JPH0712076B2 - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
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- JPH0712076B2 JPH0712076B2 JP60021110A JP2111085A JPH0712076B2 JP H0712076 B2 JPH0712076 B2 JP H0712076B2 JP 60021110 A JP60021110 A JP 60021110A JP 2111085 A JP2111085 A JP 2111085A JP H0712076 B2 JPH0712076 B2 JP H0712076B2
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルフアスシリコン（以下a-Siという）を受
光素子として用いる密着型イメージセンサに関する。
光素子として用いる密着型イメージセンサに関する。
〔従来の技術〕 a-Siを受光素子として用いる密着型イメージセンサはフ
アクシミリ・OCR・イメージスキヤナなどの読取部とし
て従来より使用されている。従来の上記a-Siを用いた密
着型イメージセンサの受光素子は、一般に、ガラスある
いはセラミツク基板上に、基板側から順に個別電極、a-
Si、透明電極、遮光膜が重層される構造となっていた。
このような従来の受光素子の構造においては、耐環境性
を保持するために受光素子上に絶縁保護膜を厚く形成す
る必要があった。
アクシミリ・OCR・イメージスキヤナなどの読取部とし
て従来より使用されている。従来の上記a-Siを用いた密
着型イメージセンサの受光素子は、一般に、ガラスある
いはセラミツク基板上に、基板側から順に個別電極、a-
Si、透明電極、遮光膜が重層される構造となっていた。
このような従来の受光素子の構造においては、耐環境性
を保持するために受光素子上に絶縁保護膜を厚く形成す
る必要があった。
上記従来の構造の受光素子においては耐環境用を保持す
るための厚く形成した絶縁保護膜が必要であり、読みと
るべき光信号がその絶縁保護膜を通って入射するためこ
の保護膜は透明である必要があった。
るための厚く形成した絶縁保護膜が必要であり、読みと
るべき光信号がその絶縁保護膜を通って入射するためこ
の保護膜は透明である必要があった。
また個別電極の素材により受光素子の特性が大きく影響
を受けるため個別電極に用いることができる金属は数が
少ない。配線の素材として一般的な金は個別電極として
用いることができないため、前記のような素子構造をと
った場合は基板上にクロム・金の三層薄膜を形成し、電
極、配線をフオトエツチングによりパターン化した後、
さらに受光素子部に相当する個別電極の金を除去する工
程が必要となり、この工程が途中に入るため、製造工程
が複雑になるという問題点があった。
を受けるため個別電極に用いることができる金属は数が
少ない。配線の素材として一般的な金は個別電極として
用いることができないため、前記のような素子構造をと
った場合は基板上にクロム・金の三層薄膜を形成し、電
極、配線をフオトエツチングによりパターン化した後、
さらに受光素子部に相当する個別電極の金を除去する工
程が必要となり、この工程が途中に入るため、製造工程
が複雑になるという問題点があった。
そこで、受光素子の構造を基板側から遮光膜、透明電
極、a-Si、個別電極の順に積層すれば上記問題点は解決
されるかというと、この場合、透明電極を形成した後に
a-Siを形成することとなり、a-Si成膜中 透明電極中の
インジウムがa-Si中に拡散して、受光素子の良好な特性
が得られないという欠点があった。
極、a-Si、個別電極の順に積層すれば上記問題点は解決
されるかというと、この場合、透明電極を形成した後に
a-Siを形成することとなり、a-Si成膜中 透明電極中の
インジウムがa-Si中に拡散して、受光素子の良好な特性
が得られないという欠点があった。
本発明は、上記欠点を解消し、受光素子の積層構造を独
特なものとし、a-Si中へのインジウムの拡散による特性
の悪化を防止すると共に製造工程の簡便な密着型イメー
ジセンサを提供すること目的とする。
特なものとし、a-Si中へのインジウムの拡散による特性
の悪化を防止すると共に製造工程の簡便な密着型イメー
ジセンサを提供すること目的とする。
本発明によれば、ガラス基板とガラス基板上にガラス基
板側から遮光膜、透明電極、Ｐ型アモルファスシリコ
ン、アンドープアモルファスシリコン、個別電極の順に
積層された受光素子を有し、遮光膜は光信号入射のため
の開口部を有し、ガラス基板側から読取るべき光信号を
入射させるようにした密着型イメージセンサが得られ
る。
板側から遮光膜、透明電極、Ｐ型アモルファスシリコ
ン、アンドープアモルファスシリコン、個別電極の順に
積層された受光素子を有し、遮光膜は光信号入射のため
の開口部を有し、ガラス基板側から読取るべき光信号を
入射させるようにした密着型イメージセンサが得られ
る。
つぎに、本発明を、実施例により、図面を参照して説明
する。第１図は本発明の１実施例の平面図、第２図はこ
れのA-A′断面図である。これらの図において、ガラス
基板６上にクロムの遮光膜が５が蒸着法あるいはスパツ
ク法により形成されている。遮光膜５には光信号を入射
させるための開口部5aがフオトエツチングにより設けら
れる。遮光膜５上に酸化インジウム（In2O3）と酸化ス
ズ（SnO2）の化合物である酸化インジウムスズ（ITO）
の透明電極４が形成される。透明電極４上に通常のＰ型
アモルファスシリコンの濃度範囲内で適当にボロンをド
ーピングしたＰ型アモルファスシリコン３（以下P-a-Si
という）の膜を500〜1000Å、さらにその上にアンドー
プアモルフアスシリコン２（以下i-a-Siという）の層を
１〜２μｍシランのグロー放電分解などにより形成す
る。このi-a-Si2の上に図示のように遮光膜の開口部5a
に対向するよう複数に分割された個別電極１および配線
をフオトエツチングプロセスにより形成して受光素子部
が完成される。その後必要に応じて受光素子部を絶縁保
護膜で被覆すればよい。
する。第１図は本発明の１実施例の平面図、第２図はこ
れのA-A′断面図である。これらの図において、ガラス
基板６上にクロムの遮光膜が５が蒸着法あるいはスパツ
ク法により形成されている。遮光膜５には光信号を入射
させるための開口部5aがフオトエツチングにより設けら
れる。遮光膜５上に酸化インジウム（In2O3）と酸化ス
ズ（SnO2）の化合物である酸化インジウムスズ（ITO）
の透明電極４が形成される。透明電極４上に通常のＰ型
アモルファスシリコンの濃度範囲内で適当にボロンをド
ーピングしたＰ型アモルファスシリコン３（以下P-a-Si
という）の膜を500〜1000Å、さらにその上にアンドー
プアモルフアスシリコン２（以下i-a-Siという）の層を
１〜２μｍシランのグロー放電分解などにより形成す
る。このi-a-Si2の上に図示のように遮光膜の開口部5a
に対向するよう複数に分割された個別電極１および配線
をフオトエツチングプロセスにより形成して受光素子部
が完成される。その後必要に応じて受光素子部を絶縁保
護膜で被覆すればよい。
このような構造になっているため、製造工程中にa-Si中
へのインジウムの拡散がおこっても、p-a-Si層まででi-
a-Si層までは及ばない。したがって特性が拡散による影
響を受けることはない。
へのインジウムの拡散がおこっても、p-a-Si層まででi-
a-Si層までは及ばない。したがって特性が拡散による影
響を受けることはない。
以上説明したような構造であるため本発明の密着イメー
ジセンサは読みとるべき光信号をガラス基板側から入射
させることができる。したがって受光素子上に形成する
絶縁保護膜を従来より薄くすることができ、またその素
材や色も広く選択できる。さらに個別電極のi-a-Siと接
する部分が基板側となるため、受光素子部の金を取り除
く必要がなくなり製造工程が従来より簡便であるなどの
利点を有する。
ジセンサは読みとるべき光信号をガラス基板側から入射
させることができる。したがって受光素子上に形成する
絶縁保護膜を従来より薄くすることができ、またその素
材や色も広く選択できる。さらに個別電極のi-a-Siと接
する部分が基板側となるため、受光素子部の金を取り除
く必要がなくなり製造工程が従来より簡便であるなどの
利点を有する。
第１図は本発明の１実施例の平面図、第２図は第１図の
A-A′断面図である。 １……個別電極 ２……アンドープアモルフアスシリコン ３……Ｐ型アモルフアスシリコン ４……透明電極 ５……遮光膜 ６……ガラス基板
A-A′断面図である。 １……個別電極 ２……アンドープアモルフアスシリコン ３……Ｐ型アモルフアスシリコン ４……透明電極 ５……遮光膜 ６……ガラス基板
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板と、該ガラス基板上に該ガラス
基板側から遮光膜、インジウムを含む透明電極、Ｐ型ア
モルファスシリコン、アンドープアモルファスシリコ
ン、個別電極の順に積層された受光素子を有し、前記遮
光膜は光信号入射のための開口部を有し、前記ガラス基
板側から読取るべき光信号を入射させるようにしている
とともに、前記個別電極は前記開口部に対向配置されて
複数個に分割されていることを特徴とする密着型イメー
ジセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021110A JPH0712076B2 (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021110A JPH0712076B2 (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61181158A JPS61181158A (ja) | 1986-08-13 |
| JPH0712076B2 true JPH0712076B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=12045740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60021110A Expired - Lifetime JPH0712076B2 (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712076B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011228733A (ja) * | 2011-06-29 | 2011-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサー及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721875A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-04 | Canon Inc | Photosensor |
| JPS5861662A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Nec Corp | イメ−ジセンサ− |
| JPS5961079A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Nec Corp | 薄膜形光電変換素子とその製造方法 |
-
1985
- 1985-02-06 JP JP60021110A patent/JPH0712076B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61181158A (ja) | 1986-08-13 |
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