JPH05166794A - スパッタ成膜時基板前処理法 - Google Patents
スパッタ成膜時基板前処理法Info
- Publication number
- JPH05166794A JPH05166794A JP32750291A JP32750291A JPH05166794A JP H05166794 A JPH05166794 A JP H05166794A JP 32750291 A JP32750291 A JP 32750291A JP 32750291 A JP32750291 A JP 32750291A JP H05166794 A JPH05166794 A JP H05166794A
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- JP
- Japan
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- substrate
- film
- fluoride solution
- sputtering
- tin fluoride
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- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミックス基板上に密着強度の高い電極膜
を形成する。 【構成】 スパッタ前のセラミックス基板１をフッ化ス
ズ溶液に浸漬することによりセラミックス基板１の構成
粒子の表面に均一にエッチング痕２を生じさせ、その上
にスパッタされるCr膜３がエッチング痕に浸入する。
を形成する。 【構成】 スパッタ前のセラミックス基板１をフッ化ス
ズ溶液に浸漬することによりセラミックス基板１の構成
粒子の表面に均一にエッチング痕２を生じさせ、その上
にスパッタされるCr膜３がエッチング痕に浸入する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば圧電素子上の電
極作成のための、スパッタ成膜による薄膜作製時のスパ
ッタ成膜時基板前処理法に関する。
極作成のための、スパッタ成膜による薄膜作製時のスパ
ッタ成膜時基板前処理法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、スパッタ法にて成膜を行なうセラ
ミックス基板の前工程としては、基板を真空槽内に挿入
した後、Ａｒ（アルゴン）ガスを真空槽内に導入して電
場により電離させ、その電離気体を基板表面に衝突させ
て、基板表面に付着した汚染物質をたたき出す逆スパッ
タ法などのドライプロセスにより、表面の汚染物質を除
去するのが一般的であった。スパッタ法とは、素子基板
を、電極材を構成する物質のターゲットを備えた真空槽
内に挿入し、Ａｒガスを導入したのち電場を印加して、
ガスの電離気体の粒子をターゲットに衝突させることに
より電極構成物質の粒子をたたき出し、対向して置かれ
た素子基板上に堆積させて電極薄膜を作成する方法であ
る。
ミックス基板の前工程としては、基板を真空槽内に挿入
した後、Ａｒ（アルゴン）ガスを真空槽内に導入して電
場により電離させ、その電離気体を基板表面に衝突させ
て、基板表面に付着した汚染物質をたたき出す逆スパッ
タ法などのドライプロセスにより、表面の汚染物質を除
去するのが一般的であった。スパッタ法とは、素子基板
を、電極材を構成する物質のターゲットを備えた真空槽
内に挿入し、Ａｒガスを導入したのち電場を印加して、
ガスの電離気体の粒子をターゲットに衝突させることに
より電極構成物質の粒子をたたき出し、対向して置かれ
た素子基板上に堆積させて電極薄膜を作成する方法であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来法
では被膜の残留応力による基板との密着強度の低下を防
ぐのに十分な効果は得られず、従来技術により作成した
電極膜の密着強度を引き剥し法で評価したときの値は３
０〜５０kg/cm2程度と非常に低い値であった。
では被膜の残留応力による基板との密着強度の低下を防
ぐのに十分な効果は得られず、従来技術により作成した
電極膜の密着強度を引き剥し法で評価したときの値は３
０〜５０kg/cm2程度と非常に低い値であった。
【０００４】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、密着強度の高いスパッタ膜を得
る前処理法を提供することを目的としている。
になされたものであり、密着強度の高いスパッタ膜を得
る前処理法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の前処理法は、フッ化スズ溶液によるエッチン
グ工程を有している。
に本発明の前処理法は、フッ化スズ溶液によるエッチン
グ工程を有している。
【０００６】
【作用】上記の構成を有する本発明の前処理法は、スパ
ッタ前の基板をフッ化スズ溶液に浸漬することにより基
板表面をエッチングし、基板表面に均一にエッチング痕
を生じさせる。
ッタ前の基板をフッ化スズ溶液に浸漬することにより基
板表面をエッチングし、基板表面に均一にエッチング痕
を生じさせる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【０００８】まず、図１を参照して本発明の前処理法を
用いて作製した電極膜の構成を説明すると、PbZrO3（ジ
ルコン酸鉛）-PbTiO3（チタン酸鉛）系のセラミックス
基板１はPbZrO3 及びPbTiO3の粒子よりなり、基板の表
面全体に均一にエッチング痕２が生じている。基板上に
堆積させられた Cr（クロム）膜３はそのエッチング痕
２にも浸入しており、Cr膜３の上にはさらに Ni（ニッ
ケル）膜４が堆積させられている。
用いて作製した電極膜の構成を説明すると、PbZrO3（ジ
ルコン酸鉛）-PbTiO3（チタン酸鉛）系のセラミックス
基板１はPbZrO3 及びPbTiO3の粒子よりなり、基板の表
面全体に均一にエッチング痕２が生じている。基板上に
堆積させられた Cr（クロム）膜３はそのエッチング痕
２にも浸入しており、Cr膜３の上にはさらに Ni（ニッ
ケル）膜４が堆積させられている。
【０００９】次に、図２〜図４を参照して本実施例の電
極膜の製造工程を説明する。
極膜の製造工程を説明する。
【００１０】最初にセラミックス基板１は図２（ａ）の
ように溶剤洗浄用ビーカ５中のアセトン６に浸され、超
音波洗浄器７により超音波洗浄を５分間施される。つい
で、図２（ｂ）のようにエアースプレー８のエアーブロ
ーにより強制乾燥された後、図２（ｃ）に示すように恒
温槽９によって６０℃に保たれたアルカリ脱脂液アルプ
レップ（奥野製薬社製）１０にて５分間脱脂が行われ
る。続いて、図２（ｄ）のように超音波洗浄器７により
純水１１中にて超音波洗浄を１０分間行なった後、図２
（ｅ）のように室温中に置かれたフッ化スズ溶液１２に
１５分間浸漬される。次に図２（ｆ）のように水洗槽１
３にて１分間洗浄され、前処理工程は終了する。前処理
が終了した時点で図３のようにセラミックス基板１の表
面にはエッチング痕２が生じている。その後セラミック
ス基板１は図４に示すように、スパッタ装置の真空槽１
４に搬入され、Crターゲット１５、Niターゲット１６の
順にスパッタされて、セラミックス基板１の上にCr膜
３、Ni膜４が堆積させられる。Cr膜３はエッチング痕２
に浸入しアンカー効果により密着強度が向上する。
ように溶剤洗浄用ビーカ５中のアセトン６に浸され、超
音波洗浄器７により超音波洗浄を５分間施される。つい
で、図２（ｂ）のようにエアースプレー８のエアーブロ
ーにより強制乾燥された後、図２（ｃ）に示すように恒
温槽９によって６０℃に保たれたアルカリ脱脂液アルプ
レップ（奥野製薬社製）１０にて５分間脱脂が行われ
る。続いて、図２（ｄ）のように超音波洗浄器７により
純水１１中にて超音波洗浄を１０分間行なった後、図２
（ｅ）のように室温中に置かれたフッ化スズ溶液１２に
１５分間浸漬される。次に図２（ｆ）のように水洗槽１
３にて１分間洗浄され、前処理工程は終了する。前処理
が終了した時点で図３のようにセラミックス基板１の表
面にはエッチング痕２が生じている。その後セラミック
ス基板１は図４に示すように、スパッタ装置の真空槽１
４に搬入され、Crターゲット１５、Niターゲット１６の
順にスパッタされて、セラミックス基板１の上にCr膜
３、Ni膜４が堆積させられる。Cr膜３はエッチング痕２
に浸入しアンカー効果により密着強度が向上する。
【００１１】得られた電極膜の密着強度を引き剥し法で
評価した結果を表１に示す。
評価した結果を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】このように、本実施例の前処理法により約
９９ｋｇ／ｃｍ2の高い密着強度が得られていることが
わかる。密着強度の高い膜は電極としての信頼性を高め
ることができるため、本実施例の前処理法により信頼性
に優れた電極膜を得ることができる。
９９ｋｇ／ｃｍ2の高い密着強度が得られていることが
わかる。密着強度の高い膜は電極としての信頼性を高め
ることができるため、本実施例の前処理法により信頼性
に優れた電極膜を得ることができる。
【００１４】本発明は、以上詳述した実施例に限定され
ることなく、その主旨を逸脱しない範囲において種々の
変更を加えることができる。例えば、本実施例ではセラ
ミックス基板をフッ化スズ溶液に浸すことにより処理を
行っているが、この行程をスプレーによるフッ化スズ溶
液の吹き付けとする、あるいは刷毛によりセラミックス
基板上にフッ化スズ溶液を塗布するとすることも可能で
ある。また、本実施例では、スパッタを行う薄膜を一層
目Cr膜、二層目Ni膜としたが、これをTi（チタン）,Cu
（銅）,Al（アルミニウム）,Au（金）,Ag（銀）及びそ
の合金とすることも可能であり、さらに電極用途ではな
く、装飾、耐蝕、耐摩耗用の金属膜、酸化物膜とするこ
とも可能である。
ることなく、その主旨を逸脱しない範囲において種々の
変更を加えることができる。例えば、本実施例ではセラ
ミックス基板をフッ化スズ溶液に浸すことにより処理を
行っているが、この行程をスプレーによるフッ化スズ溶
液の吹き付けとする、あるいは刷毛によりセラミックス
基板上にフッ化スズ溶液を塗布するとすることも可能で
ある。また、本実施例では、スパッタを行う薄膜を一層
目Cr膜、二層目Ni膜としたが、これをTi（チタン）,Cu
（銅）,Al（アルミニウム）,Au（金）,Ag（銀）及びそ
の合金とすることも可能であり、さらに電極用途ではな
く、装飾、耐蝕、耐摩耗用の金属膜、酸化物膜とするこ
とも可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したことから明かなように、フ
ッ化スズ溶液によりセラミックス基板表面をエッチング
することにより、セラミックス基板上に密着性の高いス
パッタ膜を得ることが出来る。
ッ化スズ溶液によりセラミックス基板表面をエッチング
することにより、セラミックス基板上に密着性の高いス
パッタ膜を得ることが出来る。
【図１】図１は本発明を適用した一実施例の電極の断面
図である。
図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｆ）は本実施例の電極基板の前
処理工程を順に示す説明図である。
処理工程を順に示す説明図である。
【図３】図３は本実施例の前処理後の基板の断面図であ
る。
る。
【図４】図４は本実施例の電極のスパッタ工程を示す説
明図である。
明図である。
１ セラミックス基板 ２ エッチング痕 ３ Cr膜 ４ Ni膜 ５ 溶剤洗浄用ビーカ ６ アセトン ７ 超音波洗浄器 ８ エアースプレー ９ 恒温槽 １０ アルカリ脱脂液アルプレップ １１ 純水 １２ フッ化スズ溶液 １３ 水洗槽 １４ 真空槽 １５ Crターゲット １６ Niターゲット
Claims (1)
- 【請求項１】 スパッタ法によるセラミックス基板上へ
の成膜の前処理として、フッ化スズ溶液により基板表面
をエッチングし基板表面に均一にエッチング痕を生じさ
せることを特徴とするスパッタ成膜時基板前処理法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32750291A JPH05166794A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | スパッタ成膜時基板前処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32750291A JPH05166794A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | スパッタ成膜時基板前処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166794A true JPH05166794A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18199862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32750291A Pending JPH05166794A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | スパッタ成膜時基板前処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166794A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6419804B1 (en) * | 2000-11-22 | 2002-07-16 | Hsu Cheng-Shen | Contamination-resistant thin film deposition method |
| JP2010285288A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Panasonic Corp | 結晶製造方法および結晶製造装置 |
| US8492186B2 (en) | 2006-12-22 | 2013-07-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride semiconductor layer, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp |
| CN113414178A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 陶瓷件清洗方法 |
-
1991
- 1991-12-11 JP JP32750291A patent/JPH05166794A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6419804B1 (en) * | 2000-11-22 | 2002-07-16 | Hsu Cheng-Shen | Contamination-resistant thin film deposition method |
| US8492186B2 (en) | 2006-12-22 | 2013-07-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride semiconductor layer, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp |
| JP2010285288A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Panasonic Corp | 結晶製造方法および結晶製造装置 |
| CN113414178A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 陶瓷件清洗方法 |
| WO2023274009A1 (zh) * | 2021-06-29 | 2023-01-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 陶瓷件清洗方法 |
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