JPH07122524A - 半導体ウエハを研削するための回転研削盤用ワークホルダ及び該ワークホルダを位置決めするための方法 - Google Patents
半導体ウエハを研削するための回転研削盤用ワークホルダ及び該ワークホルダを位置決めするための方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 研削工具の回転軸線とワークの回転軸線との
相対的空間位置が簡単に且つ高精度で調整可能な装置及
び方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハ１０を研削するための回転研削
盤用ワークホルダ１であって、回転研削工具の方を向い
て被加工半導体ウエハ１０を載置する作業面９を有する
ワークホルダ１に関し、更に、ワークホルダ１を軸方向
に支持する圧電素子２に関する。圧電素子２は、互いに
独立に作動させることができ、作動時にはそれらの直線
寸法が変化し、作動した圧電素子２は、それがワークホ
ルダ１を支持する位置でワークホルダを軸方向に上下動
させる。
相対的空間位置が簡単に且つ高精度で調整可能な装置及
び方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハ１０を研削するための回転研削
盤用ワークホルダ１であって、回転研削工具の方を向い
て被加工半導体ウエハ１０を載置する作業面９を有する
ワークホルダ１に関し、更に、ワークホルダ１を軸方向
に支持する圧電素子２に関する。圧電素子２は、互いに
独立に作動させることができ、作動時にはそれらの直線
寸法が変化し、作動した圧電素子２は、それがワークホ
ルダ１を支持する位置でワークホルダを軸方向に上下動
させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを研削す
るための回転研削盤用ワークホルダであって、回転研削
工具の方を向いて被加工半導体ウエハを載置する回転可
能な作業面を有すると共に、ワークホルダを軸方向に支
持する手段を有するワークホルダに関する。更に、本発
明は、該ワークホルダを位置決めするための方法に関す
る。
るための回転研削盤用ワークホルダであって、回転研削
工具の方を向いて被加工半導体ウエハを載置する回転可
能な作業面を有すると共に、ワークホルダを軸方向に支
持する手段を有するワークホルダに関する。更に、本発
明は、該ワークホルダを位置決めするための方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの表面を研削する場合、ワ
ークホルダの回転軸線と、回転研削盤の切削工具の回転
軸線との相対的な空間位置は、極めて重要である。例え
ば、研削中、半導体ウエハに特定の形状、例えば、湾曲
した側面を付与するためには、研削工具の回転軸線とワ
ークホルダの回転軸線とを一定の角度を画定するように
互いに傾斜させることが好ましい。
ークホルダの回転軸線と、回転研削盤の切削工具の回転
軸線との相対的な空間位置は、極めて重要である。例え
ば、研削中、半導体ウエハに特定の形状、例えば、湾曲
した側面を付与するためには、研削工具の回転軸線とワ
ークホルダの回転軸線とを一定の角度を画定するように
互いに傾斜させることが好ましい。
【０００３】研削行程の通常の目的は、加工すべき半導
体ウエハの側面の一方から均一な厚さの層を除去するこ
とである。この目的を達成するための必要条件は、ワー
クホルダの作業面と研削工具の研削面とが互いに平行に
位置することである。この条件を満たすために、ワーク
ホルダの回転軸線と研削工具の回転軸線とは、平行な向
きを有しなければならない。
体ウエハの側面の一方から均一な厚さの層を除去するこ
とである。この目的を達成するための必要条件は、ワー
クホルダの作業面と研削工具の研削面とが互いに平行に
位置することである。この条件を満たすために、ワーク
ホルダの回転軸線と研削工具の回転軸線とは、平行な向
きを有しなければならない。
【０００４】半導体ウエハの研削中、各軸線の位置は、
温度の影響や支配的な行程力のために変化することがあ
る。従って、２本の軸線の所望の相対位置を回復するた
めの手段を設ける必要がある。
温度の影響や支配的な行程力のために変化することがあ
る。従って、２本の軸線の所望の相対位置を回復するた
めの手段を設ける必要がある。
【０００５】従来、これは、一定の回転中心の周りに研
削工具の主軸を回転させて、或いはその懸架装置を変形
させて、研削工具の回転軸線の向きを意図的に変化させ
ることにより、行ってきた。この場合、固定されたワー
クホルダの回転軸線の向きは、変えられない。この手順
は、複雑で手間がかかる上、被研削半導体ウエハの形状
に対する一層厳しい要求を考えると、不十分な精度しか
得られない。
削工具の主軸を回転させて、或いはその懸架装置を変形
させて、研削工具の回転軸線の向きを意図的に変化させ
ることにより、行ってきた。この場合、固定されたワー
クホルダの回転軸線の向きは、変えられない。この手順
は、複雑で手間がかかる上、被研削半導体ウエハの形状
に対する一層厳しい要求を考えると、不十分な精度しか
得られない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、研削工具の回転軸線とワークの回転軸線との相対的
空間位置が簡単に且つ高精度で調整可能な装置及び方法
を提供することにある。
は、研削工具の回転軸線とワークの回転軸線との相対的
空間位置が簡単に且つ高精度で調整可能な装置及び方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した目的は、半導体
ウエハを研削するための回転研削盤用ワークホルダであ
って、回転研削工具の方を向いて被加工半導体ウエハを
載置する回転可能な作業面を有すると共にワークホルダ
を軸方向に支持する手段を有し、前記手段が互いに独立
に作動可能で作動時には直線寸法が変化する圧電素子で
あり、作動する圧電素子はそれがワークホルダを支持す
る位置でワークホルダを軸方向に上下動させるワークホ
ルダにより達成される。
ウエハを研削するための回転研削盤用ワークホルダであ
って、回転研削工具の方を向いて被加工半導体ウエハを
載置する回転可能な作業面を有すると共にワークホルダ
を軸方向に支持する手段を有し、前記手段が互いに独立
に作動可能で作動時には直線寸法が変化する圧電素子で
あり、作動する圧電素子はそれがワークホルダを支持す
る位置でワークホルダを軸方向に上下動させるワークホ
ルダにより達成される。
【０００８】更に、上記目的は、本発明にかかるワーク
ホルダを位置決めするための方法であって、ワークホル
ダの回転軸線と研削工具の回転軸線とが平行に位置する
か或いは互いに対して一定の位置を取るように前記圧電
素子を作動させる方法により達成される。
ホルダを位置決めするための方法であって、ワークホル
ダの回転軸線と研削工具の回転軸線とが平行に位置する
か或いは互いに対して一定の位置を取るように前記圧電
素子を作動させる方法により達成される。
【０００９】「圧電素子」は、それ自体公知で市販され
た、電気エネルギを運動エネルギに変換する圧電変換器
として理解されたい。本発明の基礎を成す原理は、圧電
素子を半導体ウエハ用の回転研削盤のワークホルダに組
み込んで、圧電素子の動作をワークホルダを位置決めす
るために用いることにある。
た、電気エネルギを運動エネルギに変換する圧電変換器
として理解されたい。本発明の基礎を成す原理は、圧電
素子を半導体ウエハ用の回転研削盤のワークホルダに組
み込んで、圧電素子の動作をワークホルダを位置決めす
るために用いることにある。
【００１０】
【実施例】以下、図を参照して、本発明を詳細に説明す
る。図は、半導体ウエハを研削するための回転研削盤の
一例を示す略断面図であり、本発明の理解に必要な特徴
のみ示している。
る。図は、半導体ウエハを研削するための回転研削盤の
一例を示す略断面図であり、本発明の理解に必要な特徴
のみ示している。
【００１１】本発明に係るワークホルダ１（チャックと
しても公知）は、特有の技術的特徴として、好ましくは
研削盤フレームに固定された、３個の圧電素子２を有す
る。圧電素子２は、ワークホルダ１を軸方向に支持して
いる。各圧電素子は、作動時即ち印加電圧が変化する
時、軸方向の直線寸法が変化するように配設されてい
る。電圧の変化に応じて、ワークホルダ１は、圧電素子
２により支持された点で、軸方向に上下動する。ワーク
ホルダ１が圧電素子２により軸方向に支持される支持点
４は、ワークホルダの周縁部上に位置する点であること
が好ましいが、これは、周縁部上に配設した圧電素子２
により加え得るトルクが、ワークホルダの回転軸線５に
もっと接近して支持点４を配設した場合より大きいため
である。しかしながら、最後に触れた支持点の配列は、
支持点を周縁部上に配設した状態ではワークホルダの回
転軸線と研削工具の回転軸線との所望の相対空間位置を
調整できない場合に好適である。
しても公知）は、特有の技術的特徴として、好ましくは
研削盤フレームに固定された、３個の圧電素子２を有す
る。圧電素子２は、ワークホルダ１を軸方向に支持して
いる。各圧電素子は、作動時即ち印加電圧が変化する
時、軸方向の直線寸法が変化するように配設されてい
る。電圧の変化に応じて、ワークホルダ１は、圧電素子
２により支持された点で、軸方向に上下動する。ワーク
ホルダ１が圧電素子２により軸方向に支持される支持点
４は、ワークホルダの周縁部上に位置する点であること
が好ましいが、これは、周縁部上に配設した圧電素子２
により加え得るトルクが、ワークホルダの回転軸線５に
もっと接近して支持点４を配設した場合より大きいため
である。しかしながら、最後に触れた支持点の配列は、
支持点を周縁部上に配設した状態ではワークホルダの回
転軸線と研削工具の回転軸線との所望の相対空間位置を
調整できない場合に好適である。
【００１２】ワークホルダ１は、半導体ウエハの側面の
一方の加工面を吸引によりワークホルダの作業面に引き
寄せることが可能な、吸引装置を備えることが望まし
い。各圧電素子は、圧電素子の瞬間直線寸法を記録する
それ自体の測定プローブを備えている。圧電素子は、ワ
ークホルダ１の回転軸線５と研削工具７の回転軸線６と
の調整し得る相対空間位置に応じて作動する。圧電素子
を作動させるために中央制御装置が設けられており、こ
れにより、各圧電素子は、互いに独立に作動することが
できる。測定プローブと中央制御装置は、簡略化のため
に図から省略されている。
一方の加工面を吸引によりワークホルダの作業面に引き
寄せることが可能な、吸引装置を備えることが望まし
い。各圧電素子は、圧電素子の瞬間直線寸法を記録する
それ自体の測定プローブを備えている。圧電素子は、ワ
ークホルダ１の回転軸線５と研削工具７の回転軸線６と
の調整し得る相対空間位置に応じて作動する。圧電素子
を作動させるために中央制御装置が設けられており、こ
れにより、各圧電素子は、互いに独立に作動することが
できる。測定プローブと中央制御装置は、簡略化のため
に図から省略されている。
【００１３】圧電素子上に支持されたワークホルダは、
高精度で位置決めすることができる。圧電素子が全て同
時に作動し、それらの直線寸法が同一方向にある値だけ
変化するならば、ワークホルダは、回転軸線５の向きを
変化させることなく、送り動作を実行する。この種の送
りは、特に、研削による材料の所要の除去に対して極め
て僅かな許容差しか与えられていない場合、及び送りを
できるだけ均一且つ連続的に行う必要がある場合、工具
主軸８の軸方向移動を介して行うことが好ましい。従っ
て、半導体ウエハの研削は、先ず、工具主軸の移動によ
り調整される送りから開始し、次に、研削工具が圧電素
子の最大行程の範囲内に入った時点で、ワークホルダの
移動により調整される送りに切り換えることが望まし
い。
高精度で位置決めすることができる。圧電素子が全て同
時に作動し、それらの直線寸法が同一方向にある値だけ
変化するならば、ワークホルダは、回転軸線５の向きを
変化させることなく、送り動作を実行する。この種の送
りは、特に、研削による材料の所要の除去に対して極め
て僅かな許容差しか与えられていない場合、及び送りを
できるだけ均一且つ連続的に行う必要がある場合、工具
主軸８の軸方向移動を介して行うことが好ましい。従っ
て、半導体ウエハの研削は、先ず、工具主軸の移動によ
り調整される送りから開始し、次に、研削工具が圧電素
子の最大行程の範囲内に入った時点で、ワークホルダの
移動により調整される送りに切り換えることが望まし
い。
【００１４】ワークホルダは、その回転軸線の空間的向
きに従って研削工具の回転軸線に対する該軸線の位置が
変化するように配設してもよい。これは、上述した全て
の圧電素子の対称即ち同時作動により同一方向に直線寸
法を変化させた場合を除き、圧電素子を１個以上作動さ
せることにより行われる。圧電素子の非対称作動によ
り、ワークホルダ１の作業面９及びその上に位置する半
導体ウエハ１０は、それらの元の位置から傾斜する。
きに従って研削工具の回転軸線に対する該軸線の位置が
変化するように配設してもよい。これは、上述した全て
の圧電素子の対称即ち同時作動により同一方向に直線寸
法を変化させた場合を除き、圧電素子を１個以上作動さ
せることにより行われる。圧電素子の非対称作動によ
り、ワークホルダ１の作業面９及びその上に位置する半
導体ウエハ１０は、それらの元の位置から傾斜する。
【００１５】従って、ワークホルダの回転軸線の空間的
向きは、圧電素子の直線寸法の各実際値によって決ま
る。例えば、研削半導体ウエハの形状のチェック時に研
削工具の回転軸線とワークホルダの回転軸線との相対的
空間位置が半導体ウエハの研削中に変化したということ
を発見して、前記向きを変化させる必要が生じたなら
ば、圧電素子を適当に作動させることにより、二つの軸
線の元の相対的空間位置を回復することができる。目的
とする動作に応じて、ワークホルダの回転軸線と研削工
具の回転軸線とが平行になるように、或いは、互いに対
して一定の位置を取るように、圧電素子を作動させる。
ワークホルダは、中央制御装置により所望の態様で位置
決めされることが好ましく、全ての圧電素子は、該中央
制御装置を介して個別に或いは共働して作動させること
ができる。
向きは、圧電素子の直線寸法の各実際値によって決ま
る。例えば、研削半導体ウエハの形状のチェック時に研
削工具の回転軸線とワークホルダの回転軸線との相対的
空間位置が半導体ウエハの研削中に変化したということ
を発見して、前記向きを変化させる必要が生じたなら
ば、圧電素子を適当に作動させることにより、二つの軸
線の元の相対的空間位置を回復することができる。目的
とする動作に応じて、ワークホルダの回転軸線と研削工
具の回転軸線とが平行になるように、或いは、互いに対
して一定の位置を取るように、圧電素子を作動させる。
ワークホルダは、中央制御装置により所望の態様で位置
決めされることが好ましく、全ての圧電素子は、該中央
制御装置を介して個別に或いは共働して作動させること
ができる。
【００１６】原則として、３個の圧電素子のうち２個ま
では、支持素子と交換可能である。しかしながら、かか
る場合には、ワークホルダの移動の自由度は、多少とも
制限され、ワークホルダの送りは不能となる。
では、支持素子と交換可能である。しかしながら、かか
る場合には、ワークホルダの移動の自由度は、多少とも
制限され、ワークホルダの送りは不能となる。
【００１７】半導体ウエハ用の回転研削盤にワークホル
ダを位置決めするための上述した方法は、ワークホルダ
の回転軸線の空間的向きの矯正を極めて迅速に且つ特定
のコスト無しに行い得る、という特有の利点を有する。
該軸線の調整精度が極めて高いので、半導体ウエハを高
精度で研削することができる。従って、本発明は、シリ
コンウエハ及び所謂結合ＳＯＩ（シリコンオンインシュ
レータ）ウエハを研削するために使用することが望まし
い。
ダを位置決めするための上述した方法は、ワークホルダ
の回転軸線の空間的向きの矯正を極めて迅速に且つ特定
のコスト無しに行い得る、という特有の利点を有する。
該軸線の調整精度が極めて高いので、半導体ウエハを高
精度で研削することができる。従って、本発明は、シリ
コンウエハ及び所謂結合ＳＯＩ（シリコンオンインシュ
レータ）ウエハを研削するために使用することが望まし
い。
【００１８】もう一つの利点は、研削工具の軸方向の切
削力が、圧電素子に加わる電圧によって測定可能なこと
である。半導体ウエハを研削中に切削力が予期せずに変
動した場合には、削工具の回転軸線とワークホルダの回
転軸線との相対的空間位置が意図せずして変化したこと
も考えられるし、或いは、研削作業に実質的に影響を及
ぼす他のパラメータが変化したとも考えられる。従っ
て、圧電素子を用いて半導体ウエハ研削中の有効切削力
を監視し、異常が生じた場合には、研削作業を中断して
回転研削盤を点検することが好ましい。
削力が、圧電素子に加わる電圧によって測定可能なこと
である。半導体ウエハを研削中に切削力が予期せずに変
動した場合には、削工具の回転軸線とワークホルダの回
転軸線との相対的空間位置が意図せずして変化したこと
も考えられるし、或いは、研削作業に実質的に影響を及
ぼす他のパラメータが変化したとも考えられる。従っ
て、圧電素子を用いて半導体ウエハ研削中の有効切削力
を監視し、異常が生じた場合には、研削作業を中断して
回転研削盤を点検することが好ましい。
【００１９】実施例 実施例において、ディスコＤＦＧ−８２ＩＦ／８型の回
転研削盤のワークホルダは、フィジックインスツルメン
トにより製造された３個の圧電素子を介して、図示した
態様で研削盤フレーム上に軸方向に支持されていた。各
圧電素子の最大行程は、１０マイクロメートルと設計さ
れた。各圧電素子には、圧電素子の直線寸法を決定する
ために、測定プローブを設けた。圧電素子は、中央制御
装置により制御可能であった。研削盤のこの構成によ
り、半導体ウエハを、研削後は可能な限り均一にすべき
であるという目標要求値で研削することができた。本発
明にかかる方法の使用を通じて、各半導体ウエハの合計
厚さむら（ＴＴＶ値）を、その均一性の手段として、１
マイクロメートルの値以下に維持することが可能となっ
た。
転研削盤のワークホルダは、フィジックインスツルメン
トにより製造された３個の圧電素子を介して、図示した
態様で研削盤フレーム上に軸方向に支持されていた。各
圧電素子の最大行程は、１０マイクロメートルと設計さ
れた。各圧電素子には、圧電素子の直線寸法を決定する
ために、測定プローブを設けた。圧電素子は、中央制御
装置により制御可能であった。研削盤のこの構成によ
り、半導体ウエハを、研削後は可能な限り均一にすべき
であるという目標要求値で研削することができた。本発
明にかかる方法の使用を通じて、各半導体ウエハの合計
厚さむら（ＴＴＶ値）を、その均一性の手段として、１
マイクロメートルの値以下に維持することが可能となっ
た。
【００２０】発明を実施するための最良の形態 １． 半導体ウエハを研削するための回転研削盤用ワー
クホルダであって、回転研削工具の方を向いて被加工半
導体ウエハを載置する回転可能な作業面を有すると共
に、ワークホルダを軸方向に支持する手段を有し、前記
手段が、互いに独立に作動可能で作動時には直線寸法が
変化する圧電素子であり、作動する圧電素子は、それが
ワークホルダを支持する位置でワークホルダを軸方向に
上下動させることを特徴とするワークホルダ。
クホルダであって、回転研削工具の方を向いて被加工半
導体ウエハを載置する回転可能な作業面を有すると共
に、ワークホルダを軸方向に支持する手段を有し、前記
手段が、互いに独立に作動可能で作動時には直線寸法が
変化する圧電素子であり、作動する圧電素子は、それが
ワークホルダを支持する位置でワークホルダを軸方向に
上下動させることを特徴とするワークホルダ。
【００２１】２． 前記ワークホルダを軸方向に支持す
るために、３個の圧電素子を設ける１とを特徴とする前
記１に記載のワークホルダ。
るために、３個の圧電素子を設ける１とを特徴とする前
記１に記載のワークホルダ。
【００２２】３． 更に、被加工半導体ウエハを、吸引
によりワークホルダの作業面に引き寄せるための手段を
設けることを特徴とする前記１又は２に記載のワークホ
ルダ。
によりワークホルダの作業面に引き寄せるための手段を
設けることを特徴とする前記１又は２に記載のワークホ
ルダ。
【００２３】４． 前記圧電素子が、その周縁部で、前
記ワークホルダを支持することを特徴とする前記１乃至
３のいずれか１に記載のワークホルダ。
記ワークホルダを支持することを特徴とする前記１乃至
３のいずれか１に記載のワークホルダ。
【００２４】５． 各圧電素子に、その直線寸法を記録
するための測定プローブを設けることを特徴とする前記
１乃至４のいずれか１に記載のワークホルダ。
するための測定プローブを設けることを特徴とする前記
１乃至４のいずれか１に記載のワークホルダ。
【００２５】６． 前記圧電素子を作動させるための中
央制御装置を設けることを特徴とする前記１乃至５のい
ずれか１に記載のワークホルダ。
央制御装置を設けることを特徴とする前記１乃至５のい
ずれか１に記載のワークホルダ。
【００２６】７． 前記１乃至６のいずれか１に記載の
ワークホルダを位置決めするための方法であって、ワー
クホルダの回転軸線と研削工具の回転軸線とが平行に位
置するか或いは互いに対して一定の位置を取るように、
前記圧電素子を作動させることを特徴とする方法。
ワークホルダを位置決めするための方法であって、ワー
クホルダの回転軸線と研削工具の回転軸線とが平行に位
置するか或いは互いに対して一定の位置を取るように、
前記圧電素子を作動させることを特徴とする方法。
【００２７】８． 前記ワークホルダが送り動作を行う
ように、圧電素子を作動させることを特徴とする前記７
記載の方法。
ように、圧電素子を作動させることを特徴とする前記７
記載の方法。
【００２８】９． 半導体ウエハの研削中、回転研削盤
の軸方向切削力を圧電素子を介して測定し、切削力が予
期せずに変動した場合は、前記ワークホルダを再位置決
めすることを特徴とする前記７又は８に記載の方法。
の軸方向切削力を圧電素子を介して測定し、切削力が予
期せずに変動した場合は、前記ワークホルダを再位置決
めすることを特徴とする前記７又は８に記載の方法。
【００２９】１０． 半導体ウエハ特にシリコンウエハ
又はＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）ウエハを研
削するための前記１乃至６のいずれか１に記載のワーク
ホルダの使用。
又はＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）ウエハを研
削するための前記１乃至６のいずれか１に記載のワーク
ホルダの使用。
【００３０】
【発明の効果】以上、本発明により、研削工具の回転軸
線とワークの回転軸線との相対的空間位置が簡単に且つ
高精度で調整可能な装置及び方法を提供することができ
る。
線とワークの回転軸線との相対的空間位置が簡単に且つ
高精度で調整可能な装置及び方法を提供することができ
る。
【図１】半導体ウエハを研削するための回転研削盤の一
例を示す略断面図。
例を示す略断面図。
１ ワークホルダ ２ 圧電素子 ４ 支持点 ５、６ 回転軸線 ７ 研削工具 ８ 工具主軸 ９ 作業面 １０ 半導体ウエハ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２３Ｑ 17/09 Ｈ 9423−3Ｃ Ｂ２４Ｂ 37/04 Ｅ 7528−3Ｃ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｇ 41/09 // Ｂ２４Ｂ 7/04 Ｚ 9325−3Ｃ (72)発明者 アントン・フーバー ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン、ブル クスタイク 31 (72)発明者 ロベルト・ヴァイス ドイツ連邦共和国 ヴィンヘーリング、オ ベルフェルトシュトラーセ 67
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウエハを研削するための回転研削
盤用ワークホルダであって、 回転研削工具の方を向いて被加工半導体ウエハを載置す
る回転可能な作業面を有すると共に、ワークホルダを軸
方向に支持する手段を有し、 前記手段が、互いに独立に作動可能で作動時には直線寸
法が変化する圧電素子であり、 作動する圧電素子は、それがワークホルダを支持する位
置でワークホルダを軸方向に上下動させることを特徴と
するワークホルダ。 - 【請求項２】 請求項１に記載のワークホルダを位置決
めするための方法であって、 ワークホルダの回転軸線と研削工具の回転軸線とが平行
に位置するか或いは互いに対して一定の位置を取るよう
に、前記圧電素子を作動させることを特徴とする方法。 - 【請求項３】 半導体ウエハの研削中、回転研削盤の軸
方向切削力を圧電素子を介して測定し、切削力が予期せ
ずに変動した場合は、前記ワークホルダを再位置決めす
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。 - 【請求項４】 半導体ウエハ特にシリコンウエハ又はＳ
ＯＩ（シリコンオンインシュレータ）ウエハを研削する
ための、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のワーク
ホルダの使用。
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|---|---|---|---|
| DE4335980A DE4335980C2 (de) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | Verfahren zum Positionieren einer Werkstückhalterung |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1110498A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-19 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 固体アクチュエータを用いた面振れ修正機構を持つ加工装置 |
| JP2000173961A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| JP2012101307A (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 研磨装置 |
| JP2015036166A (ja) * | 2013-08-13 | 2015-02-23 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| JP2015150642A (ja) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | 株式会社ディスコ | 研削研磨装置 |
| JP2017127958A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 株式会社東京精密 | 研削装置 |
| JP2018114559A (ja) * | 2017-01-16 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| JP2020196100A (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 株式会社ディスコ | 圧電アクチュエータで構成したチャックテーブル傾き調整機構 |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951368A (en) * | 1996-05-29 | 1999-09-14 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| DE19627142C2 (de) * | 1996-07-05 | 2003-04-24 | Andreas Hilker | Vorrichtung zur Oberflächenbearbeitung von Metall, Glas oder dergleichen |
| KR100218309B1 (ko) * | 1996-07-09 | 1999-09-01 | 구본준 | 씨엠피장치의 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치 및 방법 |
| US5816895A (en) * | 1997-01-17 | 1998-10-06 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Surface grinding method and apparatus |
| US6425812B1 (en) | 1997-04-08 | 2002-07-30 | Lam Research Corporation | Polishing head for chemical mechanical polishing using linear planarization technology |
| US6244946B1 (en) | 1997-04-08 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Polishing head with removable subcarrier |
| US5888120A (en) * | 1997-09-29 | 1999-03-30 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for chemical mechanical polishing |
| US5920769A (en) * | 1997-12-12 | 1999-07-06 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for processing a planar structure |
| US6045431A (en) * | 1997-12-23 | 2000-04-04 | Speedfam Corporation | Manufacture of thin-film magnetic heads |
| JP2000015557A (ja) * | 1998-04-27 | 2000-01-18 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| JP2968784B1 (ja) * | 1998-06-19 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | 研磨方法およびそれに用いる装置 |
| JP2000015570A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| DE19859360C2 (de) * | 1998-12-22 | 2003-07-17 | Schwaebische Werkzeugmaschinen | Werkzeugmaschine mit piezoelektrischer Positionskorrektureinrichtung |
| US6432823B1 (en) | 1999-11-04 | 2002-08-13 | International Business Machines Corporation | Off-concentric polishing system design |
| US6383056B1 (en) | 1999-12-02 | 2002-05-07 | Yin Ming Wang | Plane constructed shaft system used in precision polishing and polishing apparatuses |
| US6666756B1 (en) | 2000-03-31 | 2003-12-23 | Lam Research Corporation | Wafer carrier head assembly |
| JP2002025961A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの研削方法 |
| US6991524B1 (en) * | 2000-07-07 | 2006-01-31 | Disc Go Technologies Inc. | Method and apparatus for reconditioning digital discs |
| TW200301211A (en) * | 2001-12-11 | 2003-07-01 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | Method of suckingly holding substrate, and suckingly and holdingly carrying machine using the method |
| KR20020090195A (ko) * | 2002-10-30 | 2002-11-30 | 도대홍 | 튜브형 마늘다데기 제조 |
| DE10325977B4 (de) * | 2003-06-07 | 2005-06-09 | Daimlerchrysler Ag | Flachschleifvorrichtung mit einer Spannvorrichtung sowie Verfahren zum Schleifbearbeiten eines Werkstücks in einer Flachschleifvorrichtung |
| CN100343018C (zh) * | 2004-01-08 | 2007-10-17 | 财团法人工业技术研究院 | 晶片磨床构造 |
| US6966817B2 (en) * | 2004-02-11 | 2005-11-22 | Industrial Technology Research Institute | Wafer grinder |
| NL1036034A1 (nl) * | 2007-10-11 | 2009-04-15 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
| JP4783405B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2011-09-28 | 光洋機械工業株式会社 | 傾斜角調整装置及びワーク装着装置 |
| JP4783404B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2011-09-28 | 光洋機械工業株式会社 | ワーク装着装置 |
| CN103029031A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-04-10 | 上海双明光学科技有限公司 | 一种晶圆基片加工方法 |
| CN103193199B (zh) * | 2013-03-27 | 2015-09-23 | 山东理工大学 | 一种用于低温超声阳极键合装置中的硅片夹持器 |
| CN104227523A (zh) * | 2013-06-19 | 2014-12-24 | 晶科能源有限公司 | 硅片打磨工艺及其设备 |
| JP6147587B2 (ja) * | 2013-06-27 | 2017-06-14 | 株式会社ディスコ | 研削装置及び研削方法 |
| CN109499984B (zh) * | 2018-10-13 | 2022-03-18 | 广东嗨学云教育科技有限公司 | 一种集成电路通用制造装置 |
| JP7417362B2 (ja) * | 2019-04-05 | 2024-01-18 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| JP7391470B2 (ja) | 2019-12-20 | 2023-12-05 | 株式会社ディスコ | ワークの研削方法 |
| CN113023357B (zh) * | 2021-04-14 | 2022-06-07 | 湖南三安半导体有限责任公司 | 黏贴装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62124842A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-06 | Hitachi Seiko Ltd | テ−ブルの傾斜補正型工作機械 |
| JPS62181862A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-10 | Hitachi Seiko Ltd | 平面研削装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3872626A (en) * | 1973-05-02 | 1975-03-25 | Cone Blanchard Machine Co | Grinding machine with tilting table |
| JPS58184727A (ja) * | 1982-04-23 | 1983-10-28 | Disco Abrasive Sys Ltd | シリコンウェ−ハの面を研削する方法 |
| JPS60103651U (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-15 | シチズン時計株式会社 | 真空吸着台 |
| US4603867A (en) * | 1984-04-02 | 1986-08-05 | Motorola, Inc. | Spinner chuck |
| DD226819A1 (de) * | 1984-08-27 | 1985-09-04 | Werkzeugmasch Okt Veb | Messanordnung zur erfassung der ist-lage und der topographie eines rotierenden schleifkoerpers |
| AU637087B2 (en) * | 1989-03-24 | 1993-05-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| JP2977203B2 (ja) * | 1989-04-19 | 1999-11-15 | 株式会社東芝 | 研磨装置 |
| US5117589A (en) * | 1990-03-19 | 1992-06-02 | Read-Rite Corporation | Adjustable transfer tool for lapping magnetic head sliders |
| JP3077994B2 (ja) * | 1990-05-21 | 2000-08-21 | 理化学研究所 | 電解ドレッシング研削装置 |
| US5069002A (en) * | 1991-04-17 | 1991-12-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for endpoint detection during mechanical planarization of semiconductor wafers |
| FR2677276B1 (fr) * | 1991-06-06 | 1995-12-01 | Commissariat Energie Atomique | Machine de polissage a table porte-echantillon perfectionnee. |
| DE4136882A1 (de) * | 1991-11-09 | 1993-05-13 | Glyco Metall Werke | Positioniervorrichtung fuer eine bearbeitungsmaschine fuer werkstuecke |
| US5320007A (en) * | 1992-11-18 | 1994-06-14 | Texas Instruments Incorporated | Method for positioning and processing LPE films |
-
1993
- 1993-10-21 DE DE4335980A patent/DE4335980C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-30 MY MYPI94001699A patent/MY110610A/en unknown
- 1994-07-12 TW TW083106328A patent/TW245818B/zh active
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- 1994-09-21 US US08/310,048 patent/US5567199A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-18 IT IT94RM000674A patent/IT1280040B1/it active IP Right Grant
- 1994-10-20 KR KR1019940026844A patent/KR0159916B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-10-21 CN CN94117575A patent/CN1070403C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62124842A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-06 | Hitachi Seiko Ltd | テ−ブルの傾斜補正型工作機械 |
| JPS62181862A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-10 | Hitachi Seiko Ltd | 平面研削装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1110498A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-19 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 固体アクチュエータを用いた面振れ修正機構を持つ加工装置 |
| JP2000173961A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| JP2012101307A (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 研磨装置 |
| JP2015036166A (ja) * | 2013-08-13 | 2015-02-23 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| JP2015150642A (ja) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | 株式会社ディスコ | 研削研磨装置 |
| JP2017127958A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 株式会社東京精密 | 研削装置 |
| JP2018114559A (ja) * | 2017-01-16 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| JP2020196100A (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 株式会社ディスコ | 圧電アクチュエータで構成したチャックテーブル傾き調整機構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MY110610A (en) | 1998-08-29 |
| ITRM940674A0 (it) | 1994-10-18 |
| IT1280040B1 (it) | 1997-12-29 |
| CN1108591A (zh) | 1995-09-20 |
| CN1070403C (zh) | 2001-09-05 |
| JP2896746B2 (ja) | 1999-05-31 |
| TW245818B (ja) | 1995-04-21 |
| KR950012617A (ko) | 1995-05-16 |
| KR0159916B1 (ko) | 1999-02-01 |
| DE4335980C2 (de) | 1998-09-10 |
| DE4335980A1 (de) | 1995-04-27 |
| ITRM940674A1 (it) | 1996-04-18 |
| US5567199A (en) | 1996-10-22 |
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