JPH07183618A - 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置、半導体レーザ装置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、薄膜の制御性，面内均一性に優れ
た気相成長法を用いて作製することができ、かつ、電流
が溝内に集中して低しきい値で動作できるようにするこ
とを目的とする。 【構成】 この発明は、第１導電型の基板１０１と、第
１導電型のクラッド層１０２と、電流ブロック層１０３
と、Ｖ溝ストライプ１０４と、活性層１０５と、第２導
電型のクラッド層１０６及び第２導電型のコンタクト層
１０７と、第１導電型に対応した電極１０９と、第２導
電型と対応した第２の電極１０８とを備えたものであ
る。
た気相成長法を用いて作製することができ、かつ、電流
が溝内に集中して低しきい値で動作できるようにするこ
とを目的とする。 【構成】 この発明は、第１導電型の基板１０１と、第
１導電型のクラッド層１０２と、電流ブロック層１０３
と、Ｖ溝ストライプ１０４と、活性層１０５と、第２導
電型のクラッド層１０６及び第２導電型のコンタクト層
１０７と、第１導電型に対応した電極１０９と、第２導
電型と対応した第２の電極１０８とを備えたものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ装置、半導
体レーザ装置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置に
関する。
体レーザ装置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は石川らが１９８１年（Ｅlectro.
Ｌet.p.465）に示している従来の半導体レーザ装置を示
す。この半導体レーザ装置は、ｎ型ＩｎＰからなる基板
１上にｐ型ＩｎＰからなる電流ブロック層２が形成さ
れ、化学エッチングにより電流ブロック層２及び基板１
が基板１に達する深さで除去されることによりＶ溝３が
形成されて結晶面が出される。また、電流ブロック層２
上及びＶ溝３の底部にはｎ型ＩｎＰからなるクラッド層
４及びＧａＩｎＡｓＰからなる活性層５が積層され、そ
の上にｐ型ＩｎＰからなるクラッド層６が形成される。
さらに、クラッド層６の上にｐ型ＧａＩｎＡｓＰからな
るコンタクト層７が形成され、このコンタクト層７及び
基板１の表面に電極８，９が形成される。この半導体レ
ーザ装置では、溝３の中に活性層５が埋め込まれ、溝３
の両側に形成された、電流ブロック層２及び基板１とク
ラッド層４とのｐｎ逆バイアス接合により、電流が溝３
内の活性層５に集中し、これにより、９〜２０ｍＡの低
しきい値で動作する。
Ｌet.p.465）に示している従来の半導体レーザ装置を示
す。この半導体レーザ装置は、ｎ型ＩｎＰからなる基板
１上にｐ型ＩｎＰからなる電流ブロック層２が形成さ
れ、化学エッチングにより電流ブロック層２及び基板１
が基板１に達する深さで除去されることによりＶ溝３が
形成されて結晶面が出される。また、電流ブロック層２
上及びＶ溝３の底部にはｎ型ＩｎＰからなるクラッド層
４及びＧａＩｎＡｓＰからなる活性層５が積層され、そ
の上にｐ型ＩｎＰからなるクラッド層６が形成される。
さらに、クラッド層６の上にｐ型ＧａＩｎＡｓＰからな
るコンタクト層７が形成され、このコンタクト層７及び
基板１の表面に電極８，９が形成される。この半導体レ
ーザ装置では、溝３の中に活性層５が埋め込まれ、溝３
の両側に形成された、電流ブロック層２及び基板１とク
ラッド層４とのｐｎ逆バイアス接合により、電流が溝３
内の活性層５に集中し、これにより、９〜２０ｍＡの低
しきい値で動作する。
【０００３】また、ＭＯＶＰＥ法の特徴を生かした別の
従来の半導体レーザ装置として、ＳＢＡ（Ｓelf aligne
d laser with Ｂent Ａctive layer）レーザがある。図
１０は三橋らが昭和６０年春期応用物理学会関係講演会
（３０ａ−ＺＢ−４）で報告したＳＢＡレーザを示す。
このＳＢＡレーザは、ｐ型ＧａＡｓからなる基板１０の
上にｐ型ＡｌＧａＡｓからなる第１クラッド層１１及び
ｎ型ＧａＡｓからなる電流ブロック層１２が積層され、
この電流ブロック層１２には断面が逆台形である溝１３
が形成されてこの溝１３の底部で第１クラッド層１１が
露出している。第１クラッド層１１及び電流ブロック層
１２の上にはｐ型ＡｌＧａＡｓからなる第２クラッド層
１４、Ｐ型，ｎ型またはアンドープのＡｌＧａＡｓから
なる活性層１５、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層
１６、ｎ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１７が積層さ
れ、このコンタクト層１７及び基板１１の表面に電極１
８，１９が取り付けられる。
従来の半導体レーザ装置として、ＳＢＡ（Ｓelf aligne
d laser with Ｂent Ａctive layer）レーザがある。図
１０は三橋らが昭和６０年春期応用物理学会関係講演会
（３０ａ−ＺＢ−４）で報告したＳＢＡレーザを示す。
このＳＢＡレーザは、ｐ型ＧａＡｓからなる基板１０の
上にｐ型ＡｌＧａＡｓからなる第１クラッド層１１及び
ｎ型ＧａＡｓからなる電流ブロック層１２が積層され、
この電流ブロック層１２には断面が逆台形である溝１３
が形成されてこの溝１３の底部で第１クラッド層１１が
露出している。第１クラッド層１１及び電流ブロック層
１２の上にはｐ型ＡｌＧａＡｓからなる第２クラッド層
１４、Ｐ型，ｎ型またはアンドープのＡｌＧａＡｓから
なる活性層１５、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層
１６、ｎ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１７が積層さ
れ、このコンタクト層１７及び基板１１の表面に電極１
８，１９が取り付けられる。
【０００４】このＳＢＡレーザにおいては、電流は電流
ブロック層１２のストライプ状の溝１３の開口部を通っ
て流れ、活性層１５における溝１３の開口部上方に位置
する部分２０が活性領域となる。また、ＭＯＶＰＥ法を
用いたことにより、活性層１５を溝１３の形状に近い形
に屈曲させることができ、この屈曲部分において水平方
向に屈折率差が生じ、この方向の光閉じ込めが可能にな
る。
ブロック層１２のストライプ状の溝１３の開口部を通っ
て流れ、活性層１５における溝１３の開口部上方に位置
する部分２０が活性領域となる。また、ＭＯＶＰＥ法を
用いたことにより、活性層１５を溝１３の形状に近い形
に屈曲させることができ、この屈曲部分において水平方
向に屈折率差が生じ、この方向の光閉じ込めが可能にな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記図９に示した半導
体レーザ装置では、活性層５をＶ溝３内に埋め込むの
で、Ｖ溝３作製後の２回目の成長方法としてＬＰＥ法を
用いる必要がある。しかしながら、ＬＰＥ法では、薄い
膜を制御性よく作製することや、基板１内の層厚の均一
性を得ることが困難であった。
体レーザ装置では、活性層５をＶ溝３内に埋め込むの
で、Ｖ溝３作製後の２回目の成長方法としてＬＰＥ法を
用いる必要がある。しかしながら、ＬＰＥ法では、薄い
膜を制御性よく作製することや、基板１内の層厚の均一
性を得ることが困難であった。
【０００６】また、上記ＳＢＡレーザでは、逆台形の溝
１３の外側において第１クラッド層１１、電流ブロック
層１２、第２クラッド層１４、クラッド層１６のｐｎｐ
ｎ型逆バイアス接合を用いて電流ブロックを行ってお
り、その一部を構成している第２クラッド層１４の層厚
としては、逆バイアス印加時に空乏層が層全体に広がっ
てパンチスルー状態となってしまわないようにするため
に、キャリア濃度を〜１０18／ｃｍ3程度まで上げなけ
ればならないので、抵抗が低くなってしまう。このた
め、電流は第２クラッド層１４内で接合面に平行な方向
に広がってしまう。従って、低しきい電流値で動作させ
る上で問題となる。
１３の外側において第１クラッド層１１、電流ブロック
層１２、第２クラッド層１４、クラッド層１６のｐｎｐ
ｎ型逆バイアス接合を用いて電流ブロックを行ってお
り、その一部を構成している第２クラッド層１４の層厚
としては、逆バイアス印加時に空乏層が層全体に広がっ
てパンチスルー状態となってしまわないようにするため
に、キャリア濃度を〜１０18／ｃｍ3程度まで上げなけ
ればならないので、抵抗が低くなってしまう。このた
め、電流は第２クラッド層１４内で接合面に平行な方向
に広がってしまう。従って、低しきい電流値で動作させ
る上で問題となる。
【０００７】本発明は、上記欠点を改善し、薄膜の制御
性，面内均一性に優れた気相成長法を用いて作製するこ
とができ、かつ、電流が溝内に集中して低しきい値で動
作することができる半導体レーザ装置、半導体レーザ装
置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置を提供するこ
とを目的とする。
性，面内均一性に優れた気相成長法を用いて作製するこ
とができ、かつ、電流が溝内に集中して低しきい値で動
作することができる半導体レーザ装置、半導体レーザ装
置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、第１導電型の基板と、この
基板上に形成された第１導電型の第１のクラッド層と、
この第１のクラッド層上に形成された電流ブロック層
と、この電流ブロック層及び前記第１のクラッド層が共
振器端面に垂直な方向に溝の先端が前記第１のクラッド
層に達する深さで除去されて形成されたＶ溝ストライプ
と、このＶ溝ストライプに沿って前記電流ブロック層及
び前記第１のクラッド層の上に低抵抗層をはさまずに形
成された活性層と、この活性層の上に順次に形成された
第２導電型の第２のクラッド層及び第２導電型のコンタ
クト層と、前記基板における前記第１のクラッド層が形
成された面とは反対側の表面に形成され第１導電型に対
応した第１の電極と、前記コンタクト層の表面に形成さ
れ第２導電型と対応した第２の電極とを備えたものであ
る。
め、請求項１記載の発明は、第１導電型の基板と、この
基板上に形成された第１導電型の第１のクラッド層と、
この第１のクラッド層上に形成された電流ブロック層
と、この電流ブロック層及び前記第１のクラッド層が共
振器端面に垂直な方向に溝の先端が前記第１のクラッド
層に達する深さで除去されて形成されたＶ溝ストライプ
と、このＶ溝ストライプに沿って前記電流ブロック層及
び前記第１のクラッド層の上に低抵抗層をはさまずに形
成された活性層と、この活性層の上に順次に形成された
第２導電型の第２のクラッド層及び第２導電型のコンタ
クト層と、前記基板における前記第１のクラッド層が形
成された面とは反対側の表面に形成され第１導電型に対
応した第１の電極と、前記コンタクト層の表面に形成さ
れ第２導電型と対応した第２の電極とを備えたものであ
る。
【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置を製造する半導体レーザ装置製造方法で
あって、前記活性層と前記第２のクラッド層及び前記コ
ンタクト層を気相成長法を用いてエピタキシャル成長に
より形成する。
導体レーザ装置を製造する半導体レーザ装置製造方法で
あって、前記活性層と前記第２のクラッド層及び前記コ
ンタクト層を気相成長法を用いてエピタキシャル成長に
より形成する。
【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置において、前記電流ブロック層として高
抵抗のＡｌWＧａ1-WＡｓを用いたものである。
導体レーザ装置において、前記電流ブロック層として高
抵抗のＡｌWＧａ1-WＡｓを用いたものである。
【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置において、前記電流ブロック層として、
前記基板側から順に第２導電型ＡｌWＧａ1-WＡｓ、第１
導電型ＡｌW'Ｇａ1-W'Ａｓを積層し、前記Ｗ’が正の値
でＷ＞Ｚ，Ｗ’＞Ｚなる関係を有するものである。
導体レーザ装置において、前記電流ブロック層として、
前記基板側から順に第２導電型ＡｌWＧａ1-WＡｓ、第１
導電型ＡｌW'Ｇａ1-W'Ａｓを積層し、前記Ｗ’が正の値
でＷ＞Ｚ，Ｗ’＞Ｚなる関係を有するものである。
【００１２】請求項５記載の発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置において、前記電流ブロック層の表面上
にｎ型，ｐ型あるいはアンドープのＧａＡｓからなるキ
ャップ層を積層したものである。
導体レーザ装置において、前記電流ブロック層の表面上
にｎ型，ｐ型あるいはアンドープのＧａＡｓからなるキ
ャップ層を積層したものである。
【００１３】請求項６記載の発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置を製造する半導体レーザ装置製造方法で
あって、２回目のエピタキシャル成長直前にチャンバー
内で気相エッチングを行う過程を含む。
導体レーザ装置を製造する半導体レーザ装置製造方法で
あって、２回目のエピタキシャル成長直前にチャンバー
内で気相エッチングを行う過程を含む。
【００１４】請求項７記載の発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置において、前記活性層に隣接して少なく
とも前記基板側に光閉じ込め層を有するＳＣＨ構造とし
たものである。
導体レーザ装置において、前記活性層に隣接して少なく
とも前記基板側に光閉じ込め層を有するＳＣＨ構造とし
たものである。
【００１５】請求項８記載の発明は、請求項７記載の半
導体レーザ装置において、前記活性層を量子井戸構造と
したものである。
導体レーザ装置において、前記活性層を量子井戸構造と
したものである。
【００１６】請求項９記載の発明は、請求項７記載の半
導体レーザ装置において、前記活性層を歪量子井戸構造
としたものである。
導体レーザ装置において、前記活性層を歪量子井戸構造
としたものである。
【００１７】請求項１０記載の発明は、請求項１記載の
半導体レーザ装置において、前記コンタクト層と前記第
２の電極との間に少なくとも前記Ｖ溝ストライプの上側
を除いて絶縁層を積層したものである。
半導体レーザ装置において、前記コンタクト層と前記第
２の電極との間に少なくとも前記Ｖ溝ストライプの上側
を除いて絶縁層を積層したものである。
【００１８】請求項１１記載の発明は、請求項１記載の
半導体レーザ装置を基板上に複数個一列に並べて該複数
個の半導体レーザ装置の各第２の電極を電気的に分離
し、該複数個の半導体レーザ装置を個別に動作可能とし
たものである。
半導体レーザ装置を基板上に複数個一列に並べて該複数
個の半導体レーザ装置の各第２の電極を電気的に分離
し、該複数個の半導体レーザ装置を個別に動作可能とし
たものである。
【００１９】
【作用】請求項１記載の発明では、活性層が電流ブロッ
ク層及び第１のクラッド層の上にＶ溝ストライプに沿っ
て低抵抗層をはさまずに形成されていることにより、電
流の横方向の広がりが抑制される。
ク層及び第１のクラッド層の上にＶ溝ストライプに沿っ
て低抵抗層をはさまずに形成されていることにより、電
流の横方向の広がりが抑制される。
【００２０】請求項３記載の発明では、請求項１記載の
半導体レーザ装置において、電流ブロック層として高抵
抗のＡｌWＧａ1-WＡｓを用いたことにより、Ｖ溝ストラ
イプ内への電流狭窄が行われる。
半導体レーザ装置において、電流ブロック層として高抵
抗のＡｌWＧａ1-WＡｓを用いたことにより、Ｖ溝ストラ
イプ内への電流狭窄が行われる。
【００２１】請求項４記載の発明では、請求項１記載の
半導体レーザ装置において、電流ブロック層として、基
板側から順に第２導電型ＡｌWＧａ1-WＡｓ、第１導電型
ＡｌW'Ｇａ1-W'Ａｓを積層してＷ’が正の値でＷ＞Ｚ，
Ｗ’＞Ｚなる関係を有することにより、Ｖ溝ストライプ
内への電流狭窄が行われる。
半導体レーザ装置において、電流ブロック層として、基
板側から順に第２導電型ＡｌWＧａ1-WＡｓ、第１導電型
ＡｌW'Ｇａ1-W'Ａｓを積層してＷ’が正の値でＷ＞Ｚ，
Ｗ’＞Ｚなる関係を有することにより、Ｖ溝ストライプ
内への電流狭窄が行われる。
【００２２】請求項５記載の発明では、請求項１記載の
半導体レーザ装置において、電流ブロック層の表面上に
積層したｎ型，ｐ型あるいはアンドープのＧａＡｓから
なるキャップ層は酸化性の強い材料であるＡｌＧａＡｓ
電流ブロック層の表面の酸化が防がれる。
半導体レーザ装置において、電流ブロック層の表面上に
積層したｎ型，ｐ型あるいはアンドープのＧａＡｓから
なるキャップ層は酸化性の強い材料であるＡｌＧａＡｓ
電流ブロック層の表面の酸化が防がれる。
【００２３】請求項７記載の発明では、請求項１記載の
半導体レーザ装置において、活性層に隣接して少なくと
も基板側に光閉じ込め層を有するＳＣＨ構造としたこと
により、光の閉じ込め領域とキャリアの閉じ込め領域が
分離され、活性層を薄くしてもしきい電流密度の上昇が
起こらなくなる。更に、Ｖ溝ストライプの形成後に活性
層を含む層が２回目のエピタキシャル成長で形成される
ことにより、基板側の光導波層は活性層と、一度大気に
さらされたエッチング後のＶ溝ストライプ表面との間に
挿入されてバッファ層として働き、活性層の結晶性の低
下が防がれる。
半導体レーザ装置において、活性層に隣接して少なくと
も基板側に光閉じ込め層を有するＳＣＨ構造としたこと
により、光の閉じ込め領域とキャリアの閉じ込め領域が
分離され、活性層を薄くしてもしきい電流密度の上昇が
起こらなくなる。更に、Ｖ溝ストライプの形成後に活性
層を含む層が２回目のエピタキシャル成長で形成される
ことにより、基板側の光導波層は活性層と、一度大気に
さらされたエッチング後のＶ溝ストライプ表面との間に
挿入されてバッファ層として働き、活性層の結晶性の低
下が防がれる。
【００２４】請求項８記載の発明では、請求項７記載の
半導体レーザ装置において、活性層を量子井戸構造とし
たことにより、活性層はＶ溝ストライプの底では周囲が
バリア層でおおわれた３角形の形状となる。この井戸層
の３角形の領域では、キャリアは、積層方向に対して閉
じ込められるのみならず、水平方向に対しても閉じ込め
られ、量子細線として働く。
半導体レーザ装置において、活性層を量子井戸構造とし
たことにより、活性層はＶ溝ストライプの底では周囲が
バリア層でおおわれた３角形の形状となる。この井戸層
の３角形の領域では、キャリアは、積層方向に対して閉
じ込められるのみならず、水平方向に対しても閉じ込め
られ、量子細線として働く。
【００２５】請求項９記載の発明では、請求項７記載の
半導体レーザ装置において、活性層を歪量子井戸構造と
したことにより、バリア層と井戸層の材料系としてわず
かな格子不整合を有するものが用いられて各層の厚さが
臨界膜厚以下の薄い層で積層されると、歪量子井戸構造
となる。この歪量子井戸構造においては、井戸層は引っ
張り歪または圧縮歪を受けることによりバンド構造が変
化し、歪がない場合に比べてホールの閉じ込め効果が増
し、よりしきい電流値が低減する。
半導体レーザ装置において、活性層を歪量子井戸構造と
したことにより、バリア層と井戸層の材料系としてわず
かな格子不整合を有するものが用いられて各層の厚さが
臨界膜厚以下の薄い層で積層されると、歪量子井戸構造
となる。この歪量子井戸構造においては、井戸層は引っ
張り歪または圧縮歪を受けることによりバンド構造が変
化し、歪がない場合に比べてホールの閉じ込め効果が増
し、よりしきい電流値が低減する。
【００２６】請求項１０記載の発明では、請求項１記載
の半導体レーザ装置において、コンタクト層と第２の電
極との間に少なくともＶ溝ストライプの上側を除いて絶
縁層を積層したことにより、この絶縁層が結晶欠陥を通
じて第１の電極と第２の電極との間に流れるリーク電流
を防止する。
の半導体レーザ装置において、コンタクト層と第２の電
極との間に少なくともＶ溝ストライプの上側を除いて絶
縁層を積層したことにより、この絶縁層が結晶欠陥を通
じて第１の電極と第２の電極との間に流れるリーク電流
を防止する。
【００２７】請求項１１記載の発明では、請求項１記載
の半導体レーザ装置を基板上に複数個一列に並べて該複
数個の半導体レーザ装置の各第２の電極を電気的に分離
したことにより、複数個の半導体レーザ装置が個別に動
作可能となる。
の半導体レーザ装置を基板上に複数個一列に並べて該複
数個の半導体レーザ装置の各第２の電極を電気的に分離
したことにより、複数個の半導体レーザ装置が個別に動
作可能となる。
【００２８】
【実施例】図１は本発明の第１実施例を示す。この第１
実施例は請求項１，３記載の発明の実施例であり、第１
導電型、例えばｎ型のＧａＡｓからなる基板１０１上に
ｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓからなるクラッド層１０２が形成
される。このクラッド層１０２は例えばＸを０．３５の
正の値としてｎ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓにより形成され
る。クラッド層１０２の上にはｎ型ＡｌWＧａ1-WＡｓか
らなる電流ブロック層１０３が形成され、この電流ブロ
ック層１０３は例えばＷを０．４の正の値としてアンド
ープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓにより形成される。
実施例は請求項１，３記載の発明の実施例であり、第１
導電型、例えばｎ型のＧａＡｓからなる基板１０１上に
ｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓからなるクラッド層１０２が形成
される。このクラッド層１０２は例えばＸを０．３５の
正の値としてｎ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓにより形成され
る。クラッド層１０２の上にはｎ型ＡｌWＧａ1-WＡｓか
らなる電流ブロック層１０３が形成され、この電流ブロ
ック層１０３は例えばＷを０．４の正の値としてアンド
ープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓにより形成される。
【００２９】クラッド層１０２及び電流ブロック層１０
３は共振器端面に垂直な方向に溝の先端がクラッド層１
０２に達する深さでエッチングにより除去されてＶ溝ス
トライプ１０４が形成され、電流ブロック層１０３及び
クラッド層１０２の上に低抵抗層をはさまずにＶ溝スト
ライプ１０４に沿ってＡｌZＧａ1-ZＡｓからなる活性層
１０５が形成される。この活性層１０５は例えばＺ＝０
としてＧａＡｓにより形成され、活性層１０５の上には
第２導電型（ｐ型）ＡｌYＧａ1-YＡｓからなるクラッド
層１０６及びｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１０７
が順次に形成される。クラッド層１０６は例えばＹ＝
０．３５の正の値としてＡｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓにより形
成され、コンタクト層１０７の表面にｐ型と対応した電
極１０８が形成されて基板１０１におけるクラッド層１
０２が形成された面とは反対側の表面にｎ型に対応した
電極１０９が形成される。なお、Ｘ，Ｙ，Ｚ，ＷはＸ＞
Ｚ，Ｙ＞Ｚ，Ｗ＞Ｚなる関係がある。
３は共振器端面に垂直な方向に溝の先端がクラッド層１
０２に達する深さでエッチングにより除去されてＶ溝ス
トライプ１０４が形成され、電流ブロック層１０３及び
クラッド層１０２の上に低抵抗層をはさまずにＶ溝スト
ライプ１０４に沿ってＡｌZＧａ1-ZＡｓからなる活性層
１０５が形成される。この活性層１０５は例えばＺ＝０
としてＧａＡｓにより形成され、活性層１０５の上には
第２導電型（ｐ型）ＡｌYＧａ1-YＡｓからなるクラッド
層１０６及びｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１０７
が順次に形成される。クラッド層１０６は例えばＹ＝
０．３５の正の値としてＡｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓにより形
成され、コンタクト層１０７の表面にｐ型と対応した電
極１０８が形成されて基板１０１におけるクラッド層１
０２が形成された面とは反対側の表面にｎ型に対応した
電極１０９が形成される。なお、Ｘ，Ｙ，Ｚ，ＷはＸ＞
Ｚ，Ｙ＞Ｚ，Ｗ＞Ｚなる関係がある。
【００３０】図２（ａ）〜（ｄ）は第１実施例の半導体
レーザ装置の作製過程を示す。これは請求項２記載の発
明の実施例であり、最初に図２（ａ）に示すようにｎ型
ＧａＡｓからなる基板１０１上にｎ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65
Ａｓからなるクラッド層１０２、アンドープｎ型Ａｌ
0.4Ｇａ0.6Ａｓからなる電流ブロック層１０３を順次に
エピタキシャル成長により形成する。この場合、クラッ
ド層１０２、電流ブロック層１０３は結晶成長方法とし
て減圧ＭＯＶＰＥ法を用いて形成した。クラッド層１０
２の層厚は１．５μｍ、電流ブロック層１０３の層厚は
１．０μｍである。アンドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ
による電流ブロック層１０３の形成は成長温度を７００
℃以下の比較的低温で行い、またIII族原料とＶ族原料
の比を制御することにより、１０6Ω・ｃｍ程度の抵抗
率が得られた。
レーザ装置の作製過程を示す。これは請求項２記載の発
明の実施例であり、最初に図２（ａ）に示すようにｎ型
ＧａＡｓからなる基板１０１上にｎ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65
Ａｓからなるクラッド層１０２、アンドープｎ型Ａｌ
0.4Ｇａ0.6Ａｓからなる電流ブロック層１０３を順次に
エピタキシャル成長により形成する。この場合、クラッ
ド層１０２、電流ブロック層１０３は結晶成長方法とし
て減圧ＭＯＶＰＥ法を用いて形成した。クラッド層１０
２の層厚は１．５μｍ、電流ブロック層１０３の層厚は
１．０μｍである。アンドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ
による電流ブロック層１０３の形成は成長温度を７００
℃以下の比較的低温で行い、またIII族原料とＶ族原料
の比を制御することにより、１０6Ω・ｃｍ程度の抵抗
率が得られた。
【００３１】次に、図２（ｂ）に示すようにフォトレジ
ストをマスクとしてウェットエッチングにより結晶面を
出しながらＶ溝ストライプ１０４を形成する。このＶ溝
ストライプ１０４の深さはＶ溝ストライプ１０４の先端
がクラッド層１０２に達するように１．２μｍとした。
基板１０１の面方位は（１００）であり、Ｖ溝ストライ
プ１０４は（０１／１）方位に形成した。エッチャント
としては、Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ（１：８：４０）
を用いた。
ストをマスクとしてウェットエッチングにより結晶面を
出しながらＶ溝ストライプ１０４を形成する。このＶ溝
ストライプ１０４の深さはＶ溝ストライプ１０４の先端
がクラッド層１０２に達するように１．２μｍとした。
基板１０１の面方位は（１００）であり、Ｖ溝ストライ
プ１０４は（０１／１）方位に形成した。エッチャント
としては、Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ（１：８：４０）
を用いた。
【００３２】Ｖ溝ストライプ１０４の形成後、図２
（ｃ）に示すように電流ブロック層１０３及びクラッド
層１０２の上にＧａＡｓからなる活性層１０５、ｐ型Ａ
ｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓからなるクラッド層１０６、ｐ型Ｇ
ａＡｓからなるコンタクト層１０７をエピタキシャル成
長で形成した。この２回目のエピタキシャル成長も減圧
ＭＯＶＰＥ法用いて行った。そのため、活性層１０５は
Ｖ溝ストライプ１０４の形状に沿って屈曲した形とな
る。各層の厚さは、活性層１０５を０．１μｍ、クラッ
ド層１０６を１．５μｍ、コンタクト層１０７を０．２
μｍとした。最後に図２（ｄ）に示すようにコンタクト
層１０７の表面にｐ側電極１０８を、基板１０１の裏面
側にｎ側電極１０９を、真空蒸着法により形成した。
（ｃ）に示すように電流ブロック層１０３及びクラッド
層１０２の上にＧａＡｓからなる活性層１０５、ｐ型Ａ
ｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓからなるクラッド層１０６、ｐ型Ｇ
ａＡｓからなるコンタクト層１０７をエピタキシャル成
長で形成した。この２回目のエピタキシャル成長も減圧
ＭＯＶＰＥ法用いて行った。そのため、活性層１０５は
Ｖ溝ストライプ１０４の形状に沿って屈曲した形とな
る。各層の厚さは、活性層１０５を０．１μｍ、クラッ
ド層１０６を１．５μｍ、コンタクト層１０７を０．２
μｍとした。最後に図２（ｄ）に示すようにコンタクト
層１０７の表面にｐ側電極１０８を、基板１０１の裏面
側にｎ側電極１０９を、真空蒸着法により形成した。
【００３３】次に、第１実施例の動作について説明す
る。第１実施例においてＶ溝ストライプ１０４の外側の
領域では、高抵抗のアンドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ
からなる電流ブロック層１０３が存在するために、電流
が流れにくくなり、電流はＶ溝ストライプ１０４に集中
して流れ、活性層１０５の所で発光してその光が活性層
１０５を通して外部に出射される。しかし、従来装置で
は、電流通路を狭めている電流ブロック層と活性層との
間に第２クラッド層のような低抵抗層が存在すると、一
度狭められた電流が横方向に広がってしまい、電流が溝
の底に対応した活性層部分に集中してしなくなってしま
う。これに対して第１実施例では、活性層１０５が低抵
抗層をはさまずにＶ溝ストライプ１０４と直接に接した
構造となっているために、電流がＶ溝ストライプ１０４
の底に対応した活性層１０５の領域に集中させることが
できて電流の横方向の広がりを抑制できる。
る。第１実施例においてＶ溝ストライプ１０４の外側の
領域では、高抵抗のアンドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ
からなる電流ブロック層１０３が存在するために、電流
が流れにくくなり、電流はＶ溝ストライプ１０４に集中
して流れ、活性層１０５の所で発光してその光が活性層
１０５を通して外部に出射される。しかし、従来装置で
は、電流通路を狭めている電流ブロック層と活性層との
間に第２クラッド層のような低抵抗層が存在すると、一
度狭められた電流が横方向に広がってしまい、電流が溝
の底に対応した活性層部分に集中してしなくなってしま
う。これに対して第１実施例では、活性層１０５が低抵
抗層をはさまずにＶ溝ストライプ１０４と直接に接した
構造となっているために、電流がＶ溝ストライプ１０４
の底に対応した活性層１０５の領域に集中させることが
できて電流の横方向の広がりを抑制できる。
【００３４】また、電流ブロック層１０３に用いている
アンドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6ＡｓはＧａＡｓからなる
活性層１０５よりも屈折率が低くなっている。そのた
め、Ｖ溝ストライプ１０４の底に対応した活性層１０５
の領域において横方向に対しても屈折率差が生じ、光導
波路として機能する。このようにＶ溝ストライプ１０４
は電流通路と光導波路を兼ねているので、電流の閉じ込
めと光の閉じ込めが自己整合的に行われ、レーザ水平横
モードが安定化する。また、Ｖ溝ストライプ１０４の両
側に設けられた電流ブロック層１０３が高抵抗のアンド
ープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓにより形成したので、有効
に電流を狭窄できる。
アンドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6ＡｓはＧａＡｓからなる
活性層１０５よりも屈折率が低くなっている。そのた
め、Ｖ溝ストライプ１０４の底に対応した活性層１０５
の領域において横方向に対しても屈折率差が生じ、光導
波路として機能する。このようにＶ溝ストライプ１０４
は電流通路と光導波路を兼ねているので、電流の閉じ込
めと光の閉じ込めが自己整合的に行われ、レーザ水平横
モードが安定化する。また、Ｖ溝ストライプ１０４の両
側に設けられた電流ブロック層１０３が高抵抗のアンド
ープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓにより形成したので、有効
に電流を狭窄できる。
【００３５】また、第１実施例は活性層１０５がＶ溝形
状に沿って形成されており、気相成長法に適した構造と
なっているため、第１実施例を製造する上記請求項２記
載の発明の実施例では、第１実施例の活性層１０５とク
ラッド層１０６及びコンタクト層１０７を気相成長法を
用いてエピタキシャル成長で形成することにより、ＬＰ
Ｅ法で半導体レーザ装置を製造する場合に比べて薄膜の
制御性、面内均一性に優れたものを得ることができる。
状に沿って形成されており、気相成長法に適した構造と
なっているため、第１実施例を製造する上記請求項２記
載の発明の実施例では、第１実施例の活性層１０５とク
ラッド層１０６及びコンタクト層１０７を気相成長法を
用いてエピタキシャル成長で形成することにより、ＬＰ
Ｅ法で半導体レーザ装置を製造する場合に比べて薄膜の
制御性、面内均一性に優れたものを得ることができる。
【００３６】図３は本発明の第２実施例を示す。この第
２実施例は請求項４記載の発明の実施例である。この第
２実施例が第１実施例と比べて異なっている点は、電流
ブロック層１０３が高抵抗のアンドープｎ型Ａｌ0.4Ｇ
ａ0.6Ａｓの代りに基板１０１側からｐ型ＡｌWＧａ1-W
Ａｓ、ｎ型ＡｌW'Ｇａ1-W'Ａｓを積層した２層３０１，
３０２で構成され、Ｗ’が正の値でＷ＞Ｚ，Ｗ’＞Ｚな
る関係を有することである。ｐ型ＡｌWＧａ1-WＡｓの層
３０１は例えばＷを０．４の正の値としてｐ型Ａｌ0.4
Ｇａ0.6Ａｓにより形成され、ｎ型ＡｌW'Ｇａ1-W'Ａｓ
の層３０２は例えばＷ’を０．４の正の値としてｎ型Ａ
ｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓにより形成される。それぞれの層３０
１，３０２の厚さは各１．０μｍである。これにより、
Ｖ溝ストライプ１０４の両側では、ｐｎｐｎ構造とな
り、ホールと電子の両方が逆バイアス接合によりブロッ
クされる。従って、電流をＶ溝ストライプ１０４内に集
中させて有効に狭窄することができる。
２実施例は請求項４記載の発明の実施例である。この第
２実施例が第１実施例と比べて異なっている点は、電流
ブロック層１０３が高抵抗のアンドープｎ型Ａｌ0.4Ｇ
ａ0.6Ａｓの代りに基板１０１側からｐ型ＡｌWＧａ1-W
Ａｓ、ｎ型ＡｌW'Ｇａ1-W'Ａｓを積層した２層３０１，
３０２で構成され、Ｗ’が正の値でＷ＞Ｚ，Ｗ’＞Ｚな
る関係を有することである。ｐ型ＡｌWＧａ1-WＡｓの層
３０１は例えばＷを０．４の正の値としてｐ型Ａｌ0.4
Ｇａ0.6Ａｓにより形成され、ｎ型ＡｌW'Ｇａ1-W'Ａｓ
の層３０２は例えばＷ’を０．４の正の値としてｎ型Ａ
ｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓにより形成される。それぞれの層３０
１，３０２の厚さは各１．０μｍである。これにより、
Ｖ溝ストライプ１０４の両側では、ｐｎｐｎ構造とな
り、ホールと電子の両方が逆バイアス接合によりブロッ
クされる。従って、電流をＶ溝ストライプ１０４内に集
中させて有効に狭窄することができる。
【００３７】図４は本発明の第３実施例を示す。この第
３実施例は請求項７，８記載の発明の実施例である。こ
の第３実施例が第２実施例と異なってい点は、活性層１
０５の層厚を薄くして量子井戸構造４０１とし、活性層
４０１に隣接して基板１０１側とｐ型コンタクト層１０
７側にそれぞれアンドープＡｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓからな
る光導波層４０２，４０３を設けたことである。井戸層
４０１の厚さは１５０〜２００Å、光導波層４０２，４
０３の厚さは０．１５μｍとした。なお、光導波層４０
２，４０３は量子井戸構造に対してバリア層としても働
いている。
３実施例は請求項７，８記載の発明の実施例である。こ
の第３実施例が第２実施例と異なってい点は、活性層１
０５の層厚を薄くして量子井戸構造４０１とし、活性層
４０１に隣接して基板１０１側とｐ型コンタクト層１０
７側にそれぞれアンドープＡｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓからな
る光導波層４０２，４０３を設けたことである。井戸層
４０１の厚さは１５０〜２００Å、光導波層４０２，４
０３の厚さは０．１５μｍとした。なお、光導波層４０
２，４０３は量子井戸構造に対してバリア層としても働
いている。
【００３８】次に、第３実施例の動作を説明する。活性
層４０１に隣接して少なくとも基板１０１側に光導波層
４０２，４０３を設けるＳＣＨ構造は、本来の働きとし
て、光の閉じ込め領域とキャリアの閉じ込め領域を分離
することにより活性層を薄くしてもしきい電流密度の上
昇を起こらなくするということがある。さらに、Ｖ溝ス
トライプ１０４の形成後に活性層４０１を含む層の２回
目のエピタキシャル成長を行っており、基板１０１側の
光導波層４０２は、活性層４０１と、一度大気にさらさ
れたエッチング後のＶ溝ストライプ１０４の表面との間
に挿入されることにより、バッファ層として働き、活性
層４０１の結晶性の低下を防ぐ。
層４０１に隣接して少なくとも基板１０１側に光導波層
４０２，４０３を設けるＳＣＨ構造は、本来の働きとし
て、光の閉じ込め領域とキャリアの閉じ込め領域を分離
することにより活性層を薄くしてもしきい電流密度の上
昇を起こらなくするということがある。さらに、Ｖ溝ス
トライプ１０４の形成後に活性層４０１を含む層の２回
目のエピタキシャル成長を行っており、基板１０１側の
光導波層４０２は、活性層４０１と、一度大気にさらさ
れたエッチング後のＶ溝ストライプ１０４の表面との間
に挿入されることにより、バッファ層として働き、活性
層４０１の結晶性の低下を防ぐ。
【００３９】活性層を量子井戸構造４０１にすると、ダ
ブルヘテロ構造に比べて更にしきい電流値を低減するこ
とができる。特に、活性層４０１の形状がＶ溝ストライ
プ１０４に沿って屈曲した構造となっており、Ｖ溝スト
ライプ１０４の底に対応した量子井戸活性層の部分４０
４はバリア層に囲まれた３角形の形状となる。これによ
り、活性層４０１は積層方向に対する１次元量子井戸と
して働くのみならず、横方向に対してもキャリアが閉じ
込められることになる。従って、量子細線構造としての
効果も現れ、更にしきい電流値を低減することができ
る。
ブルヘテロ構造に比べて更にしきい電流値を低減するこ
とができる。特に、活性層４０１の形状がＶ溝ストライ
プ１０４に沿って屈曲した構造となっており、Ｖ溝スト
ライプ１０４の底に対応した量子井戸活性層の部分４０
４はバリア層に囲まれた３角形の形状となる。これによ
り、活性層４０１は積層方向に対する１次元量子井戸と
して働くのみならず、横方向に対してもキャリアが閉じ
込められることになる。従って、量子細線構造としての
効果も現れ、更にしきい電流値を低減することができ
る。
【００４０】キャリアは量子井戸層４０１に閉じ込めら
れるが、一方、光は量子井戸層４０１に隣接して設けら
れた光導波層４０２，４０３に閉じ込められる。さら
に、量子井戸層４０１の基板１０１側に隣接して設けら
れた光導波層４０２は発光層となる量子井戸層４０１
と、一度大気にさらされたエッチング後のＶ溝ストライ
プ１０４の表面との間に挿入されることにより、バッフ
ァ層として働き、活性層の結晶性の低下を防ぐ。なお、
光導波層４０２は、活性層４０１と電流ブロック層１０
３との間に挿入されているが、層厚が０．１５μｍと薄
く、またキャリア濃度も１０15／ｃｍ3と低いため、電
流の広がりに関しては問題がない。
れるが、一方、光は量子井戸層４０１に隣接して設けら
れた光導波層４０２，４０３に閉じ込められる。さら
に、量子井戸層４０１の基板１０１側に隣接して設けら
れた光導波層４０２は発光層となる量子井戸層４０１
と、一度大気にさらされたエッチング後のＶ溝ストライ
プ１０４の表面との間に挿入されることにより、バッフ
ァ層として働き、活性層の結晶性の低下を防ぐ。なお、
光導波層４０２は、活性層４０１と電流ブロック層１０
３との間に挿入されているが、層厚が０．１５μｍと薄
く、またキャリア濃度も１０15／ｃｍ3と低いため、電
流の広がりに関しては問題がない。
【００４１】図５は本発明の第４実施例を示す。この第
４実施例は、請求項５記載の発明の実施例であり、第３
実施例において、１回目の気相成長のときにｎ型Ａｌ
0.4Ｇａ0.6Ａｓからなる電流ブロック層３０２の表面上
にｐ形ＧａＡｓからなるキャップ層５０１を積層するよ
うにしたものである。このキャップ層５０１の層厚とし
ては０．１μｍとしている。この第４実施例の作製過程
においては、Ｖ溝ストライプ１０４の形成のために１回
目のエピタキシャル成長の最終層が大気にさらされてし
まう。そこで、キャップ層５０１を積層することによ
り、酸化性の強い材料であるＡｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓで構成
された電流ブロック層３０２の表面の酸化を防いでい
る。なお、キャップ層５０１はｐ形ＧａＡｓの代りにｎ
型あるいはアンドープのＧａＡｓで形成してもよい。
４実施例は、請求項５記載の発明の実施例であり、第３
実施例において、１回目の気相成長のときにｎ型Ａｌ
0.4Ｇａ0.6Ａｓからなる電流ブロック層３０２の表面上
にｐ形ＧａＡｓからなるキャップ層５０１を積層するよ
うにしたものである。このキャップ層５０１の層厚とし
ては０．１μｍとしている。この第４実施例の作製過程
においては、Ｖ溝ストライプ１０４の形成のために１回
目のエピタキシャル成長の最終層が大気にさらされてし
まう。そこで、キャップ層５０１を積層することによ
り、酸化性の強い材料であるＡｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓで構成
された電流ブロック層３０２の表面の酸化を防いでい
る。なお、キャップ層５０１はｐ形ＧａＡｓの代りにｎ
型あるいはアンドープのＧａＡｓで形成してもよい。
【００４２】第４実施例は請求項６記載の発明の実施例
で製造し、すなわち、第４実施例の半導体レーザ装置の
作製過程において、２回目のエピタキシャル成長を行う
直前にＭＯＶＰＥ装置のチャンバー内で気相エッチング
を行った。この過程により、Ｖ溝ストライプ１０４内で
ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓからなる電流ブロック層３０
１，３０２及びｎ型ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１
０２が露出している表面に生じた酸化膜を除去すること
ができる。以上により、結晶の品質を低下させることな
く、活性層を含む２回目のエピタキシャル成長を行うこ
とが可能となった。
で製造し、すなわち、第４実施例の半導体レーザ装置の
作製過程において、２回目のエピタキシャル成長を行う
直前にＭＯＶＰＥ装置のチャンバー内で気相エッチング
を行った。この過程により、Ｖ溝ストライプ１０４内で
ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓからなる電流ブロック層３０
１，３０２及びｎ型ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１
０２が露出している表面に生じた酸化膜を除去すること
ができる。以上により、結晶の品質を低下させることな
く、活性層を含む２回目のエピタキシャル成長を行うこ
とが可能となった。
【００４３】図６は本発明の第５実施例を示す。この第
５実施例は請求項１０記載の発明の実施例である。第５
実施例が第４実施例と異なる点は、Ｖ溝ストライプ１０
４の上を除いてｐ側電極１０８とコンタクト層１０７と
の間に酸化ケイ素からなる絶縁層６０１を積層したこと
である。この第５実施例においては、２回目のエピタキ
シャル成長を行った後に、酸化ケイ素からなる絶縁層６
０１をプラズマＣＶＤ法を用いて２５００Åの厚さに堆
積した。次に、絶縁層６０１におけるＶ溝ストライプ１
０４の上部にあたる部分を、レジストをマスクとしてフ
ッ酸緩衝溶液でエッチングして除去した。その後、ｐ側
電極１０８の蒸着を行った。
５実施例は請求項１０記載の発明の実施例である。第５
実施例が第４実施例と異なる点は、Ｖ溝ストライプ１０
４の上を除いてｐ側電極１０８とコンタクト層１０７と
の間に酸化ケイ素からなる絶縁層６０１を積層したこと
である。この第５実施例においては、２回目のエピタキ
シャル成長を行った後に、酸化ケイ素からなる絶縁層６
０１をプラズマＣＶＤ法を用いて２５００Åの厚さに堆
積した。次に、絶縁層６０１におけるＶ溝ストライプ１
０４の上部にあたる部分を、レジストをマスクとしてフ
ッ酸緩衝溶液でエッチングして除去した。その後、ｐ側
電極１０８の蒸着を行った。
【００４４】次に、第５実施例の動作を説明する。第５
実施例の構造では、電流の狭窄をエピタキシャル層内部
に電流ブロック層３０１，３０２を設けることにより行
っている。ところで、エピタキシャル層において、活性
層４０１を積層方向に貫いた結晶欠陥が存在すると、こ
の結晶欠陥を通じてｐ側電極１０８とｎ側電極１０９に
リーク電流が流れて動作不良を引き起こしてしまう。し
かし、Ｖ溝ストライプ１０４の上を除いた部分に絶縁層
６０１を設けたので、ｐ型コンタクト層１０７及びｐ型
クラッド層１０６内での電流の広がりをＶ溝ストライプ
１０４の近傍に限定することができる。従って、Ｖ溝ス
トライプ１０４から離れた部分に結晶欠陥が存在したと
しても、電流がリークすることなく、正常に動作するこ
とになる。
実施例の構造では、電流の狭窄をエピタキシャル層内部
に電流ブロック層３０１，３０２を設けることにより行
っている。ところで、エピタキシャル層において、活性
層４０１を積層方向に貫いた結晶欠陥が存在すると、こ
の結晶欠陥を通じてｐ側電極１０８とｎ側電極１０９に
リーク電流が流れて動作不良を引き起こしてしまう。し
かし、Ｖ溝ストライプ１０４の上を除いた部分に絶縁層
６０１を設けたので、ｐ型コンタクト層１０７及びｐ型
クラッド層１０６内での電流の広がりをＶ溝ストライプ
１０４の近傍に限定することができる。従って、Ｖ溝ス
トライプ１０４から離れた部分に結晶欠陥が存在したと
しても、電流がリークすることなく、正常に動作するこ
とになる。
【００４５】図７は本発明の第６実施例を示す。この第
６実施例は請求項９記載の発明の実施例である。第６実
施例が第３実施例と異なっている点は、わずかな格子不
整合を有する材料系のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓからなる２個
の井戸層７０１とＧａＡｓからなる３個のバリア層７０
２とを交互に積層し、その両側にＡｌPＧａ1-PＡｓ（Ｐ
＝０−０．３５）ＧＲＩＮ構造の光ガイド層７０３を形
成したことである。井戸層７０１の厚さは、臨界膜厚以
下の薄い８０Åである。Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓからなる井
戸層７０１は、圧縮歪を受けることによりバンド構造が
変化し、歪量子井戸構造となっている。これにより、歪
の無い場合に比べてホールの閉じ込め効果が増大し、さ
らにしきい電流値を低減させることができる。
６実施例は請求項９記載の発明の実施例である。第６実
施例が第３実施例と異なっている点は、わずかな格子不
整合を有する材料系のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓからなる２個
の井戸層７０１とＧａＡｓからなる３個のバリア層７０
２とを交互に積層し、その両側にＡｌPＧａ1-PＡｓ（Ｐ
＝０−０．３５）ＧＲＩＮ構造の光ガイド層７０３を形
成したことである。井戸層７０１の厚さは、臨界膜厚以
下の薄い８０Åである。Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓからなる井
戸層７０１は、圧縮歪を受けることによりバンド構造が
変化し、歪量子井戸構造となっている。これにより、歪
の無い場合に比べてホールの閉じ込め効果が増大し、さ
らにしきい電流値を低減させることができる。
【００４６】図８は本発明の第７実施例を示す。この第
７実施例は請求項１１記載の発明の実施例であり、第５
実施例の半導体レーザ装置９０１を同一基板１０１上に
複数個横一列に並べた構成となっている。各半導体レー
ザ９０１は深さがｎ型クラッド層１０２まで達したトレ
ンチ８０１によって電気的に分離されている。また、各
半導体レーザ９０１のｐ側電極１０８はボンディングワ
イヤ８０２によって図示しないレーザ素子駆動用ドライ
バーに接続されている。これにより、各半導体レーザ９
０１はレーザ素子駆動用ドライバーにより独立に駆動さ
れ、マルチチャンネルの光信号伝送用アレイ光源として
の応用が可能となる。
７実施例は請求項１１記載の発明の実施例であり、第５
実施例の半導体レーザ装置９０１を同一基板１０１上に
複数個横一列に並べた構成となっている。各半導体レー
ザ９０１は深さがｎ型クラッド層１０２まで達したトレ
ンチ８０１によって電気的に分離されている。また、各
半導体レーザ９０１のｐ側電極１０８はボンディングワ
イヤ８０２によって図示しないレーザ素子駆動用ドライ
バーに接続されている。これにより、各半導体レーザ９
０１はレーザ素子駆動用ドライバーにより独立に駆動さ
れ、マルチチャンネルの光信号伝送用アレイ光源として
の応用が可能となる。
【００４７】なお、上記各実施例はｎ型基板を用いた素
子であるが、ｐ型基板を用いることも可能である。その
場合、各エピタキシャル層の導電型はｐ型とｎ型が逆に
なる。また、本発明はＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系の半導
体レーザ装置にのみ限定されるものではなく、例えばＩ
ｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザ装置にも適用で
きる。
子であるが、ｐ型基板を用いることも可能である。その
場合、各エピタキシャル層の導電型はｐ型とｎ型が逆に
なる。また、本発明はＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系の半導
体レーザ装置にのみ限定されるものではなく、例えばＩ
ｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザ装置にも適用で
きる。
【００４８】
【発明の効果】以上のように請求項１記載の発明によれ
ば、第１導電型の基板と、この基板上に形成された第１
導電型の第１のクラッド層と、この第１のクラッド層上
に形成された電流ブロック層と、この電流ブロック層及
び前記第１のクラッド層が共振器端面に垂直な方向に溝
の先端が前記第１のクラッド層に達する深さで除去され
て形成されたＶ溝ストライプと、このＶ溝ストライプに
沿って前記電流ブロック層及び前記第１のクラッド層の
上に低抵抗層をはさまずに形成された活性層と、この活
性層の上に順次に形成された第２導電型の第２のクラッ
ド層及び第２導電型のコンタクト層と、前記基板におけ
る前記第１のクラッド層が形成された面とは反対側の表
面に形成され第１導電型に対応した第１の電極と、前記
コンタクト層の表面に形成され第２導電型と対応した第
２の電極とを備えたので、活性層が低抵抗層をはさまず
にＶ溝ストライプと直接に接した構造となっていること
により、電流がＶ溝ストライプの底に対応した活性層の
領域に集中させることができて電流の横方向の広がりを
抑制できる。
ば、第１導電型の基板と、この基板上に形成された第１
導電型の第１のクラッド層と、この第１のクラッド層上
に形成された電流ブロック層と、この電流ブロック層及
び前記第１のクラッド層が共振器端面に垂直な方向に溝
の先端が前記第１のクラッド層に達する深さで除去され
て形成されたＶ溝ストライプと、このＶ溝ストライプに
沿って前記電流ブロック層及び前記第１のクラッド層の
上に低抵抗層をはさまずに形成された活性層と、この活
性層の上に順次に形成された第２導電型の第２のクラッ
ド層及び第２導電型のコンタクト層と、前記基板におけ
る前記第１のクラッド層が形成された面とは反対側の表
面に形成され第１導電型に対応した第１の電極と、前記
コンタクト層の表面に形成され第２導電型と対応した第
２の電極とを備えたので、活性層が低抵抗層をはさまず
にＶ溝ストライプと直接に接した構造となっていること
により、電流がＶ溝ストライプの底に対応した活性層の
領域に集中させることができて電流の横方向の広がりを
抑制できる。
【００４９】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の半導体レーザ装置を製造する半導体レーザ装置製造
方法であって、前記活性層と前記第２のクラッド層及び
前記コンタクト層を気相成長法を用いてエピタキシャル
成長により形成するので、ＬＰＥ法で半導体レーザ装置
を製造する場合に比べて薄膜の制御性、面内均一性に優
れたものを得ることができる。
載の半導体レーザ装置を製造する半導体レーザ装置製造
方法であって、前記活性層と前記第２のクラッド層及び
前記コンタクト層を気相成長法を用いてエピタキシャル
成長により形成するので、ＬＰＥ法で半導体レーザ装置
を製造する場合に比べて薄膜の制御性、面内均一性に優
れたものを得ることができる。
【００５０】請求項３記載の発明によれば、請求項１記
載の半導体レーザ装置において、前記電流ブロック層と
して高抵抗のＡｌWＧａ1-WＡｓを用いたので、有効に電
流を狭窄できる。
載の半導体レーザ装置において、前記電流ブロック層と
して高抵抗のＡｌWＧａ1-WＡｓを用いたので、有効に電
流を狭窄できる。
【００５１】請求項４記載の発明によれば、請求項１記
載の半導体レーザ装置において、前記電流ブロック層と
して、前記基板側から順に第２導電型ＡｌWＧａ1-WＡ
ｓ、第１導電型ＡｌW'Ｇａ1-W'Ａｓを積層し、前記Ｗ’
が正の値でＷ＞Ｚ，Ｗ’＞Ｚなる関係を有するので、有
効に電流を狭窄できる。
載の半導体レーザ装置において、前記電流ブロック層と
して、前記基板側から順に第２導電型ＡｌWＧａ1-WＡ
ｓ、第１導電型ＡｌW'Ｇａ1-W'Ａｓを積層し、前記Ｗ’
が正の値でＷ＞Ｚ，Ｗ’＞Ｚなる関係を有するので、有
効に電流を狭窄できる。
【００５２】請求項５記載の発明によれば、請求項１記
載の半導体レーザ装置において、前記電流ブロック層の
表面上にｎ型，ｐ型あるいはアンドープのＧａＡｓから
なるキャップ層を積層したので、電流ブロック層の表面
の酸化を防ぐことができる。
載の半導体レーザ装置において、前記電流ブロック層の
表面上にｎ型，ｐ型あるいはアンドープのＧａＡｓから
なるキャップ層を積層したので、電流ブロック層の表面
の酸化を防ぐことができる。
【００５３】請求項６記載の発明によれば、請求項１記
載の半導体レーザ装置を製造する半導体レーザ装置製造
方法であって、２回目のエピタキシャル成長直前にチャ
ンバー内で気相エッチングを行う過程を含むので、電流
ブロック層及びクラッド層が露出している表面に生じた
酸化膜を除去することができ、結晶の品質を低下させる
ことなく、活性層を含む２回目のエピタキシャル成長を
行うことが可能となる。
載の半導体レーザ装置を製造する半導体レーザ装置製造
方法であって、２回目のエピタキシャル成長直前にチャ
ンバー内で気相エッチングを行う過程を含むので、電流
ブロック層及びクラッド層が露出している表面に生じた
酸化膜を除去することができ、結晶の品質を低下させる
ことなく、活性層を含む２回目のエピタキシャル成長を
行うことが可能となる。
【００５４】請求項７記載の発明によれば、請求項１記
載の半導体レーザ装置において、前記活性層に隣接して
少なくとも前記基板側に光閉じ込め層を有するＳＣＨ構
造としたので、光の閉じ込め領域とキャリアの閉じ込め
領域を分離することができ、活性層を薄くしてもしきい
電流密度の上昇が起こらなくなる。さらに、活性層と、
一度大気にさらされたエッチング後のＶ溝ストライプの
表面との間に挿入された光閉じ込め層がバッファ層とし
て働いて活性層の結晶性の低下を防ぐ。
載の半導体レーザ装置において、前記活性層に隣接して
少なくとも前記基板側に光閉じ込め層を有するＳＣＨ構
造としたので、光の閉じ込め領域とキャリアの閉じ込め
領域を分離することができ、活性層を薄くしてもしきい
電流密度の上昇が起こらなくなる。さらに、活性層と、
一度大気にさらされたエッチング後のＶ溝ストライプの
表面との間に挿入された光閉じ込め層がバッファ層とし
て働いて活性層の結晶性の低下を防ぐ。
【００５５】請求項８記載の発明によれば、請求項７記
載の半導体レーザ装置において、前記活性層を量子井戸
構造としたので、活性層がＶ溝ストライプの底に対応す
る領域で量子細線構造として働き、よりしきい電流値を
低減することができる。
載の半導体レーザ装置において、前記活性層を量子井戸
構造としたので、活性層がＶ溝ストライプの底に対応す
る領域で量子細線構造として働き、よりしきい電流値を
低減することができる。
【００５６】請求項９記載の発明によれば、請求項７記
載の半導体レーザ装置において、前記活性層を歪量子井
戸構造としたので、歪の無い場合に比べてホールの閉じ
込め効果が増大し、さらにしきい電流値を低減させるこ
とができる。
載の半導体レーザ装置において、前記活性層を歪量子井
戸構造としたので、歪の無い場合に比べてホールの閉じ
込め効果が増大し、さらにしきい電流値を低減させるこ
とができる。
【００５７】請求項１０記載の発明によれば、請求項１
記載の半導体レーザ装置において、前記コンタクト層と
前記第２の電極との間に少なくとも前記Ｖ溝ストライプ
の上側を除いて絶縁層を積層したので、Ｖ溝ストライプ
から離れた部分に結晶欠陥が存在したとしても、電流が
リークすることなく、正常に動作できる。
記載の半導体レーザ装置において、前記コンタクト層と
前記第２の電極との間に少なくとも前記Ｖ溝ストライプ
の上側を除いて絶縁層を積層したので、Ｖ溝ストライプ
から離れた部分に結晶欠陥が存在したとしても、電流が
リークすることなく、正常に動作できる。
【００５８】請求項１１記載の発明によれば、請求項１
記載の半導体レーザ装置を基板上に複数個一列に並べて
該複数個の半導体レーザ装置の各第２の電極を電気的に
分離し、該複数個の半導体レーザ装置を個別に動作可能
としたので、マルチチャンネルの光信号伝送用アレイ光
源としての応用が可能となる。
記載の半導体レーザ装置を基板上に複数個一列に並べて
該複数個の半導体レーザ装置の各第２の電極を電気的に
分離し、該複数個の半導体レーザ装置を個別に動作可能
としたので、マルチチャンネルの光信号伝送用アレイ光
源としての応用が可能となる。
【図１】本発明の第１実施例を示す断面図である。
【図２】同第１実施例作製過程を説明するための図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の第３実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の第４実施例を示す断面図である。
【図６】本発明の第５実施例を示す断面図である。
【図７】本発明の第６実施例を示す断面図である。
【図８】本発明の第７実施例を示す断面図である。
【図９】従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。
【図１０】従来の他の半導体レーザ装置を示す断面図で
ある。
ある。
１０１ 基板 １０２，１０６ クラッド層 １０３，３０１，３０２ 電流ブロック層 １０４ Ｖ溝ストライプ １０５ 活性層 １０７ コンタクト層 １０８ ｐ側電極 １０９ ｎ側電極 ４０１ 量子井戸層 ４０２，４０３ 光導波層 ４０４ 量子細線構造 ５０１ キャップ層 ６０１ 絶縁層 ７０１ 歪量子井戸層 ７０２ バリア層 ７０３ 光ガイド層 ８０１ トレンチ ８０２ ボンディングワイヤ
Claims (11)
- 【請求項１】第１導電型の基板と、この基板上に形成さ
れた第１導電型の第１のクラッド層と、この第１のクラ
ッド層上に形成された電流ブロック層と、この電流ブロ
ック層及び前記第１のクラッド層が共振器端面に垂直な
方向に溝の先端が前記第１のクラッド層に達する深さで
除去されて形成されたＶ溝ストライプと、このＶ溝スト
ライプに沿って前記電流ブロック層及び前記第１のクラ
ッド層の上に低抵抗層をはさまずに形成された活性層
と、この活性層の上に順次に形成された第２導電型の第
２のクラッド層及び第２導電型のコンタクト層と、前記
基板における前記第１のクラッド層が形成された面とは
反対側の表面に形成され第１導電型に対応した第１の電
極と、前記コンタクト層の表面に形成され第２導電型と
対応した第２の電極とを備えたことを特徴とする半導体
レーザ装置。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体レーザ装置を製造す
る半導体レーザ装置製造方法であって、前記活性層と前
記第２のクラッド層及び前記コンタクト層を気相成長法
を用いてエピタキシャル成長により形成することを特徴
とする半導体レーザ装置製造方法。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体レーザ装置におい
て、前記電流ブロック層として高抵抗のＡｌWＧａ1-WＡ
ｓを用いたことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】請求項１記載の半導体レーザ装置におい
て、前記電流ブロック層として、前記基板側から順に第
２導電型ＡｌWＧａ1-WＡｓ、第１導電型ＡｌW'Ｇａ1-W'
Ａｓを積層し、前記Ｗ’が正の値でＷ＞Ｚ，Ｗ’＞Ｚな
る関係を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】請求項１記載の半導体レーザ装置におい
て、前記電流ブロック層の表面上にｎ型，ｐ型あるいは
アンドープのＧａＡｓからなるキャップ層を積層したこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項６】請求項１記載の半導体レーザ装置を製造す
る半導体レーザ装置製造方法であって、２回目のエピタ
キシャル成長直前にチャンバー内で気相エッチングを行
う過程を含むことを特徴とする半導体レーザ装置製造方
法。 - 【請求項７】請求項１記載の半導体レーザ装置におい
て、前記活性層に隣接して少なくとも前記基板側に光閉
じ込め層を有するＳＣＨ構造としたことを特徴とする半
導体レーザ装置。 - 【請求項８】請求項７記載の半導体レーザ装置におい
て、前記活性層を量子井戸構造としたことを特徴とする
半導体レーザ装置。 - 【請求項９】請求項７記載の半導体レーザ装置におい
て、前記活性層を歪量子井戸構造としたことを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - 【請求項１０】請求項１記載の半導体レーザ装置におい
て、前記コンタクト層と前記第２の電極との間に少なく
とも前記Ｖ溝ストライプの上側を除いて絶縁層を積層し
たことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項１１】請求項１記載の半導体レーザ装置を基板
上に複数個一列に並べて該複数個の半導体レーザ装置の
各第２の電極を電気的に分離し、該複数個の半導体レー
ザ装置を個別に動作可能としたことを特徴とする集積型
半導体レーザ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32403793A JPH07183618A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置 |
| US08/361,102 US5577062A (en) | 1993-12-22 | 1994-12-21 | Semiconductor laser diode apparatus and method of producing the same |
| US08/677,271 US5801071A (en) | 1993-12-22 | 1996-07-09 | Method for producing semiconductor laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32403793A JPH07183618A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183618A true JPH07183618A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18161454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32403793A Pending JPH07183618A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5577062A (ja) |
| JP (1) | JPH07183618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016518712A (ja) * | 2013-04-10 | 2016-06-23 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体チップ及びその製造方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183618A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置 |
| US5787104A (en) * | 1995-01-19 | 1998-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and method for fabricating the same |
| JPH1022520A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nec Corp | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| US5770475A (en) * | 1996-09-23 | 1998-06-23 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Crystal growth method for compound semiconductor |
| KR19990024760A (ko) | 1997-09-08 | 1999-04-06 | 정선종 | 양자세선 제조 방법 |
| KR100277940B1 (ko) * | 1998-07-14 | 2001-02-01 | 구자홍 | 지에이엔(gan) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| JP4423699B2 (ja) * | 1999-05-27 | 2010-03-03 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
| US6803604B2 (en) * | 2001-03-13 | 2004-10-12 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor optical modulator, an optical amplifier and an integrated semiconductor light-emitting device |
| US6927412B2 (en) | 2002-11-21 | 2005-08-09 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light emitter |
| US7303126B2 (en) * | 2004-03-18 | 2007-12-04 | Symbol Technologies, Inc. | System and method for sensing ambient light in an optical code reader |
| US7097102B2 (en) * | 2004-07-29 | 2006-08-29 | Symbol Technologies, Inc. | System and method for decoding optical codes read by an imager-based optical code reader |
| FR2914783A1 (fr) | 2007-04-03 | 2008-10-10 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication d'un dispositif a gradient de concentration et dispositif correspondant. |
| KR101164026B1 (ko) * | 2007-07-12 | 2012-07-18 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| CN116391266A (zh) * | 2020-11-24 | 2023-07-04 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 多波长led结构及其制作方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110188A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS60206081A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-17 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6184827A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61281575A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| US4839307A (en) * | 1986-05-14 | 1989-06-13 | Omron Tateisi Electronics Co. | Method of manufacturing a stripe-shaped heterojunction laser with unique current confinement |
| JPS63140591A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
| JPH0719931B2 (ja) * | 1989-04-06 | 1995-03-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JPH0362585A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-18 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH0461292A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| US5268328A (en) * | 1990-09-07 | 1993-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor laser |
| US5114877A (en) * | 1991-01-08 | 1992-05-19 | Xerox Corporation | Method of fabricating quantum wire semiconductor laser via photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth |
| US5270246A (en) * | 1991-06-18 | 1993-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor multi-layer film and semiconductor laser |
| JPH0750445A (ja) * | 1993-06-02 | 1995-02-21 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザの製法 |
| JPH07183618A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置 |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP32403793A patent/JPH07183618A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-21 US US08/361,102 patent/US5577062A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-07-09 US US08/677,271 patent/US5801071A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016518712A (ja) * | 2013-04-10 | 2016-06-23 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体チップ及びその製造方法 |
| US10475951B2 (en) | 2013-04-10 | 2019-11-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip and method for the production thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5577062A (en) | 1996-11-19 |
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