JPS63293895A - メッキ方法 - Google Patents
メッキ方法Info
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- JPS63293895A JPS63293895A JP12816787A JP12816787A JPS63293895A JP S63293895 A JPS63293895 A JP S63293895A JP 12816787 A JP12816787 A JP 12816787A JP 12816787 A JP12816787 A JP 12816787A JP S63293895 A JPS63293895 A JP S63293895A
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Links
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属の焼結体を電極とする厚膜基板に施すメッ
キプロセスに係り、特に、電極部以外に生ずるメッキの
異常析出を防ぐことに好適なメッキ方法に関する。
キプロセスに係り、特に、電極部以外に生ずるメッキの
異常析出を防ぐことに好適なメッキ方法に関する。
金属の焼結体を導体とするセラミック基板は。
焼結の際に、その金属の微粉がセラミック表面に付着す
ることがある。この基板にメッキする場合この付着粉を
核として異常析出が発生する。この防止法として、従来
特開昭６１−８２４９５号公報に記載のように、導体金
属そのものをエツチングするものが報告されている。
ることがある。この基板にメッキする場合この付着粉を
核として異常析出が発生する。この防止法として、従来
特開昭６１−８２４９５号公報に記載のように、導体金
属そのものをエツチングするものが報告されている。
上記従来技術はタングステン焼結体を直接エツチングす
るため、導体が劣化する可能性があり、エツチング液の
温度、ｐｇ、濃度、さらにエツチング時間についても正
確にコントロールする必要がある。
るため、導体が劣化する可能性があり、エツチング液の
温度、ｐｇ、濃度、さらにエツチング時間についても正
確にコントロールする必要がある。
本発明の目的は、簡単な方法でしかも基板及び導体に損
傷を与えることなく、エツチングにより基板洗浄を行な
うプロセスを提供することにある。
傷を与えることなく、エツチングにより基板洗浄を行な
うプロセスを提供することにある。
上記目的は、エツチングしたい部分を置換メッキにより
一度別の金属に置き換え１次に置換金属のみを選択エツ
チングすることにより、達成される。
一度別の金属に置き換え１次に置換金属のみを選択エツ
チングすることにより、達成される。
置換メッキは金属の表面のみを別の金属に置き換え、そ
の厚みは通常０．０５〜０．５μｍ程度である。一方、
金属焼結導体を有するセラミック基板の導体膜厚は５〜
２０μ属が一般的である。これに対し、基板焼結時の付
着金属粉の粒径は０．１μｍ以下であることが多く、目
視では確認されない程度である。
の厚みは通常０．０５〜０．５μｍ程度である。一方、
金属焼結導体を有するセラミック基板の導体膜厚は５〜
２０μ属が一般的である。これに対し、基板焼結時の付
着金属粉の粒径は０．１μｍ以下であることが多く、目
視では確認されない程度である。
この基板に置換メッキを行なう場合、導体は表面のみ他
の金属に置換されるのに対し、付着金属粉は全て置換さ
れる。この状態で、この付着金属とは反応しないエツチ
ング液を用いて選択エツチングを行なうと、導体は表面
が０，１μｍ程エクテングされ、また付着物は完全に溶
解する。エツチング不足防止のため、エツチング時間を
多少長くしても、導体はそれ以上侵されることはない。
の金属に置換されるのに対し、付着金属粉は全て置換さ
れる。この状態で、この付着金属とは反応しないエツチ
ング液を用いて選択エツチングを行なうと、導体は表面
が０，１μｍ程エクテングされ、また付着物は完全に溶
解する。エツチング不足防止のため、エツチング時間を
多少長くしても、導体はそれ以上侵されることはない。
以下２本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
本発明ではタングステン焼結体を導体とするアルミナ基
板を用い、その上に無電解リンニッケルメッキを行なう
。活性化液としては水酸化ナトリウムを含むアルカリ系
のパラジウム活性化液を使用した。また、この活性化液
はタングステン上に金属パラジウムを置換析出させる作
用があるため今回は付着タングステンの置換用メッキ液
としても用いた。第１図は本発明による付着タングステ
ン粉除去プロセスの主要部分を示したものである。
板を用い、その上に無電解リンニッケルメッキを行なう
。活性化液としては水酸化ナトリウムを含むアルカリ系
のパラジウム活性化液を使用した。また、この活性化液
はタングステン上に金属パラジウムを置換析出させる作
用があるため今回は付着タングステンの置換用メッキ液
としても用いた。第１図は本発明による付着タングステ
ン粉除去プロセスの主要部分を示したものである。
まずメッキプロセス同様の脱脂と脱錆を行なった後、活
性化液に浸漬する。しかし、ここではこの工程は活性化
としてではなく、付着タングステン粉のパラジウム置換
を目的として行なう。そのため通常の活性化の２〜３倍
の時間をかけ、タングステン付着粉を完全にパラジウム
に換する。このとき、置換反応はある時間で飽和するた
め１時間の上限はあまり気にしなくてよい。次に水洗後
。
性化液に浸漬する。しかし、ここではこの工程は活性化
としてではなく、付着タングステン粉のパラジウム置換
を目的として行なう。そのため通常の活性化の２〜３倍
の時間をかけ、タングステン付着粉を完全にパラジウム
に換する。このとき、置換反応はある時間で飽和するた
め１時間の上限はあまり気にしなくてよい。次に水洗後
。
濃硝酸に浸漬してパラジウムが完全になくなるまでエツ
チングする。この後は、残留イオンの除去も兼ねて脱錆
工程から始めて活性化とメッキを行なう。
チングする。この後は、残留イオンの除去も兼ねて脱錆
工程から始めて活性化とメッキを行なう。
この方法を用いることにより、エツチング液がタングス
テン焼結導体を直接侵すことがないため第２図に示した
従来の方法に比べ、エツチング後の導体表面も滑らかで
ある。なお１本実施例では置換メツ牛液としてアルカリ
系パラジウム活性化液を使用するため、置換メッキ液を
新たに用意することなく１作業が簡単になる効果がある
。
テン焼結導体を直接侵すことがないため第２図に示した
従来の方法に比べ、エツチング後の導体表面も滑らかで
ある。なお１本実施例では置換メツ牛液としてアルカリ
系パラジウム活性化液を使用するため、置換メッキ液を
新たに用意することなく１作業が簡単になる効果がある
。
本発明によれば、タングステン等の金属付着粉体を、置
換とエツチングの２段階により間接的に取り除くことが
できるので、液の状態に左右されることなく安定した厚
みの金属膜を除去することができ、液をコントロールす
るための設備等も必要としない。またこの方法は、一度
メツキをしたものについても、メッキのみをエツチング
して剥すことにより有効な手段となるため、従来メッキ
異常析出不良となった基板の５０−以上が再生できる。
換とエツチングの２段階により間接的に取り除くことが
できるので、液の状態に左右されることなく安定した厚
みの金属膜を除去することができ、液をコントロールす
るための設備等も必要としない。またこの方法は、一度
メツキをしたものについても、メッキのみをエツチング
して剥すことにより有効な手段となるため、従来メッキ
異常析出不良となった基板の５０−以上が再生できる。
第１図（、）〜（１）は本発明プロセスを適用した基板
の工程別断面図、第２図（α） 、 （ｂ）は従来プロ
セスによる工程別断面図である。 １・・・・・・・・・・・・セラミック基板２・・・・
・・・・・・・・タングステンパターン２′・・・・・
・・・−・・パラジウム置換バター／３・・・・・・・
・・・・・タングステン付着粉体３′・・・・・・・・
・・・・パラジウム置換粉体戸−）
の工程別断面図、第２図（α） 、 （ｂ）は従来プロ
セスによる工程別断面図である。 １・・・・・・・・・・・・セラミック基板２・・・・
・・・・・・・・タングステンパターン２′・・・・・
・・・−・・パラジウム置換バター／３・・・・・・・
・・・・・タングステン付着粉体３′・・・・・・・・
・・・・パラジウム置換粉体戸−）
Claims (1)
- １、金属の焼結体とその上に施したメッキにより電極パ
ターンを形成する厚膜回路基板において電極形成メッキ
の前に、置換メッキを行ない、さらにその置換金属のみ
をエッチングすることにより、基板上の不要な微粒付着
粉体を除去し異常析出を防止することを特徴とするメッ
キ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12816787A JPS63293895A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12816787A JPS63293895A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | メッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63293895A true JPS63293895A (ja) | 1988-11-30 |
Family
ID=14978052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12816787A Pending JPS63293895A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63293895A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105251487A (zh) * | 2015-11-06 | 2016-01-20 | 上海电力学院 | 一种燃料电池用W@Pt/C核壳结构催化剂的制备方法 |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP12816787A patent/JPS63293895A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105251487A (zh) * | 2015-11-06 | 2016-01-20 | 上海电力学院 | 一种燃料电池用W@Pt/C核壳结构催化剂的制备方法 |
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