JP3707548B2 - リードフレーム及びリードフレームの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレームに関し、特に、鉛を含まないめっきが施されたリードフレームに関する。
【0002】
【従来の技術】
リードフレームには、通常、ワイヤボンディング性や半導体チップの接合性を向上させるため、金、銀、ニッケル、パラジウムなどの金属めっきがアイランドやインナーリードなどに部分的に施されている。
【0003】
そして、半導体チップをアイランド上に搭載し、樹脂封止が施されたリードフレームには、さらに外装半田めっきが施される。
【0004】
ところで、近年、環境保護の立場から多くの化学物質の規制が強化されている。
【0005】
外装鉛半田めっきを施したリードフレームは、半田めっきを施す時に使用された鉛の処理問題や、鉛が回収されることなく廃棄された製品から環境への流出問題など、様々な課題を有している。
【0006】
また、IC組立工程での工程簡素化の流れで、外装半田めっきが必要ない、PPF( Pre Plated Lead-Frame )が注目されている。
【0007】
外装半田めっきを必要とせず、かつ鉛フリーの半導体装置用PPFとしてのリードフレームには、ワイヤボンディング性、半田濡れ性、耐食性、及び封止樹脂との密着性等の機能が同時に要求されている。
【0008】
また、商品として製造コスト及び環境影響をも考えなければならない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、現在実用化されているPPFでこのような諸条件を満足することは非常に困難である。
【0010】
例えば、Ni/Pdの2層またはNi/Pd/Auの3層めっきのPPFは、高周波特性が悪いなどの欠点があり、また、耐食性に難点があるためA42材には使用できない。
【0011】
また、Pdの価格変動が大きいため、コスト面でも不安定である。
【0012】
そして、スポットAgめっきとスポット鉛フリーの半田めっきの2色めっきのPPFは、ワイヤボンディング温度が制限されている。
【0013】
そこで本発明では、優れた特性を有しかつ鉛を含まないめっき皮膜が形成されたリードフレームを提供することを目的とする。
【0014】
本発明では、表面にAu−Agめっきが形成されたリードフレームにおいて、前記Au−Agめっきは、各めっき層毎にAgの割合が異なる少なくとも3層以上のAu−Agめっき層が積層された多層Au−Agめっき層からなり、前記多層Au−Agめっき層は、基材側から最表面にかけて各めっき層中のAgの割合が増加する傾斜組成構造を有する。
また、好ましくは、前記多層Au−Agめっき層は、各めっき層の厚みが0.001μm以上であって、当該各めっき層を多層化した合計の厚みが0.2μm以下である。
次に本発明におけるリードフレームの製造方法では、Agイオン濃度の低いAu−Ag合金めっき溶液から前記Agイオン濃度の高いAu−Ag合金めっき溶液にリードフレームを順次浸漬して一定の電流密度でAu−Agめっきを行い、各めっき層毎にAgの割合を異ならしめて、基材側から最表面にかけて各めっき層中のAgの割合が増加する傾斜組成構造を有する少なくとも3層以上のAu−Agめっき層からなる多層Au−Agめっき層を形成する。
また、本発明におけるリードフレームの製造方法では、Au−Ag合金めっき溶液にリードフレームを浸漬し、電流密度を順次増加させて複数回のAu−Agめっきを行い、各めっき層毎にAgの割合を異ならしめて、基材側から最表面にかけて各めっき層中のAgの割合が増加する傾斜組成構造を有する少なくとも3層以上のAu−Agめっき層からなる多層Au−Agめっき層を形成する。
【0015】
また、Au−Agめっきは、銅からなる基材表面に施されたニッケルめっき層上に形成されている。
【0016】
また、Au−Agめっきは、A42材からなる基材表面に施されたニッケルめっき層上に形成されている。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明に係るリードフレームの構成を示す断面図である。
【0018】
図1において、本発明に係るリードフレーム10には、基材である銅材1の表面に下地めっきであるニケッルめっき層2が形成され、さらにニッケルめっき層2の表面に複数のAu−Agめっき層3、4、5が積層された多層めっき層6を形成している。
【0019】
ここで、多層Au−Agめっき層6を形成する各Au−Agめっき層の組成は異なり、図2に示すように、下地めっきであるニッケルめっき側から外表面側にかけて各Au−Agめっき層中のAgの割合が徐々に高くなるように構成され、総合的には深さ方向の合金組成が傾斜構造となる。
【0020】
なお、下地めっき表面に形成されたAu−Agめっき層と外表面のAu−Agめっき層との組成の傾斜量は、90wt%Ag以下とし、また、各Au−Agめっき層の平均組成は、20〜70wt%Agとする。
【0021】
また、各めっき層の厚みは、完全な層を得るため0.001μm以上の厚みであることが好ましく、また、多層化したAu−Agめっき層の厚みは合計して0.2μm以下であることが好ましい。
【0022】
以下、図3を用いて、本発明に係るリードフレームの製造方法について説明する。
【0023】
まず、図3(a)に示すように、リードフレームの基材である銅材1の表面に下地めっきであるニッケルめっき層2を形成し、図3(b)に示すように、下地めっき層2の表面に第1のAu−Agめっき層3を形成する。
【0024】
そして、図3(c)に示すように、第1のAu−Agめっき層3よりもAgの割合が高い第2のAu−Agめっき層4を第1のAu−Agめっき層3の表面に形成し、さらに、図3(d)に示すように、第2のAu−Agめっき層4よりもAgの割合が高い第3のAu−Agめっき層5を第2のAu−Agめっき層4の表面に形成して、多層Au−Agめっき層6を形成する。
【0025】
ここで、基材や下地めっき表面にめっきを施す方法としては、めっき用整流器の電流波形や電圧波形の制御する方法や2セル以上の多セルで分段めっきする方法、またこれらの方法を同時に用いた方法や、他のドライプレーティング法(真空蒸着法など)など、既知のめっき方法を適宜用いることができる。
【0026】
また、リードフレームの基材は銅に限られるものではなく、A42材など、他の材料を用いることもできる。
【0027】
そして、多層Au−Agめっき層を構成するAu−Agめっき層は、3層に限られるものではなく、必要に応じてAgの割合が異なる少なくとも2層以上のAu−Ag合金めっき膜を用いて形成することができる。
【0028】
以下、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
【0029】
【実施例1】
本実施例では、多段セル(2段)めっき法を用い、次の工程に従って多層Au−Agめっき層を形成した。
【0030】
1)まず、AuイオンとAgイオンとの濃度比が異なる2種類のAu−Ag合金めっき溶液を2つのめっきセルに用意する。
2)次に、板厚0.125mmのリードフレーム用銅材を脱脂・酸洗した後、厚さが1μmのニッケルめっき層を下地めっきとして表面に形成する。
3)そして、まず、Ag濃度が低いAu−Ag合金めっき溶液から順番に下地めっきが施されたリードフレーム用銅材を浸漬させ、同じ電流密度でAu−Agめっき層を形成し、多層Au−Agめっき層を形成する。
【0031】
上記工程を用いることにより、平均組成25.4wt%Ag、組成の傾斜量28.9wt%、2層構造の多層Au−Agめっき層を持つリードフレームが得られた。
【0032】
【実施例2】
本実施例では、めっき用整流器の電流波形を制御し、次の工程に従って多層Au−Agめっき層を形成した。
【0033】
1)まず、一定濃度比のAuイオン及びAgイオンを含有し、低い電流密度でAuの割合が高いAu−Ag合金膜が形成されるAu−Agめっき溶液を用意する。
2)次に、板厚0.125mmリードフレーム用銅材を脱脂・酸洗した後、厚さが1μmのニッケルめっき層を下地めっきとして表面に形成する。
3)そして、下地めっきが施されたリードフレームを先ほど用意したAu−Agめっき溶液に浸漬し、図4に示すように、通電時間(ON)0.5秒間、休み時間(OFF)2秒間、最初の通電時の電流密度(Ip)が0.1A/dm2で、以後20%ずつ上昇する電流波形により多層Au−Agめっき層を形成する。
【0034】
上記工程を用いることにより、平均組成25.4wt%Ag、組成の傾斜量28.9wt%、13層構造の多層Au−Agめっき層を持つリードフレームが得られた。
【0035】
【実施例3】
本実施例では、多段セル(4段)分段めっき法を用い、次の工程に従って多層Au−Agめっき層を形成した。
【0036】
1)まず、AuイオンとAgイオンとの濃度比が異なる4種類のAu−Ag合金めっき溶液を4つのめっきセルに用意する。
2)次に、板厚0.125mmのリードフレーム用銅材を脱脂・酸洗した後、厚さが1μmのニッケルめっき層を下地めっきとして表面に形成する。
3)そして、Ag濃度が最も低いAu−Ag合金めっき溶液から順番にAg濃度が高いAu−Ag合金めっき溶液に下地めっきが施されたリードフレーム用銅材を浸漬させ、同じ電流密度を用いてAu−Agめっき層を形成する。
【0037】
上記工程を用いることにより、平均組成49.0wt%Ag、組成の傾斜量63.7wt%、4層構造の多層Au−Agめっき層を持つリードフレームが得られた。
【0038】
【実施例4】
本実施例では、多段セル(2段)分段めっき法を用い、次の工程に従って多層Au−Agめっき層を形成した。
【0039】
1)まず、AuイオンとAgイオンとの濃度比が異なる2種類のAu−Ag合金めっき溶液を2つのめっきセルに用意する。
2)次に、板厚0.125mmのリードフレーム用銅材を脱脂・酸洗した後、厚さが1μmのニッケルめっき層を下地めっきとして表面に形成する。
3)そして、Ag濃度が低いAu−Ag合金めっき溶液に下地めっきが施されたリードフレーム用銅材を浸漬させ、直流整流器を用いてAu−Agめっき層を形成する。
4)その後、Ag濃度が高いAu−Agめっき溶液に浸漬し、実施例2と同様に、図4に示すように、通電時間(ON)0.5秒間、休み時間(OFF)2秒間、最初の通電時の電流密度(Ip)が0.1A/dm2で、以後20%ずつ上昇する電流波形により多層Au−Agめっき層を形成する。
【0040】
上記工程を用いることにより、平均組成69.3wt%Ag、組成の傾斜量87.4wt%、14層構造の多層Au−Agめっき層を持つリードフレームが得られた。
【0041】
【実施例5】
本実施例では、多段セル(4段)分段めっき法を用い、次の工程に従って多層Au−Agめっき層を形成した。
【0042】
1)まず、AuイオンとAgイオンとの濃度比が異なる4種類のAu−Ag合金めっき溶液を4つのめっきセルに用意する。
2)次に、板厚0.125mmのリードフレーム用A42材を脱脂・酸洗した後、厚さが1μmのニッケルめっき層を下地めっきとして表面に形成する。
3)そして、実施例3と同様に、Ag濃度が最も低いAu−Ag合金めっき溶液から順番にAg濃度が高いAu−Ag合金めっき溶液に下地めっきが施されたリードフレーム用A42材を浸漬させ、同じ電流密度を用いてAu−Agめっき層を形成する。
【0043】
上記工程を用いることにより、A42材上に、実施例3と同様に、平均組成49.0wt%Ag、組成の傾斜量63.7wt%、4層構造の多層Au−Agめっき層を持つリードフレームが得られた。
【0044】
【比較例1】
本比較例では、直流電源を用いてAu−Agめっき層を形成した。
【0045】
1)まず、Au−Ag合金めっき溶液を1つのめっきセルに用意する。
2)次に、板厚0.125mmのリードフレーム用銅材を脱脂・酸洗した後、厚さが1μmのニッケルめっき層を下地めっきとして表面に形成する。
3)そして、Au−Ag合金めっき溶液に下地めっきが施されたリードフレーム用銅材を浸漬させ、Au−Agめっき層を形成する。
【0046】
上記工程を用いることにより、組成27.6wt%Agの単層のAu−Agめっき膜を持つリードフレームが得られた。
【0047】
【比較例2】
本比較例では、定電流パルス電源を用いてAu−Agめっき層を形成した。
【0048】
1)まず、Au−Ag合金めっき溶液を1つのめっきセルに用意する。
2)次に、板厚0.125mmのリードフレーム用銅材を脱脂・酸洗した後、厚さが1μmのニッケルめっき層を下地めっきとして表面に形成する。
3)そして、Au−Ag合金めっき溶液に下地めっきが施されたリードフレーム用銅材を浸漬させ、Au−Agめっき層を形成する。
【0049】
上記工程を用いることにより、組成25.1wt%Agの単層のAu−Ag合金膜を持つリードフレームが得られた。
【0050】
ここで、実施例1乃至5及び比較例1及び2で形成されたリードフレームに対して、次の方法で耐食性テスト及び半田濡れ性テストを行った。
【0051】
耐食性テスト:5%NaCl溶液を35℃の環境で24時間噴霧する塩水噴霧加速テストを行い、錆の発生を観察する。
半田濡れ性テスト:330℃で30分間加熱後、Sn−37Pbを230℃で5秒間接触させ、半田の濡れを観測した。
【0052】
耐食性テスト及び半田濡れ性テストの結果を表1に示す。
【0053】
【表1】
【0054】
ここで、濡れ率は、95%を超えると○で、耐食性は、錆が観察されない場合は、○で示している。
【0055】
表1に示すように、実施例1乃至5では、比較例1及び2に比べて薄い膜厚(0.1μm未満)で半田濡れ性及び耐食性に優れた特性を得ている。
【0056】
このように、本発明に係るリードフレームは、耐食性及び半田濡れ性に優れたリードフレームを薄く形成することが可能となる。
【0057】
また、外装半田めっきなど鉛を用いる必要がないため、環境にやさしく、廃液処理などのコストを押さえることができる。
【0058】
さらに、単層のAu−Agめっき層を形成する場合に比べて低コストで優れた特性を得ることができる。
【0059】
また、Au−Agめっきを用いるため、パラジウムめっきなどを用いた場合と比べて、高周波特性に優れたリードフレームを形成することができる。
【0060】
加えて、Ni/Pdの2層またはNi/Pd/Auの3層めっきでは、耐食性に難点があるため基材として持ちいることができなかったA42材を基材として用いることができる。
【0061】
【発明の効果】
本発明では、優れた特性を有するめっき皮膜が鉛を用いることなく薄く形成されたリードフレームを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るリードフレームの構成を示す断面図
【図2】本発明に係るリードフレームの製造方法を示す断面図
【図3】多層Au−Agめっき層のAg含有量の変化を示す概念図
【図4】実施例2における電流波形の制御を示す概略図
【符号の説明】
1…銅材
2…ニッケルめっき層
3…第1のAu−Agめっき層
4…第2のAu−Agめっき層
5…第3のAu−Agめっき層
6…多層Au−Agめっき層
10…リードフレーム
Claims (4)
- 表面にAu−Agめっきが形成されたリードフレームにおいて、
前記Au−Agめっきは、各めっき層毎にAgの割合が異なる少なくとも3層以上のAu−Agめっき層が積層された多層Au−Agめっき層からなり、
前記多層Au−Agめっき層は、基材側から最表面にかけて各めっき層中のAgの割合が増加する傾斜組成構造を有する
ことを特徴とするリードフレーム。 - 前記多層Au−Agめっき層は、各めっき層の厚みが0.001μm以上であって、当該各めっき層を多層化した合計の厚みが0.2μm以下である
ことを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。 - Agイオン濃度の低いAu−Ag合金めっき溶液から前記Agイオン濃度の高いAu−Ag合金めっき溶液にリードフレームを順次浸漬して一定の電流密度でAu−Agめっきを行い、各めっき層毎にAgの割合を異ならしめて、基材側から最表面にかけて各めっき層中のAgの割合が増加する傾斜組成構造を有する少なくとも3層以上のAu−Agめっき層からなる多層Au−Agめっき層を形成する
ことを特徴とするリードフレームの製造方法。 - Au−Ag合金めっき溶液にリードフレームを浸漬し、
電流密度を順次増加させて複数回のAu−Agめっきを行い、各めっき層毎にAgの割合を異ならしめて、基材側から最表面にかけて各めっき層中のAgの割合が増加する傾斜組成構造を有する少なくとも3層以上のAu−Agめっき層からなる多層Au−Agめっき層を形成する
ことを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002066992A JP3707548B2 (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002066992A JP3707548B2 (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003273305A JP2003273305A (ja) | 2003-09-26 |
JP3707548B2 true JP3707548B2 (ja) | 2005-10-19 |
Family
ID=29198538
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002066992A Expired - Fee Related JP3707548B2 (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
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JP (1) | JP3707548B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP2004179327A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Sharp Corp | 半導体用合金材料、該合金材料を用いた半導体チップ及びその製造方法 |
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---|---|
JP2003273305A (ja) | 2003-09-26 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040514 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050126 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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