JPS61281575A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS61281575A JPS61281575A JP12307885A JP12307885A JPS61281575A JP S61281575 A JPS61281575 A JP S61281575A JP 12307885 A JP12307885 A JP 12307885A JP 12307885 A JP12307885 A JP 12307885A JP S61281575 A JPS61281575 A JP S61281575A
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- JP
- Japan
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- type
- current
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系半導体レーザに関
する。
する。
（従来の技術）
従来より、この種ｃ７）ＧａＩ ｎＡｓＰ／Ｉ ｎＰ系
半導体レーザは例えば光通信用の光源として実用化が進
められている。その−例として文献（「アプライド フ
ィジックス レターズ（Ａｐｐ ｌ １ｅｄＰｈｙｓｉ
ｓｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、」、峠、（３）、ｐｐ２８
２〜２８３ ）に開示されたのものがある。第３図は、
この文献に開示された従来の半導体レーザの構造を示す
断面図である。
半導体レーザは例えば光通信用の光源として実用化が進
められている。その−例として文献（「アプライド フ
ィジックス レターズ（Ａｐｐ ｌ １ｅｄＰｈｙｓｉ
ｓｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、」、峠、（３）、ｐｐ２８
２〜２８３ ）に開示されたのものがある。第３図は、
この文献に開示された従来の半導体レーザの構造を示す
断面図である。
図示の半導体レーザは、（１００）面方位ｐ型基板１０
上に第一層としてのｐｌ−ＩｎＰ層１２、第二層として
のｎ−ＪｎＰ！１４及び第三層としてのｐ２−ＩｎＰ層
１Ｂから成る電流阻止層１８を成長させ、次に、この電
流阻止層１８に、＜０１１＞方向に延在しかつ斜面が（
１１１） Ｂ面となるようなＶ溝２０を掘り、次いで、
このＶ溝２０を含む電流阻止層１８上にダブルヘテロ接
合を構成するｐ−ＩｎＰ下側クラッド層２２、ＧａＩｎ
ＡｓＰ活性層２４及びｎ−ＩｎＰ上側クラッド層２６を
それぞれ液相エピタキシャル成長させ、そして、この構
造をく０１１〉方向に襞間することによりファブリペロ
−型レーザとして構成されている。
上に第一層としてのｐｌ−ＩｎＰ層１２、第二層として
のｎ−ＪｎＰ！１４及び第三層としてのｐ２−ＩｎＰ層
１Ｂから成る電流阻止層１８を成長させ、次に、この電
流阻止層１８に、＜０１１＞方向に延在しかつ斜面が（
１１１） Ｂ面となるようなＶ溝２０を掘り、次いで、
このＶ溝２０を含む電流阻止層１８上にダブルヘテロ接
合を構成するｐ−ＩｎＰ下側クラッド層２２、ＧａＩｎ
ＡｓＰ活性層２４及びｎ−ＩｎＰ上側クラッド層２６を
それぞれ液相エピタキシャル成長させ、そして、この構
造をく０１１〉方向に襞間することによりファブリペロ
−型レーザとして構成されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、骨間によらずにレーザ端面を形成するた
めには、エツチングを行う必要があるが、その場合、共
振器方向を＜０１１＞とすると垂直な端面を得ることが
困難であった。
めには、エツチングを行う必要があるが、その場合、共
振器方向を＜０１１＞とすると垂直な端面を得ることが
困難であった。
一方、共振器方向をく０１丁〉とする場合には、エツチ
ングによる垂直な端面の形成は容易であるが、液相エピ
タキシャル成長で＜０１了〉方向の溝の内部へ結晶を成
長させることは困難であった。
ングによる垂直な端面の形成は容易であるが、液相エピ
タキシャル成長で＜０１了〉方向の溝の内部へ結晶を成
長させることは困難であった。
この発明はこのような従来の欠点に鑑みなされたもので
あり、従って、この発明の目的は、エツチングにより垂
直端面の作製が可能であると共に、＜０１１＞方向のＶ
溝内での結晶成長が可能となり、さらにウェハブロービ
ングが可能であり、製造工程が簡単となり、しかも、駆
動、受光等の回路部品との一体集積化に優れた構造の半
導体レーザを提供することにある。
あり、従って、この発明の目的は、エツチングにより垂
直端面の作製が可能であると共に、＜０１１＞方向のＶ
溝内での結晶成長が可能となり、さらにウェハブロービ
ングが可能であり、製造工程が簡単となり、しかも、駆
動、受光等の回路部品との一体集積化に優れた構造の半
導体レーザを提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この発明の半導体レーザは
、（１００）ＩｎＰ基板上に、−回目の結晶成長で形成
した電流阻止層を具えている。この電流阻止層を形成す
るｐ−ｎ−ｐ又はｎ−ｐ−ｎ構造の各層は全てＧａｘＩ
ｎ／−ｘＡｓｆ−ｙＰｙの四元混晶材料で形成する。
、（１００）ＩｎＰ基板上に、−回目の結晶成長で形成
した電流阻止層を具えている。この電流阻止層を形成す
るｐ−ｎ−ｐ又はｎ−ｐ−ｎ構造の各層は全てＧａｘＩ
ｎ／−ｘＡｓｆ−ｙＰｙの四元混晶材料で形成する。
従って、この場合、第一層をＧａＸ、Ｉ ｎ／−Ｘ、Ａ
ＳＶＩ ＰＩ−１１層とし、第二層をＧａｘ２ Ｉ ｎ
７−ｘ２Ａ Ｓ Ｖ２ Ｐｔ−７７層とし及び第三層を
Ｇａｘ３ Ｉ ｎ／−Ｘ３ Ａ ５ｙ３Ｆ＋−ｙ：＋Ｊ
！とすることが出来る。
ＳＶＩ ＰＩ−１１層とし、第二層をＧａｘ２ Ｉ ｎ
７−ｘ２Ａ Ｓ Ｖ２ Ｐｔ−７７層とし及び第三層を
Ｇａｘ３ Ｉ ｎ／−Ｘ３ Ａ ５ｙ３Ｆ＋−ｙ：＋Ｊ
！とすることが出来る。
この電流阻止層に形成したＶ溝は第二層のＧａｘ２ Ｉ
ｎｌ−Ｘ２ Ａ Ｓ ｙ２ ＰＩ−７２層をつき抜け
る深さで＜０１１＞方向に延在する。従って、共振器は
＜０１１＞方向であり、レーザ端面ば＜０１１〉方向と
なる。
ｎｌ−Ｘ２ Ａ Ｓ ｙ２ ＰＩ−７２層をつき抜け
る深さで＜０１１＞方向に延在する。従って、共振器は
＜０１１＞方向であり、レーザ端面ば＜０１１〉方向と
なる。
このＶ溝を含む電流阻止層上に形成したダブルヘテロ構
造の少なくとも下側クラッド層及び活性層をＧ ａ ｘ
Ｉ ｎｌ−ｘＡ ５１−ｙ Ｐ ｙの四元混晶材料で
形成する。従って、例えば、下側クラッド層をＧ ａ
ｘ４ Ｉ ｎ／−ｘ４ Ａ ｓ ｙ４ Ｐｆ’−Ｖ４層
、活性層をＧａｘＳＩ ｎ／−Ｘ５ＡｓＶｓ Ｐｔ−１
５層及び上側クラッド層をＧ ａ Ｘ６ Ｉ ｒｌｌ−
Ｘ６ Ａ Ｓ ｙ６ Ｐｆ−７６層とすることが出来る
。
造の少なくとも下側クラッド層及び活性層をＧ ａ ｘ
Ｉ ｎｌ−ｘＡ ５１−ｙ Ｐ ｙの四元混晶材料で
形成する。従って、例えば、下側クラッド層をＧ ａ
ｘ４ Ｉ ｎ／−ｘ４ Ａ ｓ ｙ４ Ｐｆ’−Ｖ４層
、活性層をＧａｘＳＩ ｎ／−Ｘ５ＡｓＶｓ Ｐｔ−１
５層及び上側クラッド層をＧ ａ Ｘ６ Ｉ ｒｌｌ−
Ｘ６ Ａ Ｓ ｙ６ Ｐｆ−７６層とすることが出来る
。
（作用）
このように、この発明の半導体レーザの構造によれば、
（１００）ＩｒｒＰ基板上にＧａＩ ｎＡｓＰ四元混晶
で形成した電流阻止層に＜０１１＞方向のＶ溝を掘り、
このＶ溝上に四元混晶から成るダブルヘテロ接合層を成
長させることが出来るため、＜Ｏｌｌ＞方向のＶ溝内へ
も良好な結晶成長が可能となる。
（１００）ＩｒｒＰ基板上にＧａＩ ｎＡｓＰ四元混晶
で形成した電流阻止層に＜０１１＞方向のＶ溝を掘り、
このＶ溝上に四元混晶から成るダブルヘテロ接合層を成
長させることが出来るため、＜Ｏｌｌ＞方向のＶ溝内へ
も良好な結晶成長が可能となる。
その結果、レーザ端面が＜０１１＞方向となるため、エ
ツチングによる垂直に近いレーザ端面の作製が可能とな
ると共に、ウェハプロービングが可能となり、製造工程
も簡単となり、歩留まりも向コーする。
ツチングによる垂直に近いレーザ端面の作製が可能とな
ると共に、ウェハプロービングが可能となり、製造工程
も簡単となり、歩留まりも向コーする。
（実施例）
以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。尚、
これら図において、各構成成分の寸法、形状及び配置関
係はこの発明が理解出来る程度に概略的に示しであるに
すぎない。
これら図において、各構成成分の寸法、形状及び配置関
係はこの発明が理解出来る程度に概略的に示しであるに
すぎない。
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例を示す要部
を断面とする斜視図で、共振器であるＶ溝部を誇張して
示しである。また、共振器はく０１丁〉結晶方位に平行
である。
を断面とする斜視図で、共振器であるＶ溝部を誇張して
示しである。また、共振器はく０１丁〉結晶方位に平行
である。
この発明においては、例えばｐ型のｒｎＰ基板３０上に
四元混晶から成る電流阻止層３２を具えている。この電
流阻止層３２は基板３０側から順次に第一層３４をｐ型
Ｇａｘｌ Ｉ ｎｌ−ＸＩ ＡＳＩ−Ｖ＋ ＰＶ１
層とし、第二層３６をｎ型Ｇａｘ２Ｉ ｎｌ−ｘ２ Ａ
５ｌ−ｙ２ ＰＶ２層とし、第三層３８をｐ型Ｇａｘ
３ Ｉｎ／−Ｘ３ Ａ ５ｔ−Ｖ３Ｐ”１３層とで構成
する。
四元混晶から成る電流阻止層３２を具えている。この電
流阻止層３２は基板３０側から順次に第一層３４をｐ型
Ｇａｘｌ Ｉ ｎｌ−ＸＩ ＡＳＩ−Ｖ＋ ＰＶ１
層とし、第二層３６をｎ型Ｇａｘ２Ｉ ｎｌ−ｘ２ Ａ
５ｌ−ｙ２ ＰＶ２層とし、第三層３８をｐ型Ｇａｘ
３ Ｉｎ／−Ｘ３ Ａ ５ｔ−Ｖ３Ｐ”１３層とで構成
する。
この電流阻止層３２に設けたＶ溝４０の方向はく０１１
〉方向であり、このＶ溝４０の上側に成長させたダブル
ヘテロ接合を形成する各層を四元混晶を以って構成し、
基板側から順次に下側クラッド層４２としてのｐ型Ｇ
ａ Ｘ４ Ｉ ｎ７−Ｘ４ Ａ、Ｓ／−］／４Ｐｙ４Ｒ
１活性層４４としてのＧａｘ５ Ｉ ｎｌ−Ｘ５ ＡＳ
ｌ−’ｌ ｓ Ｐ Ｖ ＞層及び上側クラッド層４Ｂと
してのｎ型Ｇａｘ６ Ｉ ｎｌ−ｘ６ Ａｓ１−Ｖ６Ｐ
Ｖ６層とする。尚、上述した基板及び各層の導電型は全
て反転させた導電型として良い。
〉方向であり、このＶ溝４０の上側に成長させたダブル
ヘテロ接合を形成する各層を四元混晶を以って構成し、
基板側から順次に下側クラッド層４２としてのｐ型Ｇ
ａ Ｘ４ Ｉ ｎ７−Ｘ４ Ａ、Ｓ／−］／４Ｐｙ４Ｒ
１活性層４４としてのＧａｘ５ Ｉ ｎｌ−Ｘ５ ＡＳ
ｌ−’ｌ ｓ Ｐ Ｖ ＞層及び上側クラッド層４Ｂと
してのｎ型Ｇａｘ６ Ｉ ｎｌ−ｘ６ Ａｓ１−Ｖ６Ｐ
Ｖ６層とする。尚、上述した基板及び各層の導電型は全
て反転させた導電型として良い。
この発明では、結晶方位が重要な因子であるので、半導
体レーザの製造方法を説明しながら、この結晶方位を明
確にする。
体レーザの製造方法を説明しながら、この結晶方位を明
確にする。
第２図（Ａ）及び（Ｂ）はこの発明の半導体レーザの製
造工程の一部分を説明するための説明図であり、（Ａ）
は断面図及び（Ｂ）は要部を断面とする斜視図である。
造工程の一部分を説明するための説明図であり、（Ａ）
は断面図及び（Ｂ）は要部を断面とする斜視図である。
先ず、第２図（Ａ）に示すように、（１００）面方位ｐ
型ＩｎＰ基板３０上に、前述した電流阻止層３２を形成
する第一層３４、第二層３８及び第三層３８を順次に結
晶成長させる。これら各層の成長法は、半導体技術で通
常使用されている液相エピタキシャル法、分子線エピタ
キシャル法、有機金属気相エピタキシャル法の如何を問
わない。
型ＩｎＰ基板３０上に、前述した電流阻止層３２を形成
する第一層３４、第二層３８及び第三層３８を順次に結
晶成長させる。これら各層の成長法は、半導体技術で通
常使用されている液相エピタキシャル法、分子線エピタ
キシャル法、有機金属気相エピタキシャル法の如何を問
わない。
これら第一層３４、第二層３８及び第三層３８の組成因
子（Ｘ＋、Ｖ＋）、（Ｘ ２ 、 、 Ｖ：ｚ）及び（
Ｘ３ ＋、Ｙ３）は次のような四つの条件を満足する
ようｂＬ選択されるべきものである。
子（Ｘ＋、Ｖ＋）、（Ｘ ２ 、 、 Ｖ：ｚ）及び（
Ｘ３ ＋、Ｙ３）は次のような四つの条件を満足する
ようｂＬ選択されるべきものである。
■第二層３４、第二層３６及び第三層３８が基板３０に
格子整合する値であること。
格子整合する値であること。
■各個は零でない有限な値とすること。
■第二層３４、第二層苧８及び第三層３８のエネルギー
ギャップが第１図に示す活性層４４のエネルギーギャッ
プよりも充分に大きくて、注入された電子及び正孔が有
効に閉じ込められること。 −■第二層３４、第二層
３６及び第三層３８の屈折率が第１図に示す活性層４４
の屈折率よりも充分に小さくて、再結合で発光した光が
有効に閉じ込められること。
ギャップが第１図に示す活性層４４のエネルギーギャッ
プよりも充分に大きくて、注入された電子及び正孔が有
効に閉じ込められること。 −■第二層３４、第二層
３６及び第三層３８の屈折率が第１図に示す活性層４４
の屈折率よりも充分に小さくて、再結合で発光した光が
有効に閉じ込められること。
これらの各条件を満足する第一層３４、第二層３Ｂ及び
第三層３８の材料としては、例えば、活性層４４の発光
波長を１．３ｇｍとする場合には、１．０１Ｌｍよりも
短い発光波長をもつ四元混晶とするのが好適である。
、 次に、第２図（Ｂ）に示すように、通常のりソグラフィ
、エツチング技術を用いて、＜Ｏｌｌ＞方向に■溝４０
を掘る。この場合のエツチングを例えば臭素−メタノー
ル混合液による化学エツチングとすると、■溝４０の斜
面は（１１１） Ａ面となる。この面はＧａ−Ｉｎの原
子配列よりなる面である。
第三層３８の材料としては、例えば、活性層４４の発光
波長を１．３ｇｍとする場合には、１．０１Ｌｍよりも
短い発光波長をもつ四元混晶とするのが好適である。
、 次に、第２図（Ｂ）に示すように、通常のりソグラフィ
、エツチング技術を用いて、＜Ｏｌｌ＞方向に■溝４０
を掘る。この場合のエツチングを例えば臭素−メタノー
ル混合液による化学エツチングとすると、■溝４０の斜
面は（１１１） Ａ面となる。この面はＧａ−Ｉｎの原
子配列よりなる面である。
このようなＶ溝付きの基板上に、二回目の液相エピタキ
シャル成長を行って、下側クラッド層４２、活性層４４
及び上側クラッド層４Ｂを□キれぞれ、成長させてダブ
ルヘテロ接合構造を構成する。これらの各層４２．４４
及び４Ｂは次の二つの条件を満足するものとする。
シャル成長を行って、下側クラッド層４２、活性層４４
及び上側クラッド層４Ｂを□キれぞれ、成長させてダブ
ルヘテロ接合構造を構成する。これらの各層４２．４４
及び４Ｂは次の二つの条件を満足するものとする。
■注入された電子及び正孔が活性層４４に有効に閉じ込
められるように、下側及び上、側クラッド層４２及び４
６のエネルギーギャップは活性層４４のエネルギーギャ
ップよりも充分大きいこと。
められるように、下側及び上、側クラッド層４２及び４
６のエネルギーギャップは活性層４４のエネルギーギャ
ップよりも充分大きいこと。
■レーザ発振光が良好に導波されるように、下側及び上
側クラッド層４２及び４８の屈折率は活性層４４の屈折
率よりも充分大きいこと。
側クラッド層４２及び４８の屈折率は活性層４４の屈折
率よりも充分大きいこと。
このような観点から、具体例として、ダブルヘテロ接合
を構成する層材料として、例えば活性層４４の発光波長
を１．３１Ｌｍとする場合には下側及び上側クラッド層
４２及び４６の発振波長が１．ＯＩＬｍより短くなる四
元混晶材料とすれば良い。この場合、勿論、両クラッド
層４２．４６及び活性層４４がＩｎＰに格子整合するこ
と及び少なくとも（Ｘ４ｙ４）、（’Ｘ’ｓ ’ ＋
ｙｓ ）は零でない有限の値であることが必要である。
を構成する層材料として、例えば活性層４４の発光波長
を１．３１Ｌｍとする場合には下側及び上側クラッド層
４２及び４６の発振波長が１．ＯＩＬｍより短くなる四
元混晶材料とすれば良い。この場合、勿論、両クラッド
層４２．４６及び活性層４４がＩｎＰに格子整合するこ
と及び少なくとも（Ｘ４ｙ４）、（’Ｘ’ｓ ’ ＋
ｙｓ ）は零でない有限の値であることが必要である。
′
このダブルヘテロ接合構造の形成後は通常の方法で、所
要の碩の層及び又□は電極等を設けて半導４、ヨ谷、完
１成ｉ。
要の碩の層及び又□は電極等を設けて半導４、ヨ谷、完
１成ｉ。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明の半導体
レーザの構造によれば、ＧａＩｎＡｓＰ四元混晶で構成
した電流阻止層にＶ溝が形成されていて、そのＶ溝上に
四元混晶で形成されたダブルヘテロ接合構造を成長させ
ることが出来るので、従来のＩｎＰ層より成る■溝構造
では不可能であった＜ｏｌＴ＞方向のＶ溝内への結晶成
長が容易かつ簡単に行える。
レーザの構造によれば、ＧａＩｎＡｓＰ四元混晶で構成
した電流阻止層にＶ溝が形成されていて、そのＶ溝上に
四元混晶で形成されたダブルヘテロ接合構造を成長させ
ることが出来るので、従来のＩｎＰ層より成る■溝構造
では不可能であった＜ｏｌＴ＞方向のＶ溝内への結晶成
長が容易かつ簡単に行える。
さらに、この発明の構成では、レーザ端面が＜０１１＞
方向となるため、エツチングにより垂直に近いレーザ端
面の作製が容易となるため襞間工程が不要となり、ウェ
ハプロービングが可能となり、製造歩留りが向上する。
方向となるため、エツチングにより垂直に近いレーザ端
面の作製が容易となるため襞間工程が不要となり、ウェ
ハプロービングが可能となり、製造歩留りが向上する。
従って、この発明の半導体レーザは駆動、受光等の回路
部品との一体集積化に優れた素子である。
部品との一体集積化に優れた素子である。
第１図はこの発明の半導体レーザの構造を概略的に示す
要部を断面とする斜視図、 第２図（Ａ）及び（Ｂ）はこの発明の半導体レーザの説
明に供する製造工程図、 第３図は従来の半導体レーザの説明に供する断面図であ
る。 ３０・・・ＩｎＰ基板、 ３２・・・電流阻止層３
４−・・第一層（ＧａＩｎＡｓＰ層）３８ ・・・第二
層（ＧａｉｎＡｓＰ層）３８−・・第三層（ＧａＩｎＡ
ｓＰ層）４０・・・Ｖ溝 ４２・・・下側クラッド層（Ｇａ１．ｎＡｓＰ層）４４
−・・活性層（ＧａＩｎＡｓＰ層）４６・・・上側クラ
ッド層（ＧａＩｎＡｓＰ層）。 特許出願人 沖電気工業株式会社ζ１ Ｃ５Ｃｚ １マ ℃ ζコ ） へ） 〜） 〜〕 〜） ダ く ； 手続補正書 昭和６１年７月３日
要部を断面とする斜視図、 第２図（Ａ）及び（Ｂ）はこの発明の半導体レーザの説
明に供する製造工程図、 第３図は従来の半導体レーザの説明に供する断面図であ
る。 ３０・・・ＩｎＰ基板、 ３２・・・電流阻止層３
４−・・第一層（ＧａＩｎＡｓＰ層）３８ ・・・第二
層（ＧａｉｎＡｓＰ層）３８−・・第三層（ＧａＩｎＡ
ｓＰ層）４０・・・Ｖ溝 ４２・・・下側クラッド層（Ｇａ１．ｎＡｓＰ層）４４
−・・活性層（ＧａＩｎＡｓＰ層）４６・・・上側クラ
ッド層（ＧａＩｎＡｓＰ層）。 特許出願人 沖電気工業株式会社ζ１ Ｃ５Ｃｚ １マ ℃ ζコ ） へ） 〜） 〜〕 〜） ダ く ； 手続補正書 昭和６１年７月３日
Claims (1)
- （１）（１００）ＩｎＰ基板上にＧａｘＩｎ＿１−ｘＡ
ｓｙＰ＿１−ｙの四元混晶材料からそれぞれ成る第一層
、第二層及び第三層により形成されかつ該第二層をつき
抜ける深さで〈０１＠１＠〉方向に延在するＶ溝を有す
る電流阻止層を具え、 さらに、該電流阻止層上にダブルヘテロ構造を具え、該
ダブルヘテロ構造を構成する少なくとも下側クラッド層
及び活性層をＧａｘＩｎ＿１−ｘＡｓｙＰ＿１−ｙの四
元混晶材料で形成した ことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12307885A JPS61281575A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12307885A JPS61281575A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281575A true JPS61281575A (ja) | 1986-12-11 |
| JPH0137874B2 JPH0137874B2 (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=14851645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12307885A Granted JPS61281575A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281575A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5577062A (en) * | 1993-12-22 | 1996-11-19 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser diode apparatus and method of producing the same |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP12307885A patent/JPS61281575A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5577062A (en) * | 1993-12-22 | 1996-11-19 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser diode apparatus and method of producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0137874B2 (ja) | 1989-08-09 |
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