JPH0362585A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0362585A JPH0362585A JP19760789A JP19760789A JPH0362585A JP H0362585 A JPH0362585 A JP H0362585A JP 19760789 A JP19760789 A JP 19760789A JP 19760789 A JP19760789 A JP 19760789A JP H0362585 A JPH0362585 A JP H0362585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- semiconductor laser
- laser device
- current blocking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 78
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 101150054880 NASP gene Proteins 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
Landscapes
- Weting (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はPOS、FAシステム等のバーコードリーダー
用および光計測等の光源に用いられる半導体レーザ装置
に関し、特に横モード制御が可能であり、発振波長が6
80nm以下のAj7GaInP系可視光半導体レーザ
装置の構造に関する。
用および光計測等の光源に用いられる半導体レーザ装置
に関し、特に横モード制御が可能であり、発振波長が6
80nm以下のAj7GaInP系可視光半導体レーザ
装置の構造に関する。
第4図は従来の利得ガイド型のAJ2GaInP系可視
光半導体レーザ装置の構造を示す断面図である(例えば
、昭和61年度電子通信学会予稿集、P、4−92)。
光半導体レーザ装置の構造を示す断面図である(例えば
、昭和61年度電子通信学会予稿集、P、4−92)。
図中1はn−GaAs基板であり、この基板1上にはn
−G a A sバッファー層2が形成されている。
−G a A sバッファー層2が形成されている。
バッファー層2上にはn−AA’GaInPAl2aI
nPクラツドP活性層4.p−、Al20aInPクラ
ッド層5.p−Ga InP工yチング停止層6.n−
GaAs電流阻止層7及びp−G a A sコンタク
ト層8からなるダブルヘテロ接合構造が形成されている
。
nPクラツドP活性層4.p−、Al20aInPクラ
ッド層5.p−Ga InP工yチング停止層6.n−
GaAs電流阻止層7及びp−G a A sコンタク
ト層8からなるダブルヘテロ接合構造が形成されている
。
この構造を有する半導体レーザ装置は通常MOVPE法
又はMBE法によって製造されるが、ここでは量産性に
優れたMOVPE法を用いた場合について述べる。
又はMBE法によって製造されるが、ここでは量産性に
優れたMOVPE法を用いた場合について述べる。
先ず、1回目のMOVPE戒長によってn−GaAsバ
ッファー層2からn−GaAs電流阻止層7までの6層
構造を順次形成し、n−GaAs電流阻止層7の一部に
p−GaInPエツチング停止層6が露出するストライ
プ状の溝9を形成する。
ッファー層2からn−GaAs電流阻止層7までの6層
構造を順次形成し、n−GaAs電流阻止層7の一部に
p−GaInPエツチング停止層6が露出するストライ
プ状の溝9を形成する。
続いて2回目のMOVPE戒長によって溝9を含むn
−G a A s電流阻止層7上にp−GaAsコンタ
クト層8が形成されている。その後、コンタクト層8の
上面にp側電極10が被着され、基板lの下面にはn側
電極11が被着されている。
−G a A s電流阻止層7上にp−GaAsコンタ
クト層8が形成されている。その後、コンタクト層8の
上面にp側電極10が被着され、基板lの下面にはn側
電極11が被着されている。
この構造では、電流狭窄はp −G a A sコンタ
クト層8とn−GaAs電流阻止層7により行なわれる
。また、p−GaInPエツチング停止層6はストライ
プ状の溝9を形成する際にn−GaAs電流阻止層7だ
けが化学エツチングされるためのエツチング停止の役目
をしており、またp−AAGaInPクラッド層5とp
−GaAs:Iフタ21層8との間の電気抵抗低減を目
的とするものである。このようにして利得ガイド型の半
導体レーザ装置が構成される。
クト層8とn−GaAs電流阻止層7により行なわれる
。また、p−GaInPエツチング停止層6はストライ
プ状の溝9を形成する際にn−GaAs電流阻止層7だ
けが化学エツチングされるためのエツチング停止の役目
をしており、またp−AAGaInPクラッド層5とp
−GaAs:Iフタ21層8との間の電気抵抗低減を目
的とするものである。このようにして利得ガイド型の半
導体レーザ装置が構成される。
しかしながら、このような利得ガイド型半導体レーザ装
置では、横モードが不安定で、発振しきい値も高く、非
点隔差が40〜50μmと大きいため、レーザ光を微小
スポットに絞りにくい欠点がある。よって、近年、基本
横モードで発振し、低発振しきい値で低非点隔差を有す
る屈折率ガイド型の半導体レーザ装置の要求が高まって
いる。
置では、横モードが不安定で、発振しきい値も高く、非
点隔差が40〜50μmと大きいため、レーザ光を微小
スポットに絞りにくい欠点がある。よって、近年、基本
横モードで発振し、低発振しきい値で低非点隔差を有す
る屈折率ガイド型の半導体レーザ装置の要求が高まって
いる。
上述した従来の利得ガイド型の構造で、活性層4に平行
な方向に作りつけの実効屈折率差を形成し、横モード制
御を可能とした半導体レーザ装置としては、AAGaA
s系の半導体レーザ装置が良く知られている。第4図に
おいてp −G a A sコンタクト層7の屈折率n
1とp−クラッド層5(AAGaAs系の場合はp−A
uGaAsクラッド層)屈折率n2とがn1≦n2の関
係になるように、すなわち溝9部をp−クラッド層5と
同じり AAGaAs系で埋め込むことによって、屈
折率ガイド型の半導体レーザ装置が構成される。
な方向に作りつけの実効屈折率差を形成し、横モード制
御を可能とした半導体レーザ装置としては、AAGaA
s系の半導体レーザ装置が良く知られている。第4図に
おいてp −G a A sコンタクト層7の屈折率n
1とp−クラッド層5(AAGaAs系の場合はp−A
uGaAsクラッド層)屈折率n2とがn1≦n2の関
係になるように、すなわち溝9部をp−クラッド層5と
同じり AAGaAs系で埋め込むことによって、屈
折率ガイド型の半導体レーザ装置が構成される。
しかしながら、このような構造をAfGaInP系の化
合物半導体に適用した場合、以下に述べるような結晶成
長上の問題点が起きる。
合物半導体に適用した場合、以下に述べるような結晶成
長上の問題点が起きる。
すなわち、A17GaInP系の化合物半導体をMOV
PE法によって結晶成長する場合、下地結晶の面方位に
よってその上に成長されるAAGaInP層の結晶構造
が異なることが報告されている(例えば、昭和63年度
秋季応用物理学会予稿集、P、277)。
PE法によって結晶成長する場合、下地結晶の面方位に
よってその上に成長されるAAGaInP層の結晶構造
が異なることが報告されている(例えば、昭和63年度
秋季応用物理学会予稿集、P、277)。
例えば、第5図に示すように溝9を含むp −G a
A s電流阻止層T上に2回目のMOVPE成長でp−
A17GaInPクラッド層5と同一組成のp−AAG
aInPAAaInP層ると、溝9の底面(100)面
(図中Aで示す)上には(1111超格子が形成され、
溝9の両側面(111)面。
A s電流阻止層T上に2回目のMOVPE成長でp−
A17GaInPクラッド層5と同一組成のp−AAG
aInPAAaInP層ると、溝9の底面(100)面
(図中Aで示す)上には(1111超格子が形成され、
溝9の両側面(111)面。
(111) 面(図中B、B”1?示ス) 上E&!
[:111)超格子が形成されない性質があるため、こ
の溝9部を埋め込むp−Aj2GaInP層12には、
結晶構造の異なる成長層が混在し、良好な結晶性を有す
る半導体層の形成が極めて難しいという問題点がある。
[:111)超格子が形成されない性質があるため、こ
の溝9部を埋め込むp−Aj2GaInP層12には、
結晶構造の異なる成長層が混在し、良好な結晶性を有す
る半導体層の形成が極めて難しいという問題点がある。
本発明は、このような問題点を解決し良好な結晶性を有
し、横モード制御が可能なAAGaInP系可視光半導
体レーザ装置を提供するものである。
し、横モード制御が可能なAAGaInP系可視光半導
体レーザ装置を提供するものである。
本発明の半導体レーザ装置は、AfflGaInP系半
導体レーザ装置において、電流阻止層を貫通し電流通路
となる溝部の内面が(100)または(001)結晶面
を含まない面指数を有する結晶面からなっており、この
溝内部および電流阻止層の全上面に光の閉じ込め層とな
るAAGaInP層を形成した構造を有している。
導体レーザ装置において、電流阻止層を貫通し電流通路
となる溝部の内面が(100)または(001)結晶面
を含まない面指数を有する結晶面からなっており、この
溝内部および電流阻止層の全上面に光の閉じ込め層とな
るAAGaInP層を形成した構造を有している。
〔実施例1〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の半導体レーザ装置の構造を
示す横断面図である。
示す横断面図である。
まず、原料としてメタル系■族有機金属(トリメチルイ
ンジウム、トリエチルガリウム、トリメチルアルミニウ
ム)と、V族水素化物(PH3゜AsHs)とを用いた
減圧下でのMOVPE法により、面方位(100)のn
−G a A s基板13(n濃度2 X 10 ”
cm−’)上に厚さ0.5 p mのn−G a A
sバッファー層14(n濃度lXl0”(m−3)、厚
さ1.umのn (AnwsGacL4)o、1In
asPクラッド層15(n濃度5 x l O”cm−
’) 、厚さ0.06μmのGaasIn。、sP活性
層16.厚さ0、3 p mのp(Aj7o、aGaw
*) cs I na、sPクラッド層17(p濃度3
X 10 ”cm−”)及び厚さ0、6 p mのn
−G a A s電流阻止層18(n濃度I X 1
0 ”cm−”)を順次成長してダブルヘテロウェハー
を形成する。続いて、Sin、膜または、フォトレジス
ト膜をマスクとして用い、n−GaAs電流阻止層18
とp(Aj2a、aG&a、g)a、sIn。Pクラッ
ド層17の一部をHClとCHsOHの混合液で数分間
エツチングすることにより、電流阻止層18を貫通しp
−(A II a、e G a a4) ccsIna
、sPクラッド層17が露出し、内側面が(111)結
晶面(図中、Bで示f) と(111)M晶面(図中、
B′で示す)からなるストライプ状の溝19を形成する
。
ンジウム、トリエチルガリウム、トリメチルアルミニウ
ム)と、V族水素化物(PH3゜AsHs)とを用いた
減圧下でのMOVPE法により、面方位(100)のn
−G a A s基板13(n濃度2 X 10 ”
cm−’)上に厚さ0.5 p mのn−G a A
sバッファー層14(n濃度lXl0”(m−3)、厚
さ1.umのn (AnwsGacL4)o、1In
asPクラッド層15(n濃度5 x l O”cm−
’) 、厚さ0.06μmのGaasIn。、sP活性
層16.厚さ0、3 p mのp(Aj7o、aGaw
*) cs I na、sPクラッド層17(p濃度3
X 10 ”cm−”)及び厚さ0、6 p mのn
−G a A s電流阻止層18(n濃度I X 1
0 ”cm−”)を順次成長してダブルヘテロウェハー
を形成する。続いて、Sin、膜または、フォトレジス
ト膜をマスクとして用い、n−GaAs電流阻止層18
とp(Aj2a、aG&a、g)a、sIn。Pクラッ
ド層17の一部をHClとCHsOHの混合液で数分間
エツチングすることにより、電流阻止層18を貫通しp
−(A II a、e G a a4) ccsIna
、sPクラッド層17が露出し、内側面が(111)結
晶面(図中、Bで示f) と(111)M晶面(図中、
B′で示す)からなるストライプ状の溝19を形成する
。
次いで、2回目のMOVPE法により、第1図に示す如
く厚さ50人のp−GaasIn。P保護膜20(P濃
度I X 10 ”am−”)、厚さ1μm(平坦部)
のp−(AAwsGa+u)wsInLsP埋め込み層
21(P濃度5 X 10 ”cm ”)、厚さ1.u
mのp −G a A s コンタクト、層22(P濃
度5×10 ”an−’)を順次形成する。その後、コ
ンタクト層22上にp側電極23.基板13の下面にn
側電極24を形成することによって、第1図に示す構造
の半導体レーザ装置が完成する。
く厚さ50人のp−GaasIn。P保護膜20(P濃
度I X 10 ”am−”)、厚さ1μm(平坦部)
のp−(AAwsGa+u)wsInLsP埋め込み層
21(P濃度5 X 10 ”cm ”)、厚さ1.u
mのp −G a A s コンタクト、層22(P濃
度5×10 ”an−’)を順次形成する。その後、コ
ンタクト層22上にp側電極23.基板13の下面にn
側電極24を形成することによって、第1図に示す構造
の半導体レーザ装置が完成する。
これによって、溝19部の両側にn GaAs電流阻
止層18が配置されているため、効率的な電流注入がな
され発振光に対し吸収層として働らくため、溝19部と
その両側とで作りつけの実効屈折率差が生じ、低発振し
きい値でかつ屈折率ガイド型の横モード制御が可能とな
る。ここで、基本横モード光出力を大きく、またモード
の安定性を考慮し溝19部の電流注入幅は4〜5μmと
している。
止層18が配置されているため、効率的な電流注入がな
され発振光に対し吸収層として働らくため、溝19部と
その両側とで作りつけの実効屈折率差が生じ、低発振し
きい値でかつ屈折率ガイド型の横モード制御が可能とな
る。ここで、基本横モード光出力を大きく、またモード
の安定性を考慮し溝19部の電流注入幅は4〜5μmと
している。
〔実施例2〕
第2図は本発明の実施例2の横断面図である。
第1図で説明したと同様に、MOVPE法によって面方
位(100)のn GaAs基板13上にバッファー
層14.n−クラッド層15.活性層16、p−クラッ
ド層17.電流阻止層18を順次形成する。その後、第
1図と同様に電流阻止層18を貫通しp (AA’+u
Gaat)a、aInwiPクラッド層17を露出させ
たストライプ状の溝25を形成する。ここでは、この溝
25を形成するエツチング液としてHCl1とH202
の混合液を用いることによって、第2図に示すように溝
25の内側面が(211)結晶面(図中、Cで示す)と
(211)結晶面(図中、C′で示す)とからなるよう
に形成される。次いで、2回目のMOVPE法によって
、第1図と同様、保護層20.埋め込み層21.コンタ
クト層22を順次形成し、その後電極23.24を形成
して半導体レーザ装置が完成する。この実施例では、溝
25の内側面(211)、 (211)結晶面の(10
0)結晶面となす角度が35°と第1図の(111)、
(111)結晶面の場合の54.7°に比べゆるやか
なため、同じ厚さの電流阻止層18と同じ幅の電流注入
幅の場合、第2図で示す実施例の方が溝25の底部の深
さが浅く、言いかえれば溝19下のp (AAa、
aGILu)cmInQ、sPクラッド層17の厚さを
太き目にできるため、これが保護層となり2回目のMO
vPE法による再成長の際に活性層16が受ける熱的劣
化を軽減できる利点がある。
位(100)のn GaAs基板13上にバッファー
層14.n−クラッド層15.活性層16、p−クラッ
ド層17.電流阻止層18を順次形成する。その後、第
1図と同様に電流阻止層18を貫通しp (AA’+u
Gaat)a、aInwiPクラッド層17を露出させ
たストライプ状の溝25を形成する。ここでは、この溝
25を形成するエツチング液としてHCl1とH202
の混合液を用いることによって、第2図に示すように溝
25の内側面が(211)結晶面(図中、Cで示す)と
(211)結晶面(図中、C′で示す)とからなるよう
に形成される。次いで、2回目のMOVPE法によって
、第1図と同様、保護層20.埋め込み層21.コンタ
クト層22を順次形成し、その後電極23.24を形成
して半導体レーザ装置が完成する。この実施例では、溝
25の内側面(211)、 (211)結晶面の(10
0)結晶面となす角度が35°と第1図の(111)、
(111)結晶面の場合の54.7°に比べゆるやか
なため、同じ厚さの電流阻止層18と同じ幅の電流注入
幅の場合、第2図で示す実施例の方が溝25の底部の深
さが浅く、言いかえれば溝19下のp (AAa、
aGILu)cmInQ、sPクラッド層17の厚さを
太き目にできるため、これが保護層となり2回目のMO
vPE法による再成長の際に活性層16が受ける熱的劣
化を軽減できる利点がある。
〔実施例3〕
第3図は本発明の実施例3の横断面図である。
MOVPE法によるダブルヘテロ構造の成長は前述の実
施例と同じ方法で行なう。
施例と同じ方法で行なう。
ここでは、電流阻止層18を貫通し、クラッド層17を
露出させたストライプ状の溝26の内側面が電流阻止層
18部で(011)、 (011)結晶面(図中、D、
D’で示す)、クラツド層17内部で(111)、 (
111)結晶面(図中、B、B’で示す)からなるよう
に形成されている。(011)。
露出させたストライプ状の溝26の内側面が電流阻止層
18部で(011)、 (011)結晶面(図中、D、
D’で示す)、クラツド層17内部で(111)、 (
111)結晶面(図中、B、B’で示す)からなるよう
に形成されている。(011)。
(011)結晶面はHCl2とH* P Otの混合液
、(111)、 (111)結晶面は前述同様のH(1
とCH,OHの混合液を用いたエツチングによって露呈
される。この実施例では、電流阻止層18の厚さが溝2
6側面部まで同じであるため、電流集中が溝26幅に相
当する領域に効果的に行なえることから、低発振しきい
値で高効率な横モード制御が可能な半導体レーザ装置を
実現できる。
、(111)、 (111)結晶面は前述同様のH(1
とCH,OHの混合液を用いたエツチングによって露呈
される。この実施例では、電流阻止層18の厚さが溝2
6側面部まで同じであるため、電流集中が溝26幅に相
当する領域に効果的に行なえることから、低発振しきい
値で高効率な横モード制御が可能な半導体レーザ装置を
実現できる。
以上説明したように本発明によれば、n−GaAs電流
阻止層18の一部に形成した電流通路となる溝19,2
5.26の内面が(100)結晶面を含まない面指数を
有する結晶面からなっているために、この上にMOVP
E法で成長するp−(AAwsG&a*)QJInas
P埋め込み層21は1:11 lE超格子構造とはなら
ず正常な屈折率(バンドギャップ)を有する良好な結晶
層を形成できる。
阻止層18の一部に形成した電流通路となる溝19,2
5.26の内面が(100)結晶面を含まない面指数を
有する結晶面からなっているために、この上にMOVP
E法で成長するp−(AAwsG&a*)QJInas
P埋め込み層21は1:11 lE超格子構造とはなら
ず正常な屈折率(バンドギャップ)を有する良好な結晶
層を形成できる。
従って、本発明によってAAGaInP系の化合物半導
体においてもA AJ G a A s系と同様な屈折
率ガイド型構造を実現できる。
体においてもA AJ G a A s系と同様な屈折
率ガイド型構造を実現できる。
第1図、第2図、第3図は本発明の実施例を示すAAG
alnP系半導体レーザ装置の横断面図、第4図は従来
技術により得られるAIIGaInP系半導体レーザ装
置の横断面図、第5図は従来技術で得られる屈折率ガイ
ド型のAnGaInPnGaIn−ザ装置の問題点を説
明するための横断面図を示す。 図において、 1.13−n−GaAs基板、2,14・・・・・・n
−G a A sバッファー層、3.15−−n−(
AAaaGacLa) asI nasPクラッド層、
4゜16・・・・・・GaasIn。P活性層、5,1
7・・・・・・p(AmfasG 6w4) as I
na、sPクラッド層、6・・・・・・p Ga1s
In。Pエツチング停止層、7゜18・・・・・・n−
GaAs電流阻止層、8,22・・・・・・p−GaA
sコンタクト層、9,19,25.26・・・・・・溝
、10.23・・・・・・P側電極、11.24・・・
”’n側電極、12−p−AAGaInP系、20””
p Gao、5InasP保護層、21− pCAul
lLgGaw*) IILsI n1LsP埋め込み層
、A・・・・・・<100> 、B・・・・・・<11
1> 、B’・・・・・・<111>、C・・・・・・
<211>、C′・・・・・・<211>、D・・・・
・・<011>、D′・・・・・・(011>を示す。
alnP系半導体レーザ装置の横断面図、第4図は従来
技術により得られるAIIGaInP系半導体レーザ装
置の横断面図、第5図は従来技術で得られる屈折率ガイ
ド型のAnGaInPnGaIn−ザ装置の問題点を説
明するための横断面図を示す。 図において、 1.13−n−GaAs基板、2,14・・・・・・n
−G a A sバッファー層、3.15−−n−(
AAaaGacLa) asI nasPクラッド層、
4゜16・・・・・・GaasIn。P活性層、5,1
7・・・・・・p(AmfasG 6w4) as I
na、sPクラッド層、6・・・・・・p Ga1s
In。Pエツチング停止層、7゜18・・・・・・n−
GaAs電流阻止層、8,22・・・・・・p−GaA
sコンタクト層、9,19,25.26・・・・・・溝
、10.23・・・・・・P側電極、11.24・・・
”’n側電極、12−p−AAGaInP系、20””
p Gao、5InasP保護層、21− pCAul
lLgGaw*) IILsI n1LsP埋め込み層
、A・・・・・・<100> 、B・・・・・・<11
1> 、B’・・・・・・<111>、C・・・・・・
<211>、C′・・・・・・<211>、D・・・・
・・<011>、D′・・・・・・(011>を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成したダブルヘテロ接合構造部が(A
l_xGa_1_−_x)_0_._5In_0_._
5P(0≦x≦1)で成り、このダブルヘテロ接合構造
部の上に電流阻止層を具備した半導体レーザ装置におい
て、電流阻止層を貫通し電流通路となる溝部の内面が(
100)または(001)結晶面を含まない面指数を有
する結晶面からなっており、この溝内部および電流阻止
層の全上面に(Al_xGa_1_x)_0_._5I
n_0_._5(0≦x≦1)層を少なくとも1層設け
たことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19760789A JPH0362585A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19760789A JPH0362585A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0362585A true JPH0362585A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16377286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19760789A Pending JPH0362585A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0362585A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5577062A (en) * | 1993-12-22 | 1996-11-19 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser diode apparatus and method of producing the same |
EP0828302A3 (en) * | 1996-09-06 | 1998-12-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride group compound semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP19760789A patent/JPH0362585A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5577062A (en) * | 1993-12-22 | 1996-11-19 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser diode apparatus and method of producing the same |
EP0828302A3 (en) * | 1996-09-06 | 1998-12-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride group compound semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
US6111275A (en) * | 1996-09-06 | 2000-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride group compound semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
US6284559B1 (en) | 1996-09-06 | 2001-09-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride group compound semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0656906B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
EP0440471B1 (en) | Transverse-mode stabilized laser diode | |
US4905246A (en) | Semiconductor laser device | |
US4899349A (en) | Semiconductor laser device | |
US5345460A (en) | Semiconductor laser device with window regions | |
JP3859839B2 (ja) | 屈折率導波型半導体レーザ装置 | |
US5822348A (en) | Semiconductor laser | |
JPH05251813A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JPH0362585A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH08316563A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2002368335A (ja) | 半導体レーザ素子およびその作製方法および半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステムおよび光ピックアップシステムおよび電子写真システム | |
JP2909133B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH11284276A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JPH0537078A (ja) | 量子井戸半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP3078553B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP3144821B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH08316564A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH0373584A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH0388382A (ja) | 半導体レーザ | |
JPH07321395A (ja) | 自励発振型半導体レーザ素子 | |
JPH05218568A (ja) | 半導体レーザ | |
JP2730683B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JPH04127595A (ja) | 半導体レーザ | |
JPH05121828A (ja) | 半導体レーザ | |
JPH0373585A (ja) | 半導体レーザ |