JPH0494965A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH0494965A JPH0494965A JP2211593A JP21159390A JPH0494965A JP H0494965 A JPH0494965 A JP H0494965A JP 2211593 A JP2211593 A JP 2211593A JP 21159390 A JP21159390 A JP 21159390A JP H0494965 A JPH0494965 A JP H0494965A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は情報記録媒体、特に相変化型情報記録媒体であ
って、光ビームを照射することにより記録層材料に相変
化を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ書換えが
可能である情報記録媒体に関するものであり、先メモリ
ー関連機器に応用される。
って、光ビームを照射することにより記録層材料に相変
化を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ書換えが
可能である情報記録媒体に関するものであり、先メモリ
ー関連機器に応用される。
［従来の技術］
電磁波、特にレーザービームの照射による情報の記録、
再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶
−非晶質層間あるいは結晶−結晶相聞の転移を利用する
、いわゆる相変化型記録媒体がよく知られている。特に
光磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオーバーラ
イドが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純であ
ることなどから最近その研究開発か活発になっている。
再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶
−非晶質層間あるいは結晶−結晶相聞の転移を利用する
、いわゆる相変化型記録媒体がよく知られている。特に
光磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオーバーラ
イドが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純であ
ることなどから最近その研究開発か活発になっている。
その代表的な材料例として、ＵＳＰ ３，５３０，４４
１に開示されているようにＧｅ −Ｔｅ。
１に開示されているようにＧｅ −Ｔｅ。
Ｇｅ−Ｔｅ−８ｂ、 Ｇｅ−Ｔｅ−３、Ｇｅ−８ｅ−８
、Ｇｅ−８ｅ−８ｂ、Ｇｅ−＾５−８ｅ、 Ｉｎ−Ｔ
ｅ５Ｓｅ−ＴｅＳＳｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン
系合金材料かあげられる。又、安定性、高速結晶化など
の向上を目的にＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６ｌ−２１
９６９２） 、Ｓ ｎ及びＡｕ（特開昭６ｌ−２７０１
９０） 、Ｐ ｄ （特開昭６２−１９４９０）等を添
加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性能向上を目
的にＧｅ −Ｔｅ −Ｓｅ −Ｓｂの組成比を特定した
材料（特開昭８２−７３４３８＞の提案などもなされて
いる。
、Ｇｅ−８ｅ−８ｂ、Ｇｅ−＾５−８ｅ、 Ｉｎ−Ｔ
ｅ５Ｓｅ−ＴｅＳＳｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン
系合金材料かあげられる。又、安定性、高速結晶化など
の向上を目的にＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６ｌ−２１
９６９２） 、Ｓ ｎ及びＡｕ（特開昭６ｌ−２７０１
９０） 、Ｐ ｄ （特開昭６２−１９４９０）等を添
加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性能向上を目
的にＧｅ −Ｔｅ −Ｓｅ −Ｓｂの組成比を特定した
材料（特開昭８２−７３４３８＞の提案などもなされて
いる。
［発明か解決しようとする課題］
本発明は、従来技術における上記問題を全て解消し高速
消去、記録感度の向上、消去率、記録の安定性等の材料
特性を全て満足する新規な相転移性多元合金を用いたオ
ーバーライド可能な相変化型光情報記録媒体を提供しよ
うとするものである。
消去、記録感度の向上、消去率、記録の安定性等の材料
特性を全て満足する新規な相転移性多元合金を用いたオ
ーバーライド可能な相変化型光情報記録媒体を提供しよ
うとするものである。
［課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するための本発明の構成は特許請求の範
囲の記載された通りの相変化型光情報記録媒体である。
囲の記載された通りの相変化型光情報記録媒体である。
これを要約すれば一般式として
（ＸＹＺ２ ）＋−ｘ Ｍｘて示される多元系合金を基
板上に有する光情報記録媒体である。
板上に有する光情報記録媒体である。
但し、
Ｘ：周期表１ｂ族元素から選ばれた元素Ｙ二周期表ｖｂ
族元素から選ばれた元素Ｚ：周期表■ｂ族元素から選ば
れた元素Ｍ：周期表ｖｂ族のうちｓｂもしくはＢ１、ま
たはｍｂ族元素のうちＩｎ５Ａｌ、Ｇａのうちの一種、 である。
族元素から選ばれた元素Ｚ：周期表■ｂ族元素から選ば
れた元素Ｍ：周期表ｖｂ族のうちｓｂもしくはＢ１、ま
たはｍｂ族元素のうちＩｎ５Ａｌ、Ｇａのうちの一種、 である。
上記元素を具体的に説明すると、ＸはＣｕやＡｇ５Ｙは
ｓｂやＢｉ、ＺはＳｅやＴｅ等を挙げることかできる。
ｓｂやＢｉ、ＺはＳｅやＴｅ等を挙げることかできる。
本発明における記録層を構成する上記化合物は
（１）その結晶系かＮａＣｌ型立方品、あるいはＢｉ２
Ｔｅ、型に近い六方晶等、比較的対称性か高い結晶であ
る。したがって、高速結晶化が期待できる。
Ｔｅ、型に近い六方晶等、比較的対称性か高い結晶であ
る。したがって、高速結晶化が期待できる。
（２）融点は、上記Ｍ成分かＳｂ、Ｂｉの化合物では５
２０〜７００℃、Ｉｎ５Ａｌ、Ｇａの化合物の場合は５
００〜６００℃である。その結果、記録感度の向上が期
待できる。
２０〜７００℃、Ｉｎ５Ａｌ、Ｇａの化合物の場合は５
００〜６００℃である。その結果、記録感度の向上が期
待できる。
（３）バンドギャップも（ＧａＡ１）Ａｓ系半導体レー
ザー光を効率良く吸収するものが多い。
ザー光を効率良く吸収するものが多い。
そのため記録および消去感度の向上が期待てきる。
本記録層の特性向上の機構は現在解析中であるが、記録
感度の向上はＸＹ２２化合物、例えばＡｇ５ｂＴｅ２と
Ｍ元素例えばｓｂが合金を形成することにより、合金の
融点か低下することか１つとして考えられる。又１．高
速消去に関しては、Ｍ元素例えばｓｂが結晶核となり結
晶化を促進することが考えられる。又、消去率の向上は
、同じくＭ元素例えばｓｂ添加による結晶核の広範囲で
の発生と成長速度の速さか一つの原因としてあげられる
。この様な特性を満足するためのＭの組成範囲は０，３
５≦Ｘ≦０．９５てあり好ましくは０．５≦Ｘ≦０．９
の範囲である。
感度の向上はＸＹ２２化合物、例えばＡｇ５ｂＴｅ２と
Ｍ元素例えばｓｂが合金を形成することにより、合金の
融点か低下することか１つとして考えられる。又１．高
速消去に関しては、Ｍ元素例えばｓｂが結晶核となり結
晶化を促進することが考えられる。又、消去率の向上は
、同じくＭ元素例えばｓｂ添加による結晶核の広範囲で
の発生と成長速度の速さか一つの原因としてあげられる
。この様な特性を満足するためのＭの組成範囲は０，３
５≦Ｘ≦０．９５てあり好ましくは０．５≦Ｘ≦０．９
の範囲である。
このような新規な相転移多元化合物の具体例としては、
（ＡｇＳｂＴｅ２） １−ｘ ＳｂＸ 、 （ＡｇＳ
ｂＳｅ２） ＋−ｘ ５ｂｘ（ＣｕＳｂＴｅ２） １−
ｘ Ｓｂｘ 、 （ＣｕＳｂＳｅ２） １−ｘ Ｓｂ
ｘ（ＡｇＢｉＴｅ２） １−ｘ Ｓｂｘ −（ＡｇＢｉ
Ｓｅｚ ） ＋−ｘ ５ｂｘ（ＣｕＢｉＴｅ２） ＋−
ｘ Ｓｂｘ 、 （ＣｕＢｉＳｅｚ ） ＋−ｘ Ｓ
ｂｘ（ＡｇＳｂＴｅ２） ＋−ｘ Ｂｉｘ −（ＡｇＳ
ｂＳｅ２） ＋−ｘ Ｂｉｘ（ＣｕＳｂＴｅ２） ＋−
ｘ Ｂｉｘ 、 （ＡｇＢｉＴｅ２） ＋−ｘ Ｂｉ
ｘ（ＣｕＢｉＴｅ２） ＋−ｘ Ｂｉｘ 、等があげら
れる。
ｂＳｅ２） ＋−ｘ ５ｂｘ（ＣｕＳｂＴｅ２） １−
ｘ Ｓｂｘ 、 （ＣｕＳｂＳｅ２） １−ｘ Ｓｂ
ｘ（ＡｇＢｉＴｅ２） １−ｘ Ｓｂｘ −（ＡｇＢｉ
Ｓｅｚ ） ＋−ｘ ５ｂｘ（ＣｕＢｉＴｅ２） ＋−
ｘ Ｓｂｘ 、 （ＣｕＢｉＳｅｚ ） ＋−ｘ Ｓ
ｂｘ（ＡｇＳｂＴｅ２） ＋−ｘ Ｂｉｘ −（ＡｇＳ
ｂＳｅ２） ＋−ｘ Ｂｉｘ（ＣｕＳｂＴｅ２） ＋−
ｘ Ｂｉｘ 、 （ＡｇＢｉＴｅ２） ＋−ｘ Ｂｉ
ｘ（ＣｕＢｉＴｅ２） ＋−ｘ Ｂｉｘ 、等があげら
れる。
又、本発明の記録媒体は必要に応じて目的に応じた層を
さらに形成することかできる。
さらに形成することかできる。
本発明の他の記録層は、ｍｂ族元素の中のＩｎ、Ｇａ、
ＡＩのとれか一種を含有するものである。これにより、
記録特性としての記録感度、消去速度、そして消去率の
向上か可能となる。これらの元素の添加によるディスク
の特性向上の詳細な機構は、現在検討中であるが、例え
ば記録感度の向上に対してはＩ ｂ−Ｖ ｂ−Ｖｌ ｂ
２化合物例えばＡｇ５ｂＴｅ２とｍｂ族元素例えばＩ
ｎとを合金化することにより、ある共融点をつくり、融
点が低下することか考えられる。又、消去速度および消
去率の向上は、ｍｂ族元素が結晶化に際、核生成をうな
がすと同時に結晶成長を促進する結果と思われる。そし
てこの様な特性を満足するためのその組成範囲は０．１
≦Ｘ≦０．８好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．６５の範囲
である。
ＡＩのとれか一種を含有するものである。これにより、
記録特性としての記録感度、消去速度、そして消去率の
向上か可能となる。これらの元素の添加によるディスク
の特性向上の詳細な機構は、現在検討中であるが、例え
ば記録感度の向上に対してはＩ ｂ−Ｖ ｂ−Ｖｌ ｂ
２化合物例えばＡｇ５ｂＴｅ２とｍｂ族元素例えばＩ
ｎとを合金化することにより、ある共融点をつくり、融
点が低下することか考えられる。又、消去速度および消
去率の向上は、ｍｂ族元素が結晶化に際、核生成をうな
がすと同時に結晶成長を促進する結果と思われる。そし
てこの様な特性を満足するためのその組成範囲は０．１
≦Ｘ≦０．８好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．６５の範囲
である。
この様な新規な相転移多元化合物の具体例としては、
（ＡｇＳｂＴｅ２） １−ｘ Ｉｎｘ 、 （ＡｇＳ
ｂＳｅ２） ＋−ｘ Ｉｎｘ 。
ｂＳｅ２） ＋−ｘ Ｉｎｘ 。
（ＡｇＳｂＴｅ２） ＋−ｘ Ｇａｘ 、 （ＡｇＳ
ｂＳｅ２） ＋−ｘ Ｇａｘ 。
ｂＳｅ２） ＋−ｘ Ｇａｘ 。
（ＡｇＳｂＴｅ２） ＋−ｘ Ａｌｘ 、 （ＡｇＳ
ｂＳｅ２） ＋−ｘ Ａｌｘ 。
ｂＳｅ２） ＋−ｘ Ａｌｘ 。
（ＡｇＢｉＴｅ２ ）＋−ｘ Ｉｎｘ ｓ （
ＡｇＢｉＳｅ２ ）＋−ｘ Ｉｎｘ 、。
ＡｇＢｉＳｅ２ ）＋−ｘ Ｉｎｘ 、。
（ＡｇＢｉＴｅ２） ＋−ｘ Ｇａｘ ｓ （ＡｇＢ
ｉＳｅ２） ＋−ｘ Ｇａｘ ％（ＡｇＢｉＴｅ２ ）
＋−ｘ Ａｌｘ 、 （ＡｇＢｉＳｅ２
） １−ｘ Ａｌｘ １（ＣｕＳｂＴｅ２ ）
＋−ｘ Ｉｎ、ｘ ｓ （ＣｕＳｂＴｅ２
）＋−ｘ Ｇａｘ 、（ＣｕＳｂＴｅ２） ＋−ｘ
Ａｌｘ ％ （ＣｕＢｉＴｅｚ） トｘ Ｉｎｘ 。
ｉＳｅ２） ＋−ｘ Ｇａｘ ％（ＡｇＢｉＴｅ２ ）
＋−ｘ Ａｌｘ 、 （ＡｇＢｉＳｅ２
） １−ｘ Ａｌｘ １（ＣｕＳｂＴｅ２ ）
＋−ｘ Ｉｎ、ｘ ｓ （ＣｕＳｂＴｅ２
）＋−ｘ Ｇａｘ 、（ＣｕＳｂＴｅ２） ＋−ｘ
Ａｌｘ ％ （ＣｕＢｉＴｅｚ） トｘ Ｉｎｘ 。
（ＣｕＢｉＴｅｚ ） Ｉ−ｘ Ｇａｘ ％
（ＣｕＢｉＴｅｚ ） ｌ−ｘ ＡＩＸ ％
等かあげられる。又、本発明の記録媒体は必要に応じて
目的に応じた層を設けることができる。
（ＣｕＢｉＴｅｚ ） ｌ−ｘ ＡＩＸ ％
等かあげられる。又、本発明の記録媒体は必要に応じて
目的に応じた層を設けることができる。
本発明で用いられる基板は通常、ガラス、石英、セラミ
ックスあるいは樹脂であり、樹脂基板か成型性、コスト
等の点て好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボ
ネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポ
リエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂
、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げら
れるか、加工性、光学特性等の点てポリカーボネート樹
脂、ポリメチルメタクリレートのようなアクリル系樹脂
か好ましい。
ックスあるいは樹脂であり、樹脂基板か成型性、コスト
等の点て好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボ
ネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポ
リエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂
、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げら
れるか、加工性、光学特性等の点てポリカーボネート樹
脂、ポリメチルメタクリレートのようなアクリル系樹脂
か好ましい。
又、基板の形状としてはディスク状、カート状あるいは
シート状であってもよい。
シート状であってもよい。
又、保護層の材料としては熱的に安定な窒化ケイ素等の
窒化物二二酸化ケイ素、二酸化チタン等の酸化物等が使
用される。
窒化物二二酸化ケイ素、二酸化チタン等の酸化物等が使
用される。
好ましい材料としては、Ｓｉｎ、５ｉｎ２、Ｚ ｎ Ｏ
％ Ｓ ｎ Ｏ２、Ａ １２０ Ｂ 、Ｔ Ｉ Ｏ２、
Ｉ ｎ ２０３ 、Ｍ ｇ Ｏ％ Ｚ ｒ ０２等の金
属酸化物、Ｓｉ ３ Ｎ ４ 、Ａ Ｉ Ｎ ％ Ｔ
ｉＮ ｓ Ｂ ｎ ｓ Ｚ ｒ Ｎ等の窒化物、５ｉｃ
ＳＴａＣＳＢ４Ｃ，ＷＣ。
％ Ｓ ｎ Ｏ２、Ａ １２０ Ｂ 、Ｔ Ｉ Ｏ２、
Ｉ ｎ ２０３ 、Ｍ ｇ Ｏ％ Ｚ ｒ ０２等の金
属酸化物、Ｓｉ ３ Ｎ ４ 、Ａ Ｉ Ｎ ％ Ｔ
ｉＮ ｓ Ｂ ｎ ｓ Ｚ ｒ Ｎ等の窒化物、５ｉｃ
ＳＴａＣＳＢ４Ｃ，ＷＣ。
ＴｉＣ，ＺｒＣ等の炭化物やダイヤモンド状カーボンあ
るいはそれらの混合物が挙げられる。
るいはそれらの混合物が挙げられる。
又、必要に応じて不純物を含んでいても良い。
二のような保護層は各種気相成膜法、例えば、真空蒸着
法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、先ＣＶＤ法、イオ
ンブレーティング法、電子ビム蒸着法等によって形成で
きる。なお、保護層の厚さは通常３００〜３０００λ、
好ましくは約５００〜２０００ ｉである。形成法は記
録層の場合と同様、通常スパッタ法が適用される。
法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、先ＣＶＤ法、イオ
ンブレーティング法、電子ビム蒸着法等によって形成で
きる。なお、保護層の厚さは通常３００〜３０００λ、
好ましくは約５００〜２０００ ｉである。形成法は記
録層の場合と同様、通常スパッタ法が適用される。
記録、再生及び消去に用いる電磁波としてはレーザー光
、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ
波等、種々のものか採用可能であるか、ドライブに取付
ける際、小型でコンパクトな半導体レーザーが最適であ
る。
、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ
波等、種々のものか採用可能であるか、ドライブに取付
ける際、小型でコンパクトな半導体レーザーが最適であ
る。
［実施例コ
以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。
実施例Ｉ−１
厚さ １．２■、８８ｍｍφ、ピッチ １．６μＤ１深
さ ７００スのポリカーボネート基板上に高周波マグネ
トロンスパッタ法で耐熱保護層とし”’ＣＳ ＞ ３
Ｎ ４を２００ＣＤ 、記録層として（ＡｇＳｂＴｅ２
） ０．２ Ｓｂｏ、ｓ ヲ１００ＯＡ、サラニ耐熱
保護層としてＳｉ、Ｎ４を１０００人を設けた。この時
、膜の物性評価として記録層をつける時のみスライドガ
ラスをポリカーボネート基板の中央に設置した。この様
にして得られた記録媒体の特性をスライド基板上の記録
層の特性（結晶化温度、活性化エネルギー、分光反射率
等）とディスク特性の２っで評価した。
さ ７００スのポリカーボネート基板上に高周波マグネ
トロンスパッタ法で耐熱保護層とし”’ＣＳ ＞ ３
Ｎ ４を２００ＣＤ 、記録層として（ＡｇＳｂＴｅ２
） ０．２ Ｓｂｏ、ｓ ヲ１００ＯＡ、サラニ耐熱
保護層としてＳｉ、Ｎ４を１０００人を設けた。この時
、膜の物性評価として記録層をつける時のみスライドガ
ラスをポリカーボネート基板の中央に設置した。この様
にして得られた記録媒体の特性をスライド基板上の記録
層の特性（結晶化温度、活性化エネルギー、分光反射率
等）とディスク特性の２っで評価した。
先ずスライドガラス基板上の記録層の熱特性をＤＳＣ（
示差走査型熱量分析計）で測定したところ、結晶化温度
と思われる発熱温度か１８７℃に認められた。キッンン
ジャプロットによる活性化エネルギーは２．７２ｅＶで
ある。次に本記録層の成膜後と２５０℃熱処理後の分光
反射率を測定するとλ−８３０ｒ＋ｍてＲ、、、、、。
示差走査型熱量分析計）で測定したところ、結晶化温度
と思われる発熱温度か１８７℃に認められた。キッンン
ジャプロットによる活性化エネルギーは２．７２ｅＶで
ある。次に本記録層の成膜後と２５０℃熱処理後の分光
反射率を測定するとλ−８３０ｒ＋ｍてＲ、、、、、。
−５２，０％、Ｒ２５ｏｔ＝ ６２．０！’６であった
。
。
次に本記録媒体のディスク特性を評価した。
先ず本ディスクをλ−８３０ｒ＋ｍのＬＤＤＣ光（５〜
８ＩＩＩＷ）を照射することにより記録面の結晶化で（
初期化）を行ったあと、線速６．９ＩＩｌ／ｓｅｅの速
度で回転させながらビーム径を１μｍφ程度に絞ったλ
−８３０ｎｍの半導体レーザー光を照射する事により記
録、再生および消去を行った。この時の条件は記録再生
周波数３．８ＮＨ２，再生出力ｌｌ１ｌｖてあった。そ
の結果、記録出力９ＩＩνてＣ／ Ｎ −４１１ｄＢの
値を得た。次にこの信号を消去するため、先ずＤＣ光で
評価してみると、５ｍｗで消去率として一３１ｄＢの値
を得た。次にオーバーライド特性を評価するため、３．
８ＮＨ２と２ＮＨ４の２つの周波数で行ったところ、初
期記録のＣ／Ｎは４８ｄＢであり、オーバーライド後も
４７ｄＢとほとんど変化はなかった。この時の記録出力
は１０ｍｗ、消去出力５ｍｗである。又、消去率は−２
８ｄＢであった。又、１０５回の記録、再生、消去の繰
り返し実験を行ったが、信号レヘルの低下はほとんど認
められなかった。
８ＩＩＩＷ）を照射することにより記録面の結晶化で（
初期化）を行ったあと、線速６．９ＩＩｌ／ｓｅｅの速
度で回転させながらビーム径を１μｍφ程度に絞ったλ
−８３０ｎｍの半導体レーザー光を照射する事により記
録、再生および消去を行った。この時の条件は記録再生
周波数３．８ＮＨ２，再生出力ｌｌ１ｌｖてあった。そ
の結果、記録出力９ＩＩνてＣ／ Ｎ −４１１ｄＢの
値を得た。次にこの信号を消去するため、先ずＤＣ光で
評価してみると、５ｍｗで消去率として一３１ｄＢの値
を得た。次にオーバーライド特性を評価するため、３．
８ＮＨ２と２ＮＨ４の２つの周波数で行ったところ、初
期記録のＣ／Ｎは４８ｄＢであり、オーバーライド後も
４７ｄＢとほとんど変化はなかった。この時の記録出力
は１０ｍｗ、消去出力５ｍｗである。又、消去率は−２
８ｄＢであった。又、１０５回の記録、再生、消去の繰
り返し実験を行ったが、信号レヘルの低下はほとんど認
められなかった。
実施例１−２
実施例１−１と同様な方法により記録層として（ＡｇＳ
ｂＴｅ２）ｏ、 Ｊｉｏ、 ｓの組成を有する記録媒体
を作製した。この時の記録層の膜厚は１０００スであり
、耐熱保護層としてのＳｉ、Ｎ４は基板側（ポリカーボ
ネート）の膜厚が２０００人、自由表面側か１００ＯＡ
であった。
ｂＴｅ２）ｏ、 Ｊｉｏ、 ｓの組成を有する記録媒体
を作製した。この時の記録層の膜厚は１０００スであり
、耐熱保護層としてのＳｉ、Ｎ４は基板側（ポリカーボ
ネート）の膜厚が２０００人、自由表面側か１００ＯＡ
であった。
本記録層は成膜直後すてに結晶相であった。
（但し、成膜条件によって非晶質相を得ることは勿論可
能である）従って、結晶化温度等の熱特性ならびに非晶
質相と結晶相聞の分光反射率の差を評価することはでき
なかった。
能である）従って、結晶化温度等の熱特性ならびに非晶
質相と結晶相聞の分光反射率の差を評価することはでき
なかった。
ディスク特性に関しては、λ−８３ＯｎＩＩｌの半導体
レーサーて成膜後の結晶相をエージングする目的て出力
３ＩＩＩｖで初期化を行った。
レーサーて成膜後の結晶相をエージングする目的て出力
３ＩＩＩｖで初期化を行った。
そして実施例１と同様に線速６．９ｉ／ｓｅｃの速度で
回転させながらレーザービーム径を１μｌφ程度に絞っ
たλ−８３０ｎｍの光を照射することにより、記録、再
生、及び消去を行った。この時の条件は記録再生周波数
３．８ＮＨ２，再生出力１ａ＋ｗであった。
回転させながらレーザービーム径を１μｌφ程度に絞っ
たλ−８３０ｎｍの光を照射することにより、記録、再
生、及び消去を行った。この時の条件は記録再生周波数
３．８ＮＨ２，再生出力１ａ＋ｗであった。
その結果、記録出力ｆｌａｖでＣ／ Ｎ −４７ｄＢの
値を得た。次にこの信号を消去するためＤＣ光で評価す
ると、６ａ＋ｗで消去率として一２９ｄＢの値を得た。
値を得た。次にこの信号を消去するためＤＣ光で評価す
ると、６ａ＋ｗで消去率として一２９ｄＢの値を得た。
次にオーバーライド特性を評価するため、３．８ＮＨ２
と２．０Ｍ）ＩＺの２つの周波数で行ったところ、初期
記録のＣ／Ｎは４７ｄＢであった。又、オーバーライド
後も４６ｄＢの値を得ることができた。又、消去率は一
２８ｄＢであった。この時の記録消去出力は各々とｌ
ｌａｗと６ｇ＋ｖであった。さらに１０’回の記録、再
生、消去の繰返し実験を行ったが、信号レヘルの低下は
ほとんど認められなかった。
と２．０Ｍ）ＩＺの２つの周波数で行ったところ、初期
記録のＣ／Ｎは４７ｄＢであった。又、オーバーライド
後も４６ｄＢの値を得ることができた。又、消去率は一
２８ｄＢであった。この時の記録消去出力は各々とｌ
ｌａｗと６ｇ＋ｖであった。さらに１０’回の記録、再
生、消去の繰返し実験を行ったが、信号レヘルの低下は
ほとんど認められなかった。
実施例１１−１
厚さ １．２ｍｍ、径か８８Ｉｎｌ＋ｌφ、ピッチ１．
［ｉμｍ、深さ ７０（ｌλのグループつきポリカーボ
ネート基板上に高周波マグネトロンスパッタ法で耐熱保
護層−としてＳｉ３Ｎ４を２０００人記録層として（Ａ
ｇ５ｂＴｅ２ ） ０．７ ｌｎｏ、 ３を１０００人
、さらに耐熱保護層として５１３Ｎ４を１００ＯＡを設
けた。そしてこの様にして得られた本記録媒体のディス
ク特性を以下の方法により評価した。
［ｉμｍ、深さ ７０（ｌλのグループつきポリカーボ
ネート基板上に高周波マグネトロンスパッタ法で耐熱保
護層−としてＳｉ３Ｎ４を２０００人記録層として（Ａ
ｇ５ｂＴｅ２ ） ０．７ ｌｎｏ、 ３を１０００人
、さらに耐熱保護層として５１３Ｎ４を１００ＯＡを設
けた。そしてこの様にして得られた本記録媒体のディス
ク特性を以下の方法により評価した。
先ず本ディスクをλ−８３０ｎＩＡのＬＤＤＣ光（５〜
８匝ν）を照射することにより記録面の結晶化（初期化
）を行ったあと、線速６．９ｉ／ｓｅｃの速度で回転さ
せながらビーム径を１μｌφ程度に絞ったλ−８３０ｎ
Ｉ１１の半導体レーザー光を照射する事により記録、再
生および消去を行った。この時の条件は記録再生周波数
３．８ＮＨ２，再生出力１ｍｗであった。
８匝ν）を照射することにより記録面の結晶化（初期化
）を行ったあと、線速６．９ｉ／ｓｅｃの速度で回転さ
せながらビーム径を１μｌφ程度に絞ったλ−８３０ｎ
Ｉ１１の半導体レーザー光を照射する事により記録、再
生および消去を行った。この時の条件は記録再生周波数
３．８ＮＨ２，再生出力１ｍｗであった。
その結果、記録出力１１ｍ警でＣ／ Ｎ −５０ｄＢの
値を得た。次に記録信号の消去特性を評価するため、先
ずＤＣ光で消去を行った。この時の出力は５■、消去率
は一３０ｄＢであった。次にオーベーライト特性を評価
するため、３．８ＭＨ２と２．０ＭＨ２の２つの周波数
で行ったところ、初期記録のＣ／Ｎは５０ｄＢであり、
オーバーライド後も４９ｄＢであり、信号の変化はほと
んど認められなかった。そしてこの時の消去率は、−２
９ｄＢであった。又、オーバーライドモードての記録出
力はｌ０ｍｗ、消去出力は５１てあった。又、１０５回
の繰返し特性においても特性の劣化はほとんど認められ
なかった。
値を得た。次に記録信号の消去特性を評価するため、先
ずＤＣ光で消去を行った。この時の出力は５■、消去率
は一３０ｄＢであった。次にオーベーライト特性を評価
するため、３．８ＭＨ２と２．０ＭＨ２の２つの周波数
で行ったところ、初期記録のＣ／Ｎは５０ｄＢであり、
オーバーライド後も４９ｄＢであり、信号の変化はほと
んど認められなかった。そしてこの時の消去率は、−２
９ｄＢであった。又、オーバーライドモードての記録出
力はｌ０ｍｗ、消去出力は５１てあった。又、１０５回
の繰返し特性においても特性の劣化はほとんど認められ
なかった。
実施例ｎ−２
実施例ｎ−１同様な方法により記録層として（ＡｇＢｉ
Ｔｅ ２ ） ｏ、ｂ Ｉｎｏ４の組成を有する記録媒
体を作製した。この時の記録層の膜厚は１０００人であ
り、耐熱保護としてのＳｉ３Ｎ４は基板側（ポリカーボ
ネート）の膜厚が２０００人、自由表面側か１０００人
である。そしてこの様にして得られた本記録媒体のディ
スク特性を実施例ｌｌ−１と同様な方法で測定した。
Ｔｅ ２ ） ｏ、ｂ Ｉｎｏ４の組成を有する記録媒
体を作製した。この時の記録層の膜厚は１０００人であ
り、耐熱保護としてのＳｉ３Ｎ４は基板側（ポリカーボ
ネート）の膜厚が２０００人、自由表面側か１０００人
である。そしてこの様にして得られた本記録媒体のディ
スク特性を実施例ｌｌ−１と同様な方法で測定した。
まず発振波長８３０ｎｎ＋の半導体レーザーを用いて出
力５ＩＩｗのＤＣ光を記録媒体に照射することにより記
録面の結晶化（初期化）を行った。ついて、線速６．９
ａ／ｓｅｃの速度で回転させながらビーム径を１μ■φ
程度に絞ったλ−８３ｏｎ−の半導体レーザー光を照射
することにより、記録、再生、及び消去を行った。この
時の条件は記録再生周波数３．８ＭＨ２，再生出力ｌａ
ｗてあった。
力５ＩＩｗのＤＣ光を記録媒体に照射することにより記
録面の結晶化（初期化）を行った。ついて、線速６．９
ａ／ｓｅｃの速度で回転させながらビーム径を１μ■φ
程度に絞ったλ−８３ｏｎ−の半導体レーザー光を照射
することにより、記録、再生、及び消去を行った。この
時の条件は記録再生周波数３．８ＭＨ２，再生出力ｌａ
ｗてあった。
その結果、記録出力１０ｍｖでＣ／ Ｎ −４９ｄＢの
値を得た。次に記録の消去特性を評価するために、まず
ＤＣ光で消去を行った。この時の消去出力は６ｍｖであ
り、消去率は一３０ｄＢであった。
値を得た。次に記録の消去特性を評価するために、まず
ＤＣ光で消去を行った。この時の消去出力は６ｍｖであ
り、消去率は一３０ｄＢであった。
次にオーバーライド特性を評価するため、３ 、８ＭＨ
２と２．０ＭＨ２の２つの周波数で行ったところ、初期
記録のＣ／Ｎは４９ｄＢであり１．オーバーライド後も
４７ｄＢと良好な値であった。そしてこの時の消去率は
一２８ｄＢであった。又、オーバーライドモードでの記
録出力はｌｏｍｗ、消去出力は６１ｖであった。次に繰
返し特性においても１０５回のオーバーライドモードに
おける繰返しにおいて、特性の劣化はほとんど認められ
なかった。
２と２．０ＭＨ２の２つの周波数で行ったところ、初期
記録のＣ／Ｎは４９ｄＢであり１．オーバーライド後も
４７ｄＢと良好な値であった。そしてこの時の消去率は
一２８ｄＢであった。又、オーバーライドモードでの記
録出力はｌｏｍｗ、消去出力は６１ｖであった。次に繰
返し特性においても１０５回のオーバーライドモードに
おける繰返しにおいて、特性の劣化はほとんど認められ
なかった。
以上、本材料を記録層として用いた相変化型光記録媒体
は十分に使用が可能なものと思われる。
は十分に使用が可能なものと思われる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の材料合金を相変化型記録
媒体として使用することにより、記録感度、消去率、く
り返し特性の向上が期待できる。
媒体として使用することにより、記録感度、消去率、く
り返し特性の向上が期待できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板上に、電磁波等の照射により可逆的な相変化
をする記録層を有する、光情報記録媒体において、この
記録層が下記一般式で表される組成を有するものである
ことを特徴とする光情報記録媒体。 一般式 （ＸＹＺ＿２）＿１＿−＿ＸＭ＿Ｘ 但し、 Ｘ：周期表 I ｂ族元素の一種 Ｙ：周期表Ｖｂ族元素の一種 Ｚ：周期表VIｂ族元素の一種 Ｍ：ＳｂまたはＢｉ ０．３５≦Ｘ≦０．９５ （２）請求項（１）におけるＸが０．５≦Ｘ≦０．９で
あることを特徴とする請求項（１）記載の光情報記録媒
体。 （３）請求項（１）における一般式のＭとＸがそれぞれ Ｍ：Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ ０．１≦Ｘ≦０．８ であることを特徴とする、請求項（１）記載の光情報記
録媒体。 （４）請求項（２）におけるＸが０．１５≦Ｘ≦０．６
５であることを特徴とする請求項（２）記載の光情報記
録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211593A JPH0494965A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 光情報記録媒体 |
| US07/744,469 US5095479A (en) | 1990-08-13 | 1991-08-12 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211593A JPH0494965A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494965A true JPH0494965A (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16608335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2211593A Pending JPH0494965A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 光情報記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5095479A (ja) |
| JP (1) | JPH0494965A (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63251290A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 光記録媒体と記録・再生方法及びその応用 |
| US5254382A (en) * | 1990-11-29 | 1993-10-19 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical recording medium |
| JPH05151619A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-06-18 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体及び記録方法 |
| JPH05286249A (ja) * | 1992-02-10 | 1993-11-02 | Hitachi Ltd | 情報記録用媒体 |
| JP2709887B2 (ja) * | 1992-06-12 | 1998-02-04 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| JP3287648B2 (ja) * | 1993-06-07 | 2002-06-04 | 株式会社リコー | 相変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方法及び相変化型情報記録ドライブ装置 |
| US5785828A (en) | 1994-12-13 | 1998-07-28 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target for producing optical recording medium |
| JP2990036B2 (ja) * | 1995-02-13 | 1999-12-13 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| US6319368B1 (en) | 1995-03-31 | 2001-11-20 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of forming recording layer for the optical recording medium |
| US6242157B1 (en) * | 1996-08-09 | 2001-06-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
| US7260051B1 (en) * | 1998-12-18 | 2007-08-21 | Nanochip, Inc. | Molecular memory medium and molecular memory integrated circuit |
| US20020138301A1 (en) * | 2001-03-22 | 2002-09-26 | Thanos Karras | Integration of a portal into an application service provider data archive and/or web based viewer |
| US6985377B2 (en) * | 2002-10-15 | 2006-01-10 | Nanochip, Inc. | Phase change media for high density data storage |
| US6982898B2 (en) * | 2002-10-15 | 2006-01-03 | Nanochip, Inc. | Molecular memory integrated circuit utilizing non-vibrating cantilevers |
| US20040150472A1 (en) * | 2002-10-15 | 2004-08-05 | Rust Thomas F. | Fault tolerant micro-electro mechanical actuators |
| US7233517B2 (en) * | 2002-10-15 | 2007-06-19 | Nanochip, Inc. | Atomic probes and media for high density data storage |
| JP2004319049A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Sony Corp | 光記録媒体及びこれを用いた光記録再生方法 |
| TW200534235A (en) * | 2004-03-10 | 2005-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US20050243592A1 (en) * | 2004-04-16 | 2005-11-03 | Rust Thomas F | High density data storage device having eraseable bit cells |
| US7379412B2 (en) | 2004-04-16 | 2008-05-27 | Nanochip, Inc. | Methods for writing and reading highly resolved domains for high density data storage |
| US7301887B2 (en) * | 2004-04-16 | 2007-11-27 | Nanochip, Inc. | Methods for erasing bit cells in a high density data storage device |
| US20050243660A1 (en) * | 2004-04-16 | 2005-11-03 | Rust Thomas F | Methods for erasing bit cells in a high density data storage device |
| US20050232061A1 (en) | 2004-04-16 | 2005-10-20 | Rust Thomas F | Systems for writing and reading highly resolved domains for high density data storage |
| US20060291271A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Nanochip, Inc. | High density data storage devices having servo indicia formed in a patterned media |
| US7367119B2 (en) * | 2005-06-24 | 2008-05-06 | Nanochip, Inc. | Method for forming a reinforced tip for a probe storage device |
| US7463573B2 (en) * | 2005-06-24 | 2008-12-09 | Nanochip, Inc. | Patterned media for a high density data storage device |
| US20070008866A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Nanochip, Inc. | Methods for writing and reading in a polarity-dependent memory switch media |
| US7309630B2 (en) * | 2005-07-08 | 2007-12-18 | Nanochip, Inc. | Method for forming patterned media for a high density data storage device |
| US20070008867A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Nanochip, Inc. | High density data storage devices with a lubricant layer comprised of a field of polymer chains |
| US7524385B2 (en) * | 2006-10-03 | 2009-04-28 | Elemetric, Llc | Controlled phase transition of metals |
| US20080175033A1 (en) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Nanochip, Inc. | Method and system for improving domain stability in a ferroelectric media |
| US20080233672A1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Nanochip, Inc. | Method of integrating mems structures and cmos structures using oxide fusion bonding |
| WO2008142768A1 (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3530441A (en) * | 1969-01-15 | 1970-09-22 | Energy Conversion Devices Inc | Method and apparatus for storing and retrieving information |
| JPS61219692A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS61270190A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPH0673991B2 (ja) * | 1985-07-18 | 1994-09-21 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録素子 |
| JPS6273438A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPH01104766A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Hitachi Ltd | 光記録媒体用スパツタリングターゲット |
| JPH0264929A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPH0264930A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
-
1990
- 1990-08-13 JP JP2211593A patent/JPH0494965A/ja active Pending
-
1991
- 1991-08-12 US US07/744,469 patent/US5095479A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5095479A (en) | 1992-03-10 |
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