JP3287648B2 - 相変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方法及び相変化型情報記録ドライブ装置 - Google Patents
相変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方法及び相変化型情報記録ドライブ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光メモリ関連機器等の
分野で利用されるものであって、情報記録媒体に光ビー
ムを照射することにより記録層材料に相変化を生じさせ
て、情報の記録、再生を行い、かつ、書換えが可能な相
変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方法及び相変
化型情報記録ドライブ装置に関する。
分野で利用されるものであって、情報記録媒体に光ビー
ムを照射することにより記録層材料に相変化を生じさせ
て、情報の記録、再生を行い、かつ、書換えが可能な相
変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方法及び相変
化型情報記録ドライブ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザビームの照射による
情報の記録、再生及び消去可能な光メモリ媒体の一つと
して、結晶‐非結晶相間、或いは、結晶‐結晶相間の転
移を利用するようにした、所謂、相変化型情報記録媒体
がよく知られている。この相変化型情報記録媒体によれ
ば、特に光磁気メモリでは困難な単一ビームによるオー
バライトが可能であり、ドライブ側の光学系構成もより
単純である、等の理由から、最近、その研究開発が活発
化している。
情報の記録、再生及び消去可能な光メモリ媒体の一つと
して、結晶‐非結晶相間、或いは、結晶‐結晶相間の転
移を利用するようにした、所謂、相変化型情報記録媒体
がよく知られている。この相変化型情報記録媒体によれ
ば、特に光磁気メモリでは困難な単一ビームによるオー
バライトが可能であり、ドライブ側の光学系構成もより
単純である、等の理由から、最近、その研究開発が活発
化している。
【０００３】このような相変化型情報記録媒体の代表例
として、例えば、米国特許第３，５３０，４４１号明細
書に示されるように、Ｇｅ‐Ｔｅ，Ｇｅ‐Ｔｅ‐Ｓｎ，
Ｇｅ‐Ｔｅ‐Ｓ，Ｇｅ‐Ｓｅ‐Ｓ，Ｇｅ‐Ｓｅ‐Ｓｂ，
Ｇｅ‐Ａｓ‐Ｓｅ，Ｉｎ‐Ｔｅ，Ｓｅ‐Ｔｅ，Ｓｅ‐Ａ
ｓ等の、所謂、カルコゲン系合金材料が挙げられる。ま
た、安定性、高速結晶化などの向上を目的として、Ｇｅ
‐Ｔｅ系に、Ａｕを添加したもの（特開昭６１−２１９
６９２号公報参照）、Ｓｎ及びＡｕを添加したもの（特
開昭６１−２７０１９０号公報参照）、Ｐｄを添加した
もの（特開昭６２−１９４９０号公報参照）に関する提
案がなされている。さらには、記録／消去の繰返し性能
向上を目的としてＧｅ‐Ｔｅ‐Ｓｅ‐Ｓｂ，Ｇｅ‐Ｔｅ
‐Ｓｂの組成比を特定した材料に関しては、特開昭６２
−７３４３８号公報により提案されている。
として、例えば、米国特許第３，５３０，４４１号明細
書に示されるように、Ｇｅ‐Ｔｅ，Ｇｅ‐Ｔｅ‐Ｓｎ，
Ｇｅ‐Ｔｅ‐Ｓ，Ｇｅ‐Ｓｅ‐Ｓ，Ｇｅ‐Ｓｅ‐Ｓｂ，
Ｇｅ‐Ａｓ‐Ｓｅ，Ｉｎ‐Ｔｅ，Ｓｅ‐Ｔｅ，Ｓｅ‐Ａ
ｓ等の、所謂、カルコゲン系合金材料が挙げられる。ま
た、安定性、高速結晶化などの向上を目的として、Ｇｅ
‐Ｔｅ系に、Ａｕを添加したもの（特開昭６１−２１９
６９２号公報参照）、Ｓｎ及びＡｕを添加したもの（特
開昭６１−２７０１９０号公報参照）、Ｐｄを添加した
もの（特開昭６２−１９４９０号公報参照）に関する提
案がなされている。さらには、記録／消去の繰返し性能
向上を目的としてＧｅ‐Ｔｅ‐Ｓｅ‐Ｓｂ，Ｇｅ‐Ｔｅ
‐Ｓｂの組成比を特定した材料に関しては、特開昭６２
−７３４３８号公報により提案されている。
【０００４】ところが、これらの何れのものも、相変化
型情報記録媒体として要求される諸特性の全てを満足し
得るものとは言えず、特に、オーバライト時の消し残り
による消去比低下の防止、並びに、繰返し記録回数の向
上が、解決すべき最重要課題となっている。
型情報記録媒体として要求される諸特性の全てを満足し
得るものとは言えず、特に、オーバライト時の消し残り
による消去比低下の防止、並びに、繰返し記録回数の向
上が、解決すべき最重要課題となっている。
【０００５】一方、特開昭６３−２５１２９０号公報に
よれば、結晶状態が実質的に３元以上の多元化合物単層
からなる記録層を具備した相変化型情報記録媒体が提案
されている。ここに、実質的に３元以上の多元化合物層
とは、３元以上の化学量論組成を持った化合物（例え
ば、Ｉｎ3ＳｂＴｅ2など）を記録層中に９０原子％以上
含むものとされている。このような記録層を用いること
により、記録、消去特性の向上を図れるものとなる。反
面、消去比が低いといった欠点を有している。
よれば、結晶状態が実質的に３元以上の多元化合物単層
からなる記録層を具備した相変化型情報記録媒体が提案
されている。ここに、実質的に３元以上の多元化合物層
とは、３元以上の化学量論組成を持った化合物（例え
ば、Ｉｎ3ＳｂＴｅ2など）を記録層中に９０原子％以上
含むものとされている。このような記録層を用いること
により、記録、消去特性の向上を図れるものとなる。反
面、消去比が低いといった欠点を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これらの事情から、消
去比が高く、かつ、繰返し記録特性に優れた相変化型情
報記録媒体の開発が望まれている。
去比が高く、かつ、繰返し記録特性に優れた相変化型情
報記録媒体の開発が望まれている。
【０００７】このため、記録層材料に適した保護層材料
の開発が進められ、ＺｎＳＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ
5，ＳｉＮ，ＡｌＮなどの材料が用いられている。しか
し、これらの材料の組合せによっても、光メモリ媒体と
して要求される諸特性の全てを満足し得るものは得られ
ていない現状にある。
の開発が進められ、ＺｎＳＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ
5，ＳｉＮ，ＡｌＮなどの材料が用いられている。しか
し、これらの材料の組合せによっても、光メモリ媒体と
して要求される諸特性の全てを満足し得るものは得られ
ていない現状にある。
【０００８】また、一般に、光磁気メモリでは、消去→
記録→ベリファイという３つの動作（ディスクであれ
ば、３回転）が必要であり、ハードディスクに代表され
る磁気ディスクの記録→ベリファイという２つの動作
（通常は、２回転であるが、１回転で可能なものもあ
る）と比較して書込み速度の点で明かに劣っているもの
であるが、相変化型情報記録媒体においても、記録→ベ
リファイという２つの動作（ディスクであれば、２回
転）が必ず必要であり、書込み時間の短縮に大きな障害
を来たしている。具体的には、磁気ディスクの場合に比
較してデータの書込み時に２〜３倍の時間がかかり、デ
ータ転送時間の面で使い勝手が悪いものとなっている。
記録→ベリファイという３つの動作（ディスクであれ
ば、３回転）が必要であり、ハードディスクに代表され
る磁気ディスクの記録→ベリファイという２つの動作
（通常は、２回転であるが、１回転で可能なものもあ
る）と比較して書込み速度の点で明かに劣っているもの
であるが、相変化型情報記録媒体においても、記録→ベ
リファイという２つの動作（ディスクであれば、２回
転）が必ず必要であり、書込み時間の短縮に大きな障害
を来たしている。具体的には、磁気ディスクの場合に比
較してデータの書込み時に２〜３倍の時間がかかり、デ
ータ転送時間の面で使い勝手が悪いものとなっている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】基本的には、相変化型情
報記録媒体に対する記録パルスの照射中に、照射とほぼ
同時にその反射光強度が変化することを反射光により検
出して前記相変化型情報記録媒体に対する記録が正常に
行なわれたことを確認するようにした。
報記録媒体に対する記録パルスの照射中に、照射とほぼ
同時にその反射光強度が変化することを反射光により検
出して前記相変化型情報記録媒体に対する記録が正常に
行なわれたことを確認するようにした。
【００１０】この場合、相変化型情報記録媒体として、
電磁波の照射時に生ずる記録層の光学定数の変化を情報
記録に用いるものや、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ
からなる記録層と保護層と反射放熱層とを有するもの
や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層と
保護層と反射放熱層とを有し、前記記録層の安定状態に
おける組成及び化学構造が主として、 （ＡｇＳｂＴｅ（２＋σ／Δ））ｘ（ＩｎＳｂｚ）１−ｘ ただし、０．４≦ｘ≦０．５５ ０．５≦ｚ≦２．５ −０．１５≦σ≦０．１ Δ＝（１−σ）ｘ／｛１＋３ｘ＋ｚ（１−ｘ）｝ で表されるものを用いるようにした。
電磁波の照射時に生ずる記録層の光学定数の変化を情報
記録に用いるものや、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ
からなる記録層と保護層と反射放熱層とを有するもの
や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層と
保護層と反射放熱層とを有し、前記記録層の安定状態に
おける組成及び化学構造が主として、 （ＡｇＳｂＴｅ（２＋σ／Δ））ｘ（ＩｎＳｂｚ）１−ｘ ただし、０．４≦ｘ≦０．５５ ０．５≦ｚ≦２．５ −０．１５≦σ≦０．１ Δ＝（１−σ）ｘ／｛１＋３ｘ＋ｚ（１−ｘ）｝ で表されるものを用いるようにした。
【００１１】また、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅか
らなる記録層と保護層と反射放熱層とを有する相変化型
情報記録媒体や、電磁波の照射時に生ずる記録層の光学
定数の変化を情報記録に用いる相変化型情報記録媒体
や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層と
保護層と反射放熱層とを有し、前記記録層の安定状態に
おける組成及び化学構造が主として、上式で表される相
変化型情報記録媒体に対する記録パルスの照射中に、前
記記録層の反射光強度が変化することを反射光により検
出して前記相変化型情報記録媒体に対する記録が正常に
行なわれたことを確認するようにした。
らなる記録層と保護層と反射放熱層とを有する相変化型
情報記録媒体や、電磁波の照射時に生ずる記録層の光学
定数の変化を情報記録に用いる相変化型情報記録媒体
や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層と
保護層と反射放熱層とを有し、前記記録層の安定状態に
おける組成及び化学構造が主として、上式で表される相
変化型情報記録媒体に対する記録パルスの照射中に、前
記記録層の反射光強度が変化することを反射光により検
出して前記相変化型情報記録媒体に対する記録が正常に
行なわれたことを確認するようにした。
【００１２】或いは、電磁波の照射時に生ずる記録層の
光学定数の変化を情報記録に用いる相変化型情報記録媒
体や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層
と保護層と反射放熱層とを有する相変化型情報記録媒体
や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層と
保護層と反射放熱層とを有し、前記記録層の安定状態に
おける組成及び化学構造が主として、上式で表される相
変化型情報記録媒体に対してマルチパルス列方式の記録
パルス列を照射し、この記録パルス列の照射中にその反
射光強度が変化することを各記録パルスのピークレベル
照射間のバイアスレベル照射時の反射光により検出して
前記相変化型情報記録媒体に対する記録が正常に行なわ
れたことを確認するようにした。
光学定数の変化を情報記録に用いる相変化型情報記録媒
体や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層
と保護層と反射放熱層とを有する相変化型情報記録媒体
や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層と
保護層と反射放熱層とを有し、前記記録層の安定状態に
おける組成及び化学構造が主として、上式で表される相
変化型情報記録媒体に対してマルチパルス列方式の記録
パルス列を照射し、この記録パルス列の照射中にその反
射光強度が変化することを各記録パルスのピークレベル
照射間のバイアスレベル照射時の反射光により検出して
前記相変化型情報記録媒体に対する記録が正常に行なわ
れたことを確認するようにした。
【００１３】これらの場合、反射光強度の変化を、相変
化型情報記録媒体から得られるＲＦ和信号のレベル変化
により検出するようにし、或いは、予め記録前後の反射
率変化の度合い情報を相変化型情報記録媒体の特定領域
に記録しておき、この度合い情報を参照して前記相変化
型情報記録媒体から得られるＲＦ和信号のレベル変化に
より検出するようにし、又は、予め記録前後の反射率変
化の度合いを相変化型情報記録媒体のテスト領域で検出
し、この検出情報を参照して前記相変化型情報記録媒体
から得られるＲＦ和信号のレベル変化により検出するよ
うにした。
化型情報記録媒体から得られるＲＦ和信号のレベル変化
により検出するようにし、或いは、予め記録前後の反射
率変化の度合い情報を相変化型情報記録媒体の特定領域
に記録しておき、この度合い情報を参照して前記相変化
型情報記録媒体から得られるＲＦ和信号のレベル変化に
より検出するようにし、又は、予め記録前後の反射率変
化の度合いを相変化型情報記録媒体のテスト領域で検出
し、この検出情報を参照して前記相変化型情報記録媒体
から得られるＲＦ和信号のレベル変化により検出するよ
うにした。
【００１４】さらに、これらの場合において、照射する
記録パルスのパルス列を、シングルパルス列によるも
の、又は、マルチパルス列によるものとした。
記録パルスのパルス列を、シングルパルス列によるも
の、又は、マルチパルス列によるものとした。
【００１５】本発明によれば、基本的に相変化型情報記
録媒体の記録層は電磁波の照射時に光学定数が変化する
特性を持つため、照射とほぼ同時に反射光強度が変化す
ることを反射光によって検出することにより、記録と同
時的なベリファイが可能となり、ベリファイ動作を伴っ
ても記録時の速度の遅さが改善されることになる。例え
ば、相変化型情報記録媒体からのＲＦ和信号の出力レベ
ルに注目した場合、未記録部では結晶状態にあり記録部
ではアモルファス状態にあり、両者の反射率が異なるた
め、このレベルが変化することになるが、このような反
射率の変化が記録パルス照射中若しくは照射終了後、極
く短時間で生ずるため、記録パルス照射中の反射光の光
強度を検出することにより、記録即ベリファイが可能と
なる。
録媒体の記録層は電磁波の照射時に光学定数が変化する
特性を持つため、照射とほぼ同時に反射光強度が変化す
ることを反射光によって検出することにより、記録と同
時的なベリファイが可能となり、ベリファイ動作を伴っ
ても記録時の速度の遅さが改善されることになる。例え
ば、相変化型情報記録媒体からのＲＦ和信号の出力レベ
ルに注目した場合、未記録部では結晶状態にあり記録部
ではアモルファス状態にあり、両者の反射率が異なるた
め、このレベルが変化することになるが、このような反
射率の変化が記録パルス照射中若しくは照射終了後、極
く短時間で生ずるため、記録パルス照射中の反射光の光
強度を検出することにより、記録即ベリファイが可能と
なる。
【００１６】
【実施例】本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。まず、本実施例で用いられる相変化型情報記録媒体
１は、図１に示すように、基板２上に下部耐熱性保護層
３、記録層４、上部耐熱性保護層５及び反射放熱層６を
積層形成した構造とされている。ここに、耐熱性保護層
３，５は必ずしも記録層４の両側に設ける必要はない
が、基板２がポリカーボネイト樹脂のように耐熱性が低
い材料による場合には少なくとも下部耐熱性保護層３を
設けるようにするのがよい。
る。まず、本実施例で用いられる相変化型情報記録媒体
１は、図１に示すように、基板２上に下部耐熱性保護層
３、記録層４、上部耐熱性保護層５及び反射放熱層６を
積層形成した構造とされている。ここに、耐熱性保護層
３，５は必ずしも記録層４の両側に設ける必要はない
が、基板２がポリカーボネイト樹脂のように耐熱性が低
い材料による場合には少なくとも下部耐熱性保護層３を
設けるようにするのがよい。
【００１７】ところで、前記記録層４は電磁波の照射時
に光学定数の変化を生ずるものであり、好ましくは相変
化型材料、特に好ましくはその媒体構成元素としてＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含むものである。より好適に
は、安定状態におけるこれらの組成及び化学構造が主と
して、 （ＡｇＳｂＴｅ（２＋σ／Δ））ｘ（ＩｎＳｂｚ）１−ｘ ただし、０．４≦ｘ≦０．５５ ０．５≦ｚ≦２．５ −０．１５≦σ≦０．１ Δ＝（１−σ）ｘ／｛１＋３ｘ＋ｚ（１−ｘ）｝ で表されるものがよい。さらには、未記録部及び消去時
に化学量論組成又はそれに近いＡｇＳｂＴｅ２ 微結晶
が存在することが好ましい。
に光学定数の変化を生ずるものであり、好ましくは相変
化型材料、特に好ましくはその媒体構成元素としてＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含むものである。より好適に
は、安定状態におけるこれらの組成及び化学構造が主と
して、 （ＡｇＳｂＴｅ（２＋σ／Δ））ｘ（ＩｎＳｂｚ）１−ｘ ただし、０．４≦ｘ≦０．５５ ０．５≦ｚ≦２．５ −０．１５≦σ≦０．１ Δ＝（１−σ）ｘ／｛１＋３ｘ＋ｚ（１−ｘ）｝ で表されるものがよい。さらには、未記録部及び消去時
に化学量論組成又はそれに近いＡｇＳｂＴｅ２ 微結晶
が存在することが好ましい。
【００１８】このような記録層４は、各種気相成長法
（ＣＶＤ法）、例えば、真空蒸着法、スパッタリング
法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティ
ング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。気
相成長法以外に、例えばゾルゲル法のような湿式プロセ
ス法も可能である。また、記録層４の膜厚としては１０
０〜１００００Å、好適には２００〜２０００Åとする
のがよい。これは、１００Åより薄いと光吸収性能が著
しく低下し記録層としての役割を果たさなくなり、ま
た、１００００Åより厚いと高速で均一な相変化が起こ
りにくくなるからである。
（ＣＶＤ法）、例えば、真空蒸着法、スパッタリング
法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティ
ング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。気
相成長法以外に、例えばゾルゲル法のような湿式プロセ
ス法も可能である。また、記録層４の膜厚としては１０
０〜１００００Å、好適には２００〜２０００Åとする
のがよい。これは、１００Åより薄いと光吸収性能が著
しく低下し記録層としての役割を果たさなくなり、ま
た、１００００Åより厚いと高速で均一な相変化が起こ
りにくくなるからである。
【００１９】また、記録層４と反射放熱層６との間に設
けられる上部耐熱性保護層５としては、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ
Ｏ，ＺｎＯ，Ａｌ2Ｏ3などの酸化物、Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ
Ｎ，ＢＮなどの硫化物、或いは、これらの混合物が適し
ている。特に、ＡｌＮ，ＢＮ，ＳｉＣなどのように熱伝
導率が１Ｗ／ｃｍ・ｋ以上のものが好適である。これ
は、急冷を可能とすれば記録層４の状態変化を早め得る
からである。このような上部耐熱性保護層５は各種気相
成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成すればよい。上部耐
熱性保護層５の膜厚としては、１００〜５０００Å、好
適には２００〜２０００Åとするのがよい。これは、１
００Åよりも薄くなると耐熱性保護層としての機能を果
たさなくなり、逆に、５０００Åよりも厚くなると感度
の低下を来たしたり、界面剥離を生じやすくなるからで
ある。また、必要に応じて多層化構成としてもよい。
けられる上部耐熱性保護層５としては、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ
Ｏ，ＺｎＯ，Ａｌ2Ｏ3などの酸化物、Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ
Ｎ，ＢＮなどの硫化物、或いは、これらの混合物が適し
ている。特に、ＡｌＮ，ＢＮ，ＳｉＣなどのように熱伝
導率が１Ｗ／ｃｍ・ｋ以上のものが好適である。これ
は、急冷を可能とすれば記録層４の状態変化を早め得る
からである。このような上部耐熱性保護層５は各種気相
成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成すればよい。上部耐
熱性保護層５の膜厚としては、１００〜５０００Å、好
適には２００〜２０００Åとするのがよい。これは、１
００Åよりも薄くなると耐熱性保護層としての機能を果
たさなくなり、逆に、５０００Åよりも厚くなると感度
の低下を来たしたり、界面剥離を生じやすくなるからで
ある。また、必要に応じて多層化構成としてもよい。
【００２０】次に、反射放熱層６としては、Ａｌ，Ａ
ｇ，Ａｕなどの金属材料、又は、これらの材料の合金な
どを用いて形成すればよい。反射放熱層６は必ずしも必
要ではないが、過剰な熱を放熱することでディスク（基
板２側）への熱負担を軽減するためには設けたほうがよ
い。このような反射放熱層６は各種気相成長法、例え
ば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成すればよい。反射放熱層６の膜
厚としては、１００〜３０００Å、好適には５００〜２
０００Åとするのがよい。これは、１００Åよりも薄く
なると反射放熱層としての機能を果たさなくなり、逆
に、２０００Åよりも厚くなると感度の低下を来たした
り、界面剥離を生じやすくなるからである。
ｇ，Ａｕなどの金属材料、又は、これらの材料の合金な
どを用いて形成すればよい。反射放熱層６は必ずしも必
要ではないが、過剰な熱を放熱することでディスク（基
板２側）への熱負担を軽減するためには設けたほうがよ
い。このような反射放熱層６は各種気相成長法、例え
ば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成すればよい。反射放熱層６の膜
厚としては、１００〜３０００Å、好適には５００〜２
０００Åとするのがよい。これは、１００Åよりも薄く
なると反射放熱層としての機能を果たさなくなり、逆
に、２０００Åよりも厚くなると感度の低下を来たした
り、界面剥離を生じやすくなるからである。
【００２１】さらに、基板２の材料としては、通常のガ
ラス、セラミックス、或いは樹脂を用い得るが、成形
性、コスト面を考えると樹脂基板とするのがよい。この
ような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル
樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニト
リル‐スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ
プロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢ
Ｓ樹脂、ウレタン樹脂などを挙げることができる。これ
らの中で、加工性、光学特性等を考慮すると、ポリカー
ボネート樹脂やアクリル樹脂が好ましい。また、基板２
の形状としては、ディスク状、カード状或いはシート状
等の何れであってもよい。
ラス、セラミックス、或いは樹脂を用い得るが、成形
性、コスト面を考えると樹脂基板とするのがよい。この
ような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル
樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニト
リル‐スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ
プロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢ
Ｓ樹脂、ウレタン樹脂などを挙げることができる。これ
らの中で、加工性、光学特性等を考慮すると、ポリカー
ボネート樹脂やアクリル樹脂が好ましい。また、基板２
の形状としては、ディスク状、カード状或いはシート状
等の何れであってもよい。
【００２２】一方、このような相変化型情報記録媒体１
に対する記録、再生及び消去に用いる電磁波としては、
レーザ光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、
マイクロ波どの種々のものを用い得るが、ドライブ装置
への取付けを考慮した場合、小型でコンパクトな半導体
レーザが最適といえる。
に対する記録、再生及び消去に用いる電磁波としては、
レーザ光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、
マイクロ波どの種々のものを用い得るが、ドライブ装置
への取付けを考慮した場合、小型でコンパクトな半導体
レーザが最適といえる。
【００２３】さらに、このような相変化型情報記録媒体
１の初期化方法としては、Ａｒレーザや半導体レーザに
よるレーザ光照射法がある。Ａｒレーザの場合、そのパ
ワーは３００ｍＷ〜２Ｗの範囲で、ディスクの線速は
１．２〜１０ｍ／ｓの範囲、レーザの送り速度は１〜２
０ｕｍ／回転の範囲がよい。半導体レーザの場合、その
パワーは５〜２０ｍＷの範囲、ディスクの線速は１．２
〜１０ｍ／ｓの範囲がよい。
１の初期化方法としては、Ａｒレーザや半導体レーザに
よるレーザ光照射法がある。Ａｒレーザの場合、そのパ
ワーは３００ｍＷ〜２Ｗの範囲で、ディスクの線速は
１．２〜１０ｍ／ｓの範囲、レーザの送り速度は１〜２
０ｕｍ／回転の範囲がよい。半導体レーザの場合、その
パワーは５〜２０ｍＷの範囲、ディスクの線速は１．２
〜１０ｍ／ｓの範囲がよい。
【００２４】このような相変化型情報記録媒体１に対し
て本実施例のドライブ装置は、例えば図２に示すように
構成される。このドライブ装置は、概略的には光ピック
アップ１１と信号処理系１２とピックアップ制御系１３
とにより構成されている。まず、光ピックアップ１１
は、半導体レーザ１４と、この半導体レーザ１４から出
射されたレーザ光を平行光束化するカップリングレンズ
１５と、光束分離用のビームスプリッタ１６と、１／４
波長板１７と、対物レンズ１８と、相変化型情報記録媒
体１からの反射光を対物レンズ１８、１／４波長板１７
及びビームスプリッタ１６による反射を経て受ける集光
レンズ１９と、この集光レンズ１９からの光束をナイフ
エッジプリズム２０を介して受ける２分割受光素子２１
及び受光素子２２とにより構成されている周知構成のも
のである。ここに、前記対物レンズ１８はトラッキング
用／フォーカス用のアクチュエータ２３により変位駆動
し得るものである。
て本実施例のドライブ装置は、例えば図２に示すように
構成される。このドライブ装置は、概略的には光ピック
アップ１１と信号処理系１２とピックアップ制御系１３
とにより構成されている。まず、光ピックアップ１１
は、半導体レーザ１４と、この半導体レーザ１４から出
射されたレーザ光を平行光束化するカップリングレンズ
１５と、光束分離用のビームスプリッタ１６と、１／４
波長板１７と、対物レンズ１８と、相変化型情報記録媒
体１からの反射光を対物レンズ１８、１／４波長板１７
及びビームスプリッタ１６による反射を経て受ける集光
レンズ１９と、この集光レンズ１９からの光束をナイフ
エッジプリズム２０を介して受ける２分割受光素子２１
及び受光素子２２とにより構成されている周知構成のも
のである。ここに、前記対物レンズ１８はトラッキング
用／フォーカス用のアクチュエータ２３により変位駆動
し得るものである。
【００２５】信号処理系１２としては、まず、記録信号
に基づき変調回路２４を変調駆動しレーザ駆動回路２５
を介して前記半導体レーザ１４を駆動するための駆動系
が設けられている。また、前記２分割受光素子２１の両
方の受光素子から得られる信号（ＲＦ信号）の和をとる
演算器２６が設けられ、この演算器２６からのＲＦ和信
号が復調回路２７を介して再生信号として取込まれるよ
うに構成されている。さらに、前記２分割受光素子２１
の両方の受光素子間の信号の差をとる演算器２８が設け
られ、この演算器２８からの差信号がフォーカスエラー
信号として得られることになる。同様に、前記受光素子
２２の受光素子間の信号の差をとる演算器２９が設けら
れ、この演算器２９からの差信号がトラッキングエラー
信号として得られることになる。
に基づき変調回路２４を変調駆動しレーザ駆動回路２５
を介して前記半導体レーザ１４を駆動するための駆動系
が設けられている。また、前記２分割受光素子２１の両
方の受光素子から得られる信号（ＲＦ信号）の和をとる
演算器２６が設けられ、この演算器２６からのＲＦ和信
号が復調回路２７を介して再生信号として取込まれるよ
うに構成されている。さらに、前記２分割受光素子２１
の両方の受光素子間の信号の差をとる演算器２８が設け
られ、この演算器２８からの差信号がフォーカスエラー
信号として得られることになる。同様に、前記受光素子
２２の受光素子間の信号の差をとる演算器２９が設けら
れ、この演算器２９からの差信号がトラッキングエラー
信号として得られることになる。
【００２６】ピックアップ制御系１３としては、まず、
前記演算器２８から得られたフォーカスエラー信号に基
づき前記アクチュエータ２３中のフォーカス用のものを
変位駆動させてフォーカシングを行うフォーカシング駆
動回路（Ｆｏ）３０が設けられている。また、前記演算
器２９から得られたトラッキングエラー信号に基づき前
記アクチュエータ２３中のトラッキング用のものを変位
駆動させてトラッキングを行うトラッキング駆動回路
（Ｔｒ）３１が設けられている。
前記演算器２８から得られたフォーカスエラー信号に基
づき前記アクチュエータ２３中のフォーカス用のものを
変位駆動させてフォーカシングを行うフォーカシング駆
動回路（Ｆｏ）３０が設けられている。また、前記演算
器２９から得られたトラッキングエラー信号に基づき前
記アクチュエータ２３中のトラッキング用のものを変位
駆動させてトラッキングを行うトラッキング駆動回路
（Ｔｒ）３１が設けられている。
【００２７】このような基本構成に加え、本実施例で
は、前記演算器２６から得られるＲＦ和信号を所定の基
準電圧と比較することにより、ＲＦ和信号におけるレベ
ル変化を検出する比較回路３２が設けられ、この比較回
路３２から記録同時ベリファイに基づく記録状態判定信
号が得られるように構成されている。
は、前記演算器２６から得られるＲＦ和信号を所定の基
準電圧と比較することにより、ＲＦ和信号におけるレベ
ル変化を検出する比較回路３２が設けられ、この比較回
路３２から記録同時ベリファイに基づく記録状態判定信
号が得られるように構成されている。
【００２８】このような構成において、いま、本実施例
の具体例について説明する。まず、ピッチ約１．６μ
ｍ、深さ約７００Åの溝付きで厚さ１．２ｍｍ、直径１
２０ｍｍのポリカーボネート基板（基板２）上にＲＦス
パッタリング法によりＺｎＳＳｉＯ2 保護層（下部耐熱
性保護層３）を２０００Å、Ａｇ‐Ｉｎ‐Ｓｂ‐Ｔｅ記
録層（組成比はＡｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝１２：１３：
５１：２４）（記録層４）を２００Å、ＡｌＮ保護層
（上部耐熱性保護層５）を３００Å、Ａｇ反射層（反射
放熱層６）を７００Åずつ、順次積層して光ディスク
（相変化型情報記録媒体１）を作製した。光ディスクの
初期化は、半導体レーザのレーザ光照射により行った
（レーザパワーは１０ｍＷ、線速は１．３ｍ／ｓとし
た）。
の具体例について説明する。まず、ピッチ約１．６μ
ｍ、深さ約７００Åの溝付きで厚さ１．２ｍｍ、直径１
２０ｍｍのポリカーボネート基板（基板２）上にＲＦス
パッタリング法によりＺｎＳＳｉＯ2 保護層（下部耐熱
性保護層３）を２０００Å、Ａｇ‐Ｉｎ‐Ｓｂ‐Ｔｅ記
録層（組成比はＡｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝１２：１３：
５１：２４）（記録層４）を２００Å、ＡｌＮ保護層
（上部耐熱性保護層５）を３００Å、Ａｇ反射層（反射
放熱層６）を７００Åずつ、順次積層して光ディスク
（相変化型情報記録媒体１）を作製した。光ディスクの
初期化は、半導体レーザのレーザ光照射により行った
（レーザパワーは１０ｍＷ、線速は１．３ｍ／ｓとし
た）。
【００２９】このように作製した光ディスクに対してレ
ーザ光による記録パルス照射によりＥＦＭ信号を記録し
た。この場合、照射する記録パルスのパルス列として
は、図３（ａ）に示すような１パルス方式（シングルパ
ルス方式）とした。この時、ＲＦ和信号の出力レベルが
未記録部と記録部とで変化することになる。これは、一
般的に相変化記録においては、未記録部が結晶状態にあ
るのに対して記録部ではアモルファス状態となり、結晶
状態とアモルファス状態とでその反射率が異なり、記録
することによって記録層の反射率が変化するためであ
る。このような反射率の変化は、記録パルス照射終了
後、極、短時間で起こる。よって、上記のように作製し
た光ディスクにおいて、記録パルス照射終了後に、この
光ディスクから得られる反射光強度（ＲＦ和信号に相
当）を検出し、この反射光強度のレベルが、予め設定さ
れている未記録部の反射光強度レベル（基準電圧に相
当）より低くなれば、正常に記録が行われたことを即座
に確認できることになる（ベリファイ動作）。
ーザ光による記録パルス照射によりＥＦＭ信号を記録し
た。この場合、照射する記録パルスのパルス列として
は、図３（ａ）に示すような１パルス方式（シングルパ
ルス方式）とした。この時、ＲＦ和信号の出力レベルが
未記録部と記録部とで変化することになる。これは、一
般的に相変化記録においては、未記録部が結晶状態にあ
るのに対して記録部ではアモルファス状態となり、結晶
状態とアモルファス状態とでその反射率が異なり、記録
することによって記録層の反射率が変化するためであ
る。このような反射率の変化は、記録パルス照射終了
後、極、短時間で起こる。よって、上記のように作製し
た光ディスクにおいて、記録パルス照射終了後に、この
光ディスクから得られる反射光強度（ＲＦ和信号に相
当）を検出し、この反射光強度のレベルが、予め設定さ
れている未記録部の反射光強度レベル（基準電圧に相
当）より低くなれば、正常に記録が行われたことを即座
に確認できることになる（ベリファイ動作）。
【００３０】また、上記具体例において、照射する記録
パルスのパルス列としては、１パルス方式のものに限ら
ず、例えば図３（ｂ）に示すようなマルチパルス列方式
のものとしてもよい。このマルチパルス列方式は、ピー
クレベルＰｂとバイアスレベルＰｂとの間でレーザパワ
ーを単位周期毎に変化させる２段階方式のものであり、
記録直後の検出動作として各記録パルスのピークレベル
Ｐｂの照射間に位置することになるバイアスレベルＰｂ
の照射時の反射光のレベル変化を上述したように比較回
路３２を通して検出するようにすれば、正常に記録が行
われたかを確認できるものとなる。
パルスのパルス列としては、１パルス方式のものに限ら
ず、例えば図３（ｂ）に示すようなマルチパルス列方式
のものとしてもよい。このマルチパルス列方式は、ピー
クレベルＰｂとバイアスレベルＰｂとの間でレーザパワ
ーを単位周期毎に変化させる２段階方式のものであり、
記録直後の検出動作として各記録パルスのピークレベル
Ｐｂの照射間に位置することになるバイアスレベルＰｂ
の照射時の反射光のレベル変化を上述したように比較回
路３２を通して検出するようにすれば、正常に記録が行
われたかを確認できるものとなる。
【００３１】なお、相変化型情報記録媒体１からの記録
直後の反射光のレベル変化を検出する方法として、ＲＦ
和信号を基準電圧と比較するようにしたが、予め記録前
後の反射率変化の度合い情報を相変化型情報記録媒体１
の特定領域に記録しておき、この度合い情報を参照して
レベル変化を検出し、正常に書込みが行われたことを確
認するようにしてもよい。又は、予め記録前後の反射率
変化の度合いを相変化型情報記録媒体１のテスト領域で
検出するようにし、この検出情報を参照してレベル変化
を検出し、正常に書込みが行われたことを確認するよう
にしてもよい。
直後の反射光のレベル変化を検出する方法として、ＲＦ
和信号を基準電圧と比較するようにしたが、予め記録前
後の反射率変化の度合い情報を相変化型情報記録媒体１
の特定領域に記録しておき、この度合い情報を参照して
レベル変化を検出し、正常に書込みが行われたことを確
認するようにしてもよい。又は、予め記録前後の反射率
変化の度合いを相変化型情報記録媒体１のテスト領域で
検出するようにし、この検出情報を参照してレベル変化
を検出し、正常に書込みが行われたことを確認するよう
にしてもよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明は、上述したように、相変化型情
報記録媒体に対する記録パルス列中のピークレベル照射
終了直後の反射率変化中のバイアスレベル照射時に前記
情報記録媒体で反射した前記記録パルス列の反射率の変
化を検出して前記相変化型情報記録媒体に対する記録が
正常に行なわれたことを確認するようにしたことを基本
とし、相変化型情報記録媒体として、電磁波の照射時に
生ずる記録層の光学定数の変化を情報記録に用いるもの
や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層と
保護層と反射放熱層とを有するものや、基板上にＡｇ，
Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層と保護層と反射放熱層
とを有し、前記記録層の安定状態における組成及び化学
構造が主として、 （ＡｇＳｂＴｅ（２＋σ／Δ））ｘ（ＩｎＳｂｚ）１−ｘ ただし、０．４≦ｘ≦０．５５ ０．５≦ｚ≦２．５ −０．１５≦σ≦０．１ Δ＝（１−σ）ｘ／｛１＋３ｘ＋ｚ（１−ｘ）｝ で表されるものを用いるようにし、或いは、基板上にＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層と保護層と反射放
熱層とを有する相変化型情報記録媒体や、電磁波の照射
時に生ずる記録層の光学定数の変化を情報記録に用いる
相変化型情報記録媒体や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，
Ｔｅからなる記録層と保護層と反射放熱層とを有し、前
記記録層の安定状態における組成及び化学構造が主とし
て、上式で表される相変化型情報記録媒体に対する記録
パルス列中のピークレベル照射終了直後の反射率変化中
のバイアスレベル照射時に前記情報記録媒体で反射した
前記記録パルス列の反射率の変化を検出して前記相変化
型情報記録媒体に対する記録が正常に行なわれたことを
確認するようにし、又は、電磁波の照射時に生ずる記録
層の光学定数の変化を情報記録に用いる相変化型情報記
録媒体や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記
録層と保護層と反射放熱層とを有する相変化型情報記録
媒体や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録
層と保護層と反射放熱層とを有し、前記記録層の安定状
態における組成及び化学構造が主として、上式で表され
る相変化型情報記録媒体に対してマルチパルス列方式の
記録パルス列を照射し、この記録パルス列の照射とほぼ
同時にその反射率が変化することを各記録パルスのピー
クレベル照射間のバイアスレベル照射終了直後の反射光
により検出して前記相変化型情報記録媒体に対する記録
が正常に行なわれたことを確認するようにし、さらに、
具体的には、反射率の変化を、相変化型情報記録媒体か
ら得られるＲＦ和信号のレベル変化により検出するよう
にし、或いは、予め記録前後の反射率変化の度合い情報
を相変化型情報記録媒体の特定領域に記録しておき、こ
の度合い情報を参照して前記相変化型情報記録媒体から
得られるＲＦ和信号のレベル変化により検出するように
し、又は、予め記録前後の反射率変化の度合いを相変化
型情報記録媒体のテスト領域で検出し、この検出情報を
参照して前記相変化型情報記録媒体から得られるＲＦ和
信号のレベル変化により検出するようにし、さらに、こ
れらの場合において、照射する記録パルスのパルス列
を、シングルパルス列によるもの、又は、マルチパルス
列によるものとしたので、基本的に相変化型情報記録媒
体の記録層は電磁波の照射時に光学定数が変化する特性
を持つため、照射中に反射率が変化することを反射光に
よって検出することにより、記録と同時的なベリファイ
を行うことができ、よって、ベリファイ動作を伴っても
記録時の速度の遅さを改善できるものとなり、具体的に
は、相変化型情報記録媒体からのＲＦ和信号の出力レベ
ルに注目した場合、未記録部では結晶状態にあり記録部
ではアモルファス状態にあり、両者の反射率が異なるた
め、このレベルが変化することになるが、このような反
射率の変化が記録パルス照射終了後、極く短時間で生ず
るため、記録パルス照射中の反射光の光強度を検出する
ことにより、記録即ベリファイを行うことができるもの
となる。
報記録媒体に対する記録パルス列中のピークレベル照射
終了直後の反射率変化中のバイアスレベル照射時に前記
情報記録媒体で反射した前記記録パルス列の反射率の変
化を検出して前記相変化型情報記録媒体に対する記録が
正常に行なわれたことを確認するようにしたことを基本
とし、相変化型情報記録媒体として、電磁波の照射時に
生ずる記録層の光学定数の変化を情報記録に用いるもの
や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層と
保護層と反射放熱層とを有するものや、基板上にＡｇ，
Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層と保護層と反射放熱層
とを有し、前記記録層の安定状態における組成及び化学
構造が主として、 （ＡｇＳｂＴｅ（２＋σ／Δ））ｘ（ＩｎＳｂｚ）１−ｘ ただし、０．４≦ｘ≦０．５５ ０．５≦ｚ≦２．５ −０．１５≦σ≦０．１ Δ＝（１−σ）ｘ／｛１＋３ｘ＋ｚ（１−ｘ）｝ で表されるものを用いるようにし、或いは、基板上にＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録層と保護層と反射放
熱層とを有する相変化型情報記録媒体や、電磁波の照射
時に生ずる記録層の光学定数の変化を情報記録に用いる
相変化型情報記録媒体や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，
Ｔｅからなる記録層と保護層と反射放熱層とを有し、前
記記録層の安定状態における組成及び化学構造が主とし
て、上式で表される相変化型情報記録媒体に対する記録
パルス列中のピークレベル照射終了直後の反射率変化中
のバイアスレベル照射時に前記情報記録媒体で反射した
前記記録パルス列の反射率の変化を検出して前記相変化
型情報記録媒体に対する記録が正常に行なわれたことを
確認するようにし、又は、電磁波の照射時に生ずる記録
層の光学定数の変化を情報記録に用いる相変化型情報記
録媒体や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記
録層と保護層と反射放熱層とを有する相変化型情報記録
媒体や、基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなる記録
層と保護層と反射放熱層とを有し、前記記録層の安定状
態における組成及び化学構造が主として、上式で表され
る相変化型情報記録媒体に対してマルチパルス列方式の
記録パルス列を照射し、この記録パルス列の照射とほぼ
同時にその反射率が変化することを各記録パルスのピー
クレベル照射間のバイアスレベル照射終了直後の反射光
により検出して前記相変化型情報記録媒体に対する記録
が正常に行なわれたことを確認するようにし、さらに、
具体的には、反射率の変化を、相変化型情報記録媒体か
ら得られるＲＦ和信号のレベル変化により検出するよう
にし、或いは、予め記録前後の反射率変化の度合い情報
を相変化型情報記録媒体の特定領域に記録しておき、こ
の度合い情報を参照して前記相変化型情報記録媒体から
得られるＲＦ和信号のレベル変化により検出するように
し、又は、予め記録前後の反射率変化の度合いを相変化
型情報記録媒体のテスト領域で検出し、この検出情報を
参照して前記相変化型情報記録媒体から得られるＲＦ和
信号のレベル変化により検出するようにし、さらに、こ
れらの場合において、照射する記録パルスのパルス列
を、シングルパルス列によるもの、又は、マルチパルス
列によるものとしたので、基本的に相変化型情報記録媒
体の記録層は電磁波の照射時に光学定数が変化する特性
を持つため、照射中に反射率が変化することを反射光に
よって検出することにより、記録と同時的なベリファイ
を行うことができ、よって、ベリファイ動作を伴っても
記録時の速度の遅さを改善できるものとなり、具体的に
は、相変化型情報記録媒体からのＲＦ和信号の出力レベ
ルに注目した場合、未記録部では結晶状態にあり記録部
ではアモルファス状態にあり、両者の反射率が異なるた
め、このレベルが変化することになるが、このような反
射率の変化が記録パルス照射終了後、極く短時間で生ず
るため、記録パルス照射中の反射光の光強度を検出する
ことにより、記録即ベリファイを行うことができるもの
となる。
【図１】本発明の一実施例を示す相変化型情報記録媒体
の模式的構造図である。
の模式的構造図である。
【図２】ドライブ装置を示すブロック構成図である。
【図３】記録パルス方式を示すタイミングチャートであ
る。
る。
１ 相変化型情報記録媒体 ２ 基板 ３ 保護層 ４ 記録層 ５ 保護層 ６ 反射放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 高橋 正悦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 平４−10237（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−9880（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−78031（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−62193（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−5222（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−185714（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−253537（ＪＰ，Ａ) 特表 平３−502384（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/00 - 7/013 G11B 7/24 B41M 5/26
Claims (19)
- 【請求項１】 光ピックアップとピックアップ制御系と
信号処理系とから構成され、前記光ピックアップから情
報記録媒体にピークレベルを有する記録パルスを照射し
前記情報記録媒体上に記録部を形成する手段を有し、前
記記録部と未記録部とで反射率が異なり前記記録部が前
記記録パルスのピークレベル照射終了直後にも形成され
て反射率変化が生じる情報記録媒体に対して情報記録を
行う相変化型情報記録ドライブ装置において、前記記録
パルスのピークレベル照射終了直後の前記反射率変化時
に前記情報記録媒体で反射した反射光を受光する受光手
段を設け、この受光手段で受光した反射光に基づいて記
録が正常に行われたことを確認するようにしたことを特
徴とする相変化型情報記録ドライブ装置。 - 【請求項２】 記録部と未記録部とで反射率が異なり前
記記録部が記録パルスのピークレベル照射終了直後にも
形成され反射率変化が生じる相変化型情報記録媒体に対
して記録パルスを照射し、前記記録パルスのピークレベ
ル照射終了直後の前記反射率変化時に前記情報記録媒体
で反射した反射光を受光して、その受光した反射光に基
づいて記録が正常に行なわれたことを確認するようにし
たことを特徴とする相変化型情報記録媒体の記録同時ベ
リファイ方法。 - 【請求項３】 電磁波の照射時に生ずる記録層の光学定
数の変化を情報記録に用いる相変化型情報記録媒体とし
たことを特徴とする請求項２記載の相変化型情報記録媒
体の記録同時ベリファイ方法。 - 【請求項４】 基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからな
る記録層と保護層と反射放熱層とを有する相変化型情報
記録媒体としたことを特徴とする請求項２記載の相変化
型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方法。 - 【請求項５】 基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからな
る記録層と保護層と反射放熱層とを有し、前記記録層の
安定状態における組成及び化学構造が主として、 （ＡｇＳｂＴｅ（２＋σ／Δ））ｘ（ＩｎＳｂｚ）１−ｘ ただし、０．４≦ｘ≦０．５５ ０．５≦ｚ≦２．５ −０．１５≦σ≦０．１ Δ＝（１−σ）ｘ／｛１＋３ｘ＋ｚ（１−ｘ）｝ で表される相変化型情報記録媒体としたことを特徴とす
る請求項２記載の相変化型情報記録媒体の記録同時ベリ
ファイ方法。 - 【請求項６】 基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからな
る記録層と保護層と反射放熱層とを有し、前記記録層の
安定状態における組成及び化学構造が主として、 （ＡｇＳｂＴｅ（２＋σ／Δ））ｘ（ＩｎＳｂｚ）１−ｘ ただし、０．４≦ｘ≦０．５５ ０．５≦ｚ≦２．５ −０．１５≦σ≦０．１ Δ＝（１−σ）ｘ／｛１＋３ｘ＋ｚ（１−ｘ）｝ で表される相変化型情報記録媒体に対する記録パルスの
照射開始後、前記記録層が結晶状態からアモルファス状
態になることにより前記記録層の反射率が変化すること
を前記記録パルスのピークレベル照射終了直後の前記反
射率変化時に前記相変化型情報記録媒体で反射した反射
光により検出して前記相変化型情報記録媒体に対する記
録が正常に行なわれたことを確認するようにしたことを
特徴とする相変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ
方法。 - 【請求項７】 前記反射率の変化を、相変化型情報記録
媒体から得られるＲＦ和信号のレベル変化により検出す
るようにしたことを特徴とする請求項３，４，５又は６
記載の相変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方
法。 - 【請求項８】 前記反射率の変化を、予め記録前後の反
射率変化の度合い情報を相変化型情報記録媒体の特定領
域に記録しておき、この度合い情報を参照して前記相変
化型情報記録媒体から得られるＲＦ和信号のレベル変化
により検出するようにしたことを特徴とする請求項３，
４，５又は６記載の相変化型情報記録媒体の記録同時ベ
リファイ方法。 - 【請求項９】 前記反射率の変化を、予め記録前後の反
射率変化の度合いを相変化型情報記録媒体のテスト領域
で検出し、この検出情報を参照して前記相変化型情報記
録媒体から得られるＲＦ和信号のレベル変化により検出
するようにしたことを特徴とする請求項３，４，５又は
６記載の相変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方
法。 - 【請求項１０】 照射する記録パルスのパルス列をシン
グルパルス列によるものとしたことを特徴とする請求項
７，８又は９記載の相変化型情報記録媒体の記録同時ベ
リファイ方法。 - 【請求項１１】 照射する記録パルスのパルス列をピー
クレベルとバイアスレベルが単位周期毎に繰り返すマル
チパルス列によるものとしたことを特徴とする請求項
７，８又は９記載の相変化型情報記録媒体の記録同時ベ
リファイ方法。 - 【請求項１２】 電磁波の照射時に生ずる記録層の光学
定数の変化を情報記録に用い、記録部と未記録部とで反
射率が異なり前記記録部が記録パルスのピークレベル照
射終了直後にも形成されて反射率変化が生じる相変化型
情報記録媒体に対する記録パルスの照射開始後、前記記
録層が結晶状態からアモルファス状態になることにより
前記記録層の反射率が変化することを前記記録パルスの
ピークレベル照射終了直後の前記反射率変化時に前記相
変化型情報記録媒体で反射した反射光により検出して前
記相変化型情報記録媒体に対する記録が正常に行なわれ
たことを確認するようにしたことを特徴とする相変化型
情報記録媒体の記録同時ベリファイ方法。 - 【請求項１３】 基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅから
なる記録層と保護層と反射放熱層とを有し、記録部と未
記録部とで反射率が異なり前記記録部が記録パルスのピ
ークレベル照射終了直後にも形成されて反射率変化が生
じる相変化型情報記録媒体に対する記録パルスの照射開
始後、前記記録層が結晶状態からアモルファス状態にな
ることにより前記記録層の反射率が変化することを前記
記録パルスのピークレベル照射終了直後の前記反射率変
化時に前記相変化型情報記録媒体で反射した反射光によ
り検出して前記相変化型情報記録媒体に対する記録が正
常に行なわれたことを確認するようにしたことを特徴と
する相変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方法。 - 【請求項１４】 前記反射率の変化を、相変化型情報記
録媒体から得られるＲＦ和信号のレベル変化により検出
するようにしたことを特徴とする請求項１２又は１３記
載の相変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方法。 - 【請求項１５】 電磁波の照射時に生ずる記録層の光学
定数の変化を情報記録に用い、記録部と未記録部とで反
射率が異なり前記記録部が記録パルスのピークレベル照
射終了直後にも形成されて反射率変化が生じる相変化型
情報記録媒体に対してピークレベルとバイアスレベルが
単位周期毎に繰り返すマルチパルス列方式の記録パルス
列を照射し、前記情報記録媒体上に記録部を形成し、前
記記録パルス列中のピークレベル照射終了直後で反射率
変化中のバイアスレベル照射時に前記情報記録媒体で反
射した前記記録パルス列の反射率の変化を検出し、前記
反射率の変化に基づいて前記相変化型情報記録媒体に対
する記録が正常に行なわれたことを確認するようにした
ことを特徴とする相変化型情報記録媒体の記録同時ベリ
ファイ方法。 - 【請求項１６】 基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅから
なる記録層と保護層と反射放熱層とを有し、記録部と未
記録部とで反射率が異なり前記記録部が記録パルスのピ
ークレベル照射終了直後にも形成されて反射率変化が生
じる相変化型情報記録媒体に対してピークレベルとバイ
アスレベルが単位周期毎に繰り返すマルチパルス列方式
の記録パルス列を照射し、前記情報記録媒体上に記録部
を形成し、前記記録パルス列中のピークレベル照射終了
直後の反射率変化中のバイアスレベル照射時に前記情報
記録媒体で反射した前記記録パルス列の反射率の変化を
検出し、前記反射率の変化に基づいて前記相変化型情報
記録媒体に対する記録が正常に行なわれたことを確認す
るようにしたことを特徴とする相変化型情報記録媒体の
記録同時ベリファイ方法。 - 【請求項１７】 基板上にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅから
なる記録層と保護層と反射放熱層とを有し、前記記録層
の安定状態における組成及び化学構造が主として、 （ＡｇＳｂＴｅ（２＋σ／Δ））ｘ（ＩｎＳｂｚ）１−ｘ ただし、０．４≦ｘ≦０．５５ ０．５≦ｚ≦２．５ −０．１５≦σ≦０．１ Δ＝（１−σ）ｘ／｛１＋３ｘ＋ｚ（１−ｘ）｝ で表され、記録部と未記録部とで反射率が異なり前記記
録部が記録パルスのピークレベル照射終了直後にも形成
されて反射率変化が生じる相変化型情報記録媒体に対し
てピークレベルとバイアスレベルが単位周期毎に繰り返
すマルチパルス列方式の記録パルス列を照射し、前記情
報記録媒体上に記録部を形成し、前記記録パルス列中の
ピークレベル照射終了直後の反射率変化中のバイアスレ
ベル照射時に前記情報記録媒体で反射した前記記録パル
ス列の反射率の変化を検出し、前記反射率の変化に基づ
いて前記相変化型情報記録媒体に対する記録が正常に行
なわれたことを確認するようにしたことを特徴とする相
変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方法。 - 【請求項１８】 前記反射率の変化を、予め記録前後の
反射率変化の度合い情報を相変化型情報記録媒体の特定
領域に記録しておき、この度合い情報を参照して前記相
変化型情報記録媒体から得られるＲＦ和信号のレベル変
化により検出するようにしたことを特徴とする請求項１
４，１５，１６又は１７記載の相変化型情報記録媒体の
記録同時ベリファイ方法。 - 【請求項１９】 前記反射率の変化を、予め記録前後の
反射率変化の度合いを相変化型情報記録媒体のテスト領
域で検出し、この検出情報を参照して前記相変化型情報
記録媒体から得られるＲＦ和信号のレベル変化により検
出するようにしたことを特徴とする請求項１４，１５，
１６又は１７記載の相変化型情報記録媒体の記録同時ベ
リファイ方法。
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