JPH06166268A - 光情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH06166268A JPH06166268A JP5168055A JP16805593A JPH06166268A JP H06166268 A JPH06166268 A JP H06166268A JP 5168055 A JP5168055 A JP 5168055A JP 16805593 A JP16805593 A JP 16805593A JP H06166268 A JPH06166268 A JP H06166268A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 情報記録媒体特に相変化型情報記録媒体に関
するものである。 【構成】 レーザー光の照射により情報の記録、消去、
再生を行う書き換え可能な光情報記録媒体において、記
録層が少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含む４元素
系の相変化型記録材料を主成分として含有し、未記録お
よび消去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂ
Ｔｅ2結晶相が存在することを特徴とするもの、および
かかる記録媒体を主にＡｇＩｎＴｅ2とＳｂとからなる
ターゲットを用い、スパッタ法により製膜する製造方法
である。 【効果】 相変化型光記録媒体として優れた性能を有
し、特に消去比、繰り返し特性が飛躍的に向上したもの
が得られる。
するものである。 【構成】 レーザー光の照射により情報の記録、消去、
再生を行う書き換え可能な光情報記録媒体において、記
録層が少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含む４元素
系の相変化型記録材料を主成分として含有し、未記録お
よび消去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂ
Ｔｅ2結晶相が存在することを特徴とするもの、および
かかる記録媒体を主にＡｇＩｎＴｅ2とＳｂとからなる
ターゲットを用い、スパッタ法により製膜する製造方法
である。 【効果】 相変化型光記録媒体として優れた性能を有
し、特に消去比、繰り返し特性が飛躍的に向上したもの
が得られる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体、特に相
変化形情報記録媒体であって、光ビームを照射すること
により記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再
生を行い、かつ書換が可能である情報記録媒体に関する
ものであり、光メモリー関連機器に応用される。
変化形情報記録媒体であって、光ビームを照射すること
により記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再
生を行い、かつ書換が可能である情報記録媒体に関する
ものであり、光メモリー関連機器に応用される。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３
５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ
−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。又、安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９
２）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、
Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０）などを添加した材料の
提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的に、Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定
した材料（特開昭６２−７３４３８、特開昭６３−２２
８４３３）の提案などもなされている。しかしながら、
そのいずれもが相変化形書換可能光メモリー媒体として
要求される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえな
い。特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時
の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録部、未
記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となってい
る。
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３
５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ
−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。又、安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９
２）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、
Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０）などを添加した材料の
提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的に、Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定
した材料（特開昭６２−７３４３８、特開昭６３−２２
８４３３）の提案などもなされている。しかしながら、
そのいずれもが相変化形書換可能光メモリー媒体として
要求される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえな
い。特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時
の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録部、未
記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となってい
る。
【０００３】特開昭６３−２５１２９０では結晶状態が
実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を具
備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三元
以上の多元化合物単層とは、三元以上の化学量論組成を
もった化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層中に９
０原子％以上含むものとされている。このような記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるとし
ている。しかしながら、消去比が低い、記録消去に要す
るレーザーパワーが未だ十分に低減されてはいないなど
の欠点を有している。これらの事情から消去比が高く、
高感度の記録、消去に適する記録材料の開発が望まれて
いた。
実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を具
備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三元
以上の多元化合物単層とは、三元以上の化学量論組成を
もった化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層中に９
０原子％以上含むものとされている。このような記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるとし
ている。しかしながら、消去比が低い、記録消去に要す
るレーザーパワーが未だ十分に低減されてはいないなど
の欠点を有している。これらの事情から消去比が高く、
高感度の記録、消去に適する記録材料の開発が望まれて
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に対するものであり、消去比が高く、低パワーで
記録−消去の繰り返しが可能な情報記録媒体およびその
製造方法を提供するものである。
な事情に対するものであり、消去比が高く、低パワーで
記録−消去の繰り返しが可能な情報記録媒体およびその
製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、前述目的に合致する
記録材料とその製造方法を見出した。即ち、本発明は、
（１）レーザー光の照射により情報の記録、消去、再生
を行う書き換え可能な光情報記録媒体において、記録層
が少なくともＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含む４元系の相
変化形記録材料を主成分として含有し、未記録および消
去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2
結晶相が存在する光情報記録媒体、（２）未記録および
消去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2結晶相と少なくともＩｎ，Ｓｂからなるアモルファス
相が混在した組織となっている（１）記載の光情報記録
媒体、（３）記録層が少なくともＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔ
ｅからなり記録時には一様なアモルファス相となり、消
去時には化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2結晶相と少なくともＩｎ，Ｓｂからなるアモルファス
相が混在した組織となっている（１）記載の光情報記録
媒体、（４）初期化状態あるいは消去状態の記録層にお
いてＡｇＳｂＴｅ2の同じ方位をむいた領域の大きさが
２０００Åから１００００Åである（２）又は（３）記
載の光情報記録媒体、（５）消去時における組成および
化学構造が主として、
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、前述目的に合致する
記録材料とその製造方法を見出した。即ち、本発明は、
（１）レーザー光の照射により情報の記録、消去、再生
を行う書き換え可能な光情報記録媒体において、記録層
が少なくともＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含む４元系の相
変化形記録材料を主成分として含有し、未記録および消
去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2
結晶相が存在する光情報記録媒体、（２）未記録および
消去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2結晶相と少なくともＩｎ，Ｓｂからなるアモルファス
相が混在した組織となっている（１）記載の光情報記録
媒体、（３）記録層が少なくともＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔ
ｅからなり記録時には一様なアモルファス相となり、消
去時には化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2結晶相と少なくともＩｎ，Ｓｂからなるアモルファス
相が混在した組織となっている（１）記載の光情報記録
媒体、（４）初期化状態あるいは消去状態の記録層にお
いてＡｇＳｂＴｅ2の同じ方位をむいた領域の大きさが
２０００Åから１００００Åである（２）又は（３）記
載の光情報記録媒体、（５）消去時における組成および
化学構造が主として、
【０００６】
【数３】
【０００７】ただし、
【０００８】
【数４】
【０００９】０．４≦Ｘ≦０．５５ ０．５≦Ｚ≦２．５ −０．１５＜δ＜０．１ で表わされる上記（１）〜（３）記載の光情報記録媒
体、（６）基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有
し、記録層と反射放熱層との間の保護層がＡｌＮである
（１）〜（３）のいずれかに記載の光情報記録媒体、
（７）レーザー光の照射により情報の記録、消去、再生
を行う書き換え可能な光記録媒体の製造において、主に
ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂとからなるターゲットを用い、ス
パッタ法により記録層を製膜することを特徴とする光情
報記録媒体の製造方法、（８）製膜後、はじめにＡｒレ
ーザーによる初期化を行い、次に半導体レーザーによる
初期化を行う（７）に記載の光情報記録媒体の製造方
法、に関するものである。
体、（６）基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有
し、記録層と反射放熱層との間の保護層がＡｌＮである
（１）〜（３）のいずれかに記載の光情報記録媒体、
（７）レーザー光の照射により情報の記録、消去、再生
を行う書き換え可能な光記録媒体の製造において、主に
ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂとからなるターゲットを用い、ス
パッタ法により記録層を製膜することを特徴とする光情
報記録媒体の製造方法、（８）製膜後、はじめにＡｒレ
ーザーによる初期化を行い、次に半導体レーザーによる
初期化を行う（７）に記載の光情報記録媒体の製造方
法、に関するものである。
【００１０】本発明において記録層の組成は記録膜を蛍
光Ｘ線により測定して得られる値を用いたが、そのほか
にもＸ線マイクロアナリシス、ラザフォード後方散乱、
オージェ電子分光等の分析法が考えられる。その際は蛍
光Ｘ線で得られる値との較正をする必要がある。
光Ｘ線により測定して得られる値を用いたが、そのほか
にもＸ線マイクロアナリシス、ラザフォード後方散乱、
オージェ電子分光等の分析法が考えられる。その際は蛍
光Ｘ線で得られる値との較正をする必要がある。
【００１１】記録層中に含まれる物質の観測はＸ線回折
または電子線回折が適している。また結晶状態の観測は
電子線回折等が適している。すなわち結晶状態の判定と
して、電子線回折像でスポット状乃至デバイリング状の
パターンが観測される場合には結晶状態、リング状のパ
ターン乃至ハローパターンが観測される場合には非結晶
状態とする。結晶子径はＸ線回折ピークの半値幅からシ
ェラーの式を用いて求めることができる。またＴＥＭ観
察から結晶子径を求めることができる。本発明をさらに
詳細に説明すると、本発明にかかわる記録層は構成元素
として少なくともＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含むもので
ある。また他の添加元素を加えることによりディスク特
性を向上させることができる。例えばIVａ，Ｖａなどの
遷移金属元素（Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｍｏな
ど）を添加することにより、結晶化速度の制御が容易と
なり、構造安定性の改善、繰返し特性の向上がおこなえ
る。記録層は製膜時にアモルファスであることが多い
が、媒体形成後熱処理して初期化する。
または電子線回折が適している。また結晶状態の観測は
電子線回折等が適している。すなわち結晶状態の判定と
して、電子線回折像でスポット状乃至デバイリング状の
パターンが観測される場合には結晶状態、リング状のパ
ターン乃至ハローパターンが観測される場合には非結晶
状態とする。結晶子径はＸ線回折ピークの半値幅からシ
ェラーの式を用いて求めることができる。またＴＥＭ観
察から結晶子径を求めることができる。本発明をさらに
詳細に説明すると、本発明にかかわる記録層は構成元素
として少なくともＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含むもので
ある。また他の添加元素を加えることによりディスク特
性を向上させることができる。例えばIVａ，Ｖａなどの
遷移金属元素（Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｍｏな
ど）を添加することにより、結晶化速度の制御が容易と
なり、構造安定性の改善、繰返し特性の向上がおこなえ
る。記録層は製膜時にアモルファスであることが多い
が、媒体形成後熱処理して初期化する。
【００１２】図１は電子顕微鏡観察、電子線回折、Ｘ線
回折の結果をもとに、最適な記録層の安定状態（未記録
部）の様子を模式的に示した図である。結晶相の化学量
論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2と少なくとも
ＩｎとＳｂからなるアモルファス相が混相状態で存在し
ている。この記録層の構造は以下のようにして求められ
た。
回折の結果をもとに、最適な記録層の安定状態（未記録
部）の様子を模式的に示した図である。結晶相の化学量
論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2と少なくとも
ＩｎとＳｂからなるアモルファス相が混相状態で存在し
ている。この記録層の構造は以下のようにして求められ
た。
【００１３】記録層の初期化部あるいは消去部の電子線
回折パターンより結晶の面間隔を求めるとＳｅｌｅｃｔ
ｅｄ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｄａｔ
ａｆｏｒ Ｍｅｔａｌｓ ａｎｄ Ａｌｌｏｙｓ（Ｃｏ
ｍｐｉｌｅｄ ｂｙ ｔｈｅ Ｊｏｉｎｔ Ｃｏｍｍｉ
ｔｔｅｅ ｏｎ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏ
ｎ Ｓｔａｎｄａｒｓ）におけるＡｇＳｂＴｅ2結晶デ
ータに測定誤差の範囲でよく一致する。この電子線回折
パターンには回折点以外にハローパターンがわずかにあ
らわれており、記録層が結晶相とアモルファス相の混在
した状態であることを示している。図２はＴＥＭ観察写
真であり、結晶相とアモルファス相が混在した状態の一
例を示すものである。したがって、このＴＥＭ写真に見
られる結晶部がＡｇＳｂＴｅ2結晶相であることがわか
る。
回折パターンより結晶の面間隔を求めるとＳｅｌｅｃｔ
ｅｄ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｄａｔ
ａｆｏｒ Ｍｅｔａｌｓ ａｎｄ Ａｌｌｏｙｓ（Ｃｏ
ｍｐｉｌｅｄ ｂｙ ｔｈｅ Ｊｏｉｎｔ Ｃｏｍｍｉ
ｔｔｅｅ ｏｎ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏ
ｎ Ｓｔａｎｄａｒｓ）におけるＡｇＳｂＴｅ2結晶デ
ータに測定誤差の範囲でよく一致する。この電子線回折
パターンには回折点以外にハローパターンがわずかにあ
らわれており、記録層が結晶相とアモルファス相の混在
した状態であることを示している。図２はＴＥＭ観察写
真であり、結晶相とアモルファス相が混在した状態の一
例を示すものである。したがって、このＴＥＭ写真に見
られる結晶部がＡｇＳｂＴｅ2結晶相であることがわか
る。
【００１４】一方、この記録層を１×１０-4Ｐａの圧力
のもとで電子線アニールして図２のアモルファス相を結
晶化させると、電子線回折パターンにはＡｇＳｂＴｅ2
に加えて六方晶のＩｎＳｂ結晶に対応する回折パターン
があらわれるようになる。このことから初期化状態ある
いは消去状態の記録層に見られる混相のアモルファス相
は少なくともＩｎ，Ｓｂからなることが明確である。初
期化状態あるいは消去状態の記録層において化学量論組
成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2の同じ方位を向い
た領域の大きさは、ＴＥＭの暗視野像をとることにより
評価した。この領域の大きさが２０００Å未満では繰返
し特性が低下し、１００００Åを越えるとＣ／Ｎが低下
する。
のもとで電子線アニールして図２のアモルファス相を結
晶化させると、電子線回折パターンにはＡｇＳｂＴｅ2
に加えて六方晶のＩｎＳｂ結晶に対応する回折パターン
があらわれるようになる。このことから初期化状態ある
いは消去状態の記録層に見られる混相のアモルファス相
は少なくともＩｎ，Ｓｂからなることが明確である。初
期化状態あるいは消去状態の記録層において化学量論組
成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2の同じ方位を向い
た領域の大きさは、ＴＥＭの暗視野像をとることにより
評価した。この領域の大きさが２０００Å未満では繰返
し特性が低下し、１００００Åを越えるとＣ／Ｎが低下
する。
【００１５】その混相状態は化学量論組成あるいはそれ
に近いＡｇＳｂＴｅ2結晶相中に少なくともＩｎとＳｂ
からなるアモルファス相が分散した状態、あるいは少な
くともＩｎとＳｂからなるアモルファス相中にＡｇＳｂ
Ｔｅ2結晶相が分散した状態あるいはこれらが混在した
状態をとることができる。
に近いＡｇＳｂＴｅ2結晶相中に少なくともＩｎとＳｂ
からなるアモルファス相が分散した状態、あるいは少な
くともＩｎとＳｂからなるアモルファス相中にＡｇＳｂ
Ｔｅ2結晶相が分散した状態あるいはこれらが混在した
状態をとることができる。
【００１６】このような構造が形成されるメカニズムは
明確にはなっていないが、次のように考えることができ
る。Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ、４元系において溶融状態
から一定の冷却速度で凝固させると、準安定状態である
ＡｇＳｂＴｅ2相とＩｎ−Ｓｂ相への分相と結晶化速度
の大きいＡｇＳｂＴｅ2結晶の成長が同時におこるた
め、ＡｇＳｂＴｅ2結晶相と少なくともＩｎ−Ｓｂから
なるアモルファス相が混在する構造をとることになる。
この際Ｉｎ−Ｓｂ相の結晶化速度が冷却速度よりも遅い
場合にアモルファス相となる。
明確にはなっていないが、次のように考えることができ
る。Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ、４元系において溶融状態
から一定の冷却速度で凝固させると、準安定状態である
ＡｇＳｂＴｅ2相とＩｎ−Ｓｂ相への分相と結晶化速度
の大きいＡｇＳｂＴｅ2結晶の成長が同時におこるた
め、ＡｇＳｂＴｅ2結晶相と少なくともＩｎ−Ｓｂから
なるアモルファス相が混在する構造をとることになる。
この際Ｉｎ−Ｓｂ相の結晶化速度が冷却速度よりも遅い
場合にアモルファス相となる。
【００１７】アモルファス相は一般に等方性の高い構造
を持つと言われている。一方、ＡｇＳｂＴｅ2も等方的
な結晶構造である立方晶構造をもつため、たとえばレー
ザー光により高温から急冷されアモルファス相となる際
（記録→準安定状態への転移）には高速で均一な相変化
がおこり、物理的、化学的にばらつきの少ないアモルフ
ァス相となる。このアモルファス相の微細な構造は解析
が困難であり、詳細は不明であるが、たとえばアモルフ
ァス相の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2と少なくともＩｎ，Ｓｂからなるアモルファス相の組
み合わせ、または全く別の単一アモルファス相等になっ
ていると考えられる。
を持つと言われている。一方、ＡｇＳｂＴｅ2も等方的
な結晶構造である立方晶構造をもつため、たとえばレー
ザー光により高温から急冷されアモルファス相となる際
（記録→準安定状態への転移）には高速で均一な相変化
がおこり、物理的、化学的にばらつきの少ないアモルフ
ァス相となる。このアモルファス相の微細な構造は解析
が困難であり、詳細は不明であるが、たとえばアモルフ
ァス相の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2と少なくともＩｎ，Ｓｂからなるアモルファス相の組
み合わせ、または全く別の単一アモルファス相等になっ
ていると考えられる。
【００１８】また、逆にこのような均一性の高いアモル
ファス相から等方的な結晶構造への転移において（消去
→安定状態への転移）は結晶化も均一に起こり、したが
って消去比は非常に高いものとなる。また図１のような
混在状態ではサイズ効果による融点降下がおこるため、
比較的低い温度で相転移を起こすことができる。即ち、
記録媒体としては記録感度が向上する。
ファス相から等方的な結晶構造への転移において（消去
→安定状態への転移）は結晶化も均一に起こり、したが
って消去比は非常に高いものとなる。また図１のような
混在状態ではサイズ効果による融点降下がおこるため、
比較的低い温度で相転移を起こすことができる。即ち、
記録媒体としては記録感度が向上する。
【００１９】このような混相状態はＡｇＩｎＴｅ2とＳ
ｂとを原材料で用いることにより作成することができ
る。製膜時の記録膜は、原材料の化学構造を反映しＡｇ
ＩｎＴｅ2とＳｂのアモルファス相になっていると考え
られる。これは結晶化転移点（１９０〜２２０℃）付近
の温度で熱処理を施すことによりＡｇＩｎＴｅ2とＳｂ
の結晶相が得られることで確認できる。このような記録
膜を適当なパワーのレーザー光、または熱等により初期
化することにより、はじめて微細な化学量論組成あるい
はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2と少なくともＩｎ，Ｓｂか
らなるアモルファスの均一な混相を作成することができ
る。すなわちＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを少なくとも含む
系において、製膜時の記録膜に対して初期化プロセスと
して置換反応をおこさせ、構造変化させることにより適
切な構造を得ることができる。このプロセスは製膜時の
記録膜を加熱し、融解あるいはそれに近い活性な状態に
し、その後適切な冷却速度で冷却することからなるもの
である。冷却速度が速すぎれば記録層はアモルファス構
造となり、逆に遅すぎると好ましい微細な混相構造とは
ならず、Ｉｎ，Ｓｂからなる相も結晶化する。
ｂとを原材料で用いることにより作成することができ
る。製膜時の記録膜は、原材料の化学構造を反映しＡｇ
ＩｎＴｅ2とＳｂのアモルファス相になっていると考え
られる。これは結晶化転移点（１９０〜２２０℃）付近
の温度で熱処理を施すことによりＡｇＩｎＴｅ2とＳｂ
の結晶相が得られることで確認できる。このような記録
膜を適当なパワーのレーザー光、または熱等により初期
化することにより、はじめて微細な化学量論組成あるい
はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2と少なくともＩｎ，Ｓｂか
らなるアモルファスの均一な混相を作成することができ
る。すなわちＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを少なくとも含む
系において、製膜時の記録膜に対して初期化プロセスと
して置換反応をおこさせ、構造変化させることにより適
切な構造を得ることができる。このプロセスは製膜時の
記録膜を加熱し、融解あるいはそれに近い活性な状態に
し、その後適切な冷却速度で冷却することからなるもの
である。冷却速度が速すぎれば記録層はアモルファス構
造となり、逆に遅すぎると好ましい微細な混相構造とは
ならず、Ｉｎ，Ｓｂからなる相も結晶化する。
【００２０】記録消去を低線速（１ｍ／ｓ〜５．６ｍ／
ｓ）で行う場合には、前記式中のＸ，Ｚ，δの範囲は、
０．４≦Ｘ≦０．５５、０．５≦Ｚ≦２．５、−０．１
５≦δ≦０．１の範囲が好ましい。さらに好ましい範囲
は０．４≦Ｘ≦０．５５、０．７≦Ｚ≦２．２、−０．
１５＜δ＜０．０５、又さらに好ましい範囲は０．４２
≦Ｘ≦０．５、０．７≦Ｚ≦２．２、−０．１＜δ＜
０．０２である。
ｓ）で行う場合には、前記式中のＸ，Ｚ，δの範囲は、
０．４≦Ｘ≦０．５５、０．５≦Ｚ≦２．５、−０．１
５≦δ≦０．１の範囲が好ましい。さらに好ましい範囲
は０．４≦Ｘ≦０．５５、０．７≦Ｚ≦２．２、−０．
１５＜δ＜０．０５、又さらに好ましい範囲は０．４２
≦Ｘ≦０．５、０．７≦Ｚ≦２．２、−０．１＜δ＜
０．０２である。
【００２１】本発明の記録層は各種気相成長法、例えば
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法
のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜厚
としては１００〜１００００Å、好適には２００〜３０
００Åとするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能が
著しく低下し、記録層としての役割をはたさなくなる。
また、１００００Åより厚いと高速で均一な相変化がお
こりにくくなる。
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法
のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜厚
としては１００〜１００００Å、好適には２００〜３０
００Åとするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能が
著しく低下し、記録層としての役割をはたさなくなる。
また、１００００Åより厚いと高速で均一な相変化がお
こりにくくなる。
【００２２】スパッタリング用ターゲットとしては、Ａ
ｇＩｎＴｅ2ターゲットにＳｂのチップを乗せたもの、
あるいは埋め込んだもの、ＳｂターゲットにＡｇＩｎＴ
ｅ2チップを乗せたもの、あるいは埋め込んだもの、ま
たはＡｇＩｎＴｅ2とＳｂの混合物、はり合わせ、それ
らの焼結体など様々な形態が考えられ、そのいずれの方
法で作成してもよい。またＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ単体
あるいはそれらの化合物の混合物からＡｇＩｎＴｅ2と
Ｓｂを主に含むターゲットを作成してもよい。４元素の
組成比、チップの大きさや数、ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂの
混合比、面積比などはスパッタリング装置、条件等に応
じ、適宜決定することができる。その際ターゲットの組
成によってはＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ単体あるいはそれ
らの２元化合物がターゲット中に混在することもある
が、記録膜の性能に大きな影響を与えるものではない。
なおＡｇＩｎＴｅ2は必ずしも化学量論組成を意味する
ものではない。
ｇＩｎＴｅ2ターゲットにＳｂのチップを乗せたもの、
あるいは埋め込んだもの、ＳｂターゲットにＡｇＩｎＴ
ｅ2チップを乗せたもの、あるいは埋め込んだもの、ま
たはＡｇＩｎＴｅ2とＳｂの混合物、はり合わせ、それ
らの焼結体など様々な形態が考えられ、そのいずれの方
法で作成してもよい。またＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ単体
あるいはそれらの化合物の混合物からＡｇＩｎＴｅ2と
Ｓｂを主に含むターゲットを作成してもよい。４元素の
組成比、チップの大きさや数、ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂの
混合比、面積比などはスパッタリング装置、条件等に応
じ、適宜決定することができる。その際ターゲットの組
成によってはＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ単体あるいはそれ
らの２元化合物がターゲット中に混在することもある
が、記録膜の性能に大きな影響を与えるものではない。
なおＡｇＩｎＴｅ2は必ずしも化学量論組成を意味する
ものではない。
【００２３】以下本発明を添付図面に基づき説明する。
図３は本発明の構成例を示すものである。基板（１）上
に耐熱性保護層（２）、記録層（３）、耐熱性保護層
（４）、反射放熱層（５）が設けられている。耐熱性保
護層はかならずしも記録層の両側共に設ける必要はない
が、基体がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い
材料の場合には耐熱性保護層（２）を設けることが望ま
しい。
図３は本発明の構成例を示すものである。基板（１）上
に耐熱性保護層（２）、記録層（３）、耐熱性保護層
（４）、反射放熱層（５）が設けられている。耐熱性保
護層はかならずしも記録層の両側共に設ける必要はない
が、基体がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い
材料の場合には耐熱性保護層（２）を設けることが望ま
しい。
【００２４】基板の材料は通常ガラス、セラミックス、
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状として
はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状として
はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
【００２５】耐熱性保護層の材料としては、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ2、ＺｎＯ・ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、TiO2、Ｉｎ2Ｏ3、
ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ
2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、
ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カ
ーボンあるいはそれらの混合物が挙げられる。特にＡｌ
Ｎ、ＢＮ、ＳｉＣ、Ｃなど熱伝導率が１Ｗ／ｃｍ・Ｋ以
上の保護層が適している。通常μｍオーダー以下の薄
膜、特に耐熱保護層に使用しているような絶縁体薄膜そ
のものの熱伝導率測定は極めて困難である。そこで本発
明で記載する熱伝導率は同じ物質のバルク状態を測定対
象とし、縦方向直接法、あるいはレーザーフラッシュ法
を用いて測定した値である。
ｉＯ2、ＺｎＯ・ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、TiO2、Ｉｎ2Ｏ3、
ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ
2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、
ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カ
ーボンあるいはそれらの混合物が挙げられる。特にＡｌ
Ｎ、ＢＮ、ＳｉＣ、Ｃなど熱伝導率が１Ｗ／ｃｍ・Ｋ以
上の保護層が適している。通常μｍオーダー以下の薄
膜、特に耐熱保護層に使用しているような絶縁体薄膜そ
のものの熱伝導率測定は極めて困難である。そこで本発
明で記載する熱伝導率は同じ物質のバルク状態を測定対
象とし、縦方向直接法、あるいはレーザーフラッシュ法
を用いて測定した値である。
【００２６】その値が１．０Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ以上とな
った材料を本明細書記載の適切な製膜手段を用いて薄膜
化したものを上部耐熱保護層として用いた。これらの材
料は単体で保護層とすることもできるが、お互いの混合
物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでい
てもよい。但し耐熱保護層の融点は記録層の融点よりも
高いことが必要である。また必要に応じて保護層を多層
化することもできる。このような耐熱性保護層は各種気
相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護
層の膜厚としては１００〜５０００Å、好適には２００
〜３０００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなる
と耐熱性保護層としての機能をはたさなくなり、逆に５
０００Åよりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界
面剥離を生じやすくなる。
った材料を本明細書記載の適切な製膜手段を用いて薄膜
化したものを上部耐熱保護層として用いた。これらの材
料は単体で保護層とすることもできるが、お互いの混合
物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでい
てもよい。但し耐熱保護層の融点は記録層の融点よりも
高いことが必要である。また必要に応じて保護層を多層
化することもできる。このような耐熱性保護層は各種気
相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護
層の膜厚としては１００〜５０００Å、好適には２００
〜３０００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなる
と耐熱性保護層としての機能をはたさなくなり、逆に５
０００Åよりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界
面剥離を生じやすくなる。
【００２７】反射放熱層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇな
どの金属材料、またはそれらの合金などを用いることが
できる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な
熱を放出し、記録媒体自身への熱負担を軽減するために
設けるほうが望ましい。このような反射放熱層は各種気
相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成できる。反射放熱層
の膜厚としては、１００〜３０００Å、好適には５００
〜２０００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなる
と反射放熱層の機能を果さなくなり、逆に３０００Åよ
りも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を生
じやすくなる。
どの金属材料、またはそれらの合金などを用いることが
できる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な
熱を放出し、記録媒体自身への熱負担を軽減するために
設けるほうが望ましい。このような反射放熱層は各種気
相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成できる。反射放熱層
の膜厚としては、１００〜３０００Å、好適には５００
〜２０００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなる
と反射放熱層の機能を果さなくなり、逆に３０００Åよ
りも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を生
じやすくなる。
【００２８】光情報記録媒体の初期化方法としては、Ａ
ｒレーザーによる方法、半導体レーザーによる方法、フ
ラッシランプによる方法など種々の方法を用いることが
できる。特にはじめにＡｒレーザーによる初期化を行
い、次に半導体レーザーによる初期化を行う方法は消去
比の点で優れている。この理由は明確ではないが、初期
化方法を組み合せることにより記録層の構造が変化する
ことによるものと思われる。Ａｒレーザーのパワーは３
００ｍＷから４Ｗの範囲、ディスクの線速は１．０ｍ／
ｓから１０ｍ／ｓの範囲、レーザーの送り速度は１ｕｍ
／回転から２０ｕｍ／回転の範囲が適している。半導体
レーザーのパワーは５ｍＷから２０ｍＷの範囲、線速は
１．２ｍ／ｓから１０ｍ／ｓの範囲が適している。
ｒレーザーによる方法、半導体レーザーによる方法、フ
ラッシランプによる方法など種々の方法を用いることが
できる。特にはじめにＡｒレーザーによる初期化を行
い、次に半導体レーザーによる初期化を行う方法は消去
比の点で優れている。この理由は明確ではないが、初期
化方法を組み合せることにより記録層の構造が変化する
ことによるものと思われる。Ａｒレーザーのパワーは３
００ｍＷから４Ｗの範囲、ディスクの線速は１．０ｍ／
ｓから１０ｍ／ｓの範囲、レーザーの送り速度は１ｕｍ
／回転から２０ｕｍ／回転の範囲が適している。半導体
レーザーのパワーは５ｍＷから２０ｍＷの範囲、線速は
１．２ｍ／ｓから１０ｍ／ｓの範囲が適している。
【００２９】また大径ＬＤ（半導体レーザー）を用いた
初期化は膜の均質性、ディスク信号特性、生産性の点で
優れている。そのビーム径は巾１．０〜５．０μｍ、長
さ１０〜３００μｍが適している。パワーは１００〜３
０００ｍＷ、線速は１〜２０ｍ／ｓの範囲が適してい
る。記録、再生および消去に用いる電磁波としては、レ
ーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、
マイクロ波など種々のものが採用可能であるが、ドライ
ブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レーザーが
最適である。
初期化は膜の均質性、ディスク信号特性、生産性の点で
優れている。そのビーム径は巾１．０〜５．０μｍ、長
さ１０〜３００μｍが適している。パワーは１００〜３
０００ｍＷ、線速は１〜２０ｍ／ｓの範囲が適してい
る。記録、再生および消去に用いる電磁波としては、レ
ーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、
マイクロ波など種々のものが採用可能であるが、ドライ
ブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レーザーが
最適である。
【００３０】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。 実施例１ ３．５インチグルーブ付きポリカーボネートディスク基
板上に下部耐熱保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2（２０ｍ
ｏｌ％）を２０００Å、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからな
る記録層を３５０Å、上部耐熱保護層としてＡｌＮを３
００Å、反射放熱層としてＡｇを７００Å、順次スパッ
タ法により積層成膜した。その際記録層用スパッタリン
グターゲットとしては６インチφ、ＡｇＩｎＴｅ2ター
ゲットエロージョン部に１５ｍｍ□Ｓｂチップを８個の
せたものを用いた。得られた記録層の組成は次のように
表わされた。
する。 実施例１ ３．５インチグルーブ付きポリカーボネートディスク基
板上に下部耐熱保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2（２０ｍ
ｏｌ％）を２０００Å、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからな
る記録層を３５０Å、上部耐熱保護層としてＡｌＮを３
００Å、反射放熱層としてＡｇを７００Å、順次スパッ
タ法により積層成膜した。その際記録層用スパッタリン
グターゲットとしては６インチφ、ＡｇＩｎＴｅ2ター
ゲットエロージョン部に１５ｍｍ□Ｓｂチップを８個の
せたものを用いた。得られた記録層の組成は次のように
表わされた。
【００３１】
【数５】
【００３２】Ｘ＝０．４８ Ｚ＝１．９ δ＝−０．０７ 初期化方法として半導体レーザーを用いる方法とオーブ
ンアニールによる方法を選択し、記録層の構造を変化さ
せ、ディスク特性を評価した。半導体レーザーによる初
期化は波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを用
いて行った。ディスクの線速は１．２ｍ／ｓとした。初
期化パワーはＤＣ１３ｍＷとして、５回行った。半導体
レーザーによる初期化ではＡｇＳｂＴｅ2結晶相とＩｎ
−Ｓｂアモルファス相が混在した構造になっていること
がＴＥＭ観察、電子線回折の結果からわかった。またオ
ーブンアニールではＡｇＩｎＴｅ2とＳｂの結晶相がで
きることがわかった。
ンアニールによる方法を選択し、記録層の構造を変化さ
せ、ディスク特性を評価した。半導体レーザーによる初
期化は波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを用
いて行った。ディスクの線速は１．２ｍ／ｓとした。初
期化パワーはＤＣ１３ｍＷとして、５回行った。半導体
レーザーによる初期化ではＡｇＳｂＴｅ2結晶相とＩｎ
−Ｓｂアモルファス相が混在した構造になっていること
がＴＥＭ観察、電子線回折の結果からわかった。またオ
ーブンアニールではＡｇＩｎＴｅ2とＳｂの結晶相がで
きることがわかった。
【００３３】光ディスクの評価は波長７８０ｎｍ、ＮＡ
０．５のピックアップを用いておこなった。ディスクの
線速は１．２ｍ／ｓとした。記録周波数７２０ｋＨｚ、
２００ｋＨｚの信号を交互にオーバーライト記録し、７
２０ｋＨｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を特性値とした。表
１に評価結果を示す。記録層の構造がＡｇＳｂＴｅ2結
晶相とＩｎ−Ｓｂアモルフアス相が混在したもので優れ
たディスク特性が得られている。
０．５のピックアップを用いておこなった。ディスクの
線速は１．２ｍ／ｓとした。記録周波数７２０ｋＨｚ、
２００ｋＨｚの信号を交互にオーバーライト記録し、７
２０ｋＨｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を特性値とした。表
１に評価結果を示す。記録層の構造がＡｇＳｂＴｅ2結
晶相とＩｎ−Ｓｂアモルフアス相が混在したもので優れ
たディスク特性が得られている。
【００３４】
【表１】
【００３５】実施例２ ピッチ約１．６μｍ、深さ約７００Åの溝付きで、厚さ
１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板上
にＲＦスパッタリング法によりＺｎＳ・ＳｉＯ2（２０
ｍｏｌ％）、保護層２０００Å、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔ
ｅからなる記録層２００Å、ＡｌＮ保護層１５００Å、
Ａｇ反射層５００Åを順次積層し、光ディスクを製作し
た。その際記録層の成膜は実施例１と同様にしておこな
った。光ディスクの初期化は半導体レーザーにより行っ
た。初期化パワーは５ｍＷから１５ｍＷ、線速は１．３
ｍ／ｓとした。初期化パワーにより同じ方位を向いた領
域の大きさが変化した。
１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板上
にＲＦスパッタリング法によりＺｎＳ・ＳｉＯ2（２０
ｍｏｌ％）、保護層２０００Å、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔ
ｅからなる記録層２００Å、ＡｌＮ保護層１５００Å、
Ａｇ反射層５００Åを順次積層し、光ディスクを製作し
た。その際記録層の成膜は実施例１と同様にしておこな
った。光ディスクの初期化は半導体レーザーにより行っ
た。初期化パワーは５ｍＷから１５ｍＷ、線速は１．３
ｍ／ｓとした。初期化パワーにより同じ方位を向いた領
域の大きさが変化した。
【００３６】光ディスクの評価は波長７８０ｎｍ、ＮＡ
０．５のピックアップを用いて行った。ディスクの線速
は１．３ｍ／ｓとした。記録周波数７２０ｋＨｚ、２０
０ｋＨｚの信号を交互にオーバーライト記録し７２０ｋ
Ｈｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を特性値とした。ディスク
特性評価後記録層のＴＥＭ観察を行い、同じ方位を向い
た領域の大きさを求めた。図４にＡｇＳｂＴｅ2結晶の
同じ方位を向いた領域の大きさと繰り返し特性の関係を
示す。ディスク繰り返し特性の特性値としてＣ／Ｎが３
ｄＢ減少するオーバーライト記録回数を用いた。同じ方
位を向いた領域の大きさが２０００Å以下になると繰り
返し特性が急激に低下するため好ましくないことがわか
る。なおＴＥＭ観察および電子線回折の結果から記録層
はＡｇＳｂＴｅ2結晶相とＩｎ−Ｓｂ、アモルファス相
が混在した構造になっていることが確認された。
０．５のピックアップを用いて行った。ディスクの線速
は１．３ｍ／ｓとした。記録周波数７２０ｋＨｚ、２０
０ｋＨｚの信号を交互にオーバーライト記録し７２０ｋ
Ｈｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を特性値とした。ディスク
特性評価後記録層のＴＥＭ観察を行い、同じ方位を向い
た領域の大きさを求めた。図４にＡｇＳｂＴｅ2結晶の
同じ方位を向いた領域の大きさと繰り返し特性の関係を
示す。ディスク繰り返し特性の特性値としてＣ／Ｎが３
ｄＢ減少するオーバーライト記録回数を用いた。同じ方
位を向いた領域の大きさが２０００Å以下になると繰り
返し特性が急激に低下するため好ましくないことがわか
る。なおＴＥＭ観察および電子線回折の結果から記録層
はＡｇＳｂＴｅ2結晶相とＩｎ−Ｓｂ、アモルファス相
が混在した構造になっていることが確認された。
【００３７】ＡｇＳｂＴｅ2結晶の同じ方位を向いた領
域の大きさとＣ／Ｎの関係を図５に示す。同じ方位を向
いた領域の大きさが１００００Å以上になるとＣ／Ｎが
低下するため実用に適さないことがわかった。
域の大きさとＣ／Ｎの関係を図５に示す。同じ方位を向
いた領域の大きさが１００００Å以上になるとＣ／Ｎが
低下するため実用に適さないことがわかった。
【００３８】実施例３ ３．５インチグルーヴ付きポリカーボネートディスク基
板上に下部耐熱保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2（２０ｍ
ｏｌ％混）を２０００Å、記録層を１０００Å、上部耐
熱保護層としてＡｌＮを１５００Å、反射放熱層として
Ａｇを７００Å、順次ｒｆマグネトロンスパッタ法によ
り積層、設置した。記録層の組成はターゲット組成の調
整により変化させた。蛍光Ｘ線により測定した記録層の
組成ｘ，ｚ，δを表２に示す。デイスク作製時の記録層
はいずれもアモルファス相であった。波長８３０ｎｍの
半導体レーザー光により記録層を初期化状態（安定状
態）とした。線速度１．３ｍ／ｓ、周波数０．７２ＭＨ
ｚ、５０％デューティー比で記録し、周波数０．２ＭＨ
ｚ、５０％デューティー比でオーバーライトを行ったと
きの周波数０．７２ＭＨｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を測
定し、記録媒体としての判定を行った。結果を表２中に
示す。表中、●はＣ／Ｎ≧５０ｄＢ、消去比≧−３０ｄ
Ｂ、○はＣ／Ｎ≧４０ｄＢ、消去比≧−２５ｄＢ、△は
Ｃ／Ｎ≧３０ｄＢ、消去比≧−２０ｄＢ、×はＣ／Ｎ＜
３０ｄＢ、消去比＜−２０ｄＢであることを示す。組成
ｘ，ｚとディスク特性との関係を表わしたものを図６
に、δとディスク特性との関係を図７に示す。０．４≦
ｘ≦０．５５、０．５≦ｚ≦２．５、−０．１５＜δ＜
０．１の範囲で良好なディスク特性を示すことがわか
る。また表２中にあるように記録感度も非常に高いもの
となっている。
板上に下部耐熱保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2（２０ｍ
ｏｌ％混）を２０００Å、記録層を１０００Å、上部耐
熱保護層としてＡｌＮを１５００Å、反射放熱層として
Ａｇを７００Å、順次ｒｆマグネトロンスパッタ法によ
り積層、設置した。記録層の組成はターゲット組成の調
整により変化させた。蛍光Ｘ線により測定した記録層の
組成ｘ，ｚ，δを表２に示す。デイスク作製時の記録層
はいずれもアモルファス相であった。波長８３０ｎｍの
半導体レーザー光により記録層を初期化状態（安定状
態）とした。線速度１．３ｍ／ｓ、周波数０．７２ＭＨ
ｚ、５０％デューティー比で記録し、周波数０．２ＭＨ
ｚ、５０％デューティー比でオーバーライトを行ったと
きの周波数０．７２ＭＨｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を測
定し、記録媒体としての判定を行った。結果を表２中に
示す。表中、●はＣ／Ｎ≧５０ｄＢ、消去比≧−３０ｄ
Ｂ、○はＣ／Ｎ≧４０ｄＢ、消去比≧−２５ｄＢ、△は
Ｃ／Ｎ≧３０ｄＢ、消去比≧−２０ｄＢ、×はＣ／Ｎ＜
３０ｄＢ、消去比＜−２０ｄＢであることを示す。組成
ｘ，ｚとディスク特性との関係を表わしたものを図６
に、δとディスク特性との関係を図７に示す。０．４≦
ｘ≦０．５５、０．５≦ｚ≦２．５、−０．１５＜δ＜
０．１の範囲で良好なディスク特性を示すことがわか
る。また表２中にあるように記録感度も非常に高いもの
となっている。
【００３９】
【表２】
【００４０】実施例４ 実施例１と同様にしてディスクの評価を行った。ただし
初期化方法としてＡｒレーザーによる初期化（３００
０ｍＷ，８ｍ／ｓ，１μｍ／回転）をおこなった後、半
導体レーザーによる初期化（１３ｍＷ，１．２ｍ／ｓ，
５回）をおこなう、半導体レーザーによる初期化、
Ａｒレーザーによる初期化を選択し比較した。表３に評
価結果を示す。
初期化方法としてＡｒレーザーによる初期化（３００
０ｍＷ，８ｍ／ｓ，１μｍ／回転）をおこなった後、半
導体レーザーによる初期化（１３ｍＷ，１．２ｍ／ｓ，
５回）をおこなう、半導体レーザーによる初期化、
Ａｒレーザーによる初期化を選択し比較した。表３に評
価結果を示す。
【００４１】
【表３】
【００４２】表３からわかるようにＡｒレーザーによる
初期化をおこなった後、半導体レーザーによる初期化を
おこなうことにより消去比が向上していることがわか
る。
初期化をおこなった後、半導体レーザーによる初期化を
おこなうことにより消去比が向上していることがわか
る。
【００４３】実施例５ 実施例１と同様にしてディスクを作製した。ただし上部
保護層としてＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2の３種
を用い、デイスク特性の比較をおこなった。各保護層の
熱伝導率はＡｌＮ：２．６Ｗ／ｃｍＫ、Ｓｉ3Ｎ4：０．
８Ｗ／ｃｍＫ、ＳｉＯ2：０．６Ｗ／ｃｍＫである。表
４に各ディスクのＣ／Ｎ、消去比の初期特性、繰返し特
性を示す。ＡｌＮを用いることで繰返し特性が改善され
ていることがわかる。
保護層としてＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2の３種
を用い、デイスク特性の比較をおこなった。各保護層の
熱伝導率はＡｌＮ：２．６Ｗ／ｃｍＫ、Ｓｉ3Ｎ4：０．
８Ｗ／ｃｍＫ、ＳｉＯ2：０．６Ｗ／ｃｍＫである。表
４に各ディスクのＣ／Ｎ、消去比の初期特性、繰返し特
性を示す。ＡｌＮを用いることで繰返し特性が改善され
ていることがわかる。
【００４４】
【表４】
【００４５】
【発明の効果】本発明は、相変化型光記録媒体として優
れた性能を有し、特に消去比、繰り返し特性が飛躍的に
向上したものが得られる。
れた性能を有し、特に消去比、繰り返し特性が飛躍的に
向上したものが得られる。
【図１】最適な記録層の安定な状態を模式的に示した図
である。
である。
【図２】本発明の金属組織を示す電子顕微鏡写真であ
る。
る。
【図３】本発明の構成例を示す図である。
【図４】ＡｇＳｂＴｅ2結晶の同じ方位を向いた領域の
大きさと繰返し特性の関係を示すグラフである。
大きさと繰返し特性の関係を示すグラフである。
【図５】ＡｇＳｂＴｅ2結晶の同じ方位を向いた領域の
大きさとＣ／Ｎの関係を示すグラフである。
大きさとＣ／Ｎの関係を示すグラフである。
【図６】組成とディスク特性との関係を示すグラフであ
る。
る。
【図７】δとディスク特性の関係を示すグラフである。
１ 基板 ２ 耐熱性保護層 ３ 記録層 ４ 耐熱性保護層 ５ 反射放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (8)
- 【請求項１】 レーザー光の照射により情報の記録、消
去、再生を行う書き換え可能な光情報記録媒体におい
て、記録層が少なくともＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含む
４元系の相変化形記録材料を主成分として含有し、未記
録および消去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇ
ＳｂＴｅ2結晶相が存在することを特徴とする光情報記
録媒体。 - 【請求項２】 未記録および消去時に化学量論組成ある
いはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2結晶相と少なくともＩ
ｎ，Ｓｂからなるアモルファス相が混在した組織となっ
ていることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒
体。 - 【請求項３】 記録層が少なくともＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，
Ｔｅからなり記録時には一様なアモルファス相となり、
消去時には化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴ
ｅ2結晶相と少なくともＩｎ，Ｓｂからなるアモルファ
ス相が混在した組織となっていることを特徴とする請求
項１記載の光情報記録媒体。 - 【請求項４】 初期化状態あるいは消去状態の記録層に
おいてＡｇＳｂＴｅ2の同じ方位をむいた領域の大きさ
が、２０００Åから１００００Åである請求項２又は３
記載の光情報記録媒体。 - 【請求項５】 消去時における組成および化学構造が主
として、 【数１】 ただし、 【数２】 ０．４≦Ｘ≦０．５５ ０．５≦Ｚ≦２．５ −０．１５＜δ＜０．１ で表わされることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項６】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層を
有し、記録層と反射放熱層との間の保護層がＡｌＮであ
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光
情報記録媒体。 - 【請求項７】 レーザー光の照射により情報の記録、消
去、再生を行う書き換え可能な光記録媒体の製造におい
て、主にＡｇＩｎＴｅ2とＳｂとからなるターゲットを
用い、スパッタ法により記録層を製膜することを特徴と
する光情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 製膜後、はじめにＡｒレーザーによる初
期化を行い、次に半導体レーザーによる初期化を行う請
求項７記載の光情報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5168055A JPH06166268A (ja) | 1992-07-09 | 1993-07-07 | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-182329 | 1992-07-09 | ||
| JP18232992 | 1992-07-09 | ||
| JP5168055A JPH06166268A (ja) | 1992-07-09 | 1993-07-07 | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06166268A true JPH06166268A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=26491908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5168055A Pending JPH06166268A (ja) | 1992-07-09 | 1993-07-07 | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06166268A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0717404A1 (en) * | 1994-12-13 | 1996-06-19 | Ricoh Company, Ltd | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of fabricating the optical recording medium |
| US5637372A (en) * | 1995-03-31 | 1997-06-10 | Tdk Corporation | Phase change optical recording medium |
| US6022605A (en) * | 1997-02-28 | 2000-02-08 | Kao Corporation | Optical recording medium and recording/erasing method therefor |
| US6103330A (en) * | 1997-05-26 | 2000-08-15 | Tdk Corporation | Optical recording medium and fabrication method therefor |
| US6683275B2 (en) | 2000-06-23 | 2004-01-27 | Memex Optical Media Solutions Ag | Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium |
| US7507523B2 (en) | 2000-09-28 | 2009-03-24 | Ricoh Company, Ltd | Optical information recording medium, method of manufacturing the optical information recording medium, and method of and apparatus for recording/reproducing optical information |
-
1993
- 1993-07-07 JP JP5168055A patent/JPH06166268A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0717404A1 (en) * | 1994-12-13 | 1996-06-19 | Ricoh Company, Ltd | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of fabricating the optical recording medium |
| US5785828A (en) * | 1994-12-13 | 1998-07-28 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target for producing optical recording medium |
| EP0969457A2 (en) * | 1994-12-13 | 2000-01-05 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target, method of producing the target and method of fabricating an optical recording medium |
| EP0969457A3 (en) * | 1994-12-13 | 2000-01-12 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target, method of producing the target and method of fabricating an optical recording medium |
| US6127016A (en) * | 1994-12-13 | 2000-10-03 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of fabricating the optical recording medium |
| US6280684B1 (en) | 1994-12-13 | 2001-08-28 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of fabricating the optical recording medium |
| US6503592B1 (en) | 1994-12-13 | 2003-01-07 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of fabricating the optical recording medium |
| US5637372A (en) * | 1995-03-31 | 1997-06-10 | Tdk Corporation | Phase change optical recording medium |
| US6022605A (en) * | 1997-02-28 | 2000-02-08 | Kao Corporation | Optical recording medium and recording/erasing method therefor |
| US6103330A (en) * | 1997-05-26 | 2000-08-15 | Tdk Corporation | Optical recording medium and fabrication method therefor |
| US6683275B2 (en) | 2000-06-23 | 2004-01-27 | Memex Optical Media Solutions Ag | Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium |
| US7507523B2 (en) | 2000-09-28 | 2009-03-24 | Ricoh Company, Ltd | Optical information recording medium, method of manufacturing the optical information recording medium, and method of and apparatus for recording/reproducing optical information |
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