JPS61270190A - 光学情報記録部材 - Google Patents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光、熱などを用いて高速かつ、高密度に情報
を記録、消去、再生可能な光学情報記録部材に関するも
のである。
を記録、消去、再生可能な光学情報記録部材に関するも
のである。
従来の技術
近年、情報量の増大化、記録、再生の高速化。
高密度化に伴ない、レーザ光線を利用した光ディスクが
注目されている。光ディスクには、一度のみ記録可能な
追記型と、記録した信号を消去し何度も使用可能な書き
換え可能なものがある。追記型光ディスクには、記録信
号を穴あき状態として、再生するものや、凹凸を生成さ
せて再生するものがある。書き換え可能なものとしては
カルコゲン化物を用いる試みがあり、Ｔｏ−Ｇｅを初め
として、これにＡｓ、Ｓ、Ｓｔ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｂｉｆｚ
どを添加した例が知られている。
注目されている。光ディスクには、一度のみ記録可能な
追記型と、記録した信号を消去し何度も使用可能な書き
換え可能なものがある。追記型光ディスクには、記録信
号を穴あき状態として、再生するものや、凹凸を生成さ
せて再生するものがある。書き換え可能なものとしては
カルコゲン化物を用いる試みがあり、Ｔｏ−Ｇｅを初め
として、これにＡｓ、Ｓ、Ｓｔ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｂｉｆｚ
どを添加した例が知られている。
これに対し、本発明者らは先に、Ｔｅ ＴｅＯ２のよ
うな酸化物を含んだ系の相転移による反射率変化を信号
とする方式を提案した。さらに、相転移を利用した書き
換え可能な光ディスクとして、Ｔｅ ＴＪ１０２に対
し各種添加物を添加（Ｓｎ、Ｇｏ。
うな酸化物を含んだ系の相転移による反射率変化を信号
とする方式を提案した。さらに、相転移を利用した書き
換え可能な光ディスクとして、Ｔｅ ＴＪ１０２に対
し各種添加物を添加（Ｓｎ、Ｇｏ。
Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｔｌ、Ｓｓ など）した例がある。
これらの記録部材の特徴は、Ｃ／Ｎが高く、耐湿性に対
しても優れるという特徴を有している。
しても優れるという特徴を有している。
発明が解決しようとする問題点
カルコゲン化物よりなる書き換え可能な情報記録部材は
、一般的に、記録、消去の繰シ返しに対する安定性が悪
いといった特徴を有する。この理由は、Ｔｏ、Ｇｏとそ
の他の添加成分が、数置のくり返しによって、膜が相分
離を生じてしまい、初期とくり返し後では膜の構成成分
が異なることに帰因すると思われる。消去可能な光ディ
スクで相転移を利用する場合、通常は、未記録、消去状
態を結晶質とし、記録状態を非晶質とする方法がとられ
る。この場合、記録はレーザ光で、一旦、膜を溶融させ
急冷によって非晶質にする訳であるが、現在の半導体レ
ーザにはパワーの限界があり、できるだけ融点の低い膜
が、記録感度が高いことになる。このために、上述した
カルコゲン化物よりなる膜は、記録感度を向上させるた
めに、できるだけ融点の低い組成、すなわち、Ｔｏが多
い膜組成となっている。Ｔｏが、他の添加成分より多い
ということは、くり返し特性においてそれだけ相分離が
起こし易いことを意味する。したがって融点を下げるた
めに添加した過剰のＴｏをいかに固定して動きにくい組
成にするかが、くり返し特性や、ＣＮＲ、消去率の経時
変動に大きな影響を及ぼすことになる。
、一般的に、記録、消去の繰シ返しに対する安定性が悪
いといった特徴を有する。この理由は、Ｔｏ、Ｇｏとそ
の他の添加成分が、数置のくり返しによって、膜が相分
離を生じてしまい、初期とくり返し後では膜の構成成分
が異なることに帰因すると思われる。消去可能な光ディ
スクで相転移を利用する場合、通常は、未記録、消去状
態を結晶質とし、記録状態を非晶質とする方法がとられ
る。この場合、記録はレーザ光で、一旦、膜を溶融させ
急冷によって非晶質にする訳であるが、現在の半導体レ
ーザにはパワーの限界があり、できるだけ融点の低い膜
が、記録感度が高いことになる。このために、上述した
カルコゲン化物よりなる膜は、記録感度を向上させるた
めに、できるだけ融点の低い組成、すなわち、Ｔｏが多
い膜組成となっている。Ｔｏが、他の添加成分より多い
ということは、くり返し特性においてそれだけ相分離が
起こし易いことを意味する。したがって融点を下げるた
めに添加した過剰のＴｏをいかに固定して動きにくい組
成にするかが、くり返し特性や、ＣＮＲ、消去率の経時
変動に大きな影響を及ぼすことになる。
酸化物を含んだ記録部材にも、以下に記述する欠点があ
る。すなわち、消去率が録再消去のくり返しによって低
下することである。
る。すなわち、消去率が録再消去のくり返しによって低
下することである。
書き換え可能な光ディスクは、通常、初期状態を結晶状
態とし、記録状態を非晶質として記録を行なう。消去は
初期状態と同様に結晶質とする。
態とし、記録状態を非晶質として記録を行なう。消去は
初期状態と同様に結晶質とする。
この記録部材の結晶質−非晶質間の相転移は、レーザの
徐冷−急冷の条件変化によって達成される。
徐冷−急冷の条件変化によって達成される。
すなわち、レーザ光による加熱後、徐冷によって結晶質
となり急冷によって非晶質となる・したがって記録、消
去のくり返しによって、膜は何度も結晶質、非晶質状態
を経ることになる。この場合、膜に酸化物が存在すると
、膜の粘性が高いので、カルコゲン化物の泳動性が少な
くなり、膜組成の偏析が生じやすくなる。さらに、酸化
物の存在は膜自身の熱伝導が悪いので、レーザ光の入射
側と反対側の膜厚間で温度分布差を生じ、膜組成の偏析
はやはり生ずる。こうした理由により、酸化物を含んだ
膜は、記録、消去のくり返しによって次第に特性が変化
するなどの欠点を有していた。
となり急冷によって非晶質となる・したがって記録、消
去のくり返しによって、膜は何度も結晶質、非晶質状態
を経ることになる。この場合、膜に酸化物が存在すると
、膜の粘性が高いので、カルコゲン化物の泳動性が少な
くなり、膜組成の偏析が生じやすくなる。さらに、酸化
物の存在は膜自身の熱伝導が悪いので、レーザ光の入射
側と反対側の膜厚間で温度分布差を生じ、膜組成の偏析
はやはり生ずる。こうした理由により、酸化物を含んだ
膜は、記録、消去のくり返しによって次第に特性が変化
するなどの欠点を有していた。
本発明は、上述した酸化物を含む膜のくり返し特性を向
上させることを目的とし、さらに、カルコゲン化物より
なる従来組成の欠点（Ｃ／Ｎが低い、消去率が充分では
ない、耐湿性、耐熱性が悪い、くり返し特性が充分では
ない）を克服したものである。
上させることを目的とし、さらに、カルコゲン化物より
なる従来組成の欠点（Ｃ／Ｎが低い、消去率が充分では
ない、耐湿性、耐熱性が悪い、くり返し特性が充分では
ない）を克服したものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明における記録層は、Ｔｏ −Ｇｏ −Ｓｎ −Ａ
ｕ系の組成物であって、Ｔｏ、Ｇｏ、Ｓｎの原子数比が
第１図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｈの点を結んだ領域内にある
とともに、Ａｕの濃度が１〜４０ａｔ％である材料によ
シ構成される。
ｕ系の組成物であって、Ｔｏ、Ｇｏ、Ｓｎの原子数比が
第１図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｈの点を結んだ領域内にある
とともに、Ａｕの濃度が１〜４０ａｔ％である材料によ
シ構成される。
作 用
本発明の特徴は、上述した従来組成、Ｔｏ−Ｇ。
−８ｎＫＡｕを添加して過剰のＴｅを固定することにあ
る。ＡｕはＴｏと化合物を形成し、Ｔｏ濃度が６０−以
上のＡｕ−Ｔｅ系では、融点が最も高い場合（Ａ ｕ
Ｔ ｅ ２ ）でも４６４°Ｃである。この温度は他の
Ｔｏ −Ｇｅ 、 Ｔｅ −Ｓｎ 、などと比較しても
３００°Ｃ以上も低い。したがって、Ａｕの添加は、Ｔ
ｏと母材とする膜の融点を上昇させることなしに、過剰
なＴｏを固定することが可能となる。
る。ＡｕはＴｏと化合物を形成し、Ｔｏ濃度が６０−以
上のＡｕ−Ｔｅ系では、融点が最も高い場合（Ａ ｕ
Ｔ ｅ ２ ）でも４６４°Ｃである。この温度は他の
Ｔｏ −Ｇｅ 、 Ｔｅ −Ｓｎ 、などと比較しても
３００°Ｃ以上も低い。したがって、Ａｕの添加は、Ｔ
ｏと母材とする膜の融点を上昇させることなしに、過剰
なＴｏを固定することが可能となる。
実施例
本発明は、Ｔｏ−Ｇｏ−５ｎ−Ａｕより構成される。
本発明においてＴｏは他の元素と結合した状態で記録前
後によって光学的濃度変化を呈する母材である。Ｇｏは
Ｔｏとの濃度比によって非晶質結晶間の転移速度を支配
する。すなわち、Ｇｅ濃度が低い領域では（ＴｏとＧｏ
のみの場合は、Ｇｏが５２ａｔ％）、非晶質として安定
に存在させるが、濃度が高くなると結晶質が安定となる
ため、一旦結晶質となったものを非晶質化させることが
困難となる。本発明のＧｅ濃度は、５０ａｔ％以下であ
るので、Ｇｅは膜の非晶質性を増大させることに寄与す
る。Ｓｎの役割は、Ｇｏと同様であるが、ＳｎがＴｅと
で非晶質性を増大させる領域は狭く、本発明の範囲では
むしろ結晶化を促進する。すなわち、ＧｅとＳｎは、Ｔ
ｅに対しての作用は似ているが、Ｔｏとの濃度比によっ
て、非晶質性が増大したり、結晶質性が増大したシする
。ＧｅとＳｎの濃度が高くなると、膜は結晶質として安
定になるため、非晶質から結晶質への転移は容易となる
が、逆は困難となる。したがって、こうした材料は追記
型材料（Ｗ／○材料）となる。しかし、こうしたＷ１０
材料でもレーザパワーが強く、膜を充分に溶融させるこ
とが可能であれば、消去可能なディスクとして使用する
ことは可能である。現在、我々が実用上入手できる半導
体レーザは、波長が８３０ｎｍでパワーは３０ ｍＷ程
度であり、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの量論に近い組成（ＴｅＧ
ｅ、 Ｔｅ５ｎ）を溶融させることは困難である。（融
度が８００℃程度）Ｔｅ−Ｇｏ−８ｎで記録、消去可能
な領域は、Ｔｅが非常に多い領域（８０ａｔ％以上）に
あるが、この領域の組成は転移温度が低く、熱的に不安
定であること、Ｔｏが過剰なため、くり返しによって、
ＴｏとＴｅＧｅあるいはＴｅＳｎに膜が相分離を起こし
やすいことなどの欠点を有している。
後によって光学的濃度変化を呈する母材である。Ｇｏは
Ｔｏとの濃度比によって非晶質結晶間の転移速度を支配
する。すなわち、Ｇｅ濃度が低い領域では（ＴｏとＧｏ
のみの場合は、Ｇｏが５２ａｔ％）、非晶質として安定
に存在させるが、濃度が高くなると結晶質が安定となる
ため、一旦結晶質となったものを非晶質化させることが
困難となる。本発明のＧｅ濃度は、５０ａｔ％以下であ
るので、Ｇｅは膜の非晶質性を増大させることに寄与す
る。Ｓｎの役割は、Ｇｏと同様であるが、ＳｎがＴｅと
で非晶質性を増大させる領域は狭く、本発明の範囲では
むしろ結晶化を促進する。すなわち、ＧｅとＳｎは、Ｔ
ｅに対しての作用は似ているが、Ｔｏとの濃度比によっ
て、非晶質性が増大したり、結晶質性が増大したシする
。ＧｅとＳｎの濃度が高くなると、膜は結晶質として安
定になるため、非晶質から結晶質への転移は容易となる
が、逆は困難となる。したがって、こうした材料は追記
型材料（Ｗ／○材料）となる。しかし、こうしたＷ１０
材料でもレーザパワーが強く、膜を充分に溶融させるこ
とが可能であれば、消去可能なディスクとして使用する
ことは可能である。現在、我々が実用上入手できる半導
体レーザは、波長が８３０ｎｍでパワーは３０ ｍＷ程
度であり、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの量論に近い組成（ＴｅＧ
ｅ、 Ｔｅ５ｎ）を溶融させることは困難である。（融
度が８００℃程度）Ｔｅ−Ｇｏ−８ｎで記録、消去可能
な領域は、Ｔｅが非常に多い領域（８０ａｔ％以上）に
あるが、この領域の組成は転移温度が低く、熱的に不安
定であること、Ｔｏが過剰なため、くり返しによって、
ＴｏとＴｅＧｅあるいはＴｅＳｎに膜が相分離を起こし
やすいことなどの欠点を有している。
本発明のＡｕは、この過剰のＴｅをＡ ｕ Ｔ ｅ ２
として安定化させる働きを有する。ＡｕはＴｏとの合金
系ではＴｏが５０ａｔ％以上では、融点が４６４°Ｃ以
下で、Ａｕを添加してもＴｅの融点が４６１°Ｃなので
、融点を上昇させることはない。そのため、Ａｕを添加
した膜は現行の半導体レーザノ（ワーでも充分に溶融さ
せることが可能である。しかも熱的に不安定な過剰Ｔｅ
をＴ ｏ ２ Ａ ｕ として結合させているため、熱
的に安定で、かつ、記録、消去のくり返しによっても相
分離を生ずることなく、長期に亘って安定な膜となる。
として安定化させる働きを有する。ＡｕはＴｏとの合金
系ではＴｏが５０ａｔ％以上では、融点が４６４°Ｃ以
下で、Ａｕを添加してもＴｅの融点が４６１°Ｃなので
、融点を上昇させることはない。そのため、Ａｕを添加
した膜は現行の半導体レーザノ（ワーでも充分に溶融さ
せることが可能である。しかも熱的に不安定な過剰Ｔｅ
をＴ ｏ ２ Ａ ｕ として結合させているため、熱
的に安定で、かつ、記録、消去のくり返しによっても相
分離を生ずることなく、長期に亘って安定な膜となる。
Ａｕの添加量は、Ｇｅ、Ｓｎと結合した残りの過剰Ｔｏ
を固定化するので、必要なＡｕ９度はＴ。／（Ｇｏ＋Ｓ
ｎ）の量に支配される。すなわち、Ｔｅ濃度が高い領域
では、Ａｕ濃度は高い。
を固定化するので、必要なＡｕ９度はＴ。／（Ｇｏ＋Ｓ
ｎ）の量に支配される。すなわち、Ｔｅ濃度が高い領域
では、Ａｕ濃度は高い。
第１図に１本発明のＴ ｏ −Ｇ ｅ −Ｓ ｎ −Ａ
ｕより構成される記録部材の適正範囲を示した。図はＴ
。
ｕより構成される記録部材の適正範囲を示した。図はＴ
。
−Ｇ ｅ −Ｓ ｎより構成されているが、Ａｕ濃度は
第１図に示されたＴｅ−Ｇｏ−８ｎ組成に対し、１〜４
０ａｔ％である。
第１図に示されたＴｅ−Ｇｏ−８ｎ組成に対し、１〜４
０ａｔ％である。
（Ａｕ濃度は（Ｔ ｅｘ Ｇ ｅ ｙ Ｓｎ ２−Ａ
ｕ ｎ で示した場合のｎに相当） 第１図において各点は以下の組成である。
ｕ ｎ で示した場合のｎに相当） 第１図において各点は以下の組成である。
Ａ点 Ｔｏ９３Ｇｅ５Ｓｎ２（ａｔ％）３点 Ｔ
ｅ ９３Ｇ ＠ ２ Ｓ ｎ ５ａ点 Ｔ ＠ ｅ
ａＧ ｅ ２ Ｓ ｎ ａ。
ｅ ９３Ｇ ＠ ２ Ｓ ｎ ５ａ点 Ｔ ＠ ｅ
ａＧ ｅ ２ Ｓ ｎ ａ。
０点 Ｔ ＠ ｓ ２ Ｇ ＠ １ａ Ｓ ｎ ａ
。
。
８点 Ｔ ｅａ ２Ｇ ｅ ４ｅ Ｓ ｎ ２本発明
は上記、Ｔｅ−Ｇｅ−３ｎの三元系のＡＢＣＤＥ点で囲
まれた範囲内にあって、かつ、Ａｕ濃度が式（Ｔｅ！Ｇ
ｅｙＳｎ２）ｍＡｕｎで表わした場合、ｎの値として１
〜４０ａｔ％の範囲内にある。線ＡＢよりＴｏが多い場
合、必然的にＧｅ濃度は少なくなり非晶質化が困難とな
る。また、Ｇ ｅ Ｓｎ濃度が低いため、非晶質から結
晶質への転移温度も低い。線ＢＣより、Ｇｅが低い場合
も、線ＡＢよりＴｏが多い場合と同様に、転移温度が低
い。また、結晶質から非晶質への変態に対する傾向は、
Ｔｏが多い場合よりも良好である。しかし、実用的な観
点からは、充分な結晶から非晶質への相転移が得られな
い。線ＣＤよりＳｎ濃度が多い場合、Ｓｎの添加は結晶
質化を促進するので、非晶質化が困難となる。また、非
晶質から結晶質への転移温度も低く、熱的な安定性に乏
しい。線ＤＥよりＴｅが少ない場合、この領域は、Ｔｅ
とＧｏ、Ｓｎが化学的量論量に近い結晶として安定なＧ
ｏＴｏ 。
は上記、Ｔｅ−Ｇｅ−３ｎの三元系のＡＢＣＤＥ点で囲
まれた範囲内にあって、かつ、Ａｕ濃度が式（Ｔｅ！Ｇ
ｅｙＳｎ２）ｍＡｕｎで表わした場合、ｎの値として１
〜４０ａｔ％の範囲内にある。線ＡＢよりＴｏが多い場
合、必然的にＧｅ濃度は少なくなり非晶質化が困難とな
る。また、Ｇ ｅ Ｓｎ濃度が低いため、非晶質から結
晶質への転移温度も低い。線ＢＣより、Ｇｅが低い場合
も、線ＡＢよりＴｏが多い場合と同様に、転移温度が低
い。また、結晶質から非晶質への変態に対する傾向は、
Ｔｏが多い場合よりも良好である。しかし、実用的な観
点からは、充分な結晶から非晶質への相転移が得られな
い。線ＣＤよりＳｎ濃度が多い場合、Ｓｎの添加は結晶
質化を促進するので、非晶質化が困難となる。また、非
晶質から結晶質への転移温度も低く、熱的な安定性に乏
しい。線ＤＥよりＴｅが少ない場合、この領域は、Ｔｅ
とＧｏ、Ｓｎが化学的量論量に近い結晶として安定なＧ
ｏＴｏ 。
５ｎＴｅを形成するので、非晶質化が困難となる。
また、この領域は、過剰なＴｅがほとんどないので・添
加するＡｕ１１度も少ない。逆にいえば、Ａｕの添加効
果も少ない。したがって、この領域は膜の融点も高く、
非晶質化が困難となる。
加するＡｕ１１度も少ない。逆にいえば、Ａｕの添加効
果も少ない。したがって、この領域は膜の融点も高く、
非晶質化が困難となる。
線ＥＡよりＳｎが少ない領域では、非晶質として安定で
あるので、結晶化が困難である。ただし、この傾向はＥ
Ａ線上のＴｏとＧｏの比によって支配され、Ｔｏが多い
種結晶化がより容易で、Ｔｅ濃度が７０ ａｔ％付近が
、最も結晶化が困難となり、Ｔｏが５０ ａｔ ｌ付近
で、再び、結晶化が容易となる。この理由はＴｅとＧｏ
が、非晶質として、よシ安定な化合物Ｇ ｅ Ｔ ｅ
２を形成するためで、Ｔｅ濃度が７０％付近では、全体
的に結晶質化が困難である。
あるので、結晶化が困難である。ただし、この傾向はＥ
Ａ線上のＴｏとＧｏの比によって支配され、Ｔｏが多い
種結晶化がより容易で、Ｔｅ濃度が７０ ａｔ％付近が
、最も結晶化が困難となり、Ｔｏが５０ ａｔ ｌ付近
で、再び、結晶化が容易となる。この理由はＴｅとＧｏ
が、非晶質として、よシ安定な化合物Ｇ ｅ Ｔ ｅ
２を形成するためで、Ｔｅ濃度が７０％付近では、全体
的に結晶質化が困難である。
以上述べた理由により、本発明は、第１図において、点
Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅで囲まれた範囲内に限定される。す
なわち、この領域内のＴｅ−Ｇｅ−３ｎＶｃＡｕを１〜
４０ａｔ％添加した場合、実用上、結晶質と非晶質の可
逆性を利用して、情報の記録、消去が可能となる。
Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅで囲まれた範囲内に限定される。す
なわち、この領域内のＴｅ−Ｇｅ−３ｎＶｃＡｕを１〜
４０ａｔ％添加した場合、実用上、結晶質と非晶質の可
逆性を利用して、情報の記録、消去が可能となる。
次に第２図について述べる。
第２図は、第１図と同様に、Ｔｏ−Ｇｏ−３ｎとＡｕよ
りなる本発明の組成範囲を示したもので、第１図よシ、
より実用的な組成範囲を示しである。
りなる本発明の組成範囲を示したもので、第１図よシ、
より実用的な組成範囲を示しである。
第２図において各点の組成を以下に示す・Ｆ Ｔｅ９
２Ｇｅ５Ｓｎ３ Ｇ Ｔｅ９２Ｇｅ３Ｓｎ５ ＨＴ ｅ ｅ ｓ Ｇ ｅ ｓ Ｓ ｎ ２ ｅＩ
Ｔｅ了４Ｇｅ２３Ｓｎ３ とのＦ−Ｇ−Ｈ−Ｉ点で囲まれた領域におけるＡｕ濃度
は１０〜５ｓａｔ％である。（ただしくＴｅ、Ｇｏ、Ｓ
ｎ２）Ｓｎ２） において、ｎの値）ＨＴ ｆｉｌ ｅ
ｓ Ｇ ＠ ３Ｓ ｎ ２ ｓＩ Ｔ ＠ −ｒ
ｏＧ ＠ １ｏ Ｓ ｎ ２０Ｋ Ｔ ｅ ｃｓ
ｓ Ｇ ｅ２ ｓ Ｓ ｎ ａＬ Ｔ ＠ ５２
Ｇ ４６ Ｓ ｎ ｓＭ Ｔ ８５２Ｇ ＠ １
９Ｓ ｎ ２ ｓとのＨ−１−に−Ｌ−Ｍ点で囲まれた
領域におけるＡｕ濃度は１〜１５４ｔチである。
２Ｇｅ５Ｓｎ３ Ｇ Ｔｅ９２Ｇｅ３Ｓｎ５ ＨＴ ｅ ｅ ｓ Ｇ ｅ ｓ Ｓ ｎ ２ ｅＩ
Ｔｅ了４Ｇｅ２３Ｓｎ３ とのＦ−Ｇ−Ｈ−Ｉ点で囲まれた領域におけるＡｕ濃度
は１０〜５ｓａｔ％である。（ただしくＴｅ、Ｇｏ、Ｓ
ｎ２）Ｓｎ２） において、ｎの値）ＨＴ ｆｉｌ ｅ
ｓ Ｇ ＠ ３Ｓ ｎ ２ ｓＩ Ｔ ＠ −ｒ
ｏＧ ＠ １ｏ Ｓ ｎ ２０Ｋ Ｔ ｅ ｃｓ
ｓ Ｇ ｅ２ ｓ Ｓ ｎ ａＬ Ｔ ＠ ５２
Ｇ ４６ Ｓ ｎ ｓＭ Ｔ ８５２Ｇ ＠ １
９Ｓ ｎ ２ ｓとのＨ−１−に−Ｌ−Ｍ点で囲まれた
領域におけるＡｕ濃度は１〜１５４ｔチである。
まず、第２図の上段、点ＦＧＨＩで囲まれた領域の特徴
について述べる。この領域の非晶質から結晶質への転移
温度は９０〜１６０℃以内であり、後述する点ＨＴＫＬ
Ｍ点で囲まれた領域に比べると低い。Ａｕの添加はＴ
ｅ −Ｇ ｅ −Ｓ ｎ だけよりなる系に比べ、結
晶への転移温度を１０〜３０℃高有 める働き？する。しかもＡｕの添加によって膜の融点は
下がるため、非晶質化に対しては都合がよい。この理由
は、Ａｕは単独では、融点が１０６３℃であるがＡｕ濃
度が、Ｔｅ濃度に対して４７％以下である場合、最大で
も、融点が４６４℃以下であることに起因する。一方、
Ｇｏ、Ｓｎの場合は、Ｔｅ濃度に対し、５Ｑａｔ％以下
の場合、各々、最大で７２５℃、７９０ｏ となる。そ
れ故、Ａｕの添加は、熱的安定性を示す転移温度を上昇
させる効果と、膜の融点を下げ、非晶質化を容易にする
といった利点を有する。
について述べる。この領域の非晶質から結晶質への転移
温度は９０〜１６０℃以内であり、後述する点ＨＴＫＬ
Ｍ点で囲まれた領域に比べると低い。Ａｕの添加はＴ
ｅ −Ｇ ｅ −Ｓ ｎ だけよりなる系に比べ、結
晶への転移温度を１０〜３０℃高有 める働き？する。しかもＡｕの添加によって膜の融点は
下がるため、非晶質化に対しては都合がよい。この理由
は、Ａｕは単独では、融点が１０６３℃であるがＡｕ濃
度が、Ｔｅ濃度に対して４７％以下である場合、最大で
も、融点が４６４℃以下であることに起因する。一方、
Ｇｏ、Ｓｎの場合は、Ｔｅ濃度に対し、５Ｑａｔ％以下
の場合、各々、最大で７２５℃、７９０ｏ となる。そ
れ故、Ａｕの添加は、熱的安定性を示す転移温度を上昇
させる効果と、膜の融点を下げ、非晶質化を容易にする
といった利点を有する。
次にＨＪＫＬＭ点で囲まれた領域について述べる。この
領域の結晶転移温度は、１６０℃〜２２０℃程度である
。
領域の結晶転移温度は、１６０℃〜２２０℃程度である
。
前述したように、この領域は、過剰のＴｅが少ない領域
で、Ａｕの添加効果は、ＦＧＨＩで囲まれた領域に比べ
、期待できない。しかし、ＡｕなしのＴｏ−Ｇｏ−Ｓｎ
系に比べると非晶質化は容易である。ＴＫＬＭ点で囲ま
れた領域の特徴は、転移温度が高く、熱的に安定である
こと、ＧｏＴｏ。
で、Ａｕの添加効果は、ＦＧＨＩで囲まれた領域に比べ
、期待できない。しかし、ＡｕなしのＴｏ−Ｇｏ−Ｓｎ
系に比べると非晶質化は容易である。ＴＫＬＭ点で囲ま
れた領域の特徴は、転移温度が高く、熱的に安定である
こと、ＧｏＴｏ。
５ｎＴｅの量論に近い組成なので形晶化が容易で、非晶
質化が困難なことであるが、半導体レーザを高出力なも
のを用いれば、非晶質化は容易となる。
質化が困難なことであるが、半導体レーザを高出力なも
のを用いれば、非晶質化は容易となる。
点ＩＴＫで囲まれた部分は安定な非晶質状態のＧ ６
Ｔ ｅ ２が存在する領域で結晶化が困難である。
Ｔ ｅ ２が存在する領域で結晶化が困難である。
以上述べた理由により、本発明のＴｅ−Ｇｅ−８ｎ−Ａ
ｕ の最適組成は限定される。
ｕ の最適組成は限定される。
次に本発明による光学情報記録部材の製法について述べ
る。
る。
第３図は、本発明の記録層を用いて構成した光ディスク
の断面の模式図である。図において、１゜５は基板を表
わしており、材質は、ポリカーボネート、アクリル樹脂
、ガラス、ポリエステル等の透明な基材を用いることが
可能である。２．４は保護層で、種々の酸化物、硫化物
、炭化物を用いることができる。この保護層２，４は記
録膜３の記録、消去の繰シ返しによる基材の熱劣化を防
ぐものであシ、さらに、記録膜３を湿度より保護するも
のである。したがって、保護層の材質、膜厚は、上述し
た観点より決定される。記録膜３は、蒸着、スパッタリ
ング等によって形成される。蒸着で行なう場合は各組成
を単独に蒸着可能な４ソ一ス蒸着機を用いるのが、均一
膜を作成できるので望ましい。
の断面の模式図である。図において、１゜５は基板を表
わしており、材質は、ポリカーボネート、アクリル樹脂
、ガラス、ポリエステル等の透明な基材を用いることが
可能である。２．４は保護層で、種々の酸化物、硫化物
、炭化物を用いることができる。この保護層２，４は記
録膜３の記録、消去の繰シ返しによる基材の熱劣化を防
ぐものであシ、さらに、記録膜３を湿度より保護するも
のである。したがって、保護層の材質、膜厚は、上述し
た観点より決定される。記録膜３は、蒸着、スパッタリ
ング等によって形成される。蒸着で行なう場合は各組成
を単独に蒸着可能な４ソ一ス蒸着機を用いるのが、均一
膜を作成できるので望ましい。
本発明の記録膜３の膜厚は、保護層２，４の光学特性と
のマツチング、すなわち、記録部と未記録との反射率の
差が大きくとれる値とする。
のマツチング、すなわち、記録部と未記録との反射率の
差が大きくとれる値とする。
以下、具体的な例で本発明を詳述する。
実施例１
４深黒着が可能な電子ビーム蒸着機を用いてＴｅ、Ｇｏ
、Ｓｎ、Ａｕをそれぞれのソースから蒸着した。用いた
基材はφ８ｆｉのガラスで、蒸着は真空度がＩ Ｘ １
０−５Ｔｏｒｒ基材の回転速度、１６０ｒｐｍ で行な
い、膜厚は１ｏＯｏ人とした。各ソースからの蒸着速度
は記録膜中のＴｅ、Ｇｓ、Ｓｎ。
、Ｓｎ、Ａｕをそれぞれのソースから蒸着した。用いた
基材はφ８ｆｉのガラスで、蒸着は真空度がＩ Ｘ １
０−５Ｔｏｒｒ基材の回転速度、１６０ｒｐｍ で行な
い、膜厚は１ｏＯｏ人とした。各ソースからの蒸着速度
は記録膜中のＴｅ、Ｇｓ、Ｓｎ。
Ａｕの原子数の割合を調整するため、変化させた。
第１表の組成の割合は、この蒸着の速度より換算した値
であるが、代表的な組成をＸ線マイクロアナライザー（
ｘＭＡ）で行なったところ、仕込値とほぼ同様の定量結
果が得られた。したがって、表中の仕込み組成は、膜中
でも同じと思われる。
であるが、代表的な組成をＸ線マイクロアナライザー（
ｘＭＡ）で行なったところ、仕込値とほぼ同様の定量結
果が得られた。したがって、表中の仕込み組成は、膜中
でも同じと思われる。
上記製法によって作成された試験片の評価方法を以下に
記す。
記す。
転移温度とは、蒸着直後の非晶質状態の膜が熱によって
結晶状態になる開始温度を意味する。
結晶状態になる開始温度を意味する。
測定は、膜の透過率の測定が可能な装置を用い、ヒータ
ーにより試験片の温度を昇温速度１℃／ｓａ：で上昇さ
せた場合の透過率が減少を開始する温度とした。
ーにより試験片の温度を昇温速度１℃／ｓａ：で上昇さ
せた場合の透過率が減少を開始する温度とした。
転移温度が高いことは、膜が熱的に安定であることを意
味する。
味する。
黒化特性とは、非晶質から結晶質への変態に対しての転
移速度を示したもので、白化特性は結晶質から非晶質の
転移速度を示したものである。
移速度を示したもので、白化特性は結晶質から非晶質の
転移速度を示したものである。
測定は、φ８ｍのガラス片上の記録膜に、レンズを用い
て、レーザ光を集光させ、サンプル片を上下、左右移動
可能とした装置を用いて行なった。
て、レーザ光を集光させ、サンプル片を上下、左右移動
可能とした装置を用いて行なった。
レーザ光のスポットは４５ Ｘ Ｏ，４μｍ、パルス巾
４００ｎｓ、パワー密度１０ 、６ ｍＷ／１ｔｒｒ？
波長は９００ｎｍとした。黒化特性は、試験片を比
較的、緩かに移動させた場合の変態（非晶質から結晶質
）の速度を観察し、速度が充分早く、かつ未記録部分と
記録部分のコントラスト比が充分大きいものを◎とした
。×は緩やかに移動させても、黒化しないもの、あるい
は、コントラスト比が小さいものを示す。○、Δは◎と
×の中間に位置する。この定性的な表現において、実用
可能な黒化特性は０以上である。
４００ｎｓ、パワー密度１０ 、６ ｍＷ／１ｔｒｒ？
波長は９００ｎｍとした。黒化特性は、試験片を比
較的、緩かに移動させた場合の変態（非晶質から結晶質
）の速度を観察し、速度が充分早く、かつ未記録部分と
記録部分のコントラスト比が充分大きいものを◎とした
。×は緩やかに移動させても、黒化しないもの、あるい
は、コントラスト比が小さいものを示す。○、Δは◎と
×の中間に位置する。この定性的な表現において、実用
可能な黒化特性は０以上である。
次に白化特性について述べる。白化特性を観るから非晶
質）させる。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的
緩やかでも、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分の
コントラスト比が大きいものを示し、×は全く白化しな
いものを示している。
質）させる。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的
緩やかでも、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分の
コントラスト比が大きいものを示し、×は全く白化しな
いものを示している。
○とΔは、◎と×の中間に位置する。
上述した表現によれば、黒化、白化特性とも非常にすぐ
れている場合は、◎、◎となるが、実際問題としては同
じ移動速度で、どちらも◎となることはあり得す、望ま
しい材料としては、◎、○あるいは◎、△と、多少黒化
特性が優れているものである。
れている場合は、◎、◎となるが、実際問題としては同
じ移動速度で、どちらも◎となることはあり得す、望ま
しい材料としては、◎、○あるいは◎、△と、多少黒化
特性が優れているものである。
第１表に、本発明の範囲で作成した膜の転移温度と、黒
化、白化特性の結果を示す。第４図には、第１表に対応
する、Ｔｅ−Ｇｏ−８ｎ系の三角図を示す。
化、白化特性の結果を示す。第４図には、第１表に対応
する、Ｔｅ−Ｇｏ−８ｎ系の三角図を示す。
第 １ 表
第１表の結果より明らかな様に、本発明の範囲内にある
Ｔｏ−Ｇｏ−５ｎ−Ａｕ系は黒化特性が×か、白化特性
が×であるものはなく、この範囲内にある記録部材は加
熱条件によって非晶質状態と結晶状態をとることができ
、光学的に情報書き込み。
Ｔｏ−Ｇｏ−５ｎ−Ａｕ系は黒化特性が×か、白化特性
が×であるものはなく、この範囲内にある記録部材は加
熱条件によって非晶質状態と結晶状態をとることができ
、光学的に情報書き込み。
消去が可能である。
実施例２
実施例１と同様の作成法、評価法で、Ｔ ｅ −Ｇ ｅ
−８ｎ系にＡｕを添加した場合の濃度依存性に対する結
果を第２表に示す。
−８ｎ系にＡｕを添加した場合の濃度依存性に対する結
果を第２表に示す。
第２図においてＦＧＨＩで囲まれた領域からは第４図の
４で示される（”８０”１０”１０）点を選択し、ＨＴ
ＫＬＭで囲まれた領域からは、第４図の１２ （Ｔ ＠
Ｉ ｃｓｏＧ １１２ｓ Ｓ ｎ １ｓ ）を選択した
。
４で示される（”８０”１０”１０）点を選択し、ＨＴ
ＫＬＭで囲まれた領域からは、第４図の１２ （Ｔ ＠
Ｉ ｃｓｏＧ １１２ｓ Ｓ ｎ １ｓ ）を選択した
。
第２表においてＡｕ濃度とは式（Ｔｅ！Ｇｏ、Ｓｎ、）
−Ａｕｎにおいてｎの値を表わす。
−Ａｕｎにおいてｎの値を表わす。
第２表の結果よシ明らかなように、第２図のＦＧＨＩで
囲まれた領域にある場合のＡｕ濃度は、１０ａｔ％から
３５ａｔ％にある場合、黒化、白化特性がＯ１ΔよりＯ
２０と良好である。
囲まれた領域にある場合のＡｕ濃度は、１０ａｔ％から
３５ａｔ％にある場合、黒化、白化特性がＯ１ΔよりＯ
２０と良好である。
第２図のＨＩＫＬＭで囲まれた領域にある場合のＡｕ濃
度は、１〜１５ａｔ％である。１ａｔ％以下（４２４）
は白化せず、書き換え可能な記録部材とはならない。／
ｌ／）、２４は本発明の範囲外で、参考例である。Ａｕ
濃度が１６ ａｔ％以上の場合、［３０）は、黒化特性
がＸ〜Δで、−６黒化が化能ではあるが、実用的には困
難である。したがって、ＨＩＫＬＭで囲まれた領域にあ
る場合のＡｕ濃度は１〜１５ａｔチである。
度は、１〜１５ａｔ％である。１ａｔ％以下（４２４）
は白化せず、書き換え可能な記録部材とはならない。／
ｌ／）、２４は本発明の範囲外で、参考例である。Ａｕ
濃度が１６ ａｔ％以上の場合、［３０）は、黒化特性
がＸ〜Δで、−６黒化が化能ではあるが、実用的には困
難である。したがって、ＨＩＫＬＭで囲まれた領域にあ
る場合のＡｕ濃度は１〜１５ａｔチである。
実施例３
基材として、１．２ｔＸφ２００ｍ＋のポリカーボネー
ト樹脂基材を用い、記録膜として、実施例２の／ｆａ
２１ （（Ｔ ｅ ｓ ｏＧ ｅ 、ｏ Ｓ ｎ 、ｏ
） ７０ Ａ ｕ ｓ ｏ ）の薄膜と、泥２６の薄
膜を形成して２種類の光ディスクを試作し評価した。
ト樹脂基材を用い、記録膜として、実施例２の／ｆａ
２１ （（Ｔ ｅ ｓ ｏＧ ｅ 、ｏ Ｓ ｎ 、ｏ
） ７０ Ａ ｕ ｓ ｏ ）の薄膜と、泥２６の薄
膜を形成して２種類の光ディスクを試作し評価した。
各記録薄膜の形成方法は、実施例１と同様であるが、記
録膜を形成する前に、耐熱層として、ＺｎＳを５ｏｏＡ
を蒸着し、記録膜を形成後も１８００Ａ蒸着した。
録膜を形成する前に、耐熱層として、ＺｎＳを５ｏｏＡ
を蒸着し、記録膜を形成後も１８００Ａ蒸着した。
これら２種類のディスクを用いて、記録、消去パワーを
それぞれ８ｍＷ、１５ｍＷとし、記録レーザビームは半
値巾でφ１μｍ、消去レーザビーム長は、半値巾で約１
×１６μｍの長楕円状とし白化状態で記録、黒化状態で
消去を行なった。なお、記録周波数は２ＭＨｚ、ディス
クの周速は５ ｍ／ Ｓである。
それぞれ８ｍＷ、１５ｍＷとし、記録レーザビームは半
値巾でφ１μｍ、消去レーザビーム長は、半値巾で約１
×１６μｍの長楕円状とし白化状態で記録、黒化状態で
消去を行なった。なお、記録周波数は２ＭＨｚ、ディス
クの周速は５ ｍ／ Ｓである。
ム２１のＣ／ＮはａｓｄＢ、消去率は−５ｓｄＢであシ
、惠２６のＣ／Ｎは５ｏｄＢで、消去率は一４９ｄＢで
あった。
、惠２６のＣ／Ｎは５ｏｄＢで、消去率は一４９ｄＢで
あった。
実施例４
実施例３における鳳２１の光ディスクを用いて、寿命試
験を８０℃、ｅｏ％ＲＨの条件下で行なった。
験を８０℃、ｅｏ％ＲＨの条件下で行なった。
試験方法は、予じめ情報を記録しておき、上記条件で保
持後のＣ／Ｎの劣化、消去率の経時変化をＩ′みた。１
ケ月経過後のＣ／Ｎの低下は−０，５ｄＢで、消去率の
低下は１ｄＢであった。
持後のＣ／Ｎの劣化、消去率の経時変化をＩ′みた。１
ケ月経過後のＣ／Ｎの低下は−０，５ｄＢで、消去率の
低下は１ｄＢであった。
実施例５
実施例３における／１ｒＬ２１とム２６の光ディスクの
記録、消去の繰り返し特性を評価した。
記録、消去の繰り返し特性を評価した。
１０万回記録、消去を繰シ返した後のＣ／Ｎの低下は、
／Ｅ、２１で一２ｄＢ 、泥２６で一１ｄＢ、消去率の
低下はそれぞれ、１ ｄ Ｂ 、 ０．５ｄＢであった
。
／Ｅ、２１で一２ｄＢ 、泥２６で一１ｄＢ、消去率の
低下はそれぞれ、１ ｄ Ｂ 、 ０．５ｄＢであった
。
実施例６
実施例３において、４２１の光ディスクを、耐熱層とし
て、Ｇ ｅ Ｏ２とＳｉＣを用い、それぞれレーザ入射
光側の膜厚を８０ＯＡとし記録膜の形成後、さらに、各
々、１９００Ａ蒸着し、試料とした。これらのディスク
のＣ／ＮはＧ ｅ Ｏ２で、５４ｄＢ、ＳｉＣで５２ｄ
Ｂで、消去率は各々、−４８ｄＢ 、−５０ｄＢであっ
た。さらに実施例４の寿命試験を行なったところ、１ケ
月経過後、Ｇ ｅ Ｏ３を用いた場合のＣ／Ｎの低下は
一３ｄＢで、ＳｉＣは−ｏ、ｓｄＢであった。
て、Ｇ ｅ Ｏ２とＳｉＣを用い、それぞれレーザ入射
光側の膜厚を８０ＯＡとし記録膜の形成後、さらに、各
々、１９００Ａ蒸着し、試料とした。これらのディスク
のＣ／ＮはＧ ｅ Ｏ２で、５４ｄＢ、ＳｉＣで５２ｄ
Ｂで、消去率は各々、−４８ｄＢ 、−５０ｄＢであっ
た。さらに実施例４の寿命試験を行なったところ、１ケ
月経過後、Ｇ ｅ Ｏ３を用いた場合のＣ／Ｎの低下は
一３ｄＢで、ＳｉＣは−ｏ、ｓｄＢであった。
実施例７
実施例３の基材を用いて、実施例１の５６の光ディスク
を作成した。耐熱層は、ＺｎＳを用いた。
を作成した。耐熱層は、ＺｎＳを用いた。
膜厚は、第一層目のＺｎＳをａｅｏＡ、記録層を３００
Ａ 、第２層目のＺｎＳを１９５０Ａとした。
Ａ 、第２層目のＺｎＳを１９５０Ａとした。
このディスクのＣ／Ｎは５ｓｄＢで消去率は一５５ｄＢ
であり、実施例５における繰シ返し試験を行なったとこ
ろ、１０万回後のＣ／Ｎの低下は一２ｄＢであった。
であり、実施例５における繰シ返し試験を行なったとこ
ろ、１０万回後のＣ／Ｎの低下は一２ｄＢであった。
発明の効果
本発明によるＴ ｅ −Ｇ ｏ −Ｓ ｎ −Ａｕ記録
膜は、Ａｕの添加によりＴｏ−Ｇｏ−３ｎ系より結晶化
、非晶質化領域が拡大され、かつ、記録、消去の繰り返
し特性がすぐれ、消去率の経時変動も少ないという特徴
を有する。しかも熱的μ度的にも安定であるにもかかわ
らず、膜の融点が低いので現行の半導体レーザパワーで
充分に黒化（消去）、白化（記録）が可能で、実用上、
きわめて優れた光学情報記録部材を提供することができ
るものである。
膜は、Ａｕの添加によりＴｏ−Ｇｏ−３ｎ系より結晶化
、非晶質化領域が拡大され、かつ、記録、消去の繰り返
し特性がすぐれ、消去率の経時変動も少ないという特徴
を有する。しかも熱的μ度的にも安定であるにもかかわ
らず、膜の融点が低いので現行の半導体レーザパワーで
充分に黒化（消去）、白化（記録）が可能で、実用上、
きわめて優れた光学情報記録部材を提供することができ
るものである。
第１図は本発明による光学情報記録部材の組成の範囲を
示す組成図、第２図は第１図の組成を、さらに限定した
範囲を示す組成図、第３図は本発明の光学情報記録部材
の一実施例における構成を示した断面図、第４図は本発
明の実施例１．２における各試料の組成を示した組成図
である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 １ａｔＸ 第 ３ 区 第４図
示す組成図、第２図は第１図の組成を、さらに限定した
範囲を示す組成図、第３図は本発明の光学情報記録部材
の一実施例における構成を示した断面図、第４図は本発
明の実施例１．２における各試料の組成を示した組成図
である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 １ａｔＸ 第 ３ 区 第４図
Claims (3)
- （１）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの原子数比が第１図のＡ（Ｔｅ
＿９＿３Ｇｅ＿５Ｓｎ＿２）、Ｂ（Ｔｅ＿９＿３Ｇｅ＿
２Ｓｎ＿５）、Ｃ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿２Ｓｎ＿３＿０
）、Ｄ（Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿１＿８Ｓｎ＿３＿０）Ｅ（
Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿４＿６Ｓｎ＿２）点で囲まれる領域
内にあって、Ａｕの濃度（ａｔ％）が（Ｔｅ＿ｘＧｅ＿
ｙＳｎ＿ｚ）＿ｍＡｕ＿ｎで表わした場合、１〜４０ａ
ｔ％であることを特徴とする光学情報記録部材。 - （２）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの原子数比が第２図のＦ（Ｔｅ
＿９＿２Ｇｅ＿５Ｓｎ＿３）、Ｇ（Ｔｅ＿９＿２Ｇｅ＿
３Ｓｎ＿５）、Ｈ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿３Ｓｎ＿２＿９
）、Ｉ（Ｔｅ＿７＿４Ｇｅ＿２＿３Ｓｎ＿３）点で囲ま
れる領域内であつて、Ａｕ濃度ｎの値が１０〜３５ａｔ
％であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光学情報記録部材。 - （３）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの原子数比が第２図のＨ（Ｔｅ
＿６＿８Ｇｅ＿３Ｓｎ＿２＿９）、Ｊ（Ｔｅ＿７＿０Ｇ
ｅ＿１＿０Ｓｎ＿２＿０）Ｋ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿２＿
９Ｓｎ＿３）、Ｌ（Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿４＿５Ｓｎ＿３
）、Ｍ（Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿１＿９Ｓｎ＿２＿９）点で
囲まれる領域内であって、Ａｕ濃度ｎの値１〜１５ａｔ
％であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光学情報記録部材。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP60112420A JPS61270190A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 光学情報記録部材 |
| US07/320,789 US4939013A (en) | 1985-05-24 | 1989-03-09 | Optical information storing medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112420A JPS61270190A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 光学情報記録部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JPH029956B2 JPH029956B2 (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=14586201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60112420A Granted JPS61270190A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 光学情報記録部材 |
Country Status (2)
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|---|---|
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1985
- 1985-05-24 JP JP60112420A patent/JPS61270190A/ja active Granted
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1989
- 1989-03-09 US US07/320,789 patent/US4939013A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| US4939013A (en) | 1990-07-03 |
| JPH029956B2 (ja) | 1990-03-06 |
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