JPH06168980A - 半導体チップ実装方法および基板構造体 - Google Patents
半導体チップ実装方法および基板構造体Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 より改善された製作工程を有するフリップチ
ップ方式の高密度半導体チップ実装方法とその基板構造
体を提供する。 【構成】 チップパッドと対応する位置に貫通ホールが
形成されているフィルムタイプの絶縁性接着層8をチッ
プ6と基板11との間に介在した状態で、前記チップ6
のパッドP、フィルムの貫通ホールおよび基板11の貫
通孔が相互に一致するよう整列させてチップ6と基板1
1とを取付ける段階と、チップ6が取付けられた基板1
1上面とは反対側の後面から貫通孔の一方を塞いでいる
チップ6の金属パッドPと貫通孔の内壁および基板11
の後面を連続的に塗布するよう導電層12を形成して、
チップ6のパッドPと基板11内部の導電配線網10と
を相互連結する段階と、塗布導電層12により形成され
た導電性凹部の内部を絶縁物質とで埋込む段階とで構成
される。
ップ方式の高密度半導体チップ実装方法とその基板構造
体を提供する。 【構成】 チップパッドと対応する位置に貫通ホールが
形成されているフィルムタイプの絶縁性接着層8をチッ
プ6と基板11との間に介在した状態で、前記チップ6
のパッドP、フィルムの貫通ホールおよび基板11の貫
通孔が相互に一致するよう整列させてチップ6と基板1
1とを取付ける段階と、チップ6が取付けられた基板1
1上面とは反対側の後面から貫通孔の一方を塞いでいる
チップ6の金属パッドPと貫通孔の内壁および基板11
の後面を連続的に塗布するよう導電層12を形成して、
チップ6のパッドPと基板11内部の導電配線網10と
を相互連結する段階と、塗布導電層12により形成され
た導電性凹部の内部を絶縁物質とで埋込む段階とで構成
される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体パッケージに関
するものであり、特に、改善されたフリップチップ方式
による高密度半導体パッケージ実装方法およびその基板
構造体に関するものである。
するものであり、特に、改善されたフリップチップ方式
による高密度半導体パッケージ実装方法およびその基板
構造体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ウェーハからダイ分離されたチップは、
外部導線に適切に連結され、より大きい回路やシステム
において使用するのに便利な方法でパッケージしなけれ
ばならない。通常、チップパッドとこれに連結されたリ
ードがあるリードフレームに、前記チップをチップパッ
ドに取付け、チップの金属パッドとリードとの間をワイ
ヤーボンディングして相互連結するようになる。
外部導線に適切に連結され、より大きい回路やシステム
において使用するのに便利な方法でパッケージしなけれ
ばならない。通常、チップパッドとこれに連結されたリ
ードがあるリードフレームに、前記チップをチップパッ
ドに取付け、チップの金属パッドとリードとの間をワイ
ヤーボンディングして相互連結するようになる。
【0003】しかし、最近の電気機器の開発動向は、高
機能化、大容量化、小型化および薄型化に代表される軽
薄単小化の傾向にあり、半導体ICもこれに対応して、
多機能化、多ピン化、高速化、高信頼性化および表面実
装型に進んでいる。
機能化、大容量化、小型化および薄型化に代表される軽
薄単小化の傾向にあり、半導体ICもこれに対応して、
多機能化、多ピン化、高速化、高信頼性化および表面実
装型に進んでいる。
【0004】そのため、半導体パッケージもなお薄型パ
ッケージ化されており、直接ICチップとリードフレー
ムとをボンディングできるようにする進歩した相互連結
技術でテープ自動ボンディング(Tape Autom
ated Bonding、以下“TAB”という)技
術が一部行なわれており、さらに、導線をチップ上の各
パッドに個別的に接着するのにかかる時間を短縮するた
め、同時接着方式としてフリップチップのような方式が
開発された。特に、このフリップチップ方式は、高密度
パッケージ化を実現するのに長所があり、注目されてい
る技術である。
ッケージ化されており、直接ICチップとリードフレー
ムとをボンディングできるようにする進歩した相互連結
技術でテープ自動ボンディング(Tape Autom
ated Bonding、以下“TAB”という)技
術が一部行なわれており、さらに、導線をチップ上の各
パッドに個別的に接着するのにかかる時間を短縮するた
め、同時接着方式としてフリップチップのような方式が
開発された。特に、このフリップチップ方式は、高密度
パッケージ化を実現するのに長所があり、注目されてい
る技術である。
【0005】フリップチップ方式においては、ハンダあ
るいは特殊金属合金のバンプを、ICチップの表面上に
ほぼ80μmにまで位置するように各接触パッドに取付
ける。その後、チップを裏返しておき、前記突出部を基
板上の金属化されたパターンと適切に位置合わせた後、
この時点において超音波接着あるいはハンダ合金方法で
バンプを基板上の対応するコネクタに取付ける。この方
式はすべての連結が同時になされるという利点がある。
るいは特殊金属合金のバンプを、ICチップの表面上に
ほぼ80μmにまで位置するように各接触パッドに取付
ける。その後、チップを裏返しておき、前記突出部を基
板上の金属化されたパターンと適切に位置合わせた後、
この時点において超音波接着あるいはハンダ合金方法で
バンプを基板上の対応するコネクタに取付ける。この方
式はすべての連結が同時になされるという利点がある。
【0006】図1は、従来のフリップチップ方式を説明
する工程断面図である。図1を参照すると、半導体IC
チップ1とバンプ2とが相互に接触しているが、これは
チップ上のパッド(示さない)にハンダを蒸着あるいは
電気めっき、ハンダ浸漬(solder dippin
g)などの方法を用いてほぼ球状バンプを形成すること
によりなる。チップを実装しようとする基板5との実装
においては、まず、チップのパッド位置と対応して基板
上にも配線パターン3を予め形成した後、前記バンプが
あるチップを図1に示すように裏返して基板上のパター
ン3と整列させる。その後熱処理をしてバンプであるハ
ンダを溶かしてチップパッドと基板パターンとの間をジ
ョイントする。その後、後続処理として半導体が外部環
境などに耐えかつ保護されるよう、チップと基板との間
にエポキシなどを入れて固め、再びチップ全体を保護樹
脂で密封する。
する工程断面図である。図1を参照すると、半導体IC
チップ1とバンプ2とが相互に接触しているが、これは
チップ上のパッド(示さない)にハンダを蒸着あるいは
電気めっき、ハンダ浸漬(solder dippin
g)などの方法を用いてほぼ球状バンプを形成すること
によりなる。チップを実装しようとする基板5との実装
においては、まず、チップのパッド位置と対応して基板
上にも配線パターン3を予め形成した後、前記バンプが
あるチップを図1に示すように裏返して基板上のパター
ン3と整列させる。その後熱処理をしてバンプであるハ
ンダを溶かしてチップパッドと基板パターンとの間をジ
ョイントする。その後、後続処理として半導体が外部環
境などに耐えかつ保護されるよう、チップと基板との間
にエポキシなどを入れて固め、再びチップ全体を保護樹
脂で密封する。
【0007】図1において、基板は両面にパターン3,
3があり、この2つのパターンを貫通孔4に連結する多
層印刷回路基板を例にしている。
3があり、この2つのパターンを貫通孔4に連結する多
層印刷回路基板を例にしている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、フリップチップ方式は多くの長所はあるが、チップ
上にハンダを載せてバンプを作る工程と、エポキシなど
を用いて密封する工程など、工程が煩雑で工程コストが
高いという問題がある。
に、フリップチップ方式は多くの長所はあるが、チップ
上にハンダを載せてバンプを作る工程と、エポキシなど
を用いて密封する工程など、工程が煩雑で工程コストが
高いという問題がある。
【0009】したがって、本発明の目的は、より改善さ
れた製作工程を有するフリップチップ方式の高密度半導
体チップ実装方法とその基板構造体を提供することにあ
る。
れた製作工程を有するフリップチップ方式の高密度半導
体チップ実装方法とその基板構造体を提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明による半導体チ
ップ実装方法は、連結パッドが形成された半導体チップ
と、連結パッドと対応する位置に貫通孔がありこの貫通
孔に連結された導電配線網がある基板を相互連結する半
導体チップ実装方法であって、チップパッドと対応する
位置に貫通ホールが形成されているフィルムタイプの絶
縁性接着層をチップと基板との間に介在させた状態で、
チップのパッド、フィルムの貫通ホールおよび基板の貫
通孔が相互に一致するよう整列させてチップと基板とを
取付ける段階と、チップが取付けられた基板上面とは反
対側の後面から貫通孔の一方を塞いでいるチップの金属
パッドと貫通孔の内壁および基板の後面を連続的に塗布
するよう導電層を形成して、チップのパッドと基板内部
の導電配線網とを相互連結する段階と、塗布導電層によ
り形成された導電性凹部の内部を絶縁物質で埋込む段階
とを備えている。
ップ実装方法は、連結パッドが形成された半導体チップ
と、連結パッドと対応する位置に貫通孔がありこの貫通
孔に連結された導電配線網がある基板を相互連結する半
導体チップ実装方法であって、チップパッドと対応する
位置に貫通ホールが形成されているフィルムタイプの絶
縁性接着層をチップと基板との間に介在させた状態で、
チップのパッド、フィルムの貫通ホールおよび基板の貫
通孔が相互に一致するよう整列させてチップと基板とを
取付ける段階と、チップが取付けられた基板上面とは反
対側の後面から貫通孔の一方を塞いでいるチップの金属
パッドと貫通孔の内壁および基板の後面を連続的に塗布
するよう導電層を形成して、チップのパッドと基板内部
の導電配線網とを相互連結する段階と、塗布導電層によ
り形成された導電性凹部の内部を絶縁物質で埋込む段階
とを備えている。
【0011】好ましくは、埋込まれた絶縁物質を硬化さ
せる段階をさらに含むとよい。また、好ましくは、絶縁
物質と導電層とを基板が露出されるまでポリシングして
除去する段階をさらに含むとよい。
せる段階をさらに含むとよい。また、好ましくは、絶縁
物質と導電層とを基板が露出されるまでポリシングして
除去する段階をさらに含むとよい。
【0012】さらに、好ましくは、貫通孔がある基板
は、少なくとも2層以上の絶縁基板と、その間に導電配
線網がある多層印刷回路基板であるとよい。
は、少なくとも2層以上の絶縁基板と、その間に導電配
線網がある多層印刷回路基板であるとよい。
【0013】また、好ましくは、貫通孔がある基板は、
基板表面に貫通孔が連結された導電配線網がある基板で
あるとよい。
基板表面に貫通孔が連結された導電配線網がある基板で
あるとよい。
【0014】さらに、好ましくは、導電層は、スパッタ
リング、電気めっきスクリーンおよび蒸着方法のうちか
ら選択された1つの方法により形成されるとよい。
リング、電気めっきスクリーンおよび蒸着方法のうちか
ら選択された1つの方法により形成されるとよい。
【0015】また、好ましくは、導電層は、Auあるい
はNiのうちから選択された材料からなるとよい。
はNiのうちから選択された材料からなるとよい。
【0016】さらに、好ましくは、貫通孔を埋込んでい
る絶縁物質は、エポキシあるいはポリイミドのうちから
選択された1つからなるとよい。
る絶縁物質は、エポキシあるいはポリイミドのうちから
選択された1つからなるとよい。
【0017】この発明による半導体チップが結合された
基板構造体は、一表面に連結パッドを有する半導体チッ
プと、パッドと同じ位置に形成された貫通孔およびこの
貫通孔の周りに延長形成された導電性配線網とを含む基
板と、チップのパッドと基板との間に挿入されてチップ
と基板とを相互に接着するための接着層とを備え、この
接着層は基板に形成された貫通孔と対応する貫通ホール
を含み、基板の貫通内壁およびチップのパッド表面に形
成され、基板面上の導電配線網に半導体チップのパッド
を連結するための導電層と、導電層内に埋込まれた絶縁
層とをさらに備えている。
基板構造体は、一表面に連結パッドを有する半導体チッ
プと、パッドと同じ位置に形成された貫通孔およびこの
貫通孔の周りに延長形成された導電性配線網とを含む基
板と、チップのパッドと基板との間に挿入されてチップ
と基板とを相互に接着するための接着層とを備え、この
接着層は基板に形成された貫通孔と対応する貫通ホール
を含み、基板の貫通内壁およびチップのパッド表面に形
成され、基板面上の導電配線網に半導体チップのパッド
を連結するための導電層と、導電層内に埋込まれた絶縁
層とをさらに備えている。
【0018】好ましくは、貫通孔内の導電層は、Auあ
るいはNiのうちから選択された1つからなるとよい。
るいはNiのうちから選択された1つからなるとよい。
【0019】また、好ましくは、貫通孔を埋込んでいる
絶縁物質は、エポキシあるいはポリイミドのうちから選
択された1つであるとよい。
絶縁物質は、エポキシあるいはポリイミドのうちから選
択された1つであるとよい。
【0020】さらに、好ましくは、基板は、少なくとも
2層以上の絶縁基板と、その間に導電配線網とを有する
多層印刷回路基板で構成されるとよい。
2層以上の絶縁基板と、その間に導電配線網とを有する
多層印刷回路基板で構成されるとよい。
【0021】また、好ましくは、基板は、半導体チップ
が実装される基板表面に導電配線網を設けた基板である
とよい。
が実装される基板表面に導電配線網を設けた基板である
とよい。
【0022】この発明による半導体チップと配線基板の
接続方法は、半導体チップと配線基板を絶縁性接着板に
より固着し、チップ上の金属パッドと配線基板の配線用
導電膜を電気的に接続する方法であって、チップと基板
を固着したときに接続すべきパッドの位置に対応する位
置関係を有する複数の貫通孔を基板に形成する第1工程
と、接着板を基板のチップ固着面に接合する第2工程
と、接着板に基板の貫通孔と同じ位置に貫通ホールを形
成する第3工程との3つの工程を任意の順序で組合わせ
たA工程と、基板上に接合された接着板上にチップのパ
ッド形成面を対向させて接合する第4工程と、以上の工
程により形成される基板貫通孔内壁と接着板貫通ホール
内壁と貫通ホール部に露出するパッド面に連続した導電
膜を形成する第5工程と、導電膜により形成される凹部
に充填材を充填する第6工程と、基板貫通孔の外側に突
出した充填材および不要導電膜を除去する第7工程とを
備えている。
接続方法は、半導体チップと配線基板を絶縁性接着板に
より固着し、チップ上の金属パッドと配線基板の配線用
導電膜を電気的に接続する方法であって、チップと基板
を固着したときに接続すべきパッドの位置に対応する位
置関係を有する複数の貫通孔を基板に形成する第1工程
と、接着板を基板のチップ固着面に接合する第2工程
と、接着板に基板の貫通孔と同じ位置に貫通ホールを形
成する第3工程との3つの工程を任意の順序で組合わせ
たA工程と、基板上に接合された接着板上にチップのパ
ッド形成面を対向させて接合する第4工程と、以上の工
程により形成される基板貫通孔内壁と接着板貫通ホール
内壁と貫通ホール部に露出するパッド面に連続した導電
膜を形成する第5工程と、導電膜により形成される凹部
に充填材を充填する第6工程と、基板貫通孔の外側に突
出した充填材および不要導電膜を除去する第7工程とを
備えている。
【0023】
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を添付図面に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【0024】図2ないし図7は、本発明の半導体チップ
実装方法を説明する組立工程図である。
実装方法を説明する組立工程図である。
【0025】実装する前の半導体チップ6は、一側面に
図4に示すように、他の素子あるいは信号線と接続する
ための金属パッドPと、絶縁およびパターン保護のため
のポリイミド層7が形成されている。
図4に示すように、他の素子あるいは信号線と接続する
ための金属パッドPと、絶縁およびパターン保護のため
のポリイミド層7が形成されている。
【0026】一方、多層印刷回路基板11は、図2のよ
うに、第1層の絶縁基板11Aと第2層の絶縁基板11
Bあるいはそれ以上の層を含み、層と層との間には、図
3に示すようにパターニングされた導電性配線網10が
形成される。この実施例は、2つの層の基板層とその間
に形成する配線網とを有する多層基板を例としている。
さらに、この多層基板は貫通孔9を含んでいて、この貫
通孔9を通じて相互に分離配置形成した層間導電パター
ンや回路素子が連結される。
うに、第1層の絶縁基板11Aと第2層の絶縁基板11
Bあるいはそれ以上の層を含み、層と層との間には、図
3に示すようにパターニングされた導電性配線網10が
形成される。この実施例は、2つの層の基板層とその間
に形成する配線網とを有する多層基板を例としている。
さらに、この多層基板は貫通孔9を含んでいて、この貫
通孔9を通じて相互に分離配置形成した層間導電パター
ンや回路素子が連結される。
【0027】特に、図2において、配線網10のパター
ンのうち、貫通孔9の周りのみを部分拡大した部分拡大
断面図を図3に示す。第1層の絶縁基板11Aと、この
基板に開けられている円形状の貫通孔9、そして貫通孔
9の周りおよび他の延長部分に形成する導電配線網10
を形成していることを示している。多層印刷回路基板
は、周知の方式通りに予め設計されているので、導電配
線網を有し予め用意される。
ンのうち、貫通孔9の周りのみを部分拡大した部分拡大
断面図を図3に示す。第1層の絶縁基板11Aと、この
基板に開けられている円形状の貫通孔9、そして貫通孔
9の周りおよび他の延長部分に形成する導電配線網10
を形成していることを示している。多層印刷回路基板
は、周知の方式通りに予め設計されているので、導電配
線網を有し予め用意される。
【0028】このように、チップ6と多層印刷回路基板
11を用意した後、本発明の工程に伴い次のようにして
ボンディングされる。
11を用意した後、本発明の工程に伴い次のようにして
ボンディングされる。
【0029】半導体チップ6のパッドPと多層印刷回路
基板11の貫通孔を、予め位置が相互対応して一致する
よう形成し、図2に示すように整列しながらチップ6と
多層印刷回路基板11との間に接着層8としてB−ステ
ージフィルムを間に載置する。このフィルムはやや硬い
状態のシートであり、チップのパッドPと対応する位置
でその大きさ通りホールHが開けられているものであっ
て、あたかもマスクのようなものである。フィルムタイ
プの接着層8を媒介にして、多層印刷回路基板11とチ
ップ6とがお互いに堅固に取付けられる。このとき、注
意するところは、パッドPの周りに接着剤が付着しない
ようフィルム接着剤を加工することである。したがっ
て、図4に示すように結合するので、貫通孔9の底面は
チップのパッドP表面になる。
基板11の貫通孔を、予め位置が相互対応して一致する
よう形成し、図2に示すように整列しながらチップ6と
多層印刷回路基板11との間に接着層8としてB−ステ
ージフィルムを間に載置する。このフィルムはやや硬い
状態のシートであり、チップのパッドPと対応する位置
でその大きさ通りホールHが開けられているものであっ
て、あたかもマスクのようなものである。フィルムタイ
プの接着層8を媒介にして、多層印刷回路基板11とチ
ップ6とがお互いに堅固に取付けられる。このとき、注
意するところは、パッドPの周りに接着剤が付着しない
ようフィルム接着剤を加工することである。したがっ
て、図4に示すように結合するので、貫通孔9の底面は
チップのパッドP表面になる。
【0030】その後、貫通孔9の開口部より挿入塗布し
た導電層により、パッドPと層間配線網10が、互いに
電気的に連結される。図5は連結状態を示し、図4とは
上下反対になっている。
た導電層により、パッドPと層間配線網10が、互いに
電気的に連結される。図5は連結状態を示し、図4とは
上下反対になっている。
【0031】図4において、基板の後面11Cと貫通孔
の内壁および貫通孔の底になる金属パッドP上に形成す
る導電層12は、図5に示すように、たとえばスパッタ
リングやスクリーン法、電気めっきないし蒸着などの方
法を用いてAuやNiなどの導電物質を塗布することに
より形成する。したがって、多層印刷回路基板11の層
間に挿入形成されている導電配線網10およびチップの
金属パッドPは、導電層12により連結される。
の内壁および貫通孔の底になる金属パッドP上に形成す
る導電層12は、図5に示すように、たとえばスパッタ
リングやスクリーン法、電気めっきないし蒸着などの方
法を用いてAuやNiなどの導電物質を塗布することに
より形成する。したがって、多層印刷回路基板11の層
間に挿入形成されている導電配線網10およびチップの
金属パッドPは、導電層12により連結される。
【0032】次に、図6に示すように、エポキシやポリ
イミドなどの絶縁物質を用いて、基板後面の全面にわた
って貫通孔9に塗布された導電層の凹部を埋込むよう塗
布して、絶縁層14を形成する。埋込まれた絶縁物質を
硬化して安定化した後に、研磨などの方法で基板後面の
表面が現れるよう貫通孔9以外の絶縁層14および導電
層12を除去する。
イミドなどの絶縁物質を用いて、基板後面の全面にわた
って貫通孔9に塗布された導電層の凹部を埋込むよう塗
布して、絶縁層14を形成する。埋込まれた絶縁物質を
硬化して安定化した後に、研磨などの方法で基板後面の
表面が現れるよう貫通孔9以外の絶縁層14および導電
層12を除去する。
【0033】したがって、図7に示すように、本発明に
従う改善されたフリップチップ方式のチップ実装結合体
を得られるものである。
従う改善されたフリップチップ方式のチップ実装結合体
を得られるものである。
【0034】図2に示すような多層印刷回路基板11の
代わりに、基板表面に導電性パターンがある場合、本発
明の工程を適用する他の実施例を以下に説明する。
代わりに、基板表面に導電性パターンがある場合、本発
明の工程を適用する他の実施例を以下に説明する。
【0035】これは、チップを取付けるところに導電性
パターンが形成された場合であり、貫通孔9上部の絶縁
基板11A上に導電性パターンが図3の配線網10のよ
うに形成されている。この場合、前記チップパッドPに
対応する位置にホールHを形成しているフィルムタイプ
の絶縁接着層8をチップ6と基板11との間に介在し
て、チップのパッドP、フィルムのホールHおよび基板
の貫通孔9をお互いに一致するように整列させてチップ
と基板とを取付ける。その後、チップを取付けた基板上
面の反対側の後面で、貫通孔9の一方を塞いでいるチッ
プの金属パッドPと絶縁基板11Aの導電性パターン、
すなわち貫通孔9の周りの配線網10と基板の後面を塗
布するよう、導電層12を形成してチップのパッドPの
基板の導電配線網を相互に連結させる。次いで、貫通孔
9を絶縁物質で埋込み、硬化した後基板後面の絶縁物質
および導電層12を研磨して除去すると本発明が完成さ
れる。
パターンが形成された場合であり、貫通孔9上部の絶縁
基板11A上に導電性パターンが図3の配線網10のよ
うに形成されている。この場合、前記チップパッドPに
対応する位置にホールHを形成しているフィルムタイプ
の絶縁接着層8をチップ6と基板11との間に介在し
て、チップのパッドP、フィルムのホールHおよび基板
の貫通孔9をお互いに一致するように整列させてチップ
と基板とを取付ける。その後、チップを取付けた基板上
面の反対側の後面で、貫通孔9の一方を塞いでいるチッ
プの金属パッドPと絶縁基板11Aの導電性パターン、
すなわち貫通孔9の周りの配線網10と基板の後面を塗
布するよう、導電層12を形成してチップのパッドPの
基板の導電配線網を相互に連結させる。次いで、貫通孔
9を絶縁物質で埋込み、硬化した後基板後面の絶縁物質
および導電層12を研磨して除去すると本発明が完成さ
れる。
【0036】
【発明の効果】前記のように、従来にはフリップチップ
方式の一般的な短所であるバンプを溶かすためチップ上
に加熱および圧力を加えなければならないという問題が
あった。しかしながら、本発明においては、このような
工程を用いないので、このための工程装備が不要とな
る。そのため、コストが節減し、信頼性が向上するなど
の利点が生じる。
方式の一般的な短所であるバンプを溶かすためチップ上
に加熱および圧力を加えなければならないという問題が
あった。しかしながら、本発明においては、このような
工程を用いないので、このための工程装備が不要とな
る。そのため、コストが節減し、信頼性が向上するなど
の利点が生じる。
【0037】さらに、簡単にチップを取付けられ導電層
の形成が容易に行なえるので、製作が容易であるという
長所を有する。また、薄型構造が可能であり、領域間の
連結方式でも有利である。
の形成が容易に行なえるので、製作が容易であるという
長所を有する。また、薄型構造が可能であり、領域間の
連結方式でも有利である。
【図1】従来のフリップチップ方式による半導体チップ
実装方式を説明する組立断面図である。
実装方式を説明する組立断面図である。
【図2】本発明に従う半導体チップ実装方式を説明する
組立工程図である。
組立工程図である。
【図3】本発明に従う半導体チップ実装方式を説明する
組立工程図である。
組立工程図である。
【図4】本発明に従う半導体チップ実装方式を説明する
組立工程図である。
組立工程図である。
【図5】本発明に従う半導体チップ実装方式を説明する
組立工程図である。
組立工程図である。
【図6】本発明に従う半導体チップ実装方式を説明する
組立工程図である。
組立工程図である。
【図7】本発明に従う半導体チップ実装方式を説明する
組立工程図である。
組立工程図である。
6 半導体チップ 7 ポリイミド層 8 接着層 9 貫通孔 10 配線網 11 多層印刷回路基板 11A 第1層の絶縁基板 12 導電層 H ホール P パッド なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (14)
- 【請求項1】 連結パッドが形成された半導体チップ
と、前記連結パッドと対応する位置に貫通孔がありこの
貫通孔に連結された導電配線網がある基板を相互連結す
る半導体チップ実装方法であって、 前記チップパッドと対応する位置に貫通ホールが形成さ
れているフィルムタイプの絶縁性接着層をチップと基板
との間に介在させた状態で、前記チップのパッド、フィ
ルムの貫通ホールおよび基板の貫通孔が相互に一致する
よう整列させてチップと基板とを取付ける段階と、 チップが取付けられた基板上面とは反対側の後面から貫
通孔の一方を塞いでいるチップの金属パッドと貫通孔の
内壁および基板の後面を連続的に塗布するよう導電層を
形成して、チップのパッドと基板内部の導電配線網とを
相互連結する段階と、 前記塗布導電層により形成された導電性凹部の内部を絶
縁物質で埋込む段階とを備える、半導体チップ実装方
法。 - 【請求項2】 前記埋込まれた絶縁物質を硬化させる段
階をさらに含むことを特徴とする、請求項1記載の半導
体チップ実装方法。 - 【請求項3】 前記絶縁物質と前記導電層とを前記基板
が露出されるまでポリシングして除去する段階をさらに
含むことを特徴とする、請求項1記載の半導体チップ実
装方法。 - 【請求項4】 前記貫通孔がある基板は、少なくとも2
層以上の絶縁基板と、その間に導電配線網がある多層印
刷回路基板であることを特徴とする、請求項1記載の半
導体チップ実装方法。 - 【請求項5】 前記貫通孔がある基板は、基板表面に前
記貫通孔が連結された導電配線網がある基板であること
を特徴とする、請求項1記載の半導体チップ実装方法。 - 【請求項6】 前記導電層は、スパッタリング、電気め
っきスクリーンおよび蒸着方法のうちから選択された1
つの方法により形成されることを特徴とする、請求項1
記載の半導体チップ実装方法。 - 【請求項7】 前記導電層は、AuあるいはNiのうち
から選択された材料からなることを特徴とする、請求項
6記載の半導体チップ実装方法。 - 【請求項8】 前記貫通孔を埋込んでいる絶縁物質は、
エポキシあるいはポリイミドのうちから選択された1つ
からなることを特徴とする、請求項1記載の半導体チッ
プ実装方法。 - 【請求項9】 一表面に連結パッドを有する半導体チッ
プと、 前記パッドと同じ位置に形成された貫通孔およびこの貫
通孔の周りに延長形成された導電性配線網とを含む基板
と、 前記チップのパッドと基板との間に挿入された前記チッ
プと基板とを相互に接着するための接着層とを備え、 この接着層は前記基板に形成された貫通孔と対応する貫
通ホールを含み、 前記基板の貫通内壁およびチップのパッド表面に形成さ
れ、前記基板面上の導電配線網に半導体チップのパッド
を連結するための導電層と、 前記導電層内に埋込まれた絶縁層とをさらに備える、半
導体チップが結合された基板構造体。 - 【請求項10】 前記貫通孔内の導電層は、Auあるい
はNiのうちから選択された1つからなることを特徴と
する、請求項9記載の半導体チップが結合された基板構
造体。 - 【請求項11】 前記貫通孔を埋込んでいる絶縁物質
は、エポキシあるいはポリイミドのうちから選択された
1つであることを特徴とする、請求項9記載の半導体チ
ップが結合された基板構造体。 - 【請求項12】 前記基板は、少なくとも2層以上の絶
縁基板と、その間に導電配線網とを有する多層印刷回路
基板で構成されることを特徴とする、請求項9記載の半
導体チップが結合された基板構造体。 - 【請求項13】 前記基板は、半導体チップが実装され
る基板表面に前記導電配線網を設けた基板であることを
特徴とする、請求項9記載の半導体チップが結合された
基板構造体。 - 【請求項14】 半導体チップと配線基板を絶縁性接着
板により固着し、前記チップ上の金属パッドと前記配線
基板の配線用導電膜を電気的に接続する方法であって、 前記チップと前記基板を固着したときに接続すべきパッ
ドの位置に対応する位置関係を有する複数の貫通孔を前
記基板に形成する第1工程と、 接着板を前記基板のチップ固着面に接合する第2工程
と、 前記接着板に前記基板の貫通孔と同じ位置に貫通ホール
を形成する第3工程との3つの工程を任意の順序で組合
わせたA工程と、 前記基板上に接合された前記接着板上に前記チップのパ
ッド形成面を対向させて接合する第4工程と、 以上の工程により形成される基板貫通孔内壁と接着板貫
通ホール内壁と貫通ホール部に露出するパッド面に連続
した導電膜を形成する第5工程と、 前記導電膜により形成される凹部に充填材を充填する第
6工程と、 基板貫通孔の外側に突出した前記充填材および不要導電
膜を除去する第7工程とを備える、半導体チップと配線
基板の接続方法。
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