JP2841330B2 - 完全密着型イメージセンサ - Google Patents
完全密着型イメージセンサInfo
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- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、ファクシミリ、コンピューター、ワードプ
ロセッサ等に用いる大面積画像読み取り装置のための完
全密着型イメージセンサに関する。
ロセッサ等に用いる大面積画像読み取り装置のための完
全密着型イメージセンサに関する。
イメージセンサは文字、絵などの画像を電気信号に変
換するものでおもにファクシミリ等に使用されている。
換するものでおもにファクシミリ等に使用されている。
従来、原稿読み取り装置としてはCCDを使用したもの
が一般的であった。CCDは単結晶シリコンで作られてい
るため、その大きさは25mm程度でしかなかった。
が一般的であった。CCDは単結晶シリコンで作られてい
るため、その大きさは25mm程度でしかなかった。
そのためCCDを使用してA4サイズの原稿を読み取る場
合縮小用のレンズと300mm程度の光路長が必要で装置が
大型なものになっていた。また縮少光学系の調整が複雑
である欠点があった。第１図にCCDを使用した原稿読み
取り装置の構成を示す。１が原稿、２が原稿照明用の光
源、３がレンズ、４がCCDである。
合縮小用のレンズと300mm程度の光路長が必要で装置が
大型なものになっていた。また縮少光学系の調整が複雑
である欠点があった。第１図にCCDを使用した原稿読み
取り装置の構成を示す。１が原稿、２が原稿照明用の光
源、３がレンズ、４がCCDである。
縮少光学系を用いた画像読み取り装置の欠点を解決す
べく提案されたのが第２図に示す密着型イメージセンサ
である。
べく提案されたのが第２図に示す密着型イメージセンサ
である。
密着型イメージセンサは原稿１と同一サイズのイメー
ジセンサ６を用い、原稿を1:1で読み取る構成となって
いる。原稿１の文字、絵などをイメージセンサ６上に1:
1の等倍で結像させるためにセルフォクレンズあるいは
ルーフミラーレンズアレイなどの等倍結像用のレンズ５
が用いられる。
ジセンサ６を用い、原稿を1:1で読み取る構成となって
いる。原稿１の文字、絵などをイメージセンサ６上に1:
1の等倍で結像させるためにセルフォクレンズあるいは
ルーフミラーレンズアレイなどの等倍結像用のレンズ５
が用いられる。
この等倍結像用のレンズ５の光路長は10〜20mm程度と
短かく、CCD4を使用したイメージセンサの光路長の1/15
〜1/30にある。そのため、画像読み取り装置を小さくす
ることが可能となり、また高価な縮少用のレンズ３も不
用となる利点がある。
短かく、CCD4を使用したイメージセンサの光路長の1/15
〜1/30にある。そのため、画像読み取り装置を小さくす
ることが可能となり、また高価な縮少用のレンズ３も不
用となる利点がある。
しかし、等倍結像用のレンズ５が必要なこと、光学系
の調整が必要なこと、光路長が15〜20mm必要なこと、更
に等倍結像用レンズ５の光伝達効率および分解能が低い
等の欠点がある。
の調整が必要なこと、光路長が15〜20mm必要なこと、更
に等倍結像用レンズ５の光伝達効率および分解能が低い
等の欠点がある。
密着イメージセンサの欠点を解決すべく提案されたの
が原稿に10〜100μｍ厚の透明な部材を間にはさんで光
電変換素子を完全に密着させて読み取る完全密着型イメ
ージセンサである。完全密着型イメージセンサでは結像
用レンズが不用なため、画像読み取り装置をより小さ
く、低コストに提供することが可能である。
が原稿に10〜100μｍ厚の透明な部材を間にはさんで光
電変換素子を完全に密着させて読み取る完全密着型イメ
ージセンサである。完全密着型イメージセンサでは結像
用レンズが不用なため、画像読み取り装置をより小さ
く、低コストに提供することが可能である。
また、原稿に完全に密着して読み取ることから光の伝
達効率がよく、分解能も高いイメージセンサが実現出来
る可能性がある。
達効率がよく、分解能も高いイメージセンサが実現出来
る可能性がある。
完全密着型イメージセンサにおいて高S/N比で高分解
能を確保するためには、原稿上の画素をより明るく照明
し、かつ隣接する画素からのクロストーク量を極力小さ
くする必要がある。
能を確保するためには、原稿上の画素をより明るく照明
し、かつ隣接する画素からのクロストーク量を極力小さ
くする必要がある。
これまで、高S/N比・高分解能の完全密着型イメージ
センサを実現させるためいくつかの光学系が提案されて
いる。
センサを実現させるためいくつかの光学系が提案されて
いる。
第３図は、いくつか提案されている中の一般的な完全
密着型イメージセンサの平面図である。第３図において
光電変換素子８のアレイと遮光層10に開口させた原稿照
明窓７のアレイが平行に配置されている。分解能を向上
させるために光電変換素子８と原稿照明窓７は1:1に形
成され、隣接画素からのクロストーク量を低減させてい
る。第４図はその断面図である。この完全密着型イメー
ジセンサの画像読み取りの原理を簡単に説明する。光源
２から出射した光束は透明基板12と原稿照明窓７を更に
透明保護層13を通り原稿１に入射する。原稿１からの画
像の濃淡に比例した強さの反射光は透明保護層13を通り
光電変換素子８で受光し、光電変換することにより、外
部に電気信号として取り出される。
密着型イメージセンサの平面図である。第３図において
光電変換素子８のアレイと遮光層10に開口させた原稿照
明窓７のアレイが平行に配置されている。分解能を向上
させるために光電変換素子８と原稿照明窓７は1:1に形
成され、隣接画素からのクロストーク量を低減させてい
る。第４図はその断面図である。この完全密着型イメー
ジセンサの画像読み取りの原理を簡単に説明する。光源
２から出射した光束は透明基板12と原稿照明窓７を更に
透明保護層13を通り原稿１に入射する。原稿１からの画
像の濃淡に比例した強さの反射光は透明保護層13を通り
光電変換素子８で受光し、光電変換することにより、外
部に電気信号として取り出される。
このように原稿１の照明を窓を通して行うことにより
原稿照明窓７を除いた部分の光がさえぎられ、光電変換
素子には原稿からの反射光しか入射せずS/N比および分
解能を向上させることができる。
原稿照明窓７を除いた部分の光がさえぎられ、光電変換
素子には原稿からの反射光しか入射せずS/N比および分
解能を向上させることができる。
今、光電変換素子密度8bit/mmを考えた場合に各部の
寸法は、光電変換素子ピッチは1/8mm＝125μｍとなり、
光電変換素子面積ｃ×ｄは100μｍ×100μｍ、原稿照
明窓面積ａ×ｂは100μｍ×100μｍ、光電変換素子８
の厚さｆは感光体としてアモルファスシリコン薄膜を用
いた場合には１〜２μｍである。透明保護層13の厚さｅ
は30〜100μｍである。この透明保護層13は光電変換素
子８を外気および原稿通紙時におこる摩耗から保護する
役割と、原稿からの反射光を有効に受光させるのに必要
な光路長を確保する役割がある。そのため、透明保護層
13の厚さｅはイメージセンサのS/N比および分解能に大
きく影響する。一般に透明保護層13の厚さｅは薄いほど
隣接画素からクロストーク量が減少し分解能が向上する
が、あまり薄すぎるとS/N比が低下する傾向があり、S/N
比と分解能のバランスを考えた適切な透明保護層ｅが選
ばれる。透明保護層13の厚さｅをS/N比の観点から光電
変換素子密度8bit/mmにおいて概算してみる。透明保護
層13の厚さをｅ、原稿照明窓の一辺ｂおよび光電変換素
子の一辺ｃが100μｍ、光電変換素子の厚さｆが２μｍ
とすると、 で求められる。今θを画素照度が光電変換素子上で1/2
になるときの入射角とすると、θはcos則から約60゜と
なる。
寸法は、光電変換素子ピッチは1/8mm＝125μｍとなり、
光電変換素子面積ｃ×ｄは100μｍ×100μｍ、原稿照
明窓面積ａ×ｂは100μｍ×100μｍ、光電変換素子８
の厚さｆは感光体としてアモルファスシリコン薄膜を用
いた場合には１〜２μｍである。透明保護層13の厚さｅ
は30〜100μｍである。この透明保護層13は光電変換素
子８を外気および原稿通紙時におこる摩耗から保護する
役割と、原稿からの反射光を有効に受光させるのに必要
な光路長を確保する役割がある。そのため、透明保護層
13の厚さｅはイメージセンサのS/N比および分解能に大
きく影響する。一般に透明保護層13の厚さｅは薄いほど
隣接画素からクロストーク量が減少し分解能が向上する
が、あまり薄すぎるとS/N比が低下する傾向があり、S/N
比と分解能のバランスを考えた適切な透明保護層ｅが選
ばれる。透明保護層13の厚さｅをS/N比の観点から光電
変換素子密度8bit/mmにおいて概算してみる。透明保護
層13の厚さをｅ、原稿照明窓の一辺ｂおよび光電変換素
子の一辺ｃが100μｍ、光電変換素子の厚さｆが２μｍ
とすると、 で求められる。今θを画素照度が光電変換素子上で1/2
になるときの入射角とすると、θはcos則から約60゜と
なる。
よっで前式（１）より透明保護層13の厚さｅは約60μ
ｍとなる。更に光電変換素子８が高密度なイメージセン
サにおいて例えば16bit/mmでは、ｃ50μｍであるから
透明保護層13の厚さｅは30μｍ前後と薄くする必要があ
る。
ｍとなる。更に光電変換素子８が高密度なイメージセン
サにおいて例えば16bit/mmでは、ｃ50μｍであるから
透明保護層13の厚さｅは30μｍ前後と薄くする必要があ
る。
原稿１からの反射光は拡散光となり各方向に散乱する
ため、それら反射光を有効に受光することが高S/N比を
得るための条件となる。
ため、それら反射光を有効に受光することが高S/N比を
得るための条件となる。
光電変換素子密度8bit/mmでの受光効率を求めてみ
る。反射光照度が原稿面照度の1/2になる領域をまず求
める。その領域と原稿照明窓からの距離をｌ′とすると ｌ′＝（ｅ−ｆ）tan（90゜−θ） …（２） で求められｌ′35μｍとなる。つまり、反射光は原稿
照明窓端から35μｍ外側に到達する。よって原稿照明窓
７と光電変換素子８の間隔ｇは５〜10μｍと接近させて
いる。更に第３図の構造のイメージセンサでは正方形の
原稿照明窓７の一辺に光電変換素子８が配置されている
ことから光電変換素子８上では反射光の12％程度しか受
光されず、高いS/N比が期待できない。第５図の斜線領
域が上記反射光の到達領域の概要を示している。
る。反射光照度が原稿面照度の1/2になる領域をまず求
める。その領域と原稿照明窓からの距離をｌ′とすると ｌ′＝（ｅ−ｆ）tan（90゜−θ） …（２） で求められｌ′35μｍとなる。つまり、反射光は原稿
照明窓端から35μｍ外側に到達する。よって原稿照明窓
７と光電変換素子８の間隔ｇは５〜10μｍと接近させて
いる。更に第３図の構造のイメージセンサでは正方形の
原稿照明窓７の一辺に光電変換素子８が配置されている
ことから光電変換素子８上では反射光の12％程度しか受
光されず、高いS/N比が期待できない。第５図の斜線領
域が上記反射光の到達領域の概要を示している。
透明保護層ｅを厚くすれば光電変換素子上の照度は高
くなるが第５図に示すように隣接する光電変換素子への
クロストーク量が増加し、高い分解能が得られない。
くなるが第５図に示すように隣接する光電変換素子への
クロストーク量が増加し、高い分解能が得られない。
以上のように第３図に示す完全密着型イメージセンサ
では高S/N比で高分解能という特性を得ることは困難で
あった。
では高S/N比で高分解能という特性を得ることは困難で
あった。
第３図の完全密着イメージセンサでは原稿からの反射
光を光電変換素子８全体に入射させるために50〜100μ
ｍの透明保護層13が必要であり、そのため高いS/N比を
得るためには分解能が低下してしまう欠点があった。し
かし、原稿照明窓７を囲むように光電変換素子８を形成
すれば透明保護層13が薄くなり隣接する光電変換素子８
へのクロストークが減少し分解能が向上し、かつS/N比
を向上させることができる。この考えに基ずいた特開昭
59−48954号で提案された完全密着型イメージセンサの
断面図を第６図に示す。第７図にその平面図を示す。第
６図、第７図に示すように、この完全密着型イメージセ
ンサでは光電変換素子内に原稿照明窓を設けている。こ
の構造にすることにより、隣接する光電変換素子へのク
ロストーク量を押え、分解能の低下なく受光効率を向上
させることが期待できる。今、光電変換素子密度8bit/m
mの完全密着型イメージセンサを考えた場合、光電変換
素子の１辺ｃ＝ｄ100μｍ、原稿照明窓寸法ａ＝ｂ1
0〜60μｍ、光電変換素子厚ｆは感光体としてアモルフ
ァスシリコン薄膜を使用した場合には１〜２μｍ程度で
ある。
光を光電変換素子８全体に入射させるために50〜100μ
ｍの透明保護層13が必要であり、そのため高いS/N比を
得るためには分解能が低下してしまう欠点があった。し
かし、原稿照明窓７を囲むように光電変換素子８を形成
すれば透明保護層13が薄くなり隣接する光電変換素子８
へのクロストークが減少し分解能が向上し、かつS/N比
を向上させることができる。この考えに基ずいた特開昭
59−48954号で提案された完全密着型イメージセンサの
断面図を第６図に示す。第７図にその平面図を示す。第
６図、第７図に示すように、この完全密着型イメージセ
ンサでは光電変換素子内に原稿照明窓を設けている。こ
の構造にすることにより、隣接する光電変換素子へのク
ロストーク量を押え、分解能の低下なく受光効率を向上
させることが期待できる。今、光電変換素子密度8bit/m
mの完全密着型イメージセンサを考えた場合、光電変換
素子の１辺ｃ＝ｄ100μｍ、原稿照明窓寸法ａ＝ｂ1
0〜60μｍ、光電変換素子厚ｆは感光体としてアモルフ
ァスシリコン薄膜を使用した場合には１〜２μｍ程度で
ある。
この場合透明保護層の厚さｅは、式（１）より と薄くてすむ。そのため、透明保護層としては、スパッ
タ法、Ｐ−CVD法、蒸着法等の薄膜製造技術を用いてSiO
2、Si3N4等の透明薄膜を均一に堆積出来る利点がある。
第３図と同様に光電変換素子の反射光照度が原稿面照度
の1/2になる領域を求めてみる。
タ法、Ｐ−CVD法、蒸着法等の薄膜製造技術を用いてSiO
2、Si3N4等の透明薄膜を均一に堆積出来る利点がある。
第３図と同様に光電変換素子の反射光照度が原稿面照度
の1/2になる領域を求めてみる。
その領域と原稿照明窓７から距離ｌ′は（２）式より
約20μｍとなり、窓寸法ａ＝ｂ＝60μｍとした場合、光
電変換素子の全体を照明することとなる。第８図にその
概要を示す。第８図を見ても判るように第３図の完全密
着型イメージセンサよりも受光領域が広くまた、隣接す
る光電変換素子へのクロストークも小さい。
約20μｍとなり、窓寸法ａ＝ｂ＝60μｍとした場合、光
電変換素子の全体を照明することとなる。第８図にその
概要を示す。第８図を見ても判るように第３図の完全密
着型イメージセンサよりも受光領域が広くまた、隣接す
る光電変換素子へのクロストークも小さい。
しかし、第６図の完全密着型イメージセンサでは原稿
照明窓が光電変換素子内に設けなければならない制限が
あるため、光電変換素子密度を更に高密度化した場合、
例えば16bit/mmでは光電変換素子８の一辺ｃ＝ｄ＝50μ
ｍ程度となり、その中に設ける原稿照明窓７の一辺ａ＝
ｂは20〜30μｍになり、原稿照明窓面積は第３図タイプ
の原稿照明窓の36％程度になるため原稿面照度が低下し
高いS/N比が得られない欠点がある。
照明窓が光電変換素子内に設けなければならない制限が
あるため、光電変換素子密度を更に高密度化した場合、
例えば16bit/mmでは光電変換素子８の一辺ｃ＝ｄ＝50μ
ｍ程度となり、その中に設ける原稿照明窓７の一辺ａ＝
ｂは20〜30μｍになり、原稿照明窓面積は第３図タイプ
の原稿照明窓の36％程度になるため原稿面照度が低下し
高いS/N比が得られない欠点がある。
さらに、第６図を見て判るように透明保護層５の表面
には受光素子の形状を反映した段差が生じる。つまり、
光電変換素子上で素子の厚さ分の１〜２μｍだけ盛上り
原稿照明窓部分は反対に窪んだ表面状態となる。表面状
態の模式図を第９図に示し、図中原稿進行方向を矢印で
示してある。この様な表面状態のまま原稿を通紙すると
原稿表面から生じる紙粉・ボールペン屑等の異物18が透
明保護層13表面の段差部13aおよび13bに付着し易すく、
それら異物が付着した場合には、光出力および分解能力
が劣化する欠点がある。
には受光素子の形状を反映した段差が生じる。つまり、
光電変換素子上で素子の厚さ分の１〜２μｍだけ盛上り
原稿照明窓部分は反対に窪んだ表面状態となる。表面状
態の模式図を第９図に示し、図中原稿進行方向を矢印で
示してある。この様な表面状態のまま原稿を通紙すると
原稿表面から生じる紙粉・ボールペン屑等の異物18が透
明保護層13表面の段差部13aおよび13bに付着し易すく、
それら異物が付着した場合には、光出力および分解能力
が劣化する欠点がある。
また、第10図の完全密着型イメージセンサも提案され
ている（例えば特開昭58−38061号公報）。この構造で
は、原稿進行方向に平行にスリット状の原稿照明窓７が
設けられているため原稿からの異物付着は軽減される
が、受光素子内に原稿照明窓を設ける制限がある。その
ため第６図提案の完全密着型イメージセンサと同様に原
稿照明窓が小さく原稿照度が低下し高いS/N比が得られ
ない欠点がある。
ている（例えば特開昭58−38061号公報）。この構造で
は、原稿進行方向に平行にスリット状の原稿照明窓７が
設けられているため原稿からの異物付着は軽減される
が、受光素子内に原稿照明窓を設ける制限がある。その
ため第６図提案の完全密着型イメージセンサと同様に原
稿照明窓が小さく原稿照度が低下し高いS/N比が得られ
ない欠点がある。
以上記述したように従来技術では、高S/N比・高分解
能な完全密着型イメージセンサを実現するのが困難であ
りまた、透明保護層上の表面に下地の受光素子形状が反
映した段差部が生じ、その段差部に原稿からの異物が付
着しS/N比・分解能力が劣化する欠点があった。
能な完全密着型イメージセンサを実現するのが困難であ
りまた、透明保護層上の表面に下地の受光素子形状が反
映した段差部が生じ、その段差部に原稿からの異物が付
着しS/N比・分解能力が劣化する欠点があった。
本発明の目的は従来技術の欠点を解決し高S/N比で高
分解能でかつ原稿を通紙しても原稿からの異物付着のな
い高信頼性な完全密着型イメージセンサを提供するもの
である。
分解能でかつ原稿を通紙しても原稿からの異物付着のな
い高信頼性な完全密着型イメージセンサを提供するもの
である。
本発明は、走査すべき原稿と対向する側から透明部
材、所定のピッチで複数配列された光電変換素子列、前
記光電変換素子列の各光電変換素子に1:1に対応して原
稿照明窓を有する不透明部材の順に透明基板上に積層さ
れた完全密着型イメージセンサにおいて、前記各光電変
換素子は凹状であり、前記原稿照明窓は前記凹状に噛み
合う形の凸状であり、かつ原稿進行方向を前記各光電変
換素子がその凹状文字の頂部方向になるように配置され
ていることを特徴とする完全密着型イメージセンサに関
するものであり、必要に応じて、前記光電変換素子端面
に30〜80゜角のテーパをつけたり、前記原稿照明窓を不
透明部材上に形成された光電変換素子の一部を透明化
し、原稿照明窓とすることもできる。
材、所定のピッチで複数配列された光電変換素子列、前
記光電変換素子列の各光電変換素子に1:1に対応して原
稿照明窓を有する不透明部材の順に透明基板上に積層さ
れた完全密着型イメージセンサにおいて、前記各光電変
換素子は凹状であり、前記原稿照明窓は前記凹状に噛み
合う形の凸状であり、かつ原稿進行方向を前記各光電変
換素子がその凹状文字の頂部方向になるように配置され
ていることを特徴とする完全密着型イメージセンサに関
するものであり、必要に応じて、前記光電変換素子端面
に30〜80゜角のテーパをつけたり、前記原稿照明窓を不
透明部材上に形成された光電変換素子の一部を透明化
し、原稿照明窓とすることもできる。
本発明の完全密着型イメージセンサについて図面を参
照して説明する。第11図に本発明の完全密着型イメージ
センサの平面図を第12図に断面図を示す。
照して説明する。第11図に本発明の完全密着型イメージ
センサの平面図を第12図に断面図を示す。
本発明の完全密着型イメージセンサは凸形または櫛形
の原稿照明窓７とそれに対応する凹形又は櫛形の光電変
換素子８から構成されている。原稿照明窓７は原稿進行
方向側に配置され、凹形または櫛形の光電変換素子８の
間口部８′は原稿進行方向に向くように配置されてい
る。
の原稿照明窓７とそれに対応する凹形又は櫛形の光電変
換素子８から構成されている。原稿照明窓７は原稿進行
方向側に配置され、凹形または櫛形の光電変換素子８の
間口部８′は原稿進行方向に向くように配置されてい
る。
完全密着型イメージセンサでは先に説明したように、
光路長が短いため原稿照明窓近傍の光電変換素子領域に
しか反射光が到達せず、高いS/N比が得られなかった。
しかし、本発明の様に原稿照明窓７を凸形、光電変換素
子８を凹形とすることにより光電変換素子と原稿照明窓
近傍との対向する距離を長くすることができ、高いS/N
比をうることができる。
光路長が短いため原稿照明窓近傍の光電変換素子領域に
しか反射光が到達せず、高いS/N比が得られなかった。
しかし、本発明の様に原稿照明窓７を凸形、光電変換素
子８を凹形とすることにより光電変換素子と原稿照明窓
近傍との対向する距離を長くすることができ、高いS/N
比をうることができる。
そこで、光電変換素子密度8bit/mmにおける特性につ
いての調査結果の一例を第13図に示す。第13図において
左側縦軸は光出力の相対値で、これは大きいほどS/N比
がよいことになる。また右側縦軸は4lp/mmでの分解能で
横軸は透明保護層の厚さである。
いての調査結果の一例を第13図に示す。第13図において
左側縦軸は光出力の相対値で、これは大きいほどS/N比
がよいことになる。また右側縦軸は4lp/mmでの分解能で
横軸は透明保護層の厚さである。
第13図に示されるような透明保護層13を薄くしても比
較的光出力が低下しない。これは原稿照明窓７の一部が
光電変換素子８の中に入り込んでいるため、原稿１から
の反射光を有効に受光できるためである。このことから
透明保護層13を薄くできることにより隣接する光電変換
素子へのクロストーク量が減少し高い分解能が得られ、
かつ高S/N比の完全密着型イメージセンサが得られる。
較的光出力が低下しない。これは原稿照明窓７の一部が
光電変換素子８の中に入り込んでいるため、原稿１から
の反射光を有効に受光できるためである。このことから
透明保護層13を薄くできることにより隣接する光電変換
素子へのクロストーク量が減少し高い分解能が得られ、
かつ高S/N比の完全密着型イメージセンサが得られる。
次に本発明の完全密着型イメージセンサの構成および
作製法を第11図および第12図を用いて説明する。受光素
子密度8bit/mmの場合における本発明完全密着型イメー
ジセンサの作製法は、まずパイレックスガラスあるいは
石英基板などの透明基板12上に不透明金属薄膜のCrを50
0Å〜3000Å、好ましくは700Å〜2000Å被膜する。被膜
した不透明金属薄膜はホトリソ技術により原稿照明窓７
と共通電極の下部電極16がパターニングされる。
作製法を第11図および第12図を用いて説明する。受光素
子密度8bit/mmの場合における本発明完全密着型イメー
ジセンサの作製法は、まずパイレックスガラスあるいは
石英基板などの透明基板12上に不透明金属薄膜のCrを50
0Å〜3000Å、好ましくは700Å〜2000Å被膜する。被膜
した不透明金属薄膜はホトリソ技術により原稿照明窓７
と共通電極の下部電極16がパターニングされる。
原稿照明窓７の各寸法は以下の通り。ａは8bit/mmと
すると1/8mm以下となり50〜100μｍ、好ましくは60〜90
μｍ、およびｈは（ｂ＋ｈ）＜1/8mmとなるからｂ＝０
〜60μｍ、好ましくは20〜50μｍ、ｈ＝40〜90μｍ、好
ましくは50〜80μｍ、またｉは10〜70μｍ、好ましくは
20〜50μｍの範囲にある。次にアモルファスシリコンか
らなる感光層14を全面にプラズマCVD法、スパッタリン
グ法などにより1000Å〜20000Å、好ましくは8000〜150
00Åの膜厚で堆積する。この感光層14は酸素を含み少な
くとも１層以上で構成されている。
すると1/8mm以下となり50〜100μｍ、好ましくは60〜90
μｍ、およびｈは（ｂ＋ｈ）＜1/8mmとなるからｂ＝０
〜60μｍ、好ましくは20〜50μｍ、ｈ＝40〜90μｍ、好
ましくは50〜80μｍ、またｉは10〜70μｍ、好ましくは
20〜50μｍの範囲にある。次にアモルファスシリコンか
らなる感光層14を全面にプラズマCVD法、スパッタリン
グ法などにより1000Å〜20000Å、好ましくは8000〜150
00Åの膜厚で堆積する。この感光層14は酸素を含み少な
くとも１層以上で構成されている。
感光層上に透明電極17としてITOを300〜800Å、好ま
しくは400〜700Å堆積した後、ホトリソ技術により凹
形、櫛形にエッチングして、光電変換素子８が形成され
る。凹形または櫛形光電変換素子の寸法は以下の通りと
する。光電変換素子８と原稿照明窓７との間隔ｇは２〜
10μｍ、好ましくは５〜7.5μｍとし、ｃおよびｄは光
電変換素子密度8bit/mmなら1/8mm以下とする必要がある
ため80〜120μｍ、好ましくは90〜100μｍの範囲にあ
る。
しくは400〜700Å堆積した後、ホトリソ技術により凹
形、櫛形にエッチングして、光電変換素子８が形成され
る。凹形または櫛形光電変換素子の寸法は以下の通りと
する。光電変換素子８と原稿照明窓７との間隔ｇは２〜
10μｍ、好ましくは５〜7.5μｍとし、ｃおよびｄは光
電変換素子密度8bit/mmなら1/8mm以下とする必要がある
ため80〜120μｍ、好ましくは90〜100μｍの範囲にあ
る。
次に光電変換素子８端面と上部電極15の絶縁のため層
間絶縁膜19をプラズマCVD法によりａ−Si:O:Nなどの透
明絶縁膜を500Å〜5000Å、好ましくは700〜2800Åを全
面に被膜する。個別電極の上部電極15は層間絶縁膜19に
ホトリソ技術によりコンタクトホールをあけた後、全面
にAlを被膜し所定の形状にホトリソ技術によりパターニ
ングする。最後に原稿照明窓７および光電変換素子８上
に透明保護層13を形成する。透明保護層13としてはプラ
ズマCVD法あるいはECR等によるａ−Si:O:N、ａ−Si:O:H
等の透明絶縁膜を堆積するか、あるいは薄板ガラスを貼
付けてもよい。
間絶縁膜19をプラズマCVD法によりａ−Si:O:Nなどの透
明絶縁膜を500Å〜5000Å、好ましくは700〜2800Åを全
面に被膜する。個別電極の上部電極15は層間絶縁膜19に
ホトリソ技術によりコンタクトホールをあけた後、全面
にAlを被膜し所定の形状にホトリソ技術によりパターニ
ングする。最後に原稿照明窓７および光電変換素子８上
に透明保護層13を形成する。透明保護層13としてはプラ
ズマCVD法あるいはECR等によるａ−Si:O:N、ａ−Si:O:H
等の透明絶縁膜を堆積するか、あるいは薄板ガラスを貼
付けてもよい。
透明保護層13の厚さは10〜70μｍ、好ましくは20〜50
μｍの範囲にある。
μｍの範囲にある。
第11図および第12図に示される本発明完全密着型イメ
ージセンサにおける画像読み取りの原理を説明する。第
12図においてキセノンランプあるいはLED等の光源２か
ら出射された光は透明基板12を通り、一部が凸形の原稿
照明窓７および層間絶縁膜19、更に透明保護層13を通り
原稿１に入射する。原稿１からの反射光は透明保護層13
および層間絶縁膜19を通り、凹形の光電変換素子８に入
射し、光電変換され外部に電気信号として取り出され
る。
ージセンサにおける画像読み取りの原理を説明する。第
12図においてキセノンランプあるいはLED等の光源２か
ら出射された光は透明基板12を通り、一部が凸形の原稿
照明窓７および層間絶縁膜19、更に透明保護層13を通り
原稿１に入射する。原稿１からの反射光は透明保護層13
および層間絶縁膜19を通り、凹形の光電変換素子８に入
射し、光電変換され外部に電気信号として取り出され
る。
本発明において光電変換素子８および原稿照明窓７の
形状は第11図に限定されるものではなく種々の形状が考
えられる。第14図は光電変換素子８が３つに分岐した構
造となっており、原稿照明窓７と光電変換素子８との対
向する距離が更に長く出来、高いS/N比が得られる。
形状は第11図に限定されるものではなく種々の形状が考
えられる。第14図は光電変換素子８が３つに分岐した構
造となっており、原稿照明窓７と光電変換素子８との対
向する距離が更に長く出来、高いS/N比が得られる。
第15図は第11図の完全密着型イメージセンサの光電変
換素子間に第２の原稿照明窓20を配置した完全密着型イ
メージセンサである。第２の原稿照明窓20から隣接光電
変換素子へのクロストークのため分解能はやや低下する
がより原稿照明窓７および20と光電変換素子８との対向
する距離を長くでき、より高いS/N比が得られる。更に
原稿照明窓７がｂ＝０の完全密着型イメージセンサも考
えられる。この構造は原稿照明窓７がすべて光電変換素
子中に入り込んでいるため、S/N比はやや低下するが高
い分解能が得られる。
換素子間に第２の原稿照明窓20を配置した完全密着型イ
メージセンサである。第２の原稿照明窓20から隣接光電
変換素子へのクロストークのため分解能はやや低下する
がより原稿照明窓７および20と光電変換素子８との対向
する距離を長くでき、より高いS/N比が得られる。更に
原稿照明窓７がｂ＝０の完全密着型イメージセンサも考
えられる。この構造は原稿照明窓７がすべて光電変換素
子中に入り込んでいるため、S/N比はやや低下するが高
い分解能が得られる。
第11図および第12図に示した本発明完全密着型イメー
ジセンサは原稿進行の方向側に開口するようにした凹形
または櫛形の光電変換素子８と原稿進行側に原稿照明窓
７を配置することにより、原稿通紙時における異物付着
が発生しにくい構造となっている。更に異物付着を低減
させるため幾つかの構造が考えられる。
ジセンサは原稿進行の方向側に開口するようにした凹形
または櫛形の光電変換素子８と原稿進行側に原稿照明窓
７を配置することにより、原稿通紙時における異物付着
が発生しにくい構造となっている。更に異物付着を低減
させるため幾つかの構造が考えられる。
第16図は光電変換素子８の端面にテーパーをつけた本
発明完全密着型イメージセンサである。光電変換素子８
の端面に20゜〜70゜、好ましくは30゜〜60゜の範囲でテ
ーパ角αを付けることにより、透明保護層13として透明
絶縁薄膜を被膜した場合その表面はなめらかになり、原
稿からの異物付着はより低減される。
発明完全密着型イメージセンサである。光電変換素子８
の端面に20゜〜70゜、好ましくは30゜〜60゜の範囲でテ
ーパ角αを付けることにより、透明保護層13として透明
絶縁薄膜を被膜した場合その表面はなめらかになり、原
稿からの異物付着はより低減される。
更に異物付着を低減させる方法としては光電変換素子
８の一部を透明化し原稿照明窓７からの光を導光するよ
うにし、原稿照明窓上と光電変換素子上の透明保護層表
面の段差をなくす方法が考えられる。第17図にその構造
を示す。第17図に示す完全密着型イメージセンサは感光
層14を原稿照明窓７上にも被膜した後原稿照明窓７上の
感光層14′領域を酸化させ透明化させたもので、酸化法
としてプラズマ酸化、イオン打込み法等が用いられる。
この構造により光電変換素子上と原稿照明窓上の透明保
護層13表面を平坦化でき、原稿からの異物付着が無くな
る。
８の一部を透明化し原稿照明窓７からの光を導光するよ
うにし、原稿照明窓上と光電変換素子上の透明保護層表
面の段差をなくす方法が考えられる。第17図にその構造
を示す。第17図に示す完全密着型イメージセンサは感光
層14を原稿照明窓７上にも被膜した後原稿照明窓７上の
感光層14′領域を酸化させ透明化させたもので、酸化法
としてプラズマ酸化、イオン打込み法等が用いられる。
この構造により光電変換素子上と原稿照明窓上の透明保
護層13表面を平坦化でき、原稿からの異物付着が無くな
る。
透明保護層表面を平坦化した構造としては第18図の完
全密着型イメージセンサが考えられる。この完全密着型
イメージセンサは光電変換素子８を第12図と同様に形成
した後透明保護層13をSiH4、O2、ArからなるバイアスCV
D法により表面が平坦になるようにSiO2を被膜してい
る。このバイアスCVD法による透明保護層13の形成では
下地の影響をうけずに表面を平坦化できる利点がある。
全密着型イメージセンサが考えられる。この完全密着型
イメージセンサは光電変換素子８を第12図と同様に形成
した後透明保護層13をSiH4、O2、ArからなるバイアスCV
D法により表面が平坦になるようにSiO2を被膜してい
る。このバイアスCVD法による透明保護層13の形成では
下地の影響をうけずに表面を平坦化できる利点がある。
実施例１ 本発明の完全密着型イメージセンサの実施例を説明す
る。構造は第11図および第12図に同じである。
る。構造は第11図および第12図に同じである。
まず製作法を説明する。
パイレックスガラス基板12上に不透明金属薄膜のCrを
約800Å全面に被膜する。被膜したCrをホトリソ技術に
より凸形の原稿照明窓７と共通電極になる下部電極16を
形成する。原稿照明窓７の各寸法は光電変換素子密度8b
it/mmとしてａ＝90μｍ、ｂ＝30μｍ、ｈ＝80μｍ、ｉ
＝30μｍとした。次にアモルファスシリコンからなる感
光層14を全面にプラズマCVD法により1.5μｍ堆積させ
る。次に感光層14に透明電極17としてITOを500Å堆積し
た後、ホトリソ技術により凹形にエッチングし光電変換
素子８を形成する。光電変換素子８の寸法は、光電変換
素子８と原稿照明窓７との間隔ｇ＝５μｍとし、ｃ＝10
0μｍ、ｄ＝100μｍとした。更に光電変換素子８端面と
上部電極15の絶縁のため層間絶縁膜19のａ−Si:O:N膜を
1000ÅプラズマCVD法により全面に被膜する。
約800Å全面に被膜する。被膜したCrをホトリソ技術に
より凸形の原稿照明窓７と共通電極になる下部電極16を
形成する。原稿照明窓７の各寸法は光電変換素子密度8b
it/mmとしてａ＝90μｍ、ｂ＝30μｍ、ｈ＝80μｍ、ｉ
＝30μｍとした。次にアモルファスシリコンからなる感
光層14を全面にプラズマCVD法により1.5μｍ堆積させ
る。次に感光層14に透明電極17としてITOを500Å堆積し
た後、ホトリソ技術により凹形にエッチングし光電変換
素子８を形成する。光電変換素子８の寸法は、光電変換
素子８と原稿照明窓７との間隔ｇ＝５μｍとし、ｃ＝10
0μｍ、ｄ＝100μｍとした。更に光電変換素子８端面と
上部電極15の絶縁のため層間絶縁膜19のａ−Si:O:N膜を
1000ÅプラズマCVD法により全面に被膜する。
個別電極の上部電極15は層間絶縁膜19にホトリソ技術
によりコンタクトホールをあけた後、全面Alを被膜しホ
トリソ技術によりパターニングし形成する。最後に原稿
照明窓７および光電変換素子８上に透明保護層13として
ａ−Si:O:N膜をプラズマCVD法により30μｍ堆積させ
る。
によりコンタクトホールをあけた後、全面Alを被膜しホ
トリソ技術によりパターニングし形成する。最後に原稿
照明窓７および光電変換素子８上に透明保護層13として
ａ−Si:O:N膜をプラズマCVD法により30μｍ堆積させ
る。
本実施例の完全密着型イメージセンサは原稿照明窓７
と光電変換素子８との対向する距離が250μｍ（90＋80
＋80）と従来の2.5倍長いため高いS/N比が得られ、また
原稿照明窓７の一部が分岐した光電変換素子内に入り込
んでいるため隣接する光電変換素子へのクロストークが
少なく分解能が高い。更に光電変換素子が分岐しその開
口部を原稿進行方向に向けることにより、原稿からの異
物付着を低減させることが出来る利点がある。
と光電変換素子８との対向する距離が250μｍ（90＋80
＋80）と従来の2.5倍長いため高いS/N比が得られ、また
原稿照明窓７の一部が分岐した光電変換素子内に入り込
んでいるため隣接する光電変換素子へのクロストークが
少なく分解能が高い。更に光電変換素子が分岐しその開
口部を原稿進行方向に向けることにより、原稿からの異
物付着を低減させることが出来る利点がある。
実施例２ 構造は第14図に同じである。
製作法は実施例１と同じであるが、本構造では光電変
換素子８が３つに分岐した櫛状構造となっており、原稿
照明窓７と光電変換素子８との対向する距離を更に長く
し高いS/N比が得られる構造となっている。原稿照明窓
７の各寸法は、光電変換素子密度8bit/mmとして、ａ＝9
0μｍ、ｂ＝30μｍ、ｈ＝80μｍ、ｉ＝20μｍとした。
また、光電変換素子８の寸法は、光電変換素子８と原稿
照明窓７との間隔ｇ＝５μｍとし、ｃ＝100μｍ、ｄ＝1
00μｍとした。
換素子８が３つに分岐した櫛状構造となっており、原稿
照明窓７と光電変換素子８との対向する距離を更に長く
し高いS/N比が得られる構造となっている。原稿照明窓
７の各寸法は、光電変換素子密度8bit/mmとして、ａ＝9
0μｍ、ｂ＝30μｍ、ｈ＝80μｍ、ｉ＝20μｍとした。
また、光電変換素子８の寸法は、光電変換素子８と原稿
照明窓７との間隔ｇ＝５μｍとし、ｃ＝100μｍ、ｄ＝1
00μｍとした。
本実施例の完全密着型イメージセンサは原稿照明窓７
と光電変換素子８との対向する距離が410μｍ（90＋80
×４）と実施例１の1.6倍と更に長くすることが出来る
利点がある。
と光電変換素子８との対向する距離が410μｍ（90＋80
×４）と実施例１の1.6倍と更に長くすることが出来る
利点がある。
実施例３ 構造は第15図に同じである。
製作法は実施例１と同じであるが、本構造では実施例
１の光電変換素子間に第２の原稿照明窓20を配置してい
る。第２の原稿照明窓の寸法はｋ＝100μｍ、ｊ＝10μ
ｍである。その他の寸法は実施例１に同じである。第２
の原稿照明窓20を配置したことにより、隣接する光電変
換素子へのクロストークが増加し、分解能がやや低下す
るが、原稿照明窓７および20と光電変換素子８との対向
する距離が長くなり高いS/N比が得られる利点がある。
１の光電変換素子間に第２の原稿照明窓20を配置してい
る。第２の原稿照明窓の寸法はｋ＝100μｍ、ｊ＝10μ
ｍである。その他の寸法は実施例１に同じである。第２
の原稿照明窓20を配置したことにより、隣接する光電変
換素子へのクロストークが増加し、分解能がやや低下す
るが、原稿照明窓７および20と光電変換素子８との対向
する距離が長くなり高いS/N比が得られる利点がある。
実施例４ 実施例４は、原稿通紙時における原稿から発生する異
物が、透明保護層表面の段差部に付着しないように考案
したもので、光電変換素子端面にテーパをつけた構造と
なっている。構造は実施例１と同じである。断面図を第
16図に示す。製作法は透明電極17としてITOを堆積させ
るまでは実施例１と同じである。ITO堆積後、光電変換
素子上にホトレジストをホトリソ技術により残したま
ま、ドライエッチングによりホトレジストの後退を利用
しテーパ角α≒60゜に光電変換素子端面にテーパを付け
る。その後光電変換素子上のホトレジストを除去し、透
明保護層13を実施例１と同様に堆積させる。
物が、透明保護層表面の段差部に付着しないように考案
したもので、光電変換素子端面にテーパをつけた構造と
なっている。構造は実施例１と同じである。断面図を第
16図に示す。製作法は透明電極17としてITOを堆積させ
るまでは実施例１と同じである。ITO堆積後、光電変換
素子上にホトレジストをホトリソ技術により残したま
ま、ドライエッチングによりホトレジストの後退を利用
しテーパ角α≒60゜に光電変換素子端面にテーパを付け
る。その後光電変換素子上のホトレジストを除去し、透
明保護層13を実施例１と同様に堆積させる。
光電変換素子端面にテーパ角αを付けたことにより、
透明保護層13表面はなめらかとなり原稿１からの異物付
着が低減し高信頼性な完全密着型イメージセンサが得ら
れる。
透明保護層13表面はなめらかとなり原稿１からの異物付
着が低減し高信頼性な完全密着型イメージセンサが得ら
れる。
またテーパを付けることにより、上部電極15のステッ
プカバレッジが改善され歩留りが向上する利点もある。
プカバレッジが改善され歩留りが向上する利点もある。
実施例５ 構造は実施例１とほぼ同じである。断面図を第17図に
示す。製作法は透明電極17としてITOを堆積させるまで
実施例１と同じである。ITO堆積後、原稿照明窓７上に
感光層14を残したまま、各光電変換素子８を分離する。
その後原稿照明窓７上以外の部分をホトレジストでカバ
ーし、O2プラズマによるプラズマ酸化を行ない原稿照明
窓７上の感光層14′を透明化し、光の導光領域とする。
層間絶縁膜19、上部電極15および透明保護層13は実施例
１と同様に形成される。
示す。製作法は透明電極17としてITOを堆積させるまで
実施例１と同じである。ITO堆積後、原稿照明窓７上に
感光層14を残したまま、各光電変換素子８を分離する。
その後原稿照明窓７上以外の部分をホトレジストでカバ
ーし、O2プラズマによるプラズマ酸化を行ない原稿照明
窓７上の感光層14′を透明化し、光の導光領域とする。
層間絶縁膜19、上部電極15および透明保護層13は実施例
１と同様に形成される。
本構造により、光電変換素子８上と原稿照明窓７上の
透明保護層13表面が平坦化でき原稿からの異物付着が無
くなり高信頼性な完全密着型イメージセンサが得られる
利点がある。
透明保護層13表面が平坦化でき原稿からの異物付着が無
くなり高信頼性な完全密着型イメージセンサが得られる
利点がある。
実施例６ 構造は実施例１と同じである。断面図を第18図に示
す。製作法は上部電極15形成まで実施例１と同じであ
る。上部電極形成後、透明保護層13をSiH4、O2、Arから
なるバイアスCVD法により表面が平坦になるようにSiO2
を30μｍ被膜する。本構造では原稿通紙時における異物
付着が発生しやすい表面の段差が無くなりより高信頼性
な完全密着型イメージセンサが得られる利点がある。
す。製作法は上部電極15形成まで実施例１と同じであ
る。上部電極形成後、透明保護層13をSiH4、O2、Arから
なるバイアスCVD法により表面が平坦になるようにSiO2
を30μｍ被膜する。本構造では原稿通紙時における異物
付着が発生しやすい表面の段差が無くなりより高信頼性
な完全密着型イメージセンサが得られる利点がある。
以下に本実施例の完全密着型イメージセンサを評価し
た結果を示す。
た結果を示す。
原稿照明窓形状とS/N比および分解能の評価結果 表１に示す様に本発明の完全密着型イメージセンサは
高S/N比、高分解能である。
高S/N比、高分解能である。
光電変換素子端面のテーパ角αと信頼性の評価結果 実施例４においてテーパ角αとコピー済の紙を10万枚
通紙した後での読み落し率をA4サイズのイメージセンサ
で評価した。尚、読み落しbitは初期値の80％以下まで
出力が低下したbitとした。
通紙した後での読み落し率をA4サイズのイメージセンサ
で評価した。尚、読み落しbitは初期値の80％以下まで
出力が低下したbitとした。
表２に示す様に光電変換素子端面にテーパをつけ、透
明保護層表面をなめらかにすることにより読み落し率は
０となり高い信頼性が得られた。
明保護層表面をなめらかにすることにより読み落し率は
０となり高い信頼性が得られた。
透明保護層表面の平坦化の評価結果 と同じようにコピー済の紙を10万枚通紙した後での
読み落し率で信頼性を評価した。評価したイメージセン
サは、ａ）実施例１のテーパ角α＝90゜のイメージセン
サ、ｂ）実施例５の感光層を酸化し透明としたイメージ
センサ、ｃ）実施例６の透明保護層を平坦化しながら堆
積させたイメージセンサの３種類である。
読み落し率で信頼性を評価した。評価したイメージセン
サは、ａ）実施例１のテーパ角α＝90゜のイメージセン
サ、ｂ）実施例５の感光層を酸化し透明としたイメージ
センサ、ｃ）実施例６の透明保護層を平坦化しながら堆
積させたイメージセンサの３種類である。
表３のように実施例5,6のように透明保護層表面を平
坦にすることによって高い信頼性が得られた。
坦にすることによって高い信頼性が得られた。
透明保護層の材質とS/N比および分解能の評価結果 評価は実施例１の構造の完全密着型イメージセンサで
行った。
行った。
表４に示す様な結果となった。
以上の評価結果より本発明の完全密着型イメージセン
サは高S/N比、高分解能、原稿を通紙しても原稿
からの異物付着が少なく高信頼性の利点があることが確
認出来た。
サは高S/N比、高分解能、原稿を通紙しても原稿
からの異物付着が少なく高信頼性の利点があることが確
認出来た。
請求項１の構造の完全密着型イメージセンサは光電変
換素子が分岐あるいは分割しており、その周囲に原稿照
明窓を配置することにより光電変換素子と原稿照明窓の
対向する距離が長くできるため、高いS/N比および高い
分解能の完全密着型イメージセンサが提供できる。
換素子が分岐あるいは分割しており、その周囲に原稿照
明窓を配置することにより光電変換素子と原稿照明窓の
対向する距離が長くできるため、高いS/N比および高い
分解能の完全密着型イメージセンサが提供できる。
本発明の完全密着型イメージセンサの光電変換素子間
に第２の原稿照明窓を配置することにより、より高いS/
N比の完全密着型イメージセンサが提供できる。
に第２の原稿照明窓を配置することにより、より高いS/
N比の完全密着型イメージセンサが提供できる。
請求項２の完全密着型イメージセンサは、光電変換素
子端面にテーパをつけたことより、透明保護層表面の段
差をなめらかにし、原稿から発生する異物の付着を低減
させ読み落しのない高信頼性な完全密着型イメージセン
サが提供できる。
子端面にテーパをつけたことより、透明保護層表面の段
差をなめらかにし、原稿から発生する異物の付着を低減
させ読み落しのない高信頼性な完全密着型イメージセン
サが提供できる。
請求項３の完全密着型イメージセンサは、光電変換素
子の一部を透明化することにより、透明保護層表面の段
差がなくなるので、原稿から発生する異物の付着を低減
でき、読み落しのない高信頼性な完全密着型イメージセ
ンサが提供できる。
子の一部を透明化することにより、透明保護層表面の段
差がなくなるので、原稿から発生する異物の付着を低減
でき、読み落しのない高信頼性な完全密着型イメージセ
ンサが提供できる。
第１図は非密着型イメージセンサの使用例であり、第２
図〜第10図は従来の完全密着型イメージセンサの例とそ
の使用態様を示し、第11図〜第19図は本発明の完全密着
型イメージセンサの例とその使用態様を示す。 １……原稿、２……原稿照明用の光源 ３……レンズ、４……CCD ５……等倍結像用のレンズ ６……イメージセンサ ７……原稿照明窓、８……光電変換素子 ８′……間口部、９……電極 10……遮光層 12……透明基板、13……透明保護層 13a……段差部、13b……段差部 14……感光層、14′……感光層 15……上部電極、16……下部電極 17……透明電極、18……異物 19……層間絶縁膜、20……第２の原稿照明窓
図〜第10図は従来の完全密着型イメージセンサの例とそ
の使用態様を示し、第11図〜第19図は本発明の完全密着
型イメージセンサの例とその使用態様を示す。 １……原稿、２……原稿照明用の光源 ３……レンズ、４……CCD ５……等倍結像用のレンズ ６……イメージセンサ ７……原稿照明窓、８……光電変換素子 ８′……間口部、９……電極 10……遮光層 12……透明基板、13……透明保護層 13a……段差部、13b……段差部 14……感光層、14′……感光層 15……上部電極、16……下部電極 17……透明電極、18……異物 19……層間絶縁膜、20……第２の原稿照明窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−80963（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−39767（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−105469（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−1351（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 27/14 H04N 1/028
Claims (3)
- 【請求項１】走査すべき原稿と対向する側から透明部
材、所定のピッチで複数配列された光電変換素子列、前
記光電変換素子列の各光電変換素子に1:1に対応して原
稿照明窓を有する不透明部材の順に透明基板上に積層さ
れた完全密着型イメージセンサにおいて、前記各光電変
換素子は凹状であり、前記原稿照明窓は前記凹状に噛み
合う形の凸状であり、かつ原稿進行方向を前記各光電変
換素子がその凹状文字の頂部方向になるように配置され
ていることを特徴とする完全密着型イメージセンサ。 - 【請求項２】前記光電変換素子端面に30〜80゜角のテー
パをつけた請求項１記載の完全密着型イメージセンサ。 - 【請求項３】感光層を前記光電変換素子と原稿照明窓の
両方を含む全面に形成し、原稿照明窓上の感光層領域の
みを透明化させることにより、表面を可及的に平坦化し
てなる請求項１または請求項２記載の完全密着型イメー
ジセンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1119660A JP2841330B2 (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 完全密着型イメージセンサ |
| US07/519,756 US5144458A (en) | 1989-05-12 | 1990-05-07 | Total contact type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1119660A JP2841330B2 (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 完全密着型イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02298072A JPH02298072A (ja) | 1990-12-10 |
| JP2841330B2 true JP2841330B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=14766920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1119660A Expired - Fee Related JP2841330B2 (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 完全密着型イメージセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5144458A (ja) |
| JP (1) | JP2841330B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPH04316478A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-06 | Nec Corp | 生物試料観察装置、システムおよび方法 |
| US7001457B2 (en) * | 2001-05-01 | 2006-02-21 | Ricoh Company, Ltd. | Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device |
| JP3948439B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2007-07-25 | 三菱電機株式会社 | 密着イメージセンサおよびこれを用いた画像読み取り装置 |
| JP4568239B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2010-10-27 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 光電変換素子アレイ及び固体撮像装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4149197A (en) * | 1977-10-11 | 1979-04-10 | Northern Telecom Limited | Direct imaging apparatus for an electronic document transmitter utilizing a linear array of photo-detectors |
| US4777534A (en) * | 1986-09-29 | 1988-10-11 | Energy Conversion Devices, Inc. | Light piping substrate for contact type image replication |
| US4691244A (en) * | 1984-05-04 | 1987-09-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Contact-type document scanner including static shield |
| US4868664A (en) * | 1984-05-04 | 1989-09-19 | Energy Conversion Devices, Inc. | Contact type image replication employing a light piping faceplate |
| US4768096A (en) * | 1984-05-04 | 1988-08-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Contact-type portable digitizing wand for scanning image-bearing surfaces |
| US4691243A (en) * | 1984-05-04 | 1987-09-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Contact-type document scanner including protective coating |
| US4910412A (en) * | 1987-04-17 | 1990-03-20 | Stemcor Corporation | Light biased photoresponsive array |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1119660A patent/JP2841330B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-05-07 US US07/519,756 patent/US5144458A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02298072A (ja) | 1990-12-10 |
| US5144458A (en) | 1992-09-01 |
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