JPS61219692A - 光学情報記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザ光線等を用いで情報信号を高密度かつ高
速に光学的に記録再生し、かつ情報の書き換えが可能な
光学情報記録部材に関するものである。

従来の技術 レーザ光線を利用して高密度な情報の記録再生を行なう
技術は既に公知であり、現在、文書ファイルシステム、
静止画ファイルシステム等への床用がさかんに行なわれ
ている。また書き換え可能なタイプの記録システムにつ
いても研究開発の事例が報告されつつある。これらは主
にＴｏのアモルファスと結晶間の状態変化を利用してお
シ、例えば、比較的強くて短いパルス光を照射し、照射
部を昇温状態から急冷してアモルファス状態にすること
によシその光学定数を減少させ（白化する）、また、比
較的弱くて長いパルス光を照射して結晶状態にすること
によシ光学定数を増大させる（黒化する）ことで記録消
去を行なうというもので、記録時には一般に光学定数を
減少させる方向、消去時には増大する方向を利用しよう
というものである。

Ｔｏは室温では結晶として安定であり、アモルファス状
態としては存在しない。したがって室温でアモルファス
状態で安定に存在させるために、様々な添加物が提案さ
れており、代表的な添加物の一つとしてＧｅが広く知ら
れている。

ＧｅはＴｏ−Ｇｅ薄膜中においてネットワーク構造を形
成する働きがあり、したがって室温でもＴ。

−Ｇｏ薄薄膜７ルルフアス状態安定に存在することがで
きる。

しかし、このＴｅ−Ｇｅ薄膜も光学記録薄膜の観点から
大きく二つに分類することができる。すなわちＴｏ−Ｇ
ｅｉｉ膜は、蒸着法、スパッタリング法等で形成された
ときにはほとんどの組成範囲においてアモルファスとし
て安定である。しかしながら、一旦結晶化した後は、比
較的強くて短いパルス光を照射して照射部を昇温状態か
ら急冷した場合、Ｇｏの濃度が約４０ａｔチ以下であれ
ば再びアモルファスになるが、約４０ａｔ％以上ではア
モルファスにはもどらず結晶となる。このうち、信号の
記録、消去が可能であるのは結晶化部分がレーザ照射に
より再びアモルファスとなる、Ｇｏ濃度が３ｊａｔ％以
下のＴｏ−Ｇｅ薄膜であるが、この記録薄膜は、アモル
ファスとして非常に安定であるため、比較的弱くて長い
パルス光を照射して照射部を除熱・除冷しても結晶化速
度が遅すぎ、実用には向いていない。

Ｔｅ−Ｇｏを主成分とした記録薄膜としては例えばＧ　
ｌｉｌ　１ｓ　Ｔ　ｅ　ｓ　１Ｓ　ｂ　２　Ｓ　２等が
あるが（特公昭４７−２６８９７号公報）、これは消去
感度がまだ不十分であり、かつ、書き込みコントラスト
比が不十分である。

一方、本発明者らは、ＴｅとＴ　ｅ　Ｏ２の混合物であ
るＴｅＯ工薄膜薄膜ｕを添加することにより、結晶化速
度を大幅に改善できるということを明らかＫした（％願
昭５９−６１４６３号公報）。

しかし、このＴｅｏｘ−Ａｕ記録薄膜においては、一度
黒化させると再び白化させることは困難であり、したが
って書き換え可能な記録薄膜としては使用し難い。

発明が解決しようとする問題点 従来のＴｏ−Ｇｅを生成物とする記録薄膜を有する書き
換え可能な光ディスクでは、消去速度が遅くかつ消去感
度が不十分であり、加えて、黒化部と白化部の光学定数
の差が小さいために書き込みコントラスト比が不十分で
あるという欠点を有していた。

他方、従来のＴｏｏｏ−Ａｕ記録薄膜は黒化速度は十分
に速いものの再び白化することは困難であるため、書き
換え可能な光ディスクとしては使用できなかった。

本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、従来のＴｅ
−Ｇｅ薄膜のアモルファスとして非常に安定であるとい
う特徴と、Ｔｅｏｘ−Ａｕ薄膜に見られるような高速に
黒化（結晶化）するという特徴を同時に有する書き換え
可能な光学情報記録部材を提供するものである。

問題点を解決するための手段 Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｕを必須成分とし、かつその必須成分各
元素の原子数の割合が、第１図のＡ、Ｂ、Ｃ。

Ｄで囲まれた範囲内に限定された記録薄膜を備える。

作　　用 発明者らは、アモルファスとして非常に安定なＧｅの含
有量が３６　ａｔ％以下のＴｏ−Ｇｅ薄膜の特定組成範
囲に適量のＡｕを添加すると、アモルファスとして非常
に安定でありながら、かつ、黒化速度・黒化感度とも非
常にすぐれた、光学的に信号の書き換えが可能な記録薄
膜となるということを見い出した。

このＴｅ−Ｇｅ−Ａｕ記録薄膜中におけるＧｅの働きは
、アモルファス状態においてＴｏあるいはＴｅ−Ａｕ　
化合物が結晶化しようとする中へはいりこんでネットワ
ーク構造を形成し、アモルファス状態（信号の記録ビッ
ト）を安定に保つものであると考えられる。

またＡｕの働きは、消去時にＴｅ−ＡｕあるいはＧｅ−
Ａｕというような何らかの化合物を形成することにより
、結晶成長を促進する結晶核のようなものになると考え
られ、したがってＧｅを含む記録薄膜でさえも十分な消
去速度、消去感度が得られると考えられる。

実施例 Ｔｅ−Ｇｅ薄膜に比較的強くて短いパルス光を照射して
照射部を昇温状態から急冷した場合における、Ｇｅ濃度
の違いによる照射部の状態変化の違いは以下のように考
えられる。

つまり、Ｇａ１１１度が約４０ａｔチ以下の、レーザ光
照射後も再びアモルファスとなる範囲では、レーザ光照
射後の冷却時にＴｏが六方晶の針状結晶を形成しようと
する中へＧｅがはいりこんでネットワーク構造を形成す
るため、Ｔｏの結晶成長がさまたげられていると考えら
れる。

しかし、Ｇｅ濃度が約４０ａｔ％以上の、レーザ光を照
射後はアモルファスにもどらず結晶となる範囲では、レ
ーザ光照射後の冷却時にＴｅＧｅの結晶が析出し、この
Ｔ　ｅ　Ｇ　ｅの結晶は立方晶であるため容易に粒成長
が可能であり、したがってレーザ光照射時程度の冷却速
度ではアモルファスにはならない結晶となってしまうも
のと考えられる。

このうちＧｅ濃度が約４０ａｔ％以下のＴｅ　−Ｇ。

薄膜は、比較的弱くてかつ十分に長いパルス光を照射し
て照射部を除熱Φ除冷してやれば結晶化するものの、ア
モルファスとして非常に安定であるため結晶化速度が遅
く、かつ、結晶成長が不十分であるためアモルファス状
態と結晶状態間の光学定数変化が小さく、書き込みコン
トラスト比が不十分であり、実用には向いていない。

まだ、ＴｅとＴ　ｅ　Ｏ２の混合物であるＴｅＯｘ薄膜
にＡｕを添加することにより、結晶化速度が大幅に改善
されることが明かにされているが、これはＴｅＯニーＡ
ｕ薄膜にレーザ光を照射した場合の冷却時にＡｕがＴｏ
−Ａｕという何らかの化合物を形成し、Ｔｏが結晶化す
るだめの一種の結晶核のような働きをするものと考えら
れる。

このＴｅＯニーＡｕ記録薄膜は一度黒化させると再び白
化させることは困難であるため、書き換え可能な記録薄
膜としては使用できない。

本発明による記録薄膜は上記事実に基づき考案されたも
ので、Ｇ　ｏ　！Ｉｆが約４０６ｔ％以下のアモルファ
スとして安定なＴｏ−Ｇｅ薄膜に結晶化速度を向上させ
るＡｕを添加した記録薄膜であり、かつ、各元素の原子
数の割合を制限することによって、アモルファスとして
非常に安定でありながら、結晶化時には結晶化速度が十
分に大きい、すなわち、信号の記録、消去がレーザ光に
より十分実用可能な光学情報記録薄膜を提供するもので
ある。

さらに、Ｔｅ−Ｇｅ薄膜にＡｕを添加したことにより、
記録薄膜の透過率の低下が起こり、記録薄膜における光
の吸収率が上昇して高感度となる。

また高速に結晶化が完了するために、結晶化が十分に進
み、したがって、アモルファスと結晶との光学定数の差
が大きくなり、信号書き込み時のコントラスト比が大き
くなって、大きなＣハが得られる。

次に本発明において記録薄膜中の各元素の原子数の割合
を限定した理由について述べる（具体的な数値を決定し
た根拠は後述の「実施例２〜５」において詳しく説明す
る。）。

構成元素のうちＴｏはレーザ光照射による加熱。

急冷によってアモルファスとなり、除熱・除冷によって
結晶となる。すなわちＴｅの相変態による反射率変化に
よって信号の記録、消去が行なわれるわけであシ、第１
図の直ａＣＤよりＴｏの少ない領域ではＴｅの量が少な
すぎて十分な反射率変化が得られず、大きなＣ／／Ｎを
得ることはできない。

また、直線ＡＢよりＡｕの少ない領域では、Ａｕの添加
効果が十分でない、すなわち結晶化速度があまり改善さ
れない領域であり、信号の消去速度の大幅な向上は期待
できない。

逆に直線ＤＡよりＧｏの少ない領域は、Ｇｏの添加効果
が十分でなくアモルファスとして不安定な領域である。

すなわち、記録薄膜が室温中で容易に結晶化するか、あ
るいは、加熱・急冷用レーザ光（白化用レーザ光）を照
射してもアモルファスとはならず結晶化してしまう領域
である。

また、直線ＢＣよりＧｏの多い領域はＧ　ｏ　Ｔ　ｅ　
２に近い組成にＡｕを添加した領域であって、ＧｅＴ０
２はアモルファスとして非常に安定であるためいかなる
量のＡｕを添加しても結晶化速度の改善度合が小さく実
用的でない。

以上がＴｏ　、Ｇｅ　、　　及びＡｕについてその組成
比を第１図のＡ、　　Ｂ、　　Ｃ，Ｄで囲まれた領域に
限定した理由である。この領域にある記録薄膜を有する
光ディスクは、実用上十分な信号の記録、消去感度と高
いＣ／Ｎを有している。

なお、第１図におけるＡ、　　Ｂ、　　Ｃ，Ｄの各点の
座標を以下に示す。

（Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｕ　）　　ａｔ％ Ａ：　（８５，ｓ、　　１ｏ） Ｂ：　（ｅｅｉ、２６．１０） Ｃ：　（３５，１５，６０） Ｄ：　（３Ｂ、　　５．ｓｏ） さらに、第１図のＡ、　　Ｂ、　　Ｃ，Ｄで囲まれた領
域にある記録薄膜に０を添加することによって、耐湿性
が向上することが認められる。

前記記録薄膜の劣化機構の１つとして、水蒸気の存在下
でＴｅ、Ｇｅが酸化されるということがあげられるが、
０をＴ　ｅ　Ｏ２として添加することにより、記録薄膜
中のＴｏ、Ｇｏの酸化が進むことを防ぐバリアとしての
働きをするものと考えられる。

すため、Ｏの添加量は３０ａｔ％以下が良い。

次に図面を参照しながら本発明をさらに詳しく説明する
。

第２図は本発明による光学情報記録部材の断面図である
。

１は基板で、ＰＭＭＡ、　ポリカーボネート、塩化ビニ
ール、ポリエステル等の透明な樹脂やガラス等を用いる
ことができる。

２は記録薄膜であり、基板１上に蒸着、スパッタリング
等によって形成され、膜組成はオージェ電子分光法、誘
導結合高周波プラズマ発光分析法。

Ｘ線マイクロアナリシス法等を用いて決定することがで
きる。

以下、より具体的な例で本発明を詳述する。

記録薄膜の組成制御を容易かつ精度よく行なうために以
下の実施例１〜４では３源蒸着が可能な電子ビーム蒸着
機を用いて、Ｔｏ、Ｇｅ、Ａｕをそれぞれのソースから
基材（アクリル樹脂基板、１０ｘ２０ｘ１．２ｍ）上に
蒸着し、試験片とした。蒸着は真空度が１ｘ１０　　Ｔ
ｏｒｒ以下で行ない、薄膜の厚さは約１２００人とした
。各ソースからの蒸着速度は記録薄膜中のＴｅ、Ｇｅ、
Ａｕの原子数の割合を調整するためにいろいろ変化させ
た。また薄膜形成は、基材を１５Ｏｒｐｍで回転しなが
ら行なった。

次に上記方法により作成した試験片の黒化特性（消去特
性）、白化特性（記録特性）を評価する方法について第
３図を参照しながら説明する。

同図において半導体レーザー３を出た波長８３０■の光
は、第１のレンズ４によって疑似平行光６となり第２の
レンズ６で丸く整形された後、第３のレンズ７で再び平
行光になり、ハーフミラ−８を介して第４のレンズ９で
試験片１ｏ上に、波長限界約Ｏ，Ｓμｍの大きさのスポ
ット１↑に集光され記録が行なわれる。

信号の検出は、試験片１０からの反射光をハーフミラ−
８を介して受け、レンズ１２を通して光感応ダイオード
１３で行なった。

このようにして半導体レーザーを変調して、試験片上に
照射パワーと照射時間のちがう種々のパルスレーザ−光
を照射することによシ、黒化特性。

白化特性を知ることができる。

黒化特性の評価には、照射パワーを比較的小さく例えば
１ｍＶμ−程度のパワー密度に固定し、照射時間を変え
て黒化開始の照射時間を測定する方法を適用し、白化特
性の評価には、記録部材をあらかじめ黒化しておき、照
射時間を例えば５０ｎｓｅｃ程度に固定し白化に必要な
照射光パワーを測定する方法を適用する。

作成した試験片を上記評価方法を用いて評価した結果を
以下に示す。

実施例１ 評価材料組成としてＴｅとＧｏの原子数比が８６：１５
となるように組成制御を行ない、同時にこのＴ　＠　ｓ
ｓＧ＠　１ｓとＡｕの比を様々に変化させて複数の試験
用記録部材を作成した第４図ａはＴ　ｅ　ａ　６Ｇ　６
１ｓに保ちなからＡｕの添加量を増化させてゆき、１　
ｍＷ／μ−のパワーで照射したときの黒化開始に要する
照射時間の変化を示したものである。この図よりＡｕを
添加することによって黒化開始の照射時間は大幅に短縮
され、かつ反射率変化Ｒ／Ｒｏも大きくなることがわか
る。

Ａｕを添加しない場合、Ｔ　＠　ａ　ｓ　Ｇ　＠＋　１
ｓは１ｍＷ／μｒｒ？。

１０μｓｅｃの照射では全く黒化しなかったが、Ａｕの
添加量が、１０ａｔ％程度で既に十分な効果が得られ、
逆に、６０　ａｔ％を越えるあたりから反射率の変化量
が急激に低下するのが認められる。これは反射率変化を
もたらす記録薄膜中のＴｅの量が減少するためと考えら
れる。

第４図すは、例えば１　ｍＷ／μイのパワー１５１ＩＢ
□照射して十分に黒化した部分に、照射時間を６０ｎｓ
ｅｃ　として照射パワーを変化して照射したときの白化
開始に要する照射パワーの違いを示している。これから
、Ｔ　＠　ｓ　ｓ　Ｇ　＠　１ｓにＡｕを添加すること
で白化開始に要する照射パワーは増大するものの、Ａｕ
の添加量が６０ａｔ％以下であれば白化に必要な照射パ
ワーは実用上問題にならないことがわかる。

この２つの図からＴ　ｅ　ａ　ｓ　Ｇ　ｅ　１６にＡｕ
を１ｏ〜ｅｏａｔ％添加することによって記録特性をそ
こなうことなく、消去速度を大幅に改善することができ
ることがわかる。

実施例２ 評価材料組成としてＴｅとＧｅの原子数比が６７　：　
３３となるように組成制御を行ない、同時にこのＴ　ｅ
　ｅ□Ｇ　ｅ　３ａとＡｕの比を様々に変化させて複数
の試験用記録部材を作成した。

第５図はＴ　ｓ　ｅ□Ｇｅ３３に保ちながらＡｕの添加
量を増化させてゆき、１ｍＶμ−のパワーで照射したと
きの黒化開始に要する照射時間の変化を示したものであ
る。この図よりＡｕを添加することによって、１０μｓ
ｅｃの照射では全く黒化しないＴ　ｅ　ｅ□Ｇ＠　３ｓ
が黒化するようになるのが認められ、黒化開始に要する
照射時間は短縮されるのがわかるが、その程度は小さく
実用的でない。

これはＴ　ｅ　ｅ□Ｇ＠　３３はアモルファスとして非
常に安定なＴｅ２Ｇｅとなる組成であり、アモルファス
として安定でありすぎるためＡｕを添加してもその添加
効果が十分に得られないためと考えられる。

実施例３ 評価材料組成としてＴｏとＡｕの原子数比が７５：２５
となるように組成制御を行ない、同時にこのＴ　＠　−
ｒ　ｓ　Ａ　ｕ　２６とＧｏの比を様々に変化させて複
数の試験用記録部材を作成した。Ｔ　＠　７ｓ　Ａ　ｕ
　２ｓは作成時には室温では結晶であるのに対し、Ｇ。

を３Ｇｅ％添加するだけで室温でアモルファスで安定と
なった。

第６図ａはＴ　ｅ　７　ｓ　Ａ　ｕ　２　ｓに保ちなが
らＧｅの添加量を増加させてゆき、１ｍＷ／μ−のパワ
ーで照射したときの黒化開始に要する照射時間の変化を
示したものである。

この図よりＴ　＠　−ｒ　ｓ　Ａ　ｕ　２５へのＧｏの
添加量を増加していくことによって黒化開始の照射時間
は徐々に長くなり、Ｇｏの添加量が２３　ａｔ％をこえ
るあたりから急激に黒化速度が遅くなる、すなわち消去
速度が実用的でなくなる。

第６図すは、例えば１ｍＷ／μ−のパワーで１５μｓｅ
ｃ照射して十分に黒化した部分に、照射時間を５０　ｎ
５ｅｃとして照射パワーを変化して照射したときの白化
開始に要する照射パワーの変化を示している。これから
Ｔ　＠　７５　Ａ　ｕ　２５にＧｏを添加することで白
化開始に要する照射パワーは減少することがわかり、Ｇ
ｅの添加量が５Ｇｅ％以上であれば十分な記録感度が得
られることがわかる。

この２つの図からＴ　’ｅ　−ｒ　５Ａ　ｕ　２５にＧ
ｏを６〜２３ａｔ％添加することによって記録特性、消
去特性ともに良好な記録薄膜を得ることができることが
わかる。

実施例４ 評価材料組成としてＴｏとＡｕの原子数比が５０：６０
となるように組成制御を行ない、同時にこのＴ　ｅ　ａ
。Ａ　ｕ　ｓ　ｏとＧｏの比を様々に変化させて複数の
試験用記録部材を作成した。

Ｔ　＠　ｓ　ｏＡ　ｕ　ｅ；　ｏは作成時には室温では
結晶であるのに対し、Ｇｏを３　ａｔ％添加するだけで
室温でもアモルファスで安定となった。

第７図ａはＴ　ｅ　ａ。Ａ　ｕ　ｓ。に保ちながらＧｏ
の添加量を増加させてゆき、１　ｒｎＷ／μ−のパワー
で照射したときの黒化開始に要する照射時間の変化を示
したものである。

この図よりＴ　ｅ　ｓ。Ａ　ｕ　ｓ。へのＧｅの添加量
を増加していくことによって黒化開始の照射時間は徐徐
に長くなり、Ｇｅの添加量が１７ａｔチをこえるあたり
から急激に黒化速度が遅くなる、すなわち消去速度が実
用的でなくなる。

第７図すは、例えば１　ｍＷ／μ−のパワーで１５μｓ
ｅｃ照射して十分に黒化した部分に、照射時間を６０　
ｎ５ｅｃとして照射パワーを変化して照射したときの白
化開始に要する照射パワーの変化を示している。これか
らＴ　ｅ　ｓ。Ａｕ５ｏＫＧｅを添加することで白化開
始に要する照射パワーは減少するのがわかり、Ｇｏの添
加量がＳａｔ％以上であれば十分な記録感度が得られる
ことがわかる。

この２つの図からＴ　ｅ　ｓ　ｏＡ　ｕ　ｓ　ｏにＧｅ
を５〜１７１贋添加することによって記録特性、消去特
性ともに良好な記録薄膜を得ることができることがわか
る。

以上の実施例１〜４によって、Ｔｏ、Ｇｅ、Ａｕを必須
元素とし、かつ各元素の原子数の割合が第１図のＡ、　
　Ｂ、　　Ｃ，Ｄで囲まれた範囲内を満たす記録薄膜は
、記録特性、消去特性ともに良好な光学情報記録部材を
提供することができることがわかる。

実施例６ 評価材料組成としてＴｅとＧｅとＡｕの原子数比が６５
：１０：２５となるように組成制御を行ない、同時にこ
のＴ　ｅ　ａ　５Ｇ　ｅ　、ｏＡ　ｕ　２５とＯの比を
機械に変化させて複数個の試験用記録部材を作成した。

この場合の記録薄膜の作成方法は４源蒸着が可能な電子
ビーム蒸着機を使用し、それぞれのソースからＴｏ、Ｔ
ａＯ２，Ｇｅ、Ａｕ　を蒸着するものであり、０はＴ　
ｅ　Ｏ２として薄膜中に添加した。他の蒸着条件は前述
の実施例と同様である。

このようにして得られた記録部材を５０℃、９０％ＲＨ
の恒温恒湿槽内に放置し、８３０　ｎｍの光での透過率
変化により耐湿特性を求めた。その結果を第８図ａに示
す。この図より、Ｔ　＠　ｅ　ｓ　Ｇ　＠　１゜Ａ　ｕ
　２５中へ０を添加することにより透過率の変化量が小
さくなり、耐湿性が向上することがわかる。

これはＴ　ｅ　Ｏ２が水蒸気の存在下でＴｅやＧｏが酸
化されるのを防ぐ、いわばバリアの働きをしているもの
と考えられる。この効果は０の添加量が３ａｔ％足らず
でも観察され、添加量が多ければ多いほど耐湿性が向上
するのがわかる。

次に上記記録部材における黒化特性および白化特性をそ
れぞれ第８図すおよび第８図Ｃに示す。

第８図ａはＴ　ｅ、ａ　ｓＧ　＠　１ｏＡ　ｕ　２　ｓ
に保ちすから○の添加量を増化させてゆき、１　ｍＷ／
μ−で照射したときの黒化開始に要する時間の変化を示
したものである。この図より０の添加量を増化していく
ことにより黒化開始の照射時間は徐々に長くなりかつ、
反射率変化Ｒ／Ｒｏも若干減少することがわかる。これ
はＴａＯ２のバリアによってＴｏが結晶化しにくくなっ
ているとともに、Ｔ　ｅ　Ｏ２の増加によってＴｏの相
対量が減少していることに起因しているものと考えられ
る。しかし、０の添加量が３０ａｔ％以下ならば十分な
黒化速度が得られ実用上問題とならないと考えられる。

第８図すは、例えば１　ｍＷ／μぜのパワーで１６μ８
ｅＣ照射して十分に黒化した部分に照射時間を５ｏｎｓ
ｅｃ　として照射パワーを変化して照射したときの、白
化開始に要する照射パワーの変化を示している。これか
らＴ　＠　ｅ　５Ｇ　＠　１゜Ａ　ｕ　２５に０を添加
しても、白化開始に要する照射パワーはほとんど変化せ
ず、白化特性にはほとんど影響しないことがわかる。

以上より、Ｔｅ−Ｇｅ−Ａｕ記録薄膜の耐湿性向上には
０の添加が有効であシ、特に０の添加量が３０　ａｔ％
以下であれば、黒化特性、白化特性ともに良好に保ちな
がら耐湿性を向上させることができることがわかる。

実施例６ 基材として１．２ｔＸ２００φのアクリル樹脂基材を用
い、記録薄膜としてＴ　ｅ　ｓ　ｏＧ　６２゜薄膜およ
びＴｏ　　Ｇｏ　　［Ａｕを３０ａｔ％添加した薄膜す
なわちＴｅ５６Ｇθ１４Ａｕ３゜薄膜を形成して２種類
の光ディスクを試作し、特願昭５８−５８１５８号記載
の方法により信号の記録、消去を行なった。

各記録薄膜の形成方法は実施例１と同様である。

これら２種類の光ディスクを用いて、記録パワー、消去
パワーをそれぞれ８ｍＷ、１５ｍＷとし、消去レーザビ
ーム長は半値幅で約１×１５μｍとじて白化記録、黒化
消去を行なったところ、”　ｅ５６Ｇｅ１４Ａｕ３゜薄
膜を有するディスクでは単一周波数２　ＭＨｚ　、ディ
スクの周速７ｍ／ｇでＣハｓ　ｓ　ｄＢを得、１０万回
記録、消去を繰り返した後にもＣ／Ｎの劣化はほとんど
みられなかった。

一方、Ｔ　＠　ｓ　ｏＧ　＠　２゜薄膜を有するディス
クでは、消去ビームを照射しても全く黒化せず、したが
って信号の記録は全く不可能であった。

発明の効果 本発明によるＴｏＧｏ−Ａｕ記録薄膜を有する光学情報
記録部材は、信号の記録部分はアモルファスとして非常
に安定でありながら、消去時には高速に結晶化するため
に消去感度が非常に良好であり、きわめて実用的な、信
号の記録、消去が可能な光ディスクを提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光学情報記録部材が有する記録薄
膜の組成を示す組成図、第２図は本発明による光学情報
記録部材の一実施例の断面図、第３図は本発明による光
学情報記録部材の評価装置の光学系の概略図、第４図ａ
、　　ｂ、第６図、第６図ａ、　ｂ、第７図ａ、　ｂ、
第８図す、　ｃは光学情報記録部材の黒化特性もしくは
白化特性の評価結果を示すグラフ、第８図ａは光学情報
記録部材の透過率の経時変化を示すグラフである。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　はが１名竺　
　９　　尺４ 第１図 ｅ ７００ｍ！１１５　　　　　　　　　　　　１００Ｑｔ
ｉａメ）　　乙　　レタ 第３図 ｆｆスホ０ント 第４図 ｒｄ） 屈　　、４１′　時　　ルク　（ｆｉ６ｅｃ）（ｂλ 戸、　　　Ｓ　ハロ　ワー　　（＃ｌ’ｌ’／、ａ−〕
第５図 照　　　　射　　Ｅｌｆ　　　／騒５　　　　（、ムー
シＣ）第６図 明、１叫ｇ　（ｉｔ砒） （ｂン 戸、射ハ０ワー　（市Ｗ／Ａｌｌす 第７図 Ｖ区　　　射　　＆！　　　ｒすｊ　　（、ａｓｅｔ）
ｔふ） 東、　＃　ハ’７−（ｙｘ杷ムＬす 第８図 （（ｌ〕 ５ρ′（’　　ｑ、ν＝ンつ＞ｐＨ 襲　道　Ｂ　敗（劃 第８図 １〕；ノ ｖｆＬ　射時　閘　（）勾 （Ｃ）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｕを必須元素として含み、それら
   の各元素の原子数の割合が第１図のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲
   まれた範囲内にある記録薄膜を有することを特徴とする
   光学情報記録部材。
2. （２）添加物質として酸素Ｏを含むことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の光学情報記録部材。
3. （３）酸素の添加量が３０ａｔ％以下であることを特徴
   とする特許請求の範囲第２項記載の光学情報記録部材。