JPH05345478A - 光情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH05345478A JPH05345478A JP4141485A JP14148592A JPH05345478A JP H05345478 A JPH05345478 A JP H05345478A JP 4141485 A JP4141485 A JP 4141485A JP 14148592 A JP14148592 A JP 14148592A JP H05345478 A JPH05345478 A JP H05345478A
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- recording
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 消去比が高く、低パワーで記録、消去の繰返
しが可能な相変化型情報記録媒体を提供すること。 【構成】 レーザー光の照射により情報の記録、消去、
再生を行う書き換え可能な光情報記録媒体において、記
録層がAg,In,Sb,Teを含む4元系の相変化形
記録材料を主成分として含有し、未記録および消去時に
化学量論組成あるいはそれに近いAgSbTe2微結晶
相が存在することを特徴とする光情報記録媒体。
しが可能な相変化型情報記録媒体を提供すること。 【構成】 レーザー光の照射により情報の記録、消去、
再生を行う書き換え可能な光情報記録媒体において、記
録層がAg,In,Sb,Teを含む4元系の相変化形
記録材料を主成分として含有し、未記録および消去時に
化学量論組成あるいはそれに近いAgSbTe2微結晶
相が存在することを特徴とする光情報記録媒体。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は情報記録媒体、特に相変
化形情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換が可能である情報記録媒体に関するも
のであり、光メモリー関連機器に応用される。
化形情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換が可能である情報記録媒体に関するも
のであり、光メモリー関連機器に応用される。
【0002】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。その代表的な例として、USP3
530441に開示されているように、Ge−Te,G
e−Te−Sn,Ge−Te−S,Ge−Se−S,G
e−Se−Sb,Ge−As−Se,In−Te,Se
−Te,Se−Asなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ge−Te系にAu(特開昭61−21969
2)、Sn及びAu(特開昭61−270190)、P
d(特開昭62−19490)などを添加した材料の提
案や、記録/消去の繰り返し性能向上を目的にGe−T
e−Se−Sb,Ge−Te−Sbの組成比を特定した
材料(特開昭62−73438、特開昭63−2284
33)の提案などもなされている。しかしながら、その
いずれもが相変化形書換可能光メモリー媒体として要求
される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえない。
特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の消
し残りによる消去比低下の防止、ならびに記録部、未記
録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっている。
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。その代表的な例として、USP3
530441に開示されているように、Ge−Te,G
e−Te−Sn,Ge−Te−S,Ge−Se−S,G
e−Se−Sb,Ge−As−Se,In−Te,Se
−Te,Se−Asなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ge−Te系にAu(特開昭61−21969
2)、Sn及びAu(特開昭61−270190)、P
d(特開昭62−19490)などを添加した材料の提
案や、記録/消去の繰り返し性能向上を目的にGe−T
e−Se−Sb,Ge−Te−Sbの組成比を特定した
材料(特開昭62−73438、特開昭63−2284
33)の提案などもなされている。しかしながら、その
いずれもが相変化形書換可能光メモリー媒体として要求
される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえない。
特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の消
し残りによる消去比低下の防止、ならびに記録部、未記
録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっている。
【0003】特開昭63−251290では結晶状態が
実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を具
備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三元
以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を持
った化合物(たとえばIn3SbTe2)を記録層中に9
0原子%以上含むものとされている。このような記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるとし
ている。しかしながら消去比が低い、記録消去に要する
レーザーパワーが未だ十分に低減されてはいないなどの
欠点を有している。これらの事情から消去比が高く、高
感度の記録、消去に適する記録材料の開発が望まれてい
た。
実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を具
備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三元
以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を持
った化合物(たとえばIn3SbTe2)を記録層中に9
0原子%以上含むものとされている。このような記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるとし
ている。しかしながら消去比が低い、記録消去に要する
レーザーパワーが未だ十分に低減されてはいないなどの
欠点を有している。これらの事情から消去比が高く、高
感度の記録、消去に適する記録材料の開発が望まれてい
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は以上の
ような事情に対するものであり、消去比が高く、低パワ
ーで記録−消去の繰り返しが可能な情報記録媒体および
その製造方法を提供するものである。
ような事情に対するものであり、消去比が高く、低パワ
ーで記録−消去の繰り返しが可能な情報記録媒体および
その製造方法を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは改善
に鋭意研究を重ねた結果、前述目的に合致する記録材料
とその製造方法を見出した。即ち、本発明は(1)レー
ザー光の照射により情報の記録、消去、再生を行う書き
換え可能な光情報記録媒体において、記録層がAg,I
n,Sb,Teを含む4元系の相変化形記録材料を主成
分として含有し、未記録および消去時に化学量論組成あ
るいはそれに近いAgSbTe2微結晶相が存在する光
情報記録媒体、(2)記録層の安定状態と準安定状態と
の間の転移を利用して記録消去を行う情報記録媒体にお
いて、基板上に設けられた記録層の安定状態における組
成および化学構造が主として、化学量論組成あるいはそ
れに近いAgSbTe2相とInとSbからなるの相と
の混相状態をとる光情報記録媒体、(3)情報未記録時
には記録層の安定状態が、情報記録時には記録層の安定
状態と準安定状態が存在する(2)記載の光記録媒体、
(4)記録層の安定状態において、化学量論組成あるい
はそれに近いAgSbTe2が結晶状態である(2)記
載の光記録媒体、(5)記録層の安定状態において、結
晶状態のInSbZが観測されない(2)記載の光記録
媒体、(6)請求項4に記載の化学量論組成あるいはそ
れに近いAgSbTe2の結晶子径が1000Å以下で
ある(4)記載の光記録媒体、(7)記録層の安定状態
と準安定状態との間の転移を利用して記録消去を行う情
報記録媒体において、基板上に設けられた記録層の安定
状態における組成および化学構造が主として (AgSbTe2+δ/△)X(InSbZ)1-X ただし、
に鋭意研究を重ねた結果、前述目的に合致する記録材料
とその製造方法を見出した。即ち、本発明は(1)レー
ザー光の照射により情報の記録、消去、再生を行う書き
換え可能な光情報記録媒体において、記録層がAg,I
n,Sb,Teを含む4元系の相変化形記録材料を主成
分として含有し、未記録および消去時に化学量論組成あ
るいはそれに近いAgSbTe2微結晶相が存在する光
情報記録媒体、(2)記録層の安定状態と準安定状態と
の間の転移を利用して記録消去を行う情報記録媒体にお
いて、基板上に設けられた記録層の安定状態における組
成および化学構造が主として、化学量論組成あるいはそ
れに近いAgSbTe2相とInとSbからなるの相と
の混相状態をとる光情報記録媒体、(3)情報未記録時
には記録層の安定状態が、情報記録時には記録層の安定
状態と準安定状態が存在する(2)記載の光記録媒体、
(4)記録層の安定状態において、化学量論組成あるい
はそれに近いAgSbTe2が結晶状態である(2)記
載の光記録媒体、(5)記録層の安定状態において、結
晶状態のInSbZが観測されない(2)記載の光記録
媒体、(6)請求項4に記載の化学量論組成あるいはそ
れに近いAgSbTe2の結晶子径が1000Å以下で
ある(4)記載の光記録媒体、(7)記録層の安定状態
と準安定状態との間の転移を利用して記録消去を行う情
報記録媒体において、基板上に設けられた記録層の安定
状態における組成および化学構造が主として (AgSbTe2+δ/△)X(InSbZ)1-X ただし、
【0006】
【数2】
【0007】0.4≦x≦0.55 0.5≦Z≦2.5 −0.15<δ<0.1 で表わされる光記録媒体、(8)情報未記録時には記録
層の安定状態が、情報記録時には記録層の安定状態と準
安定状態が存在する(7)記載の光記録媒体、(9)記
録層の安定状態において、化学量論組成あるいはそれに
近いAgSbTe2が結晶状態である(7)記載の光記
録媒体、(10)記録層の安定状態において、結晶状態
のInSbZが観測されない(7)記載の光記録媒体、
(11)化学量論組成あるいはそれに近いAgSbTe
2の結晶子径が1000Å以下である(9)記載の光記
録媒体、(12)基板上に記録層と保護層と反射放熱層
を有する光情報記録媒体において、記録層がAg,I
n,Sb,Teからなり、溶融後急冷することにより均
一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点
以下に加熱徐冷することにより、少なくともIn,Sb
からなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそ
れに近いAgSbTe2結晶が50Åから500Åの結
晶子径で分散した組織となっている光情報記録媒体、
(13)基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する
光情報記録媒体において、記録層がAg,In,Sb,
Teからなり、溶融後急冷することにより均一なアモル
ファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱
徐冷することにより、少なくともIn,Sbからなるア
モルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いA
gSbTe2結晶が50Åから500Åの結晶子径で分
散し、各結晶粒の結晶方位が2000Åから10000
Åの領域で等しくなっている光情報記録媒体、(14)
基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する光情報記
録媒体において、記録層がAg,In,Sb,Teから
なり、溶融後急冷することにより均一なアモルファス相
となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱徐冷する
ことにより、少なくともIn,Sbからなるアモルファ
ス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いAgSbT
e2結晶が50Åから500Åの結晶子径で分散した組
織となっており、前記保護層がAlNである光情報記録
媒体、(15)基板上に記録層と保護層と反射放熱層を
有する光情報記録媒体において、記録層がAg,In,
Sb,Teからなり、溶融後急冷することにより均一な
アモルファス相となり、そのアモルファス相を融点以下
に加熱徐冷することにより、少なくともIn,Sbから
なるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに
近いAgSbTe2結晶が50Åから500Åの結晶子
径で分散し、各結晶粒の結晶方位が2000Åから10
000Åの領域で等しくなっており、前記保護層がAl
Nである光情報記録媒体、(16)記録層の準安定状態
において、結晶状態の化学量論組成あるいはそれに近い
AgSbTe2が観測されない(7)記載の光記録媒
体、(17)記録層の準安定状態において、結晶状態の
InSbZが観測されない(2)記載の光記録媒体、
(18)記録層の安定状態及び準安定状態において、A
g,Sb,Te,Inの各元素の単体からなる結晶が観
測されない(7)記載の光記録媒体、(19)記録層の
安定状態及び準安定状態において、結晶状態のAgIn
Te2が観測されない(7)記載の光記録媒体、(2
0)AgInTe2とSbを原材料として用いて記録層
を製膜し、レーザー光、熱等により初期化を施すことに
より(4)又は(5)記載の安定状態の記録層を得る
(2)記載の光記録媒体の製造方法、(21)上記(1
5)において、主にAgInTe2とSbとからなるタ
ーゲットを用い、スパッタ法により製膜する(20)記
載の光記録媒体の製造方法、に関するものである。
層の安定状態が、情報記録時には記録層の安定状態と準
安定状態が存在する(7)記載の光記録媒体、(9)記
録層の安定状態において、化学量論組成あるいはそれに
近いAgSbTe2が結晶状態である(7)記載の光記
録媒体、(10)記録層の安定状態において、結晶状態
のInSbZが観測されない(7)記載の光記録媒体、
(11)化学量論組成あるいはそれに近いAgSbTe
2の結晶子径が1000Å以下である(9)記載の光記
録媒体、(12)基板上に記録層と保護層と反射放熱層
を有する光情報記録媒体において、記録層がAg,I
n,Sb,Teからなり、溶融後急冷することにより均
一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点
以下に加熱徐冷することにより、少なくともIn,Sb
からなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそ
れに近いAgSbTe2結晶が50Åから500Åの結
晶子径で分散した組織となっている光情報記録媒体、
(13)基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する
光情報記録媒体において、記録層がAg,In,Sb,
Teからなり、溶融後急冷することにより均一なアモル
ファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱
徐冷することにより、少なくともIn,Sbからなるア
モルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いA
gSbTe2結晶が50Åから500Åの結晶子径で分
散し、各結晶粒の結晶方位が2000Åから10000
Åの領域で等しくなっている光情報記録媒体、(14)
基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する光情報記
録媒体において、記録層がAg,In,Sb,Teから
なり、溶融後急冷することにより均一なアモルファス相
となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱徐冷する
ことにより、少なくともIn,Sbからなるアモルファ
ス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いAgSbT
e2結晶が50Åから500Åの結晶子径で分散した組
織となっており、前記保護層がAlNである光情報記録
媒体、(15)基板上に記録層と保護層と反射放熱層を
有する光情報記録媒体において、記録層がAg,In,
Sb,Teからなり、溶融後急冷することにより均一な
アモルファス相となり、そのアモルファス相を融点以下
に加熱徐冷することにより、少なくともIn,Sbから
なるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに
近いAgSbTe2結晶が50Åから500Åの結晶子
径で分散し、各結晶粒の結晶方位が2000Åから10
000Åの領域で等しくなっており、前記保護層がAl
Nである光情報記録媒体、(16)記録層の準安定状態
において、結晶状態の化学量論組成あるいはそれに近い
AgSbTe2が観測されない(7)記載の光記録媒
体、(17)記録層の準安定状態において、結晶状態の
InSbZが観測されない(2)記載の光記録媒体、
(18)記録層の安定状態及び準安定状態において、A
g,Sb,Te,Inの各元素の単体からなる結晶が観
測されない(7)記載の光記録媒体、(19)記録層の
安定状態及び準安定状態において、結晶状態のAgIn
Te2が観測されない(7)記載の光記録媒体、(2
0)AgInTe2とSbを原材料として用いて記録層
を製膜し、レーザー光、熱等により初期化を施すことに
より(4)又は(5)記載の安定状態の記録層を得る
(2)記載の光記録媒体の製造方法、(21)上記(1
5)において、主にAgInTe2とSbとからなるタ
ーゲットを用い、スパッタ法により製膜する(20)記
載の光記録媒体の製造方法、に関するものである。
【0008】本発明において記録層の組成は記録膜を蛍
光X線により測定して得られる値を用いたが、そのほか
にもX線マイクロアナリシス、ラザフォード後方散乱、
オージェ電子分光等の分析法が考えられる。その際は蛍
光X線で得られる値との較正をする必要がある。
光X線により測定して得られる値を用いたが、そのほか
にもX線マイクロアナリシス、ラザフォード後方散乱、
オージェ電子分光等の分析法が考えられる。その際は蛍
光X線で得られる値との較正をする必要がある。
【0009】記録層中に含まれる物質の観測はX線回折
または電子線回折が適している。また結晶状態の観測は
電子線回折等が適している。すなわち結晶状態の判定と
して、電子線回折像でスポット状乃至デバイリング状の
パターンが観測される場合には結晶状態、リング状のパ
ターン乃至ハローパターンが観測される場合には非結晶
状態とする。結晶子径はX線回折ピークの半値幅からシ
ェラーの式を用いて求めることができる。
または電子線回折が適している。また結晶状態の観測は
電子線回折等が適している。すなわち結晶状態の判定と
して、電子線回折像でスポット状乃至デバイリング状の
パターンが観測される場合には結晶状態、リング状のパ
ターン乃至ハローパターンが観測される場合には非結晶
状態とする。結晶子径はX線回折ピークの半値幅からシ
ェラーの式を用いて求めることができる。
【0010】本発明をさらに詳細に説明すると、本発明
にかかわる記録層は構成元素として少なくともAg,I
n,Sb,Teを含むものである。記録層は製膜時にア
モルファスであることが多いが、媒体形成後熱処理して
初期化する。
にかかわる記録層は構成元素として少なくともAg,I
n,Sb,Teを含むものである。記録層は製膜時にア
モルファスであることが多いが、媒体形成後熱処理して
初期化する。
【0011】図1は電子顕微鏡観察、電子線回折、X線
回折の結果をもとに、最適な記録層の安定状態(未記録
部)の様子を模式的に示した図である。結晶相の化学量
論組成あるいはそれに近いAgSbTe2(図中1)と
アモルファス相InSbZ(図中2)が混相状態で存在
し、化学量論組成あるいはそれに近いAgSbTe2は
結晶子径1000Å以下の微結晶状態にある。
回折の結果をもとに、最適な記録層の安定状態(未記録
部)の様子を模式的に示した図である。結晶相の化学量
論組成あるいはそれに近いAgSbTe2(図中1)と
アモルファス相InSbZ(図中2)が混相状態で存在
し、化学量論組成あるいはそれに近いAgSbTe2は
結晶子径1000Å以下の微結晶状態にある。
【0012】アモルファス相は一般に等方性の高い構造
を持つといわれている。一方、AgSbTe2も等方的
な結晶構造である立方晶構造をもつため、たとえばレー
ザー光により高温から急冷されアモルファス相となる際
(記録→準安定状態への転移)には高速で均一な相変化
がおこり、物理的、化学的にばらつきの少ないアモルフ
ァス相となる。このアモルファス相の微細な構造は解析
が困難であり、詳細は不明であるが、たとえばアモルフ
ァス相の化学量論組成あるいはそれに近いAgSbTe
2とアモルファス相InSbZの組み合わせ、または全く
別の単一アモルファス相等になっていると考えられる。
を持つといわれている。一方、AgSbTe2も等方的
な結晶構造である立方晶構造をもつため、たとえばレー
ザー光により高温から急冷されアモルファス相となる際
(記録→準安定状態への転移)には高速で均一な相変化
がおこり、物理的、化学的にばらつきの少ないアモルフ
ァス相となる。このアモルファス相の微細な構造は解析
が困難であり、詳細は不明であるが、たとえばアモルフ
ァス相の化学量論組成あるいはそれに近いAgSbTe
2とアモルファス相InSbZの組み合わせ、または全く
別の単一アモルファス相等になっていると考えられる。
【0013】また、逆にこのような均一性の高いアモル
ファス相から等方的な結晶構造への転移において(消去
→安定状態への転移)は結晶化も均一に起こり、したが
って消去比は非常に高いものとなる。また、1000Å
程度の微粒子ではサイズ効果による融点降下がおこるた
め、比較的低い温度で相転移を起こすことができる。即
ち、記録媒体としては記録感度が向上する。言い換える
と、結晶子の大きさが1000Å以上になると記録感度
の悪化、消去比の低下の原因となる。さらに好ましい結
晶子径は50Åから500Åの範囲である。50Å以下
では反射率が低下し十分なC/Nが得られない。一方結
晶子径が500Å以上になると徐々に消去比の低下が起
こる。このような高消去比の原因は化学量論組成あるい
はそれに近いAgSbTe2の周りをアモルファスのI
nSbZが取り囲んでいることが化学量論組成あるいは
それに近いAgSbTe2の結晶子同志が接して粗大結
晶粒を形成することを防ぐ役割をすると考えられる。さ
らにアモルファスマトリクス中の隣り合う化学量論組成
あるいはそれに近いAgSbTe2結晶粒が同じ方位を
向いた領域が1000Åから10000Åの範囲で存在
することが望ましい。この範囲では十分なC/Nと消去
比、繰返し特性が得られる。この領域が1000Å以下
あるいは10000Å以上では繰返し特性が低下する。
ファス相から等方的な結晶構造への転移において(消去
→安定状態への転移)は結晶化も均一に起こり、したが
って消去比は非常に高いものとなる。また、1000Å
程度の微粒子ではサイズ効果による融点降下がおこるた
め、比較的低い温度で相転移を起こすことができる。即
ち、記録媒体としては記録感度が向上する。言い換える
と、結晶子の大きさが1000Å以上になると記録感度
の悪化、消去比の低下の原因となる。さらに好ましい結
晶子径は50Åから500Åの範囲である。50Å以下
では反射率が低下し十分なC/Nが得られない。一方結
晶子径が500Å以上になると徐々に消去比の低下が起
こる。このような高消去比の原因は化学量論組成あるい
はそれに近いAgSbTe2の周りをアモルファスのI
nSbZが取り囲んでいることが化学量論組成あるいは
それに近いAgSbTe2の結晶子同志が接して粗大結
晶粒を形成することを防ぐ役割をすると考えられる。さ
らにアモルファスマトリクス中の隣り合う化学量論組成
あるいはそれに近いAgSbTe2結晶粒が同じ方位を
向いた領域が1000Åから10000Åの範囲で存在
することが望ましい。この範囲では十分なC/Nと消去
比、繰返し特性が得られる。この領域が1000Å以下
あるいは10000Å以上では繰返し特性が低下する。
【0014】このような混相状態はAgInTe2とS
bとを原材料で用いることにより作成することができ
る。製膜時の記録膜は、原材料の化学構造を反映しAg
InTe2とSbのアモルファス相になっていると考え
られる。これは結晶化転移点(190〜220℃)付近
の温度で熱処理を施すことによりAgInTe2とSb
の結晶相が得られることで確認できる。このような記録
膜を適当なパワーのレーザー光、または熱等により初期
化することにより、はじめて微結晶の化学量論組成ある
いはそれに近いAgSbTe2とアモルファスInSbZ
の均一な混相を作成することができる。
bとを原材料で用いることにより作成することができ
る。製膜時の記録膜は、原材料の化学構造を反映しAg
InTe2とSbのアモルファス相になっていると考え
られる。これは結晶化転移点(190〜220℃)付近
の温度で熱処理を施すことによりAgInTe2とSb
の結晶相が得られることで確認できる。このような記録
膜を適当なパワーのレーザー光、または熱等により初期
化することにより、はじめて微結晶の化学量論組成ある
いはそれに近いAgSbTe2とアモルファスInSbZ
の均一な混相を作成することができる。
【0015】記録消去を低線速(1m/s〜5.6m/
s)で行う場合には、前記式中のX,Z,δの範囲は、
0.4≦X≦0.55、0.5≦Z≦2.5、−0.1
5≦δ≦0.1の範囲が好ましい。さらに好ましい範囲
は0.4≦X≦0.55、0.7≦Z≦2.2、−0.
15<δ<0.05、又さらに好ましい範囲は0.42
≦X≦0.5、0.7≦Z≦2.2、−0.1<δ<
0.02である。
s)で行う場合には、前記式中のX,Z,δの範囲は、
0.4≦X≦0.55、0.5≦Z≦2.5、−0.1
5≦δ≦0.1の範囲が好ましい。さらに好ましい範囲
は0.4≦X≦0.55、0.7≦Z≦2.2、−0.
15<δ<0.05、又さらに好ましい範囲は0.42
≦X≦0.5、0.7≦Z≦2.2、−0.1<δ<
0.02である。
【0016】本発明の記録層は各種気相成長法、たとえ
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、
光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル
法のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜
厚としては100〜10000Å、好適には200〜3
000Åとするのがよい。100Åより薄いと光吸収能
が著しく低下し、記録層としての役割をはたさなくな
る。また10000Åより厚いと高速で均一な相変化が
おこりにくくなる。
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、
光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル
法のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜
厚としては100〜10000Å、好適には200〜3
000Åとするのがよい。100Åより薄いと光吸収能
が著しく低下し、記録層としての役割をはたさなくな
る。また10000Åより厚いと高速で均一な相変化が
おこりにくくなる。
【0017】スパッタリング用ターゲットとしては、A
gInTe2ターゲットにSbのチップを乗せたもの、
あるいは埋め込んだもの、SbターゲットにAgInT
e2チップを乗せたもの、あるいは埋め込んだもの、ま
たはAgInTe2とSbの混合物、はり合わせ、それ
らの焼結体など様々な形態が考えられ、そのいずれの方
法で作成してもよい。またAg,In,Sb,Te単体
あるいはそれらの化合物の混合物からAgInTe2と
Sbを主に含むターゲットを作成してもよい。4元素の
組成比、チップの大きさや数、AgInTe2とSbの
混合比、面積比などはスパッタリング装置、条件等に応
じ、適宜決定することができる。その際ターゲットの組
成によってはAg,In,Sb,Te単体あるいはそれ
らの2元化合物がターゲット中に混在することもある
が、記録膜の性能に大きな影響を与えるものではない。
なおAgInTe2は必ずしも化学量論組成を意味する
ものではない。
gInTe2ターゲットにSbのチップを乗せたもの、
あるいは埋め込んだもの、SbターゲットにAgInT
e2チップを乗せたもの、あるいは埋め込んだもの、ま
たはAgInTe2とSbの混合物、はり合わせ、それ
らの焼結体など様々な形態が考えられ、そのいずれの方
法で作成してもよい。またAg,In,Sb,Te単体
あるいはそれらの化合物の混合物からAgInTe2と
Sbを主に含むターゲットを作成してもよい。4元素の
組成比、チップの大きさや数、AgInTe2とSbの
混合比、面積比などはスパッタリング装置、条件等に応
じ、適宜決定することができる。その際ターゲットの組
成によってはAg,In,Sb,Te単体あるいはそれ
らの2元化合物がターゲット中に混在することもある
が、記録膜の性能に大きな影響を与えるものではない。
なおAgInTe2は必ずしも化学量論組成を意味する
ものではない。
【0018】以下本発明を添付図面に基づき説明する。
図2は本発明の構成例を示すものである。基板(1)上
に耐熱性保護層(2)、記録層(3)、耐熱性保護層
(4)、反射放熱層(5)が設けられている。耐熱性保
護層はかならずしも記録層の両側共に設ける必要はない
が、基板がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い
材料の場合には耐熱性保護層(2)を設けることが望ま
しい。
図2は本発明の構成例を示すものである。基板(1)上
に耐熱性保護層(2)、記録層(3)、耐熱性保護層
(4)、反射放熱層(5)が設けられている。耐熱性保
護層はかならずしも記録層の両側共に設ける必要はない
が、基板がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い
材料の場合には耐熱性保護層(2)を設けることが望ま
しい。
【0019】基板の材料は通常ガラス、セラミックス、
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状として
はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状として
はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
【0020】耐熱性保護層の材料としては、SiO,S
iO2,ZnO,SnO2,Al2O3,TiO2,In2O
3,MgO,ZrO2などの金属酸化物、Si3N4,Al
N,TiN,BN,ZrNなどの窒化物、ZnS,In
2S3,TaS4などの硫化物、SiC,TaC,B4C,
WC,TiC,ZrCなどの炭化物やダイヤモンド状カ
ーボンあるいはそれらの混合物が挙げられる。特にAl
N,BN,SiC,Cなど熱伝導率が1W/cm・K以
上の保護層が適している。通常μmオーダー以下の薄
膜、特に耐熱保護層に使用しているような絶縁体薄膜そ
のものの熱伝導率測定は極めて困難である。そこで本発
明で記載する熱伝導率は同じ物質のバルク状態を測定対
象とし、縦方向直接法、あるいはレーザーフラッシュ法
を用いて測定した値である。
iO2,ZnO,SnO2,Al2O3,TiO2,In2O
3,MgO,ZrO2などの金属酸化物、Si3N4,Al
N,TiN,BN,ZrNなどの窒化物、ZnS,In
2S3,TaS4などの硫化物、SiC,TaC,B4C,
WC,TiC,ZrCなどの炭化物やダイヤモンド状カ
ーボンあるいはそれらの混合物が挙げられる。特にAl
N,BN,SiC,Cなど熱伝導率が1W/cm・K以
上の保護層が適している。通常μmオーダー以下の薄
膜、特に耐熱保護層に使用しているような絶縁体薄膜そ
のものの熱伝導率測定は極めて困難である。そこで本発
明で記載する熱伝導率は同じ物質のバルク状態を測定対
象とし、縦方向直接法、あるいはレーザーフラッシュ法
を用いて測定した値である。
【0021】その値が1.0W/cm・deg以上とな
った材料を本明細書記載の適切な製膜手段を用いて薄膜
したものを上部耐熱保護層として用いた。これらの材料
は単体で保護層とすることもできるが、お互いの混合物
としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでいて
もよい。但し耐熱保護層の融点は記録層の融点よりも高
いことが必要である。また必要に応じて保護層を多層化
することもできる。このような耐熱性保護層は各種気相
成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護
層の膜厚としては200〜5000Å、好適には500
〜3000Åとするのがよい。200Åよりも薄くなる
と耐熱性保護層としての機能をはたさなくなり、逆に5
000Åよりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界
面剥離を生じやすくなる。
った材料を本明細書記載の適切な製膜手段を用いて薄膜
したものを上部耐熱保護層として用いた。これらの材料
は単体で保護層とすることもできるが、お互いの混合物
としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでいて
もよい。但し耐熱保護層の融点は記録層の融点よりも高
いことが必要である。また必要に応じて保護層を多層化
することもできる。このような耐熱性保護層は各種気相
成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護
層の膜厚としては200〜5000Å、好適には500
〜3000Åとするのがよい。200Åよりも薄くなる
と耐熱性保護層としての機能をはたさなくなり、逆に5
000Åよりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界
面剥離を生じやすくなる。
【0022】反射放熱層としてはAl,Au,Agなど
の金属材料、またはそれらの合金などを用いることがで
きる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な熱
を放出し記録媒体自身への熱負担を軽減するために設け
るほうが望ましい。このような反射放熱層は各種気相成
長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズ
マCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電
子ビーム蒸着法などによって形成できる。
の金属材料、またはそれらの合金などを用いることがで
きる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な熱
を放出し記録媒体自身への熱負担を軽減するために設け
るほうが望ましい。このような反射放熱層は各種気相成
長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズ
マCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電
子ビーム蒸着法などによって形成できる。
【0023】記録、再生および消去に用いる電磁波とし
てはレーザー光、電子線、X線、紫外線、可視光線、赤
外線、マイクロ波など種々のものが採用可能であるが、
ドライブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。
てはレーザー光、電子線、X線、紫外線、可視光線、赤
外線、マイクロ波など種々のものが採用可能であるが、
ドライブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。
【0024】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。
【0025】実施例1 3.5インチグルーヴ付きポリカーボネートディスク基
板上に下部耐熱保護層としてSi3N4を2000Å、A
g−In−Sb−Te記録層を1000Å、上部耐熱保
護層としてAlNを1500Å、反射放熱層としてAl
を500Å、順次rfマグネトロンスパッタ法により積
層、設置した。その際スパッタリング用ターゲットとし
てはAgInTe2ターゲット上にSbチップをのせた
ものを用いた。記録層の組成はAg0.122In0.162Sb
0.470Te0.246一定とした。初期化方法として半導体レ
ーザー、Arレーザー、フラッシュランプを用いること
で記録層の構造を変化させディスク特性を評価した。こ
の際AgSbTe2結晶子径はおよそ200Å〜300
Åであった。光学系のNAは0.5、波長830nm、
線速度7m/s、周波数4MHz、50%デューティー
比で記録し、周波数5MHz、50%デューティー比で
オーバーライトを行ったときの周波数4MHzの信号の
C/N、消去比を測定し、記録媒体としての判定を行っ
た。その結果を表1に示す。
板上に下部耐熱保護層としてSi3N4を2000Å、A
g−In−Sb−Te記録層を1000Å、上部耐熱保
護層としてAlNを1500Å、反射放熱層としてAl
を500Å、順次rfマグネトロンスパッタ法により積
層、設置した。その際スパッタリング用ターゲットとし
てはAgInTe2ターゲット上にSbチップをのせた
ものを用いた。記録層の組成はAg0.122In0.162Sb
0.470Te0.246一定とした。初期化方法として半導体レ
ーザー、Arレーザー、フラッシュランプを用いること
で記録層の構造を変化させディスク特性を評価した。こ
の際AgSbTe2結晶子径はおよそ200Å〜300
Åであった。光学系のNAは0.5、波長830nm、
線速度7m/s、周波数4MHz、50%デューティー
比で記録し、周波数5MHz、50%デューティー比で
オーバーライトを行ったときの周波数4MHzの信号の
C/N、消去比を測定し、記録媒体としての判定を行っ
た。その結果を表1に示す。
【0026】
【表1】
【0027】実施例2 実施例1と同様にして記録層の初期化状態として化学量
論組成あるいはそれに近いAgSbTe2とアモルファ
ス(InSb)Zの混相状態を作り、上部保護層として
実施例1と同様にAlN、それとの比較としてAlNを
Si3N4,SiO2に置きかえたものを用いてデイスク
を作製した。
論組成あるいはそれに近いAgSbTe2とアモルファ
ス(InSb)Zの混相状態を作り、上部保護層として
実施例1と同様にAlN、それとの比較としてAlNを
Si3N4,SiO2に置きかえたものを用いてデイスク
を作製した。
【0028】各材料の熱伝導率はAlN:2.6W/c
mK、Si3N4:0.8W/cmK、SiO2:0.6
W/cmKであった。表2にC/N、消去比の初期特
性、繰り返し特性を示す。
mK、Si3N4:0.8W/cmK、SiO2:0.6
W/cmKであった。表2にC/N、消去比の初期特
性、繰り返し特性を示す。
【0029】
【表2】
【0030】実施例3 3.5インチグルーヴ付きポリカーボネートディスク基
板上に下部耐熱保護層としてZnS・SiO2(20m
ol%混)を2000Å、記録層を1000Å、上部耐
熱保護層としてAlNを1500Å、反射放熱層として
Agを700Å、順次rfマグネトロンスパッタ法によ
り積層、設置した。記録層の組成はターゲット組成の調
整により変化させた。蛍光X線により測定した記録層の
組成x,z,δを表3に示す。ディスク作製時の記録層
はいずれもアモルファス相であった。波長830nmの
半導体レーザー光により記録層を充分結晶化させ初期化
状態(安定状態)とした。線速度1.3m/s、周波数
0.72MHz、50%デューティー比で記録し、周波
数0.2MHz、50%デューティー比でオーバーライ
トを行ったときの周波数0.72MHzの信号のC/
N、消去比を測定し、記録媒体としての判定を行った。
結果を表3中に示す。表中、●はC/N≧50dB、消
去比≧−30dB、○はC/N≧40dB、消去比≧−
25dB、△はC/N≧30dB、消去比≧−20d
B、×はC/N<30dB、消去比<−20dBである
ことを示す。組成x,zとディスク特性との関係を表わ
したものを図3に、δとディスク特性との関係を図4に
示す。0.4≦x≦0.55、0.5≦z≦2.5、−
0.15<δ<0.1の範囲で良好なディスク特性を示
すことがわかる。また表3中にあるように記録感度も非
常に高いものとなっている。
板上に下部耐熱保護層としてZnS・SiO2(20m
ol%混)を2000Å、記録層を1000Å、上部耐
熱保護層としてAlNを1500Å、反射放熱層として
Agを700Å、順次rfマグネトロンスパッタ法によ
り積層、設置した。記録層の組成はターゲット組成の調
整により変化させた。蛍光X線により測定した記録層の
組成x,z,δを表3に示す。ディスク作製時の記録層
はいずれもアモルファス相であった。波長830nmの
半導体レーザー光により記録層を充分結晶化させ初期化
状態(安定状態)とした。線速度1.3m/s、周波数
0.72MHz、50%デューティー比で記録し、周波
数0.2MHz、50%デューティー比でオーバーライ
トを行ったときの周波数0.72MHzの信号のC/
N、消去比を測定し、記録媒体としての判定を行った。
結果を表3中に示す。表中、●はC/N≧50dB、消
去比≧−30dB、○はC/N≧40dB、消去比≧−
25dB、△はC/N≧30dB、消去比≧−20d
B、×はC/N<30dB、消去比<−20dBである
ことを示す。組成x,zとディスク特性との関係を表わ
したものを図3に、δとディスク特性との関係を図4に
示す。0.4≦x≦0.55、0.5≦z≦2.5、−
0.15<δ<0.1の範囲で良好なディスク特性を示
すことがわかる。また表3中にあるように記録感度も非
常に高いものとなっている。
【0031】
【表3】
【0032】実施例4 3.5インチグルーヴ付きポリカーボネートディスク基
板上に下部耐熱保護層としてSi3N4を2000Å、A
g−In−Sb−Te記録層を1000Å、上部耐熱保
護層としてSi3N4を1000Å、反射放熱層としてA
lを500Å、順次rfマグネトロンスパッタ法により
積層、設置した。記録層の組成は (AgSbTe2+δ/△)X(InSbZ)1-X ただし、
板上に下部耐熱保護層としてSi3N4を2000Å、A
g−In−Sb−Te記録層を1000Å、上部耐熱保
護層としてSi3N4を1000Å、反射放熱層としてA
lを500Å、順次rfマグネトロンスパッタ法により
積層、設置した。記録層の組成は (AgSbTe2+δ/△)X(InSbZ)1-X ただし、
【0033】
【数3】
【0034】X=0.5 Z=1.5 δ=0 初期化はLDにより行った。初期化パワーを変化させる
ことにより、結晶子径を変えることができる。結晶子径
はX線回折データのピーク半値幅からScherrer
の式を用いて求めた。またこれらの記録において結晶方
位がそろっている領域はおよそ2000Å程度であっ
た。結晶方位の評価はTEM観察によって行った。
ことにより、結晶子径を変えることができる。結晶子径
はX線回折データのピーク半値幅からScherrer
の式を用いて求めた。またこれらの記録において結晶方
位がそろっている領域はおよそ2000Å程度であっ
た。結晶方位の評価はTEM観察によって行った。
【0035】波長830nm、線速度7m/s、周波数
4MHz、50%デューティー比で記録し、周波数5M
Hz、50%デューティー比でオーバーライトを行った
ときの周波数4MHzの信号のC/N、消去比を測定
し、記録媒体としての判定を行った。図5にC/N(実
線)、消去比(点線)の結晶子径依存性を示す。結晶子
径が50Å以下ではC/Nが低下し、500Å以上では
徐々に消去比が低下することがわかる。
4MHz、50%デューティー比で記録し、周波数5M
Hz、50%デューティー比でオーバーライトを行った
ときの周波数4MHzの信号のC/N、消去比を測定
し、記録媒体としての判定を行った。図5にC/N(実
線)、消去比(点線)の結晶子径依存性を示す。結晶子
径が50Å以下ではC/Nが低下し、500Å以上では
徐々に消去比が低下することがわかる。
【0036】実施例5 実施例4と同様にしてディスクを作製した。初期化は半
導体レーザーにより行った。線速度を1m/sから20
m/sの範囲で変化させた。こうすることにより結晶方
位がそろっている領域の大きさを500Åから2000
0Åの範囲で変化させることができた。結晶子径は約2
00Å以下である。
導体レーザーにより行った。線速度を1m/sから20
m/sの範囲で変化させた。こうすることにより結晶方
位がそろっている領域の大きさを500Åから2000
0Åの範囲で変化させることができた。結晶子径は約2
00Å以下である。
【0037】図6に繰り返し特性の領域の大きさ依存性
を示す。繰り返し特性は消去比の低下が10dBになる
回数で評価している。図6からわかるように1000Å
以下あるいは10000Å以上で繰り返し特性が低下し
ている。
を示す。繰り返し特性は消去比の低下が10dBになる
回数で評価している。図6からわかるように1000Å
以下あるいは10000Å以上で繰り返し特性が低下し
ている。
【0038】実施例6 実施例4と同様にしてディスクを作製した。但し保護層
としてAlNを用いた。図7に結晶子径と消去比の関係
を示す。保護層がSi3N4の場合に比べ、500Å以下
では消去比の改善が見られる。
としてAlNを用いた。図7に結晶子径と消去比の関係
を示す。保護層がSi3N4の場合に比べ、500Å以下
では消去比の改善が見られる。
【0039】実施例7 実施例5と同様にしてディスクを作製した。但し保護層
としてAlNを用いた。図8に結晶方位がそろった領域
の大きさと繰り返し特性との関係を示す。保護層がSi
3N4の場合に比べ繰り返し特性は向上している。
としてAlNを用いた。図8に結晶方位がそろった領域
の大きさと繰り返し特性との関係を示す。保護層がSi
3N4の場合に比べ繰り返し特性は向上している。
【0040】実施例4,5,6,7の記録層の記録部、
消去部のそれぞれについて電子線回折を行ったところ、
記録部についてはアモルファス特有のハローパターンが
観察された。これに対して消去部についてはハロパター
ンに加えて明確な回折斑点が見られた。この回折斑点は
AgSbTe2の面間隔と一致しており、消去時に化学
量論組成あるいはそれに近いAgSbTe2が微結晶と
なっていることが確認された。
消去部のそれぞれについて電子線回折を行ったところ、
記録部についてはアモルファス特有のハローパターンが
観察された。これに対して消去部についてはハロパター
ンに加えて明確な回折斑点が見られた。この回折斑点は
AgSbTe2の面間隔と一致しており、消去時に化学
量論組成あるいはそれに近いAgSbTe2が微結晶と
なっていることが確認された。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光記録媒
体は、消去比、記録感度が顕著に優れている。
体は、消去比、記録感度が顕著に優れている。
【図1】本発明光記録媒体の記録層の安定状態の模式的
説明図。
説明図。
【図2】本発明光記録媒体の層構成説明図。
【図3】実施例3の結果と、xとzとの関係説明図。
【図4】実施例3の結果とδとの関係説明図。
【図5】実施例4の結果とC/N(実線)、消去比(点
線)の結晶子径依存性を示す図。
線)の結晶子径依存性を示す図。
【図6】実施例5の結果と繰返し特性と結晶方位がそろ
っている領域の大きさとの関係を示す図。
っている領域の大きさとの関係を示す図。
【図7】実施例6の結果と結晶子径と消去比の関係を示
す図。
す図。
【図8】実施例7の結果と繰返し特性と結晶方位がそろ
った領域の大きさとの関係を示す図。
った領域の大きさとの関係を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内
Claims (21)
- 【請求項1】 レーザー光の照射により情報の記録、消
去、再生を行う書き換え可能な光情報記録媒体におい
て、記録層がAg,In,Sb,Teを含む4元系の相
変化形記録材料を主成分として含有し、未記録および消
去時に化学量論組成あるいはそれに近いAgSbTe2
微結晶相が存在することを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項2】 記録層の安定状態と準安定状態との間の
転移を利用して記録消去を行う情報記録媒体において、
基板上に設けられた記録層の安定状態における組成およ
び化学構造が主として、化学量論組成あるいはそれに近
いAgSbTe2相とInとSbからなる相との混相状
態をとることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項3】 情報未記録時には記録層の安定状態が、
情報記録時には記録層の安定状態と準安定状態が存在す
ることを特徴とする請求項2記載の光記録媒体。 - 【請求項4】 記録層の安定状態において、化学量論組
成あるいはそれに近いAgSbTe2が結晶状態である
ことを特徴とする請求項2記載の光記録媒体。 - 【請求項5】 記録層の安定状態において、結晶状態の
InSbZが観測されないことを特徴とする請求項2記
載の光記録媒体。 - 【請求項6】 請求項4に記載の化学量論組成あるいは
それに近いAgSbTe2の結晶子径が1000Å以下
であることを特徴とする請求項4記載の光記録媒体。 - 【請求項7】 記録層の安定状態と準安定状態との間の
転移を利用して記録消去を行う情報記録媒体において、
基板上に設けられた記録層の安定状態における組成およ
び化学構造が主として (AgSbTe2+δ/△)X(InSbZ)1-X ただし、 【数1】 0.4≦x≦0.55 0.5≦Z≦2.5 −0.15<δ<0.1 で表わされることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項8】 情報未記録時には記録層の安定状態が、
情報記録時には記録層の安定状態と準安定状態が存在す
ることを特徴とする請求項7記載の光記録媒体。 - 【請求項9】 記録層の安定状態において、化学量論組
成あるいはそれに近いAgSbTe2が結晶状態である
ことを特徴とする請求項7記載の光記録媒体。 - 【請求項10】 記録層の安定状態において、結晶状態
のInSbZが観測されないことを特徴とする請求項7
記載の光記録媒体。 - 【請求項11】 化学量論組成あるいはそれに近いAg
SbTe2の結晶子径が1000Å以下であることを特
徴とする請求項9記載の光記録媒体。 - 【請求項12】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層
を有する光情報記録媒体において、記録層がAg,I
n,Sb,Teからなり、溶融後急冷することにより均
一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点
以下に加熱徐冷することにより、少なくともIn,Sb
からなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそ
れに近いAgSbTe2結晶が50Åから500Åの結
晶子径で分散した組織となっていることを特徴とする光
情報記録媒体。 - 【請求項13】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層
を有する光情報記録媒体において、記録層がAg,I
n,Sb,Teからなり、溶融後急冷することにより均
一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点
以下に加熱徐冷することにより、少なくともIn,Sb
からなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそ
れに近いAgSbTe2結晶が50Åから500Åの結
晶子径で分散し、各結晶粒の結晶方位が2000Åから
10000Åの領域で等しくなっていることを特徴とす
る光情報記録媒体。 - 【請求項14】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層
を有する光情報記録媒体において、記録層がAg,I
n,Sb,Teからなり、溶融後急冷することにより均
一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点
以下に加熱徐冷することにより、少なくともIn,Sb
からなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそ
れに近いAgSbTe2結晶が50Åから500Åの結
晶子径で分散した組織となっており、前記保護層がAl
Nであることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項15】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層
を有する光情報記録媒体において、記録層がAg,I
n,Sb,Teからなり、溶融後急冷することにより均
一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点
以下に加熱徐冷することにより、少なくともIn,Sb
からなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそ
れに近いAgSbTe2結晶が50Åから500Åの結
晶子径で分散し、各結晶粒の結晶方位が2000Åから
10000Åの領域で等しくなっており、前記保護層が
AlNであることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項16】 記録層の準安定状態において、結晶状
態の化学量論組成あるいはそれに近いAgSbTe2が
観測されないことを特徴とする請求項7記載の光記録媒
体。 - 【請求項17】 記録層の準安定状態において、結晶状
態のInSbZが観測されないことを特徴とする請求項
7記載の光記録媒体。 - 【請求項18】 記録層の安定状態及び準安定状態にお
いて、Ag,Sb,Te,Inの各元素の単体からなる
結晶が観測されないことを特徴とする請求項7記載の光
記録媒体。 - 【請求項19】 記録層の安定状態及び準安定状態にお
いて、結晶状態のAgInTe2が観測されないことを
特徴とする請求項7記載の光記録媒体。 - 【請求項20】 AgInTe2とSbを原材料として
用いて記録層を製膜し、レーザー光、熱等により初期化
を施すことにより請求項4又は5項記載の安定状態の記
録層を得ることを特徴とする請求項2記載の光記録媒体
の製造方法。 - 【請求項21】 請求項15において、主にAgInT
e2とSbとからなるターゲットを用い、スパッタ法に
より製膜することを特徴とする請求項20記載の光記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14148592A JP3267675B2 (ja) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13271791 | 1991-06-04 | ||
JP25659191 | 1991-10-03 | ||
JP3-256591 | 1992-04-17 | ||
JP9784792 | 1992-04-17 | ||
JP4-97847 | 1992-04-17 | ||
JP3-132717 | 1992-04-17 | ||
JP14148592A JP3267675B2 (ja) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05345478A true JPH05345478A (ja) | 1993-12-27 |
JP3267675B2 JP3267675B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=27468575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14148592A Expired - Fee Related JP3267675B2 (ja) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3267675B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0717404A1 (en) | 1994-12-13 | 1996-06-19 | Ricoh Company, Ltd | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of fabricating the optical recording medium |
EP0735158A3 (en) * | 1995-03-31 | 1999-12-29 | Ricoh Company, Ltd | Sputtering target and its use in the production of an optical recording medium |
US6319368B1 (en) | 1995-03-31 | 2001-11-20 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of forming recording layer for the optical recording medium |
US7507523B2 (en) | 2000-09-28 | 2009-03-24 | Ricoh Company, Ltd | Optical information recording medium, method of manufacturing the optical information recording medium, and method of and apparatus for recording/reproducing optical information |
-
1992
- 1992-06-02 JP JP14148592A patent/JP3267675B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0717404A1 (en) | 1994-12-13 | 1996-06-19 | Ricoh Company, Ltd | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of fabricating the optical recording medium |
EP0735158A3 (en) * | 1995-03-31 | 1999-12-29 | Ricoh Company, Ltd | Sputtering target and its use in the production of an optical recording medium |
US6319368B1 (en) | 1995-03-31 | 2001-11-20 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of forming recording layer for the optical recording medium |
US6652806B2 (en) | 1995-03-31 | 2003-11-25 | Ricoh Company, Ltd. | Method of producing a sputtering target |
US7288224B2 (en) | 1995-03-31 | 2007-10-30 | Ricoh Company, Ltd. | Method of producing a sputtering target |
US7507523B2 (en) | 2000-09-28 | 2009-03-24 | Ricoh Company, Ltd | Optical information recording medium, method of manufacturing the optical information recording medium, and method of and apparatus for recording/reproducing optical information |
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JP3267675B2 (ja) | 2002-03-18 |
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