JPS6327871B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6327871B2 JPS6327871B2 JP54123598A JP12359879A JPS6327871B2 JP S6327871 B2 JPS6327871 B2 JP S6327871B2 JP 54123598 A JP54123598 A JP 54123598A JP 12359879 A JP12359879 A JP 12359879A JP S6327871 B2 JPS6327871 B2 JP S6327871B2
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- JP
- Japan
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- light
- photoconductive material
- blocking wall
- transmitting portion
- heterojunction
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- Expired
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Transform (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光読取素子に関する。
従来光画像を読取る素子としては、
(1) アモルフアスと光導電材料の接合を使用した
もの（撮像管として使用） (2) 透明電極となるSnO2とアモルフアス材料を
使用した密着型光読取素子 等が知られているが、前者は撮像管への応用で
は、10×10mm2程度の素子面にレンズ系を介して画
像情報が入力されるが、レンズ系等の光学系が必
要となり、またこの撮像管では１／30秒程度の光
応答速度であるから高速読取素子には応用できな
いし、また後者においては長尺の読取素子を作る
ことは可能であるが、光応答速度が遅く、画素密
度が6dots／mm程度であり10dots／mm以上に高く
ならない欠点がある。
もの（撮像管として使用） (2) 透明電極となるSnO2とアモルフアス材料を
使用した密着型光読取素子 等が知られているが、前者は撮像管への応用で
は、10×10mm2程度の素子面にレンズ系を介して画
像情報が入力されるが、レンズ系等の光学系が必
要となり、またこの撮像管では１／30秒程度の光
応答速度であるから高速読取素子には応用できな
いし、また後者においては長尺の読取素子を作る
ことは可能であるが、光応答速度が遅く、画素密
度が6dots／mm程度であり10dots／mm以上に高く
ならない欠点がある。
本発明は前述の欠点を除去して、光応答速度が
大きく、製造工程も簡単で且つ高密度、長尺の光
読取素子を得ようとするものである。
大きく、製造工程も簡単で且つ高密度、長尺の光
読取素子を得ようとするものである。
第１図は本発明光読取素子の製造工程を示す。
１は透明なガラス基板でその表面一面に、例えば
Alのような金属層２を、光を通さない程度の厚
さに蒸着する。次に普通の方法でAlをエツチン
グして第１図ｂのように光遮断用壁３と光電流取
出し用電極４を交互に形成する。光遮断用壁３と
光電流取出し用電極４のない部分は光を透過す
る。その結果、ガラス表面上の光を透過する部分
に対向して光電流取出し用電極４が形成されるこ
とになる。次にCdS，CdSe，ZnSe等の−族
の化合物からなる光導電材料の薄膜５をスパツタ
リングまたは蒸着により、さらにその上に
As2Se3，As2S3，SeTeAs等のカルコゲナイドア
モルフアス材料及び光導電材料とヘテロ接合を作
る材料の薄膜６をスパツタリングまたは蒸着によ
り、それぞれ大面積化して形成する。この場合そ
のヘテロ接合面は長尺（約300mmまで）にわたつ
て非モザイク状に形成されるようにする。アモル
フアスの上面にはさらにAuの電極７を形成する。
１は透明なガラス基板でその表面一面に、例えば
Alのような金属層２を、光を通さない程度の厚
さに蒸着する。次に普通の方法でAlをエツチン
グして第１図ｂのように光遮断用壁３と光電流取
出し用電極４を交互に形成する。光遮断用壁３と
光電流取出し用電極４のない部分は光を透過す
る。その結果、ガラス表面上の光を透過する部分
に対向して光電流取出し用電極４が形成されるこ
とになる。次にCdS，CdSe，ZnSe等の−族
の化合物からなる光導電材料の薄膜５をスパツタ
リングまたは蒸着により、さらにその上に
As2Se3，As2S3，SeTeAs等のカルコゲナイドア
モルフアス材料及び光導電材料とヘテロ接合を作
る材料の薄膜６をスパツタリングまたは蒸着によ
り、それぞれ大面積化して形成する。この場合そ
のヘテロ接合面は長尺（約300mmまで）にわたつ
て非モザイク状に形成されるようにする。アモル
フアスの上面にはさらにAuの電極７を形成する。
さらに次のようにしてもよい。すなわち、ガラ
ス１の表面に光を透過する程度のAl薄膜２′を形
成し、スパツタリング、エツチングにより光電流
取出し用電極を形成し、次いで前記の例と同様に
して光導電材料の薄膜５、アモルフアスの薄膜
６、電極７を形成し、これらと反対側のガラスの
表面上にスパツタリング、エツチングで光遮断用
壁をつくる。ここに光透過用のAl薄膜の厚さは
2000Å位までで、光遮断用壁と光電流取出し用電
極の厚さは、電気的損失を考慮して2000Å以上と
する。
ス１の表面に光を透過する程度のAl薄膜２′を形
成し、スパツタリング、エツチングにより光電流
取出し用電極を形成し、次いで前記の例と同様に
して光導電材料の薄膜５、アモルフアスの薄膜
６、電極７を形成し、これらと反対側のガラスの
表面上にスパツタリング、エツチングで光遮断用
壁をつくる。ここに光透過用のAl薄膜の厚さは
2000Å位までで、光遮断用壁と光電流取出し用電
極の厚さは、電気的損失を考慮して2000Å以上と
する。
今、第２図のようにバイアスし、光を入射する
と、光遮断用壁のない部分で光の入射した部分で
はCdSの暗抵抗と光照射時抵抗の比が102〜106の
オーダー範囲で変化し、光電流Ipが流れる。
と、光遮断用壁のない部分で光の入射した部分で
はCdSの暗抵抗と光照射時抵抗の比が102〜106の
オーダー範囲で変化し、光電流Ipが流れる。
本発明のように光遮断用壁３と光電流取出し電
極４を配置することは容易でしかも非常に緻密に
形成することは可能であり、一方、光導電材料と
カルコゲナイド系アモルフアスとによる非モザイ
ク状ｐ−ｎヘテロ接合は容易にできるとともに、
光の入射した部分と入射しない部分との抵抗の大
きさの差が著しいので、光遮断壁の部分の抵抗は
大きく、隣接する光入射部分との遮断を良好にす
る。前述のように光入射部分と非入射部分は非常
に緻密に形成することができるから、結局非常に
細かい感光素子の配列を長尺にわたつて形成する
ことが可能となる。そしてその密度は18dots／mm
の高いものとなる。
極４を配置することは容易でしかも非常に緻密に
形成することは可能であり、一方、光導電材料と
カルコゲナイド系アモルフアスとによる非モザイ
ク状ｐ−ｎヘテロ接合は容易にできるとともに、
光の入射した部分と入射しない部分との抵抗の大
きさの差が著しいので、光遮断壁の部分の抵抗は
大きく、隣接する光入射部分との遮断を良好にす
る。前述のように光入射部分と非入射部分は非常
に緻密に形成することができるから、結局非常に
細かい感光素子の配列を長尺にわたつて形成する
ことが可能となる。そしてその密度は18dots／mm
の高いものとなる。
以上の通りであるから、本発明の光読取素子
は、簡単な工程で製造できて製造費も安く、しか
も素子の密度も高く、また薄膜で形成されている
ので応答速度も約1μsecまで向上できる利点があ
る。
は、簡単な工程で製造できて製造費も安く、しか
も素子の密度も高く、また薄膜で形成されている
ので応答速度も約1μsecまで向上できる利点があ
る。
第１図は本発明光読取素子の製造工程の説明
図、第２図は本発明光読取素子の一実施例の模式
図および等価電気回路を示す。 １……ガラス基板、２……金属層、２′……電
極、３……光遮断用壁、４……光電流取出し用電
極、５……光電材料薄膜、６……アモルフアス材
料薄膜、７……電極。
図、第２図は本発明光読取素子の一実施例の模式
図および等価電気回路を示す。 １……ガラス基板、２……金属層、２′……電
極、３……光遮断用壁、４……光電流取出し用電
極、５……光電材料薄膜、６……アモルフアス材
料薄膜、７……電極。
Claims (1)
- １ 透明基板表面に光遮断用壁を各遮断用壁の両
側には光溶過部分が存在するように、また前記光
透過部分に対向して光電流取出し用電極をその先
端が前記光透過部分に接するようにそれぞれ形成
し、それらを共に覆う如く光導電材料とそれとヘ
テロ接合を形成し得る材料とでヘテロ接合を長尺
にわたつて非モザイク状に形成したことを特徴と
する光読取素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12359879A JPS5648184A (en) | 1979-09-26 | 1979-09-26 | Photoreading element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12359879A JPS5648184A (en) | 1979-09-26 | 1979-09-26 | Photoreading element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5648184A JPS5648184A (en) | 1981-05-01 |
| JPS6327871B2 true JPS6327871B2 (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=14864569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12359879A Granted JPS5648184A (en) | 1979-09-26 | 1979-09-26 | Photoreading element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5648184A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57189393A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-20 | Seiko Epson Corp | Semiconductor storage device |
| JPS5882564A (ja) * | 1981-11-12 | 1983-05-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 非晶質シリコン受光素子 |
| JPS58144226U (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-28 | 東北リコ−株式会社 | 光検出素子 |
| JPS58147094U (ja) * | 1982-03-25 | 1983-10-03 | 東北リコ−株式会社 | 光検出素子 |
| JP4827396B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2011-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
1979
- 1979-09-26 JP JP12359879A patent/JPS5648184A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5648184A (en) | 1981-05-01 |
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