制御方法について図面を参照しながら説明する。
【００２８】図１は、本発明の一実施形態に係わる圧力
制御方法が適用されるクラスタツールの概略構成を示す
断面図である。図１において、トランスファチャンバＴ
Ｃには、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２がゲートバル
ブＣＧ１、ＣＧ２を介して連結されるとともに、プロセ
スチャンバＰＣ１、ＰＣ２がゲートバルブＰＧ１、ＰＧ
２を介して連結されている。
制御方法が適用されるクラスタツールの概略構成を示す
断面図である。図１において、トランスファチャンバＴ
Ｃには、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２がゲートバル
ブＣＧ１、ＣＧ２を介して連結されるとともに、プロセ
スチャンバＰＣ１、ＰＣ２がゲートバルブＰＧ１、ＰＧ
２を介して連結されている。
【００２９】ここで、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２
およびトランスファチャンバＴＣでは、ドライポンプＤ
Ｐ１が共有化され、このドライポンプＤＰ１により、カ
セットチャンバＣＣ１、ＣＣ２およびトランスファチャ
ンバＴＣの排気を別個に行う。また、プロセスチャンバ
ＰＣ１、ＰＣ２には、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２
内の排気を行うためのドライポンプＤＰ４、ＤＰ５およ
びターボポンプＴＰ１、ＴＰ２がそれぞれ設けられてい
る。
およびトランスファチャンバＴＣでは、ドライポンプＤ
Ｐ１が共有化され、このドライポンプＤＰ１により、カ
セットチャンバＣＣ１、ＣＣ２およびトランスファチャ
ンバＴＣの排気を別個に行う。また、プロセスチャンバ
ＰＣ１、ＰＣ２には、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２
内の排気を行うためのドライポンプＤＰ４、ＤＰ５およ
びターボポンプＴＰ１、ＴＰ２がそれぞれ設けられてい
る。
【００３０】また、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２お
よびトランスファチャンバＴＣには、Ｎ２パージを行う
ためのＮ２排出部１〜３が設けられ、さらに、トランス
ファチャンバＴＣには、トランスファチャンバＴＣ内の
圧力を検出するためのコンベクトロン５が設けられてい
る。
よびトランスファチャンバＴＣには、Ｎ２パージを行う
ためのＮ２排出部１〜３が設けられ、さらに、トランス
ファチャンバＴＣには、トランスファチャンバＴＣ内の
圧力を検出するためのコンベクトロン５が設けられてい
る。
【００３１】以下、図１のクラスタツールの動作につい
て説明する。
て説明する。
【００３２】図２は、本発明の一実施形態に係わる圧力
制御方法を示すフローチャートである。図２において、
アイドル中は、トランスファチャンバＴＣ内の大気によ
る汚染を防止するため、バルブＶ６を開き、ドライポン
プＤＰ１による排気を行う（ステップＳ１）。
制御方法を示すフローチャートである。図２において、
アイドル中は、トランスファチャンバＴＣ内の大気によ
る汚染を防止するため、バルブＶ６を開き、ドライポン
プＤＰ１による排気を行う（ステップＳ１）。
【００３３】次に、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２内
にウエハＷを搬入する場合、ウエハＷが収容されたカセ
ットＣ１、Ｃ２をカセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２内に
設置する。そして、ゲートバルブＣＧ１、ＣＧ２を閉じ
た状態で、バルブＶ６を閉じることにより、トランスフ
ァチャンバＴＣ内の排気を停止するとともに（ステップ
Ｓ２）、バルブＶ１〜Ｖ４を開き、カセットチャンバＣ
Ｃ１、ＣＣ２内の排気をドライポンプＤＰ１により行う
（ステップＳ３）。
にウエハＷを搬入する場合、ウエハＷが収容されたカセ
ットＣ１、Ｃ２をカセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２内に
設置する。そして、ゲートバルブＣＧ１、ＣＧ２を閉じ
た状態で、バルブＶ６を閉じることにより、トランスフ
ァチャンバＴＣ内の排気を停止するとともに（ステップ
Ｓ２）、バルブＶ１〜Ｖ４を開き、カセットチャンバＣ
Ｃ１、ＣＣ２内の排気をドライポンプＤＰ１により行う
（ステップＳ３）。
【００３４】また、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２内
においても、バルブＶ７〜Ｖ１２の開閉を行い、ドライ
ポンプＤＰ４、ＤＰ５およびターボポンプＴＰ１、ＴＰ
２による排気を行う。
においても、バルブＶ７〜Ｖ１２の開閉を行い、ドライ
ポンプＤＰ４、ＤＰ５およびターボポンプＴＰ１、ＴＰ
２による排気を行う。
【００３５】そして、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２
内の真空引きが終了すると、バルブＶ１〜Ｖ４を閉じる
ことにより、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２内の排気
を停止させる（ステップＳ４）。そして、ゲートバルブ
ＣＧ１、ＣＧ２を開き（ステップＳ５）、搬送アームＡ
Ｒを用いることにより、カセットＣ１、Ｃ２に収容され
たウエハＷをトランスファチャンバＴＣ内に搬送し、さ
らに、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を開き（ステップＳ
６）、トランスファチャンバＴＣ内に搬送されたウエハ
ＷをプロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２内に搬送する。そ
して、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２内へのウエハＷ
の搬送が終了すると、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を閉
じる（ステップＳ７）。
内の真空引きが終了すると、バルブＶ１〜Ｖ４を閉じる
ことにより、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２内の排気
を停止させる（ステップＳ４）。そして、ゲートバルブ
ＣＧ１、ＣＧ２を開き（ステップＳ５）、搬送アームＡ
Ｒを用いることにより、カセットＣ１、Ｃ２に収容され
たウエハＷをトランスファチャンバＴＣ内に搬送し、さ
らに、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を開き（ステップＳ
６）、トランスファチャンバＴＣ内に搬送されたウエハ
ＷをプロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２内に搬送する。そ
して、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２内へのウエハＷ
の搬送が終了すると、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を閉
じる（ステップＳ７）。
【００３６】ここで、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を開
閉に合わせて、バルブＶ１６を開閉し、ゲートバルブＰ
Ｇ１、ＰＧ２が開いた時だけ、トランスファチャンバＴ
Ｃ内のＮ２パージを行う（ステップＳ２１、Ｓ２２）。
これにより、トランスファチャンバＴＣからプロセスチ
ャンバＰＣ１、ＰＣ２へ向かう気流を発生させることが
可能となり、Ｎ２の消費量を抑制しつつ、トランスファ
チャンバＴＣ内の汚染物質をプロセスチャンバＰＣ１、
ＰＣ２を介して排出することが可能となる。
閉に合わせて、バルブＶ１６を開閉し、ゲートバルブＰ
Ｇ１、ＰＧ２が開いた時だけ、トランスファチャンバＴ
Ｃ内のＮ２パージを行う（ステップＳ２１、Ｓ２２）。
これにより、トランスファチャンバＴＣからプロセスチ
ャンバＰＣ１、ＰＣ２へ向かう気流を発生させることが
可能となり、Ｎ２の消費量を抑制しつつ、トランスファ
チャンバＴＣ内の汚染物質をプロセスチャンバＰＣ１、
ＰＣ２を介して排出することが可能となる。
【００３７】プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２内にウエ
ハＷが搬入されると、必要に応じてバルブＶ１７、Ｖ１
８を開くことにより、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２
内に処理ガスＧ１、Ｇ２を導入し、ウエハＷの処理を行
う（ステップＳ８）。なお、プロセスチャンバＰＣ１、
ＰＣ２で行われる処理は、例えば、ＣＶＤ、アニール、
エッチング、蒸着、スパッタ、イオン注入などである。
ハＷが搬入されると、必要に応じてバルブＶ１７、Ｖ１
８を開くことにより、プロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２
内に処理ガスＧ１、Ｇ２を導入し、ウエハＷの処理を行
う（ステップＳ８）。なお、プロセスチャンバＰＣ１、
ＰＣ２で行われる処理は、例えば、ＣＶＤ、アニール、
エッチング、蒸着、スパッタ、イオン注入などである。
【００３８】ウエハＷの処理が終了すると、ゲートバル
ブＰＧ１、ＰＧ２を開き（ステップＳ９）、トランスフ
ァチャンバＴＣ内に搬送されたウエハＷをプロセスチャ
ンバＰＣ１、ＰＣ２内に搬出する。そして、プロセスチ
ャンバＰＣ１、ＰＣ２内へのウエハＷの搬出が終了する
と、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を閉じる（ステップＳ
１０）。なお、この場合も、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ
２を開閉に合わせて、バルブＶ１６を開閉し、ゲートバ
ルブＰＧ１、ＰＧ２が開いた時だけ、トランスファチャ
ンバＴＣ内のＮ２パージを行う（ステップＳ２３、Ｓ２
４）。
ブＰＧ１、ＰＧ２を開き（ステップＳ９）、トランスフ
ァチャンバＴＣ内に搬送されたウエハＷをプロセスチャ
ンバＰＣ１、ＰＣ２内に搬出する。そして、プロセスチ
ャンバＰＣ１、ＰＣ２内へのウエハＷの搬出が終了する
と、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を閉じる（ステップＳ
１０）。なお、この場合も、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ
２を開閉に合わせて、バルブＶ１６を開閉し、ゲートバ
ルブＰＧ１、ＰＧ２が開いた時だけ、トランスファチャ
ンバＴＣ内のＮ２パージを行う（ステップＳ２３、Ｓ２
４）。
【００３９】以上の処理を、処理対象となるウエハＷが
設置された全てのカセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２につ
いて繰り返し、全てのウエハＷについての処理が終了す
ると、ゲートバルブＣＧ１、ＣＧ２を閉じ（ステップＳ
１１）、バルブＶ６を開くことにより、トランスファチ
ャンバＴＣ内の排気を行う（ステップＳ１２）。
設置された全てのカセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２につ
いて繰り返し、全てのウエハＷについての処理が終了す
ると、ゲートバルブＣＧ１、ＣＧ２を閉じ（ステップＳ
１１）、バルブＶ６を開くことにより、トランスファチ
ャンバＴＣ内の排気を行う（ステップＳ１２）。
【００４０】このように、カセットチャンバＣＣ１、Ｃ
Ｃ２とプロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２との間でウエハ
Ｗを搬送する際に、トランスファチャンバＴＣ内の排気
を停止させることにより、トランスファチャンバＴＣ内
の排気を行うドライポンプＤＰ１を用いてカセットチャ
ンバＣＣ１、ＣＣ２内の排気を行うことが可能となり、
カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２とプロセスチャンバＰ
Ｃ１、ＰＣ２とでドライポンプＤＰ１を共用することが
可能となる。
Ｃ２とプロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２との間でウエハ
Ｗを搬送する際に、トランスファチャンバＴＣ内の排気
を停止させることにより、トランスファチャンバＴＣ内
の排気を行うドライポンプＤＰ１を用いてカセットチャ
ンバＣＣ１、ＣＣ２内の排気を行うことが可能となり、
カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２とプロセスチャンバＰ
Ｃ１、ＰＣ２とでドライポンプＤＰ１を共用することが
可能となる。
【００４１】また、ウエハＷの搬送時にトランスファチ
ャンバＴＣ内の排気が停止されることから、ウエハＷの
搬送時におけるトランスファチャンバＴＣ内の圧力制御
が不要となり、図５のキャパシタンスマノメータ４や圧
力コントロールバルブＰＣＶを除去することが可能とな
る。
ャンバＴＣ内の排気が停止されることから、ウエハＷの
搬送時におけるトランスファチャンバＴＣ内の圧力制御
が不要となり、図５のキャパシタンスマノメータ４や圧
力コントロールバルブＰＣＶを除去することが可能とな
る。
【００４２】図３は、本発明の一実施形態に係わる圧力
制御方法を示すタイミングチャートである。なお、この
実施形態では、まず、カセットチャンバＣＣ１からプロ
セスチャンバＰＣ１へウエハＷを搬送した後、カセット
チャンバＣＣ２からプロセスチャンバＰＣ２へウエハＷ
を搬送する場合について説明する。
制御方法を示すタイミングチャートである。なお、この
実施形態では、まず、カセットチャンバＣＣ１からプロ
セスチャンバＰＣ１へウエハＷを搬送した後、カセット
チャンバＣＣ２からプロセスチャンバＰＣ２へウエハＷ
を搬送する場合について説明する。
【００４３】図３において、アイドル中は、バルブＶ６
を開き、ドライポンプＤＰ１による排気を行う。なお、
この時のトランスファチャンバＴＣ内の圧力は、１ｍＴ
ｏｒｒ程度に維持される。
を開き、ドライポンプＤＰ１による排気を行う。なお、
この時のトランスファチャンバＴＣ内の圧力は、１ｍＴ
ｏｒｒ程度に維持される。
【００４４】次に、ウエハＷが収容されたカセットＣ１
をカセットチャンバＣＣ１内に設置する。そして、ゲー
トバルブＣＧ１を閉じた状態で、バルブＶ６を閉じるこ
とにより、トランスファチャンバＴＣ内の排気を停止す
るとともに（Ｔ１）、バルブＶ１を開き（Ｔ１）、カセ
ットチャンバＣＣ１内の排気を緩やかに行った後、バル
ブＶ１を閉じるとともにバルブＶ２を開き、カセットチ
ャンバＣＣ１内の排気を急速に行う。なお、この時のカ
セットチャンバＣＣ１内の圧力は、１７０ｍＴｏｒｒ程
度に維持されるとともに、トランスファチャンバＴＣ内
の排気は停止されているため、トランスファチャンバＴ
Ｃ内の圧力は徐々に上昇する。
をカセットチャンバＣＣ１内に設置する。そして、ゲー
トバルブＣＧ１を閉じた状態で、バルブＶ６を閉じるこ
とにより、トランスファチャンバＴＣ内の排気を停止す
るとともに（Ｔ１）、バルブＶ１を開き（Ｔ１）、カセ
ットチャンバＣＣ１内の排気を緩やかに行った後、バル
ブＶ１を閉じるとともにバルブＶ２を開き、カセットチ
ャンバＣＣ１内の排気を急速に行う。なお、この時のカ
セットチャンバＣＣ１内の圧力は、１７０ｍＴｏｒｒ程
度に維持されるとともに、トランスファチャンバＴＣ内
の排気は停止されているため、トランスファチャンバＴ
Ｃ内の圧力は徐々に上昇する。
【００４５】また、プロセスチャンバＰＣ１内では、ド
ライポンプＤＰ４およびターボポンプＴＰ１による排気
が行われ、０．１ｍＴｏｒｒ程度の圧力に維持される。
ライポンプＤＰ４およびターボポンプＴＰ１による排気
が行われ、０．１ｍＴｏｒｒ程度の圧力に維持される。
【００４６】そして、カセットチャンバＣＣ１内の真空
引きが終了すると、バルブＶ２を閉じて、カセットチャ
ンバＣＣ１内の排気を停止させるとともに、ゲートバル
ブＣＧ１を開く（Ｔ２）。この際、カセットチャンバＣ
Ｃ１とトランスファチャンバＴＣとの圧力差により気流
が生じるが、カセットチャンバＣＣ１およびトランスフ
ァチャンバＴＣは気密状態にあり、カセットチャンバＣ
Ｃ１とトランスファチャンバＴＣとの圧力差は僅かであ
るため、この気流の発生によるパーティクルの巻き上げ
はほとんど生じない。
引きが終了すると、バルブＶ２を閉じて、カセットチャ
ンバＣＣ１内の排気を停止させるとともに、ゲートバル
ブＣＧ１を開く（Ｔ２）。この際、カセットチャンバＣ
Ｃ１とトランスファチャンバＴＣとの圧力差により気流
が生じるが、カセットチャンバＣＣ１およびトランスフ
ァチャンバＴＣは気密状態にあり、カセットチャンバＣ
Ｃ１とトランスファチャンバＴＣとの圧力差は僅かであ
るため、この気流の発生によるパーティクルの巻き上げ
はほとんど生じない。
【００４７】ゲートバルブＣＧ１を開くと、搬送アーム
ＡＲを用いることにより、カセットＣ１に収容されたウ
エハＷをトランスファチャンバＴＣ内に搬送する。そし
て、ゲートバルブＰＧ１を開くとともに、バルブＶ１６
を開き（Ｔ３）、Ｎ２ガスをＮ２排出部３から噴出させ
つつ、ウエハＷをプロセスチャンバＰＣ１内に搬送す
る。
ＡＲを用いることにより、カセットＣ１に収容されたウ
エハＷをトランスファチャンバＴＣ内に搬送する。そし
て、ゲートバルブＰＧ１を開くとともに、バルブＶ１６
を開き（Ｔ３）、Ｎ２ガスをＮ２排出部３から噴出させ
つつ、ウエハＷをプロセスチャンバＰＣ１内に搬送す
る。
【００４８】ここで、ゲートバルブＰＧ１を開いた時に
バルブＶ１６を開くことにより、トランスファチャンバ
ＴＣからプロセスチャンバＰＣ１へ向かう気流を発生さ
せることが可能となり、トランスファチャンバＴＣ内の
排気が停止している場合においても、トランスファチャ
ンバＴＣ内のパーティクルなどをプロセスチャンバＰＣ
１を介して排出することが可能となる。
バルブＶ１６を開くことにより、トランスファチャンバ
ＴＣからプロセスチャンバＰＣ１へ向かう気流を発生さ
せることが可能となり、トランスファチャンバＴＣ内の
排気が停止している場合においても、トランスファチャ
ンバＴＣ内のパーティクルなどをプロセスチャンバＰＣ
１を介して排出することが可能となる。
【００４９】プロセスチャンバＰＣ１内へのウエハＷの
搬送が終了すると、ゲートバルブＰＧ１を閉じるととも
に、バルブＶ１６を閉じ（Ｔ４）、トランスファチャン
バＴＣ内へのＮ２ガスの導入を停止させる。
搬送が終了すると、ゲートバルブＰＧ１を閉じるととも
に、バルブＶ１６を閉じ（Ｔ４）、トランスファチャン
バＴＣ内へのＮ２ガスの導入を停止させる。
【００５０】ここで、ゲートバルブＰＧ１を閉じた時に
バルブＶ１６を閉じることにより、ゲートバルブＰＧ１
が開いた時だけ、トランスファチャンバＴＣ内のＮ２パ
ージを行うことができ、Ｎ２の消費量を抑制しつつ、ト
ランスファチャンバＴＣ内のパーティクルをプロセスチ
ャンバＰＣ１を介して排出することが可能となる。
バルブＶ１６を閉じることにより、ゲートバルブＰＧ１
が開いた時だけ、トランスファチャンバＴＣ内のＮ２パ
ージを行うことができ、Ｎ２の消費量を抑制しつつ、ト
ランスファチャンバＴＣ内のパーティクルをプロセスチ
ャンバＰＣ１を介して排出することが可能となる。
【００５１】プロセスチャンバＰＣ１内にウエハＷが搬
入されると、必要に応じてバルブＶ１７を開くことによ
り、プロセスチャンバＰＣ１内に処理ガスＧ１を導入
し、ウエハＷの処理を行う。この際、プロセスチャンバ
ＰＣ１内の圧力は、プロセスチャンバＰＣ１内で行われ
る処理によって異なる。また、トランスファチャンバＴ
Ｃ内の排気は停止されているため、トランスファチャン
バＴＣ内の圧力は徐々に上昇する。
入されると、必要に応じてバルブＶ１７を開くことによ
り、プロセスチャンバＰＣ１内に処理ガスＧ１を導入
し、ウエハＷの処理を行う。この際、プロセスチャンバ
ＰＣ１内の圧力は、プロセスチャンバＰＣ１内で行われ
る処理によって異なる。また、トランスファチャンバＴ
Ｃ内の排気は停止されているため、トランスファチャン
バＴＣ内の圧力は徐々に上昇する。
【００５２】ウエハＷの処理が終了すると、ゲートバル
ブＰＧ１を開くとともに、バルブＶ１６を開き（Ｔ
５）、Ｎ２ガスをＮ２排出部３から噴出させつつ、ウエ
ハＷをプロセスチャンバＰＣ１から搬出する。そして、
プロセスチャンバＰＣ１からのウエハＷの搬送が終了す
ると、ゲートバルブＰＧ１を閉じるとともに、バルブＶ
１６を閉じ（Ｔ６）、トランスファチャンバＴＣ内への
Ｎ２ガスの導入を停止させる。
ブＰＧ１を開くとともに、バルブＶ１６を開き（Ｔ
５）、Ｎ２ガスをＮ２排出部３から噴出させつつ、ウエ
ハＷをプロセスチャンバＰＣ１から搬出する。そして、
プロセスチャンバＰＣ１からのウエハＷの搬送が終了す
ると、ゲートバルブＰＧ１を閉じるとともに、バルブＶ
１６を閉じ（Ｔ６）、トランスファチャンバＴＣ内への
Ｎ２ガスの導入を停止させる。
【００５３】次に、ウエハＷが収容されたカセットＣ２
をカセットチャンバＣＣ２内に設置する。そして、バル
ブＶ３を開き（Ｔ７）、カセットチャンバＣＣ２内の排
気を緩やかに行った後、バルブＶ３を閉じるとともにバ
ルブＶ４を開き、カセットチャンバＣＣ２内の排気を急
速に行う。ここで、プロセスチャンバＰＣ２内では、ド
ライポンプＤＰ５およびターボポンプＴＰ２による排気
が行われ、０．１ｍＴｏｒｒ程度の圧力に維持される。
をカセットチャンバＣＣ２内に設置する。そして、バル
ブＶ３を開き（Ｔ７）、カセットチャンバＣＣ２内の排
気を緩やかに行った後、バルブＶ３を閉じるとともにバ
ルブＶ４を開き、カセットチャンバＣＣ２内の排気を急
速に行う。ここで、プロセスチャンバＰＣ２内では、ド
ライポンプＤＰ５およびターボポンプＴＰ２による排気
が行われ、０．１ｍＴｏｒｒ程度の圧力に維持される。
【００５４】そして、カセットチャンバＣＣ２内の真空
引きが終了すると、バルブＶ４を閉じることにより、カ
セットチャンバＣＣ２内の排気を停止させ、ゲートバル
ブＣＧ２を開く（Ｔ８）。
引きが終了すると、バルブＶ４を閉じることにより、カ
セットチャンバＣＣ２内の排気を停止させ、ゲートバル
ブＣＧ２を開く（Ｔ８）。
【００５５】ゲートバルブＣＧ２を開くと、搬送アーム
ＡＲを用いることにより、カセットＣ２に収容されたウ
エハＷをトランスファチャンバＴＣ内に搬送する。そし
て、ゲートバルブＰＧ２を開くとともに、バルブＶ１６
を開き（Ｔ９）、Ｎ２ガスをＮ２排出部３から噴出させ
つつ、ウエハＷをプロセスチャンバＰＣ２内に搬送す
る。
ＡＲを用いることにより、カセットＣ２に収容されたウ
エハＷをトランスファチャンバＴＣ内に搬送する。そし
て、ゲートバルブＰＧ２を開くとともに、バルブＶ１６
を開き（Ｔ９）、Ｎ２ガスをＮ２排出部３から噴出させ
つつ、ウエハＷをプロセスチャンバＰＣ２内に搬送す
る。
【００５６】プロセスチャンバＰＣ２内へのウエハＷの
搬送が終了すると、ゲートバルブＰＧ２を閉じるととも
に、バルブＶ１６を閉じ（Ｔ１０）、トランスファチャ
ンバＴＣ内へのＮ２ガスの導入を停止させる。
搬送が終了すると、ゲートバルブＰＧ２を閉じるととも
に、バルブＶ１６を閉じ（Ｔ１０）、トランスファチャ
ンバＴＣ内へのＮ２ガスの導入を停止させる。
【００５７】プロセスチャンバＰＣ１内にウエハＷが搬
入されると、必要に応じてバルブＶ１８を開くことによ
り、プロセスチャンバＰＣ２内に処理ガスＧ２を導入
し、ウエハＷの処理を行う。この際、プロセスチャンバ
ＰＣ２内の圧力は、プロセスチャンバＰＣ２内で行われ
る処理によって異なる。また、トランスファチャンバＴ
Ｃ内の排気は停止されているため、トランスファチャン
バＴＣ内の圧力は徐々に上昇する。
入されると、必要に応じてバルブＶ１８を開くことによ
り、プロセスチャンバＰＣ２内に処理ガスＧ２を導入
し、ウエハＷの処理を行う。この際、プロセスチャンバ
ＰＣ２内の圧力は、プロセスチャンバＰＣ２内で行われ
る処理によって異なる。また、トランスファチャンバＴ
Ｃ内の排気は停止されているため、トランスファチャン
バＴＣ内の圧力は徐々に上昇する。
【００５８】ウエハＷの処理が終了すると、ゲートバル
ブＰＧ２を開くとともに、バルブＶ１６を開き（Ｔ１
１）、Ｎ２ガスをＮ２排出部３から噴出させつつ、ウエ
ハＷをプロセスチャンバＰＣ２から搬出する。プロセス
チャンバＰＣ２からのウエハＷの搬送が終了すると、ゲ
ートバルブＰＧ２を閉じるとともに、バルブＶ１６を閉
じ（Ｔ１２）、トランスファチャンバＴＣ内へのＮ２ガ
スの導入を停止させる。
ブＰＧ２を開くとともに、バルブＶ１６を開き（Ｔ１
１）、Ｎ２ガスをＮ２排出部３から噴出させつつ、ウエ
ハＷをプロセスチャンバＰＣ２から搬出する。プロセス
チャンバＰＣ２からのウエハＷの搬送が終了すると、ゲ
ートバルブＰＧ２を閉じるとともに、バルブＶ１６を閉
じ（Ｔ１２）、トランスファチャンバＴＣ内へのＮ２ガ
スの導入を停止させる。
【００５９】図４は、本発明の一実施形態に係わる搬送
方法によるパーティクルの発生個数を示す図である。図
４において、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２にウエハ
Ｗを置いた場合（待機）、カセットチャンバＣＣ１、Ｃ
Ｃ２とプロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２との間でウエハ
Ｗを搬送した場合（真空搬送）、さらにウエハＷのエッ
チングを３０秒行った場合（ＲＦ搬送３０秒）のそれぞ
れについて、初期状態、１０時間ランニング、３０時間
ランニング、５０時間ランニング後のパーティクル（大
きさが０．２μｍ以上）の個数を調べた。この場合、ウ
エハＷの搬送時にトランスファチャンバＴＣ内の排気を
停止し、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を開いた時だけト
ランスファチャンバＴＣ内のＮ２パージを行っても、パ
ーティクルの個数はほとんど変化しなかった。
方法によるパーティクルの発生個数を示す図である。図
４において、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２にウエハ
Ｗを置いた場合（待機）、カセットチャンバＣＣ１、Ｃ
Ｃ２とプロセスチャンバＰＣ１、ＰＣ２との間でウエハ
Ｗを搬送した場合（真空搬送）、さらにウエハＷのエッ
チングを３０秒行った場合（ＲＦ搬送３０秒）のそれぞ
れについて、初期状態、１０時間ランニング、３０時間
ランニング、５０時間ランニング後のパーティクル（大
きさが０．２μｍ以上）の個数を調べた。この場合、ウ
エハＷの搬送時にトランスファチャンバＴＣ内の排気を
停止し、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を開いた時だけト
ランスファチャンバＴＣ内のＮ２パージを行っても、パ
ーティクルの個数はほとんど変化しなかった。
【００６０】このため、上述した実施形態によれば、パ
ーティクルによるウエハＷの汚染を引き起こすことな
く、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２とトランスファチ
ャンバＴＣとでドライポンプＤＰ１を共有化することが
可能となるとともに、Ｎ２の消費量も減らすことができ
る。
ーティクルによるウエハＷの汚染を引き起こすことな
く、カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２とトランスファチ
ャンバＴＣとでドライポンプＤＰ１を共有化することが
可能となるとともに、Ｎ２の消費量も減らすことができ
る。
【００６１】なお、上述した実施形態では、カセットチ
ャンバＣＣ１、ＣＣ２がトランスファチャンバＴＣに直
接連結された場合について説明したが、カセットチャン
バＣＣ１、ＣＣ２は、ロードロック室であってもよい。
ャンバＣＣ１、ＣＣ２がトランスファチャンバＴＣに直
接連結された場合について説明したが、カセットチャン
バＣＣ１、ＣＣ２は、ロードロック室であってもよい。
【００６２】また、上述した実施形態では、ウエハＷの
搬送中はトランスファチャンバＴＣ内の排気を常に停止
させる場合について説明したが、ウエハＷの搬送中にト
ランスファチャンバＴＣ内の圧力が所定値を超えた場合
は、トランスファチャンバＴＣ内の排気を一時的に行う
ようにしてもよい。
搬送中はトランスファチャンバＴＣ内の排気を常に停止
させる場合について説明したが、ウエハＷの搬送中にト
ランスファチャンバＴＣ内の圧力が所定値を超えた場合
は、トランスファチャンバＴＣ内の排気を一時的に行う
ようにしてもよい。
【００６３】さらに、トランスファチャンバＴＣおよび
カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２の排気の停止に伴っ
て、これらのドライポンプＤＰ１の電源をオフするよう
にしてもよく、これにより、ドライポンプＤＰ１の消費
電力の大幅な削減が可能となる。
カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２の排気の停止に伴っ
て、これらのドライポンプＤＰ１の電源をオフするよう
にしてもよく、これにより、ドライポンプＤＰ１の消費
電力の大幅な削減が可能となる。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カセットチャンバからプロセスチャンバへ処理対象を搬
送する際に、トランスファチャンバ内の排気を停止させ
ることにより、カセットチャンバとトランスファチャン
バとでドライポンプを共有化することが可能となるとと
もに、処理対象の搬送時におけるトランスファチャンバ
内の圧力制御を不要とすることができ、給排気設備を集
約化することが可能となる。
カセットチャンバからプロセスチャンバへ処理対象を搬
送する際に、トランスファチャンバ内の排気を停止させ
ることにより、カセットチャンバとトランスファチャン
バとでドライポンプを共有化することが可能となるとと
もに、処理対象の搬送時におけるトランスファチャンバ
内の圧力制御を不要とすることができ、給排気設備を集
約化することが可能となる。
【図１】本発明の一実施形態に係わる圧力制御方法が適
用されるクラスタツールの概略構成を示す断面図であ
る。
用されるクラスタツールの概略構成を示す断面図であ
る。
【図２】本発明の一実施形態に係わる圧力制御方法を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図３】本発明の一実施形態に係わる圧力制御方法を示
すタイミングチャートである。
すタイミングチャートである。
【図４】本発明の一実施形態に係わる搬送方法によるパ
ーティクルの発生個数を示す図である。
ーティクルの発生個数を示す図である。
【図５】従来の圧力制御方法が適用されるクラスタツー
ルの概略構成を示す断面図である。
ルの概略構成を示す断面図である。
ＣＣ１、ＣＣ２ カセットチャンバ ＴＣ トランスファチャンバ ＰＣ１、ＰＣ２ プロセスチャンバ ＤＰ１〜ＤＰ５ ドライポンプ ＣＧ１、ＣＧ２、ＰＧ１、ＰＧ２ ゲートバルブ ＴＰ１、ＴＰ２ ターボポンプ Ｖ１〜Ｖ１９ バルブ ＯＦ オリフラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 利光 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA11 FA12 JA47 NA05 NA15 NA20
Claims (7)
- 【請求項１】 トランスファチャンバを介してカセット
チャンバからプロセスチャンバへ処理対象を搬送する際
に、前記トランスファチャンバ内の排気を停止させるこ
とを特徴とする圧力制御方法。 - 【請求項２】 前記プロセスチャンバのゲートバルブの
開閉状態に基づいて、前記トランスファチャンバへのパ
ージを行うステップをさらに備えることを特徴とする請
求項１記載の圧力制御方法。 - 【請求項３】 前記トランスファチャンバをアイドル中
に排気するステップと、 前記トランスファチャンバの排気を停止させ、前記処理
対象が載置されたカセットチャンバを排気するステップ
と、 前記カセットチャンバから前記トランスファチャンバへ
前記処理対象を搬送する際に、前記カセットチャンバ内
の排気を停止させるステップをさらに備えることを特徴
とする請求項１または２記載の圧力制御方法。 - 【請求項４】 トランスファチャンバを介してカセット
チャンバからプロセスチャンバへ処理対象を搬送する搬
送手段と、 前記処理対象を前記プロセスチャンバに搬送する際に、
前記トランスファチャンバ内の排気を停止させる圧力制
御手段とを備えることを特徴とする搬送装置。 - 【請求項５】 処理対象を載置するカセットチャンバ
と、 前記処理対象の処理を行うプロセスチャンバと、 前記カセットチャンバおよび前記プロセスチャンバとゲ
ートバルブを介して連結され、前記カセットチャンバか
ら前記プロセスチャンバへ前記処理対象を搬送するトラ
ンスファチャンバと、 前記カセットチャンバと前記トランスファチャンバとに
共通して設けられたドライポンプと、 前記プロセスチャンバへ前記処理対象を搬送する際に、
前記トランスファチャンバ内の排気を停止させる圧力制
御手段とを備えることを特徴とするクラスタツール。 - 【請求項６】 前記圧力制御手段は、前記トランスファ
チャンバ内の排気の停止中に、前記ドライポンプを用い
て前記カセットチャンバ内の排気を行うことを特徴とす
る請求項５記載のクラスタツール。 - 【請求項７】 前記トランスファチャンバおよび前記カ
セットチャンバの排気の停止に伴って、前記ドライポン
プの電源をオフすることを特徴とする請求項５または６
記載のクラスタツール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000395263A JP2002198411A (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | 圧力制御方法、搬送装置およびクラスタツール |
| PCT/JP2001/011338 WO2002052638A1 (fr) | 2000-12-26 | 2001-12-25 | Procede de regulation de pression, dispositif de transfert, et outil en grappe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000395263A JP2002198411A (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | 圧力制御方法、搬送装置およびクラスタツール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002198411A true JP2002198411A (ja) | 2002-07-12 |
| JP2002198411A5 JP2002198411A5 (ja) | 2008-02-14 |
Family
ID=18860753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000395263A Pending JP2002198411A (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | 圧力制御方法、搬送装置およびクラスタツール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002198411A (ja) |
| WO (1) | WO2002052638A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2012042800A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 株式会社アルバック | ロードロック装置、排気制御装置及びロードロック装置の動作方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4451076B2 (ja) * | 2003-04-16 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
| CN111120281B (zh) * | 2018-10-31 | 2021-07-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 共享干泵***的控制方法以及共享干泵*** |
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855681A (en) * | 1996-11-18 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Ultra high throughput wafer vacuum processing system |
| JPH10270527A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Ulvac Japan Ltd | 複合型真空処理装置 |
| JPH11204508A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
-
2000
- 2000-12-26 JP JP2000395263A patent/JP2002198411A/ja active Pending
-
2001
- 2001-12-25 WO PCT/JP2001/011338 patent/WO2002052638A1/ja active Application Filing
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| JP5493005B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-05-14 | 株式会社アルバック | ロードロック装置、排気制御装置及びロードロック装置の動作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002052638A1 (fr) | 2002-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071225 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20110222 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110705 |