JPH0673991B2

JPH0673991B2 - 光学情報記録素子

Info

Publication number: JPH0673991B2
Application number: JP60159663A
Authority: JP
Inventors: 鋭二大野; 邦夫木村; 進佐内; 昇山田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1985-07-18
Filing date: 1985-07-18
Publication date: 1994-09-21
Anticipated expiration: 2009-09-21
Also published as: JPS6219490A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明はレーザ光線等を用いて情報信号を高密度かつ高
速度で光学的に記録再生し、かつ情報の書き換えが可能
な光学情報記録素子に関するものである。

従来の技術レーザ光線を利用して高密度な情報の記録再生を行なう
技術は既に公知であり、現在、文書フアイルシステム
や、静止画フアイルシステム等への広用がさかんに行な
われている。また書き換え可能なタイプの記録システム
についても研究開発の事例が報告されつつある。これら
は主にTeのアモルフアスと結晶との間の状態変化を利用
しており、例えば、比較的強くて短いパルス光を照射し
て照射部を昇温状態から急冷してアモルフアス状態に
し、その光学定数を減少させ（白化する）、また、比較
的弱くて長いパルス光を照射して結晶状態にし光学定数
を増大させる（黒化する）ことにより記録消去を行なう
ものであり、記録は一般に光学定数を減少させる方向、
消去は増大する方向を利用しようというものである。

Teは室温では結晶として安定であり、アモルフアス状態
としては存在しない。したがつて室温でアモルフアス状
態で安定に存在させるために様々な添加物が提案されて
おり、代表的な添加物の一つとしてGeが広く知られてい
る。

GeはTe-Ge薄膜中においてネツトワーク構造を形成する
働きがあり、したがつて室温でもTe-Ge薄膜はアモルフ
アス状態で安定に存在することができる。

しかし、このTe-Ge薄膜も光学記録薄膜の観点から大き
く二つに分類することができる。すなわちTe-Ge薄膜は
蒸着法、スパツタリング法等で形成されたときには、ほ
とんどの組成範囲においてアモルフアスとして安定であ
る。しかしながら一旦結晶化した後は、比較的強くて短
いパルス光を照射して照射部を昇温状態から急冷した場
合、Geの濃度（原子数の百分率、以下同じ）が約40％以
下では再びアモルフアスになるが、約40％以上ではアモ
ルフアスにはもどらず結晶となる。このうち、信号の記
録、消去が可能であるのは結晶化部分がレーザ照射によ
り、再びアモルフアスとなるGe濃度が40％以下のTe-Ge
薄膜であるが、この記録薄膜は、アモルフアスとして非
常に安定であるため、比較的弱くて長いパルス光を照射
して照射部を徐熱・徐冷しても結晶化速度が遅すぎて実
用には向いていない。

Te-Geを主成分とした記録薄膜としては例えばGe₁₅ Te₈₁
Sb₂ S₂等があるが（特公昭47-26897号公報）、これは
消去感度がまだ不十分であり、かつ、書き込みコントラ
スト比が不十分である。

一方、TeとTeO₂の混合物であるTeOx薄膜にPdを添加する
ことにより、結晶化速度を大巾に改善できるということ
が明らかにされている（特願昭59-192003号）。

しかし、このTeOx-Pd記録薄膜においては一度黒化させ
ると再び白化させることは困難であり、したがつて書き
換え可能な記録薄膜としては使用し難い。

発明が解決しようとする問題点結局、従来のTe-Geを主成分とする記録薄膜を有する書
き換え可能な光デイスクでは、消去速度が遅くかつ消去
感度が不十分であり、加えて、黒化部と白化部の光学定
数の差が小さいために書き込みコントラスト比が不十分
であるという欠点を有していた。

他方、従来のTeOx-Pd記録薄膜は黒化速度は十分に速い
ものの再び白化することは困難であるため、書き換え可
能な光デイスクとしては使用できなかつた。

本発明はかかる点に鑑み、従来のTe-Ge薄膜のアモルフ
アスとして非常に安定であるという特徴と、TeOx-Pd薄
膜に見られるような高速に黒化（結晶化）するという特
徴を同時に有する書き換え可能な光学情報記録部材を提
供しようとするものであり、したがつて、これら２つの
問題点を解明しなければならない。

まず、Te-Ge薄膜に比較的強くて短いパルス光を照射し
て照射部を昇温状態から急冷した場合における、Ge濃度
の違いによる照射部の状態変化の違いは以下のように考
えられる。

つまり、強力短パルスレーザ光の照射後再びアモルフア
スとなるGe濃度が原子数百分率で約40％以下の範囲で
は、レーザ光照射後の冷却時において、Teが六方晶の針
状結晶を形成しようとする中へGeがはいりこんでネツト
ワーク構造を形成するため、Teの結晶成長がさまたげら
れると考えられる。

これに反し、レーザ光を照射後アモルフアスにもどらず
結晶となるGe濃度（同上）約40％以上の範囲では、レー
ザ光照射後の冷却時に多大なGeによるTeGeの結晶が折出
し、このTeGeの結晶が立方晶であるため容易に粒成長す
るため、レーザ光照射時程度の冷却速度ではアモルフア
スにはならないで結晶となつてしまうものと考えられ
る。

しかしながら、アモルフアス化（情報記録）にとつては
望ましいGe濃度約40％以下のTe-Ge薄膜は、結晶化を目
的として比較的弱くかつ十分に長いパルス光を照射して
照射部を徐熱、徐冷しても、アモルフアスとして非常に
安定であるため結晶化速度が遅く、かつ、結晶成長が不
十分であるためアモルフアス状態と結晶状態間の光学定
数変化が小さくなつて書き込みコントラスト比が不十分
であり、実用には向いていない。

また、TeとTeO₂の混合物であるTeOx薄膜にPdを添加する
構成は、前述のとおり、黒化、すなわち結晶化の速度が
大巾に改善されることが明らかにされているが、これは
TeOx-Pd薄膜にレーザ光を照射した場合の徐冷却時にPd
がTe-Pd系の何らかの化合物を形成し、この化合物はTe
の結晶化を促進する一種の結晶核のような働きをするも
のと考えられる。しかしながら、このTeOx-Pd記録薄膜
は一度黒化させると再び白化させることは困難であるた
め、書き換え可能な記録薄膜としては使用できない。

問題点を解決するための手段本発明による記録薄膜は上記事実に基づいて構成された
もので、Ge原子濃度が約40％以下のアモルフアスとして
安定なTe-Ge薄膜に、結晶化速度を向上させるためのPd
を添加した記録薄膜であり、かつ各元素の原子数の割合
を制限することによつて、アモルフアスとして非常に安
定でありながら、結晶化時には結晶化速度が十分に大き
い、すなわち、信号の記録、消去がレーザ光により十分
実用可能な光学情報記録薄膜を提供するものである。す
なわち、基板上に形成された薄膜が、必須元素としてT
e、Ge及びPdを含み、各元素Te、Ge及びPdの原子数の割
合（％）をそれぞれｘ＝50〜90、ｙ＝５〜25及びｚ＝５
〜30としてｘ＋ｙ＋ｚ＝100により規制し、ａ）Teの割合ｘ＝50〜65の範囲では、Geの割合ｙが凡そ
70−ｘ≦ｙ≦1/3（ｘ＋10）の範囲から選択され、ｂ）Teの割合ｘ＝65〜70の範囲では、Geの割合ｙがｙ＝
５〜25の全範囲から凡そ選択され、ｃ）Teの割合ｘ＝70〜90の範囲では、Geの割合が凡そ５
≦ｙ≦95−ｘの範囲から選択されたことを特徴とするものである。

作用上記した本発明の構成は、発明者による種々の実験研究
の成果として得られた発見にもとづくものである。すな
わち発明者らはアモルフアスとして非常に安定なGe原子
の含有量が40％以下（危険率を見込んで25％以下）のTe
-Ge薄膜の特定組成範囲に適量（30％以下）のPdを添加
すると、アモルフアスとして非常に安定でありながら、
かつ、黒化速度・黒化感度とも非常にすぐれた、光学的
に信号の書き換えが可能な記録薄膜となるということを
見い出した。

このTe-Ge-Pd記録薄膜中におけるGeの働きは、アモルフ
アス状態においてTeあるいはTe-Pd化合物が結晶化しよ
うとする中へはいりこんでネツトワーク構造を形成し、
アモルフアス状態を安定に保つものであると考えられ
る。

またPdの働きは、消去時にTe-PdあるいはGe-Pdというよ
うな何らかの化合物を形成することにより、結晶成長を
促進する結晶核のようなものになると考えられ、したが
つてGeを含む記録薄膜でありながら十分な消去速度、消
去感度が得られる。また、Pdの存在によつて記録薄膜の
透過率が低下し、逆に光の吸収率が上昇して高感度とな
る。

実施例の説明次に、本発明において記録薄膜中の各元素の原子数の割
合を限定した理由につき、実施例に従つて説明する。

第１図はTe原子ｘ＝50〜65（％）においてGe原子ｙに
つき、70−ｘ≦ｙ≦1/3（ｘ＋10）、同ｘ＝65〜70に
おいて同ｙ＝５〜25、同ｘ＝70〜90において同ｙ＝つ
き、５≦ｙ≦95−ｘの割合を与える三角座標（各頂点を
Te,Ge及びPdのいずれか一つの100％濃度位置とし、対応
する辺を０％としてその間を等間隔目盛としたもの）内
の四辺形ABCDを示すものであり、上記の範囲は下部三
角形部分ECD内に対応し、の範囲は中央の四辺形部分B
EDF内に、そしての範囲は上部三角形部分ABF内に対応
するものである。

第１図の直線ABよりPdの少ない領域では、Pdの効果が十
分でない、すなわち結晶化速度があまり改善されない領
域であり、信号の消去速度の大巾な向上は期待できな
い。

また、直線CDよりPdの多い領域と、直線DAよりGeの少な
い領域は、アモルフアスとして不安定であるか、あるい
はアモルフアスにするために大きなレーザ照射パワーを
必要とする領域である。すなわち、直線CDよりPdの多い
領域ではPdの添加効果が大きすぎるために、また、直線
DAよりGeの少ない領域ではGeの添加効果が小さすぎるた
めに、記録薄膜が室温中で容易に結晶化するか、あるい
は加熱・急冷用レーザ光（白化用レーザ光）を照射して
もアモルフアスとなりにくく結晶化してしまうために、
より大きな急冷条件、したがつてより大きな白化用レー
ザパワーを必要とし、実用的でない領域である。

また、直線BCよりGeの多い領域はいわば、GeTe₂に近い
組成にPdを添加した領域であり、この場合GeTe₂はアモ
ルフアスとして非常に安定であるためいかなる量のPdを
添加しても結晶化速度の改善度合が小さく実用的でな
い。

以上がTe、Ge、及びPdについてその組成比を第１図の四
辺形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた領域に限定した理由であ
る。この領域にある記録薄膜を有する光デイスクは、実
用上十分な信号の記録、消去感度と高いC/Nを有してい
る。

念のため、第１図におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの各点の座標
（ｘ、ｙ、ｚ）を示す。

次に、好ましい実施例においては、第１図のＡ、Ｂ、
Ｃ、Ｄで囲まれた領域にある記録薄膜に酸素０を添加す
ることによつて、耐湿性が向上することが認められる。

すなわち、前記記録薄膜の劣化機構の１つとして、水蒸
気の存在下でTe、Geが酸化されるということがあげられ
るが、ＯをTeO₂として添加することにより、記録薄膜中
のTe、Geの酸化促進を防ぐバリアとしての働きをするも
のと考えられる。この場合、Ｏの添加効果は少量でも認
められるが、逆に添加しすぎると信号の記録・消去特性
の劣化を起こすため、Ｏの添加量は30％以下が良い。

次に図面を参照しながら本発明の実施例をさらに詳しく
説明する。

第２図は本発明による光学情報記録素子の断面図であ
る。

（１）は基板で、PMMA、ポリカーボネート、塩化ビニー
ル、ポリエステル等の透明な樹脂やガラス等を用いるこ
とができる。

（２）は記録薄膜であり、基板（１）上に蒸着、スパツ
タリング等によつて形成され、膜組成はオージエ電子分
光法、誘導結合高周波プラズマ発光分析法、Ｘ線マイク
ロアナリシス法等を用いて決定することができる。

記録薄膜の組成制御を容易かつ精度よく行なうために以
下の実施例１〜４では３源蒸着が可能な電子ビーム蒸着
機を用いて、Te、Ge、Pdをそれぞれのソースから基材
（アクリル樹脂基板10×20×1.2mm）上に蒸着し、試験
片とした。蒸着は真空度１×10^-5Torr以下で行ない、薄
膜の厚さは約1200Åとした。各ソースからの蒸着速度は
記録薄膜中のTe、Ge、Pdの原子数の割合を調整するため
にいろいろ変化させた。また薄膜形成は、基材を150rpm
で回転しながら行なつた。

次に上記方法により作成した試験片の黒化特性（消去特
性）、白化特性（記録特性）を評価する方法について第
３図を参照しながら説明する。

同図において半導体レーザー（３）を出た波長830nmの
光は第１のレンズ（４）によつて疑似平行光（５）とな
り第２のレンズ（６）で丸く整形された後、第３のレン
ズ（７）で再び平行光になり、ハーフミラー（８）を透
過して第４のレンズ（９）で試験片（10）上に波長限界
約0.8μｍの大きさのスポツト（11）となるように集光
され記録が行なわれる。

信号の検出は、試験片（10）からの反射光をハーフミラ
ー（８）を介して受け、レンズ（12）を通して光感応ダ
イオード（13）に入射させて行なつた。

このようにして半導体レーザーを変調して、試験片上に
照射パワーと照射時間のちがう種々のパルスレーザー光
を照射することにより黒化特性、色化特性を知ることが
できる。

黒化特性の評価には、照射パワーを比較的小さく例えば
1mw/μm²程度のパワー密度に固定し、その照射時間を変
えて黒化開始の照射時間を測定する方法を適用し、白化
特性の評価には、記録部材をあらかじめ黒化しておき、
照射時間を例えば50n秒程度に固定し白化に必要な照射
光パワーを測定する方法を適用した。

作成した試験片を上記評価方法を用いて評価した結果を
以下に示す。

実施例１評価材料組成としてTeとGeの原子数比が85:15となるよ
うに組成制御を行ない、同時にこのTe₈₅Ge₁₅とPdの比を
様々に変化させて複数の試験用記録部材を作成した。

第４図（ａ）はTe₈₅Ge₁₅の組成を保ちながらPdの添加量
をパラメータとして増加させてゆき、1mw/μm²のパワー
で照射したときの黒化開始に要する照射時間の変化を示
したものである。この図よりPdを添加することによつて
黒化開始の照射時間は大巾に短縮され、かつ反射率変化
R/Roも大きくなることがわかる。Pdを添加しない場合、
Te₈₅Ge₁₅は1mw/μm²、10μ秒の照射では全く黒化しなか
つたが、Pdの添加量（原子百分率）が５％程度で既に十
分な効果が得られた。

第４図（ｂ）は、例えば1mw/μm²のパワーで15μ秒照射
して十分に黒化した部分に、一定の照射時間50μ秒にお
いて照射パワーを種々に変化して照射したときの白化開
始に要する照射パワーの違いを示している。これから、
Te₈₅Ge₁₅にPdを添加することで白化開始に要する照射パ
ワーは増大するものの、Pdの添加量が30％以下であれば
白化に必要な照射パワーは実用上問題にならないことが
わかる。

この２つの図からTe₈₅Ge₁₅にPdを５〜30％添加すること
によつて記録特性をそこなうことなく、消去速度を大巾
に改善できることがわかる。

実施例２評価材料組成としてTeとGeの原子数比が67:33となるよ
うに組成制御を行ない、同時にこのTe₆₇Ge₃₃とPdの比を
様々に変化させて複数の試験用記録部材を作成した。第
５図はTe₆₇Ge₃₃に保ちながらPdの添加物を増加させてゆ
き、1mw/μm²のパワーで照射したときの黒化開始に要す
る照射時間の変化を示したものである。この図よりPdを
添加することによつて10μ秒の照射では全く黒化しない
Te₆₇Ge₃₃が黒化するようになるのが認められ黒化開始に
要する照射時間は短縮されるのがわかるが、その程度は
小さく実用的でない。

これはTe₆₇Ge₃₃はアモルフアスとして非常に安定なTe₂G
eとなる組成であり、アモルフアスとして安定でありす
ぎるためPdを添加してもその添加効果が十分に得られな
いためと考えられる。

実施例３評価材料組成としてTeとPdの原子数比が90:10となるよ
うに組成制御を行ない、同時にこのTe₁₀Pd₁₀とGeの比を
様々に変化させて複数の試験用記録部材を作成した。Te
₉₀Ge₁₀は作成時には室温では結晶であるのに対し、Geを
３％添加すると、室温で安定なアモルフアスとなつた。

第６図（ａ）はTe₉₀Pd₁₀に保ちながらGeの添加量を増加
させてゆき、1mw/μm²のパワーで照射したときの黒化開
始に要する照射時間の変化を示したものである。この図
よりTe₉₀Pd₁₀へのGeの添加量を増加していくことによつ
て黒化開始の照射時間は徐々に長くなり、Geの原子の添
加量が23％をこえるあたりから急激に黒化速度が遅くな
る、すなわち消去速度が実用的でなくなる。

第６図（ｂ）は、例えば1mw/μm²のパワーで15n秒照射
して十分に黒化した部分に、一定の照射時間を50n秒に
おいてて照射パワーを変化することにより照射したとき
の白化開始に要するパワーの変化を示している。これか
ら、Te₉₀Pd₁₀にGeを添加することで白化開始に要する照
射パワーは減少することがわかり、Geの添加量が５％以
上であれば十分な記録感度が得られることがわかる。結
局、これら２つの図からTe₉₀Pd₁₀に対してはGe原子を５
〜23％添加することによつて記録特性、消去特性ともに
良好な記録薄膜を得ることができることがわかる。

実施例４評価材料組成としてTeとPdの原子数比が70:30となるよ
うに組成制御を行ない、同時にこのTe₇₀Pd₃₀とGeの比を
様々に変化させて複数の試験用記録部材を作成した。

Te₇₀Pd₃₀は作成時には室温では結晶であるのに対し、Ge
原子を３％添加するだけで室温においても安定なモルフ
アスとなつた。

第７図（ａ）はTe₇₀Pd₃₀に保ちながらGeの添加量を増加
させてゆき、1mw/μm²のパワーで照射したときの黒化開
始に要する照射時間の変化を示したものである。

この図よりTe₇₀Pd₃₀へのGeの添加量を増加していくこと
によつて黒化開始の照射時間は徐々に長くなり、Ge原子
の添加量が20％をこえるあたりから急激に黒化速度が遅
くなる、すなわち消去速度が実用的でなくなる。

第７図（ｂ）は、例えば1mw/μm²のパワーで15μ秒照射
して十分に黒化した部分に、一定の照射時間50n秒にお
いて照射パワーを変化して照射したときの白化開始に要
する照射パワーの変化を示している。これからTe₇₀Pd₃₀
にGeを添加することで白化開始に要する照射パワーは減
少するのがわかり、Ge原子の添加量が５％以上であれば
十分な記録感度が得られることがわかる。

この２つの図からTe₇₀Pd₃₀にGe原子を５〜20％添加する
ことによつて記録特性、消去特性ともに良好な記録薄膜
を得られることがわかる。

以上の実施例１〜４によつて、Te、Ge、Pdを必須元素と
し、かつ各元素の原子数の割合が第１図のＡ、Ｂ、Ｃ、
Ｄで囲まれた範囲内を満たす記録薄膜は、記録特性、消
去特性ともに良好な光学情報記録部材を提供することが
できることがわかる。

実施例５評価材料組成としてTeとGeとPdの原子数比が75:15:10と
なるように組成制御を行ない、同時にこのTe₇₅Ge₁₅Pd₁₀
とＯの比を様々に変化させて複数個の試験用記録部材を
作成した。この場合の記録薄膜の作成方法は４源蒸着が
可能な電子ビーム蒸着機を使用し、それぞれのソースか
らTe、TeO₂、Ge、Pdを蒸着するものであり、ＯはTeO₂と
して薄膜中に添加した。他の蒸着条件は実施例１と同様
である。

このようにして得られた記録部材を50℃、90％RHの恆温
恆湿槽内に放置し、830nmの光での透過率変化により耐
湿特性を求めた。その結果を第８図（ａ）に示す。この
図より、Te₇₅Ge₁₅Pd₁₀中へＯを添加することにより透過
率の変化量が小さくなり、耐湿性が向上することがわか
る。これはTeO₂が水蒸気の存在下でTeやGeが酸化される
のを防ぐ、いわばバリアの働きをしていると考えられる
からである。この効果はＯ原子の添加量が３％足らずで
も観察され、添加量が多ければ多いほど耐湿性が向上す
るのがわかる。

次に上記記録部材における黒化特性および白化特性をそ
れぞれ第８図（ｂ）および第８図（ｃ）に示す。

第８図（ｂ）はTe₇₅Ge₁₅Pd₁₀に保ちながらＯの添加量を
増化させてゆき、1mw/μm²で照射したときの黒化開始に
要する時間の変化を示したものである。この図よりＯの
添加量を増大していくことにより黒化開始の照射時間は
徐々に長くなり、かつ、反射率変化R/Roも若干減少する
ことがわかる。これはTeO₂のバリアによつてTeが結晶化
しにくくなるとともに、TeO₂の増加によつてTeの相対量
が減少していることに起因するものと考えられる。しか
し、Ｏ原子の添加量が30％以下ならば十分な黒化速度が
得られ実用上問題とならないと考えられる。

第８図（ｃ）は、例えば1mw/μm²のパワーで15μ秒照射
することにより十分に黒化した部分に一定の照射時間50
n秒において照射パワーを変化して照射したときの、白
化開始に要する照射パワーの変化を示している。これか
らTe₇₅Ge₁₅Pd₁₀にＯを添加しても、白化開始に要する照
射パワーはほとんど変化せず、白化特性にはほとんど影
響しないことがわかる。

以上より、Te-Ge-Pd記録薄膜の耐湿性向上にはＯの添加
が有効であり、特にＯの添加量が30％以下であれば、黒
化特性、白化特性ともに良好に保ちながら耐湿性を向上
させうることがわかる。

実施例６基材として1.2t×200φのアクリル樹脂基材を用い、記
録薄膜としてTe₈₀Ge₂₀薄膜およびTe₈₀Ge₂₀にPdを10％添
加した薄膜すなわちTe₇₂Ge₁₈Pd₁₀薄膜を形成して２種類
の光デイスクを試作し、特願昭58-58158号記載の方法に
より信号の記録、消去を行なつた。

各記録薄膜の形成方法は実施例１と同様である。

これら２種類の光デイスクを用いて、記録パワー、消去
パワーをそれぞれ8mw、15mwとし、消去レーザビーム長
は半値巾で約１×15μｍとして白化記録、黒化消去を行
なつたところ、Te₇₂Ge₁₈Pd₁₀薄膜を有するデイスクでは
単一周波数2MHz、デイスクの周速7m/sでC/N55dBを得、
しかも10万回記録、消去を繰り返した後にもC/Nの劣化
はほとんどみられなかつた。

一方、Te₈₀Ge₂₀薄膜を有するデイスクでは、消去ビーム
を照射しても全く黒化せず、したがつて信号の記録は全
く不可能であつた。

発明の効果以上述べてきたように、本発明によるTe-Ge-Pd記録薄膜
を有する光学情報記録部材は、信号の記録部分はアモル
フアスとして非常に安定でありながら、消去時には高速
に結晶化するために消去感度が非常に良好であるため
に、きわめて実用的な、信号の記録・消去が可能な光デ
イスクを提供することができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光学情報記録部材が有する記録薄
膜の組成を限定した組成図、第２図は本発明による光学
情報記録部材の一実施例の断面図、第３図は本発明によ
る光学情報記録部材の評価装置の光学系の概略図、第４
図（ａ）、（ｂ）、第５図、第６図（ａ）、（ｂ）、第
７図（ａ）、（ｂ）、第８図（ｂ）、（ｃ）は光学情報
記録部材の黒化特性もしくは白化特性の評価結果を示す
グラフ、第８図（ａ）は光学情報記録部材の透過率の経
時変化を示すグラフである。（１）……基板（２）……記録薄膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された薄膜が、必須元素とし
てTe、Ge及びPdを含み、各元素Te、Ge及びPdの原子数の
割合（％）をそれぞれｘ＝50〜90、ｙ＝５〜25及びｚ＝
５〜30としてｘ＋ｙ＋ｚ＝100により規制し、ａ）Teの割合ｘ＝50〜65の範囲では、Geの割合ｙが凡そ
70−ｘ≦ｙ≦1/3（ｘ＋10）の範囲から選択され、ｂ）Teの割合ｘ＝65〜70の範囲では、Geの割合ｙがｙ＝
５〜25の全範囲から凡そ選択され、ｃ）Teの割合ｘ＝70〜90の範囲では、Geの割合が凡そ５
≦ｙ≦95−ｘの範囲から選択されたことを特徴とするアモルフアス化及び結晶化可能な薄膜
を含む光学情報記録素子。
【請求項２】添加物質として酸素Ｏを含むことを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の光学情報記録素
子。
【請求項３】酸素の添加量（原子数百分率）が30％以下
であることを特徴とする特許請求の範囲第（２）項記載
の光学情報記録素子。