JPH01104779A - セラミクスの無電解メッキ前処理方法 - Google Patents
セラミクスの無電解メッキ前処理方法Info
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- JPH01104779A JPH01104779A JP26299387A JP26299387A JPH01104779A JP H01104779 A JPH01104779 A JP H01104779A JP 26299387 A JP26299387 A JP 26299387A JP 26299387 A JP26299387 A JP 26299387A JP H01104779 A JPH01104779 A JP H01104779A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ産業上の利用分野
この発明はセラミクスの無電解メッキの前処理方法に関
する。
する。
（ｂｌ従来の技術
たとえば誘電体セラミクスを用いたセラミックコンデン
サ等、−ｇにセラミクスを用いた電子部品においては、
セラミクス表面を金属化（メタライズ）することが必要
であるが、その方法として無電解メッキにより金属膜を
形成する場合、電気的特性を損なわすにセラミクス表面
に対する金属膜の密着強度をいかに高めるかが重要なポ
イントである。
サ等、−ｇにセラミクスを用いた電子部品においては、
セラミクス表面を金属化（メタライズ）することが必要
であるが、その方法として無電解メッキにより金属膜を
形成する場合、電気的特性を損なわすにセラミクス表面
に対する金属膜の密着強度をいかに高めるかが重要なポ
イントである。
従来はセラミクスの表面に無電解メッキを施す前に、金
属膜を形成する箇所を化学エツチングすることによって
セラミクス表面を粗面化している。その際エツチング液
はエツチング能力に優れたフン酸系溶液を用い、金属膜
の密着強度が最大となるように、酸濃度と加熱条件を設
定している。
属膜を形成する箇所を化学エツチングすることによって
セラミクス表面を粗面化している。その際エツチング液
はエツチング能力に優れたフン酸系溶液を用い、金属膜
の密着強度が最大となるように、酸濃度と加熱条件を設
定している。
（Ｃ１発明が解決しようとする問題点
ところが、フン酸系エツチング液によってセラミクス表
面をエツチングした場合、Ｃａ Ｆ ｒ Ｂ ａＦな
どのフッ化物や、ＴｉＦ、の加水分解生成物Ｔ ｉ
（ＯＨ） ｓなどがセラミクス表面に付着する。これら
の沈澱物は何れも水に対して難溶性であり、セラミクス
上に残渣として残る。これらの残渣がセラミクス表面と
無電解メッキによる金属膜との密着強度を低下させるた
め、無電解メッキ膜の膜強度を十分に高めることができ
なかった。
面をエツチングした場合、Ｃａ Ｆ ｒ Ｂ ａＦな
どのフッ化物や、ＴｉＦ、の加水分解生成物Ｔ ｉ
（ＯＨ） ｓなどがセラミクス表面に付着する。これら
の沈澱物は何れも水に対して難溶性であり、セラミクス
上に残渣として残る。これらの残渣がセラミクス表面と
無電解メッキによる金属膜との密着強度を低下させるた
め、無電解メッキ膜の膜強度を十分に高めることができ
なかった。
この発明の目的は、セラミクスをフッ酸系エツチング液
でエツチングすることにより粗面化する際、セラミクス
表面に上記フッ化物などの残渣が生じないようにして、
無電解メッキによる金属膜の密着強度を高めることを可
能としたセラミクスの無電解メッキ前処理方法を提供す
ることにあるｆｄ１問題点を解決するための手段 この発明のセラミクスの無電解メッキ前処理方法は、セ
ラミクスをフッ酸系エツチング液でエツチングする方法
において、セラミクスのエツチング中またはエツチング
終了後、セラミクスの浸漬液に超音波振動を印加するこ
とを特徴としているｔｅ１作用 この発明のセラミクスの無電解メッキ前処理方法は、無
電解メッキを施すべきセラミクスをフッ酸系エツチング
液でエンチングすることによってその表面を粗面化する
ものであり、セラミクスのエツチング中、またはエツチ
ング終了後、セラミクスの浸漬液に超音波振動が印加さ
れる。セラミクスのエツチング中にエツチング液に超音
波振動が印加されると、セラミクスはエツチング液によ
ってその表面がエツチングされ、上記フン化物などの沈
澱物が生成されるが、エツチング液に印加された超音波
振動の作用によって上記沈澱物がセラミクス表面から剥
離されつつエツチングが進行する。また、エツチング終
了後、洗浄液などの液中にセラミクスを浸漬して、その
液中に超音波振動が印加されたなら、セラミクス表面に
付着している沈澱物が剥離されてセラミクスの粗面が露
出される。したがって、その後無電解メッキ工程によっ
てセラミクス表面に金属膜がメッキされる際、粗面化さ
れたセラミクス表面に金属膜が析出される。これにより
密着強度の高い金属膜が得られる。
でエツチングすることにより粗面化する際、セラミクス
表面に上記フッ化物などの残渣が生じないようにして、
無電解メッキによる金属膜の密着強度を高めることを可
能としたセラミクスの無電解メッキ前処理方法を提供す
ることにあるｆｄ１問題点を解決するための手段 この発明のセラミクスの無電解メッキ前処理方法は、セ
ラミクスをフッ酸系エツチング液でエツチングする方法
において、セラミクスのエツチング中またはエツチング
終了後、セラミクスの浸漬液に超音波振動を印加するこ
とを特徴としているｔｅ１作用 この発明のセラミクスの無電解メッキ前処理方法は、無
電解メッキを施すべきセラミクスをフッ酸系エツチング
液でエンチングすることによってその表面を粗面化する
ものであり、セラミクスのエツチング中、またはエツチ
ング終了後、セラミクスの浸漬液に超音波振動が印加さ
れる。セラミクスのエツチング中にエツチング液に超音
波振動が印加されると、セラミクスはエツチング液によ
ってその表面がエツチングされ、上記フン化物などの沈
澱物が生成されるが、エツチング液に印加された超音波
振動の作用によって上記沈澱物がセラミクス表面から剥
離されつつエツチングが進行する。また、エツチング終
了後、洗浄液などの液中にセラミクスを浸漬して、その
液中に超音波振動が印加されたなら、セラミクス表面に
付着している沈澱物が剥離されてセラミクスの粗面が露
出される。したがって、その後無電解メッキ工程によっ
てセラミクス表面に金属膜がメッキされる際、粗面化さ
れたセラミクス表面に金属膜が析出される。これにより
密着強度の高い金属膜が得られる。
＜ｒ）実施例
セラミクスに無電解メッキを施す場合の処理工程を図に
示す。まずセラミクスを水洗し、界面活性剤などによっ
て脱脂する。その後、フン化水素酸（フッ酸）やフルオ
ロホウ酸（硼フン酸 ）などのフッ酸系エツチング液に
よってセラミクス表面をエツチングする。エツチング終
了後セラミクスを洗浄するが、その際、洗浄液中に超音
波振動を印加し、セラミクス表面に付着している沈澱物
を剥離させる。その後、Ｓｎの溶液（塩化第１スズ）や
Ｐｄの溶液（塩化パラジウム）などにセラミクスを浸漬
し、セラミクス表面を感受性化したのちセラミクス表面
を活性化する。その後、無電解メッキ液にセラミクスを
浸漬してＣｕやＮｆなどの所定の金属膜を析出させる。
示す。まずセラミクスを水洗し、界面活性剤などによっ
て脱脂する。その後、フン化水素酸（フッ酸）やフルオ
ロホウ酸（硼フン酸 ）などのフッ酸系エツチング液に
よってセラミクス表面をエツチングする。エツチング終
了後セラミクスを洗浄するが、その際、洗浄液中に超音
波振動を印加し、セラミクス表面に付着している沈澱物
を剥離させる。その後、Ｓｎの溶液（塩化第１スズ）や
Ｐｄの溶液（塩化パラジウム）などにセラミクスを浸漬
し、セラミクス表面を感受性化したのちセラミクス表面
を活性化する。その後、無電解メッキ液にセラミクスを
浸漬してＣｕやＮｆなどの所定の金属膜を析出させる。
〈第１の実施例〉
セラミクス組成
Ｎ ｄ ｚ Ｔ １ ｚ Ｏ？ −Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏ
３−Ｔｉｅ、 −ＰｂＯ系 エツチング液 ＨＦ −ＨＣ４系エツチング条件
６０℃、９分 以上の条件でエツチング処理を行い、比較のためエツチ
ング終了後超音波振動を印加しなかったサンプル１０個
と、エツチング終了後洗浄液中に浸漬し、超音波振動を
印加したサンプル１０個をそれぞれ作成し、各サンプル
にＣｕの無電解メッキ膜を形成し、その膜強度を測定し
た。なお、作成した何れのサンプルにもメッキ膜下に気
泡が生じない条件で無電解メッキを行った。
３−Ｔｉｅ、 −ＰｂＯ系 エツチング液 ＨＦ −ＨＣ４系エツチング条件
６０℃、９分 以上の条件でエツチング処理を行い、比較のためエツチ
ング終了後超音波振動を印加しなかったサンプル１０個
と、エツチング終了後洗浄液中に浸漬し、超音波振動を
印加したサンプル１０個をそれぞれ作成し、各サンプル
にＣｕの無電解メッキ膜を形成し、その膜強度を測定し
た。なお、作成した何れのサンプルにもメッキ膜下に気
泡が生じない条件で無電解メッキを行った。
具体的には先ずセラミクス表面の全面にＣｕの無電解メ
ッキ膜を形成し、そのメッキ膜のうち４ｍ ｍ ”の領
域のみ残し他の領域を研磨により除去することによって
単位面積（４ｍｒｎ”）の電極を形成し、この電極にリ
ード線を垂直に半田付けする。その後、リード線に引っ
張り荷重を加えて電極が剥がれる荷重を測定した。
ッキ膜を形成し、そのメッキ膜のうち４ｍ ｍ ”の領
域のみ残し他の領域を研磨により除去することによって
単位面積（４ｍｒｎ”）の電極を形成し、この電極にリ
ード線を垂直に半田付けする。その後、リード線に引っ
張り荷重を加えて電極が剥がれる荷重を測定した。
その結果、超音波振動を印加しなかった場合は、１〜２
ｋ ｇ ／ ４ ｍｍ”の膜強度であるのに対し、洗
浄時に超音波振動を印加した場合は、７〜８ｋ ｇ ／
４ ｍｍ”の膜強度が得られた。
ｋ ｇ ／ ４ ｍｍ”の膜強度であるのに対し、洗
浄時に超音波振動を印加した場合は、７〜８ｋ ｇ ／
４ ｍｍ”の膜強度が得られた。
く第２の実施例〉
セラミクス組成
ＣａＴｉＯｓ Ｌａｇ ０！ −ＴｉＯｚ−Ｂｉ、Ｏ
２系 エツチング液 硼フッ酸系 その他の条件は第１の実施例と同様 以上の条件により前処理を行ったところ、エツチング終
了後に超音波振動を印加しなかった場合は、膜強度が０
．５〜１ｋｇ／４ｍｍ２であるのに対し、エツチング終
了後超音波振動を印加した場合は、膜強度は６〜７ｋｇ
／４ｍｍ”であった以上のようにエツチング終了後洗浄
時に超音波振動を印加したことによりセラミクス表面に
付着しているフッ化物などの沈澱物が除去されることに
より、無電解メッキによる金属膜とセラミクス表面との
密着強度が向上し、膜強度が増大する。
２系 エツチング液 硼フッ酸系 その他の条件は第１の実施例と同様 以上の条件により前処理を行ったところ、エツチング終
了後に超音波振動を印加しなかった場合は、膜強度が０
．５〜１ｋｇ／４ｍｍ２であるのに対し、エツチング終
了後超音波振動を印加した場合は、膜強度は６〜７ｋｇ
／４ｍｍ”であった以上のようにエツチング終了後洗浄
時に超音波振動を印加したことによりセラミクス表面に
付着しているフッ化物などの沈澱物が除去されることに
より、無電解メッキによる金属膜とセラミクス表面との
密着強度が向上し、膜強度が増大する。
なお、実施例ではエツチングを終了した後の洗浄時にお
いて超音波振動を印加した例であったが、エツチング中
にエツチング液に超音波振動を印加した場合も同様の効
果が認められる。
いて超音波振動を印加した例であったが、エツチング中
にエツチング液に超音波振動を印加した場合も同様の効
果が認められる。
（ａ発明の効果
以上のようにこの発明によれば、フッ酸系エツチング液
によってエツチングを行うため、難エツチング性のセラ
ミクスであっても、その表面を効率良く粗面化すること
ができ、しかもフッ酸系エツチング液との反応により生
成されるフン化物などの難溶性物質が超音波振動により
除去されるため、粗面化されたセラミクス表面が露出す
る。このため、続いて無電解メッキ処理を行うことによ
り、密着強度の高い金属膜を形成することが可能となる
。
によってエツチングを行うため、難エツチング性のセラ
ミクスであっても、その表面を効率良く粗面化すること
ができ、しかもフッ酸系エツチング液との反応により生
成されるフン化物などの難溶性物質が超音波振動により
除去されるため、粗面化されたセラミクス表面が露出す
る。このため、続いて無電解メッキ処理を行うことによ
り、密着強度の高い金属膜を形成することが可能となる
。
図はこの発明の実施例におけるセラミクスの無電解メッ
キ処理工程を表す図である。
キ処理工程を表す図である。
Claims (1)
- （１）セラミクスをフッ酸系エッチング液でエッチング
する方法において、セラミクスのエッチング中またはエ
ッチング終了後、セラミクスの浸漬液に超音波振動を印
加することを特徴とするセラミクスの無電解メッキ前処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26299387A JPH01104779A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | セラミクスの無電解メッキ前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26299387A JPH01104779A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | セラミクスの無電解メッキ前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01104779A true JPH01104779A (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=17383408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26299387A Pending JPH01104779A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | セラミクスの無電解メッキ前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01104779A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453913B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-10-20 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 납계 세라믹스의 무전해 니켈 도금 방법 |
| US20060228493A1 (en) * | 2005-04-08 | 2006-10-12 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Method of plating on a glass base plate and a method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26299387A patent/JPH01104779A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453913B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-10-20 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 납계 세라믹스의 무전해 니켈 도금 방법 |
| US20060228493A1 (en) * | 2005-04-08 | 2006-10-12 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Method of plating on a glass base plate and a method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium |
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