JPH01104766A - 光記録媒体用スパツタリングターゲット - Google Patents
光記録媒体用スパツタリングターゲットInfo
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- JPH01104766A JPH01104766A JP62259708A JP25970887A JPH01104766A JP H01104766 A JPH01104766 A JP H01104766A JP 62259708 A JP62259708 A JP 62259708A JP 25970887 A JP25970887 A JP 25970887A JP H01104766 A JPH01104766 A JP H01104766A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光記録媒体に係り、特に、目的組成の光記録膜
を得るのに好適なスパッタリングターゲットに関する。
を得るのに好適なスパッタリングターゲットに関する。
従来法による光記録媒体用スパッタリングターゲットの
製造法には大別して二つある。一つの方法は目的の組成
に配合した原料を溶解し、ターゲットの形状に加工した
鋳型に鋳造し製造する方法である（以下鋳造ターゲット
と呼ぶ）。他方は原料を溶解し、インゴットとし、イン
ゴットを粉砕し粉末にしてホットプレス、あるいは、室
温でプレスする方法である（以下プレスターゲットと呼
ぶ）。これらの方法で製造したターゲットは通常の三元
単相化合物が室温で存在する場合は有効である。しかし
、室温以上に三元単相化合物が存在するＩｎａＳｂＴｅ
２．ＡｇＳｂＴｅｚ及びＢｉｉＧｅＴｅ７の場合は、タ
ーゲット自体が多相の混相であるため、目的組成の三元
単相化合物のアモルファス膜が作製できず、二相又は多
相の混相となり（例、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の場合、アモル
ファスを結晶化させＸ線回折で同定するとＩｎＳｂ＋Ｉ
ｎＴｅ＋ｒｎａｓｂＴｅｚの混相となっている）、記録
、消去速度が遅くなり問題となる（特に消去速度）。
製造法には大別して二つある。一つの方法は目的の組成
に配合した原料を溶解し、ターゲットの形状に加工した
鋳型に鋳造し製造する方法である（以下鋳造ターゲット
と呼ぶ）。他方は原料を溶解し、インゴットとし、イン
ゴットを粉砕し粉末にしてホットプレス、あるいは、室
温でプレスする方法である（以下プレスターゲットと呼
ぶ）。これらの方法で製造したターゲットは通常の三元
単相化合物が室温で存在する場合は有効である。しかし
、室温以上に三元単相化合物が存在するＩｎａＳｂＴｅ
２．ＡｇＳｂＴｅｚ及びＢｉｉＧｅＴｅ７の場合は、タ
ーゲット自体が多相の混相であるため、目的組成の三元
単相化合物のアモルファス膜が作製できず、二相又は多
相の混相となり（例、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の場合、アモル
ファスを結晶化させＸ線回折で同定するとＩｎＳｂ＋Ｉ
ｎＴｅ＋ｒｎａｓｂＴｅｚの混相となっている）、記録
、消去速度が遅くなり問題となる（特に消去速度）。
なぜなら、例えばＩｎ３ＳｂＴｅ２の場合、従来のター
ゲットで作製した膜は（ｒｎｓｂ＋ＩｎＴｅ＋ Ｉ ｎ
ａＳ ｂ Ｔ ｅｚ）の多相のアモルファスになる。
ゲットで作製した膜は（ｒｎｓｂ＋ＩｎＴｅ＋ Ｉ ｎ
ａＳ ｂ Ｔ ｅｚ）の多相のアモルファスになる。
従って、多相のアモルファスが核生成しＩｎａＳｂＴａ
ｚに結晶化するためには界面歪のため非常に長時間かか
る（アモルファス→結晶化：消去に相当する）。
ｚに結晶化するためには界面歪のため非常に長時間かか
る（アモルファス→結晶化：消去に相当する）。
また、従来のターゲットは多相であるために、それぞれ
の相のスパッタレイトに差があり、ターゲットの組成と
異なった膜の組成ができ、組成制御が困難であるという
問題がある。
の相のスパッタレイトに差があり、ターゲットの組成と
異なった膜の組成ができ、組成制御が困難であるという
問題がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のターゲットは三元単相化合物が室温以上に存在す
る点について考慮されておらず、目的組成のスパッタ膜
が作製できない問題があった。
る点について考慮されておらず、目的組成のスパッタ膜
が作製できない問題があった。
本発明の目的は三元単相化合物膜を直接スパッタ法で作
製することにある。そのために、従来法とは異なったタ
ーゲットの製造を試みた。
製することにある。そのために、従来法とは異なったタ
ーゲットの製造を試みた。
アモルファスからの結晶化は多くの場合、核生成、相分
離や構造緩和など複雑な過程から成る。
離や構造緩和など複雑な過程から成る。
相分離による構造変化には、原子の長距離の拡散が必要
であるから拡散距離の長いもの、拡散速度（拡散定数）
の小さいものは結晶化速度が小さい。
であるから拡散距離の長いもの、拡散速度（拡散定数）
の小さいものは結晶化速度が小さい。
また、相分離によって結晶構造の著しく違った多相が核
生成するには、界面歪のため非常に長時間かかる。しか
し、結晶化相を単相にすることで長距離拡散が必要でな
くなり、結合長オーダの短距離拡散で迅速に結晶化が進
行する。この物理的要因のために、単相によって構成さ
れた光記録媒体の消去速度は相分離を伴うものに比べて
大きい。
生成するには、界面歪のため非常に長時間かかる。しか
し、結晶化相を単相にすることで長距離拡散が必要でな
くなり、結合長オーダの短距離拡散で迅速に結晶化が進
行する。この物理的要因のために、単相によって構成さ
れた光記録媒体の消去速度は相分離を伴うものに比べて
大きい。
しかし、結晶化相を単相にするためにはスパッタ後の膜
のアモルファス相が単相になっていなければならない。
のアモルファス相が単相になっていなければならない。
この点、従来技術のターゲットでは単相にならず問題に
なっている。
なっている。
これを解決する手段として、以下、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２を
例にとって説明する。現在、従来のターゲットで作製し
た多相（ＩｎＴｅ＋ＩｎＳｂ＋Ｉｎ３ＳｂＴｅ２）のア
モルファス相全体をレーザで初期化（レーザで溶融しア
モルファス化させる）している。初期化することによっ
て、多相がＩｎ３ＳｂＴｅ２の単相のアモルファス相に
なる。本発明法で製造したターゲットでは初期化の工程
は全く必要としない。
例にとって説明する。現在、従来のターゲットで作製し
た多相（ＩｎＴｅ＋ＩｎＳｂ＋Ｉｎ３ＳｂＴｅ２）のア
モルファス相全体をレーザで初期化（レーザで溶融しア
モルファス化させる）している。初期化することによっ
て、多相がＩｎ３ＳｂＴｅ２の単相のアモルファス相に
なる。本発明法で製造したターゲットでは初期化の工程
は全く必要としない。
なぜなら、直接Ｉｎ３ＳｂＴｅ２単相のアモルファスが
作製できるためである。上記目的はターゲットをＩｎ３
ＳｂＴｅｚ単相にすることによって達成される。
作製できるためである。上記目的はターゲットをＩｎ３
ＳｂＴｅｚ単相にすることによって達成される。
Ｉｎ３ＳｂＴｅ２三元単相化合物は平衡状態図で約４２
０℃〜５８０℃に存在し、室温ではＩｎＴｅとＩｎＳｂ
に相分離しＩｎ３ＳｂＴｅ２は存在しない。
０℃〜５８０℃に存在し、室温ではＩｎＴｅとＩｎＳｂ
に相分離しＩｎ３ＳｂＴｅ２は存在しない。
実際の従来技術で製造したターゲットはＸ線回折結果か
らＩｎＳｂ＋ＩｎＴｅ、それに、わずかではあるが、Ｉ
ｎ３ＳｂＴｅ２が混在している（非平衡であるため）。
らＩｎＳｂ＋ＩｎＴｅ、それに、わずかではあるが、Ｉ
ｎ３ＳｂＴｅ２が混在している（非平衡であるため）。
本発明ターゲットのＩｎａＳｂＴｅｘ単相を作製するた
めの技術的手段は従来法で製造したターゲットを三元単
相化合物が存在する温度４５０℃に保持し、急冷（水冷
）することによって単相が得られる。また、Ａ ｇ Ｓ
ｂ Ｔ ｅ ２及びＢｉ＋ＧｅＴｅ７の場合も、同じ
ように、５００℃に保持後水冷することによって単相が
得られる。
めの技術的手段は従来法で製造したターゲットを三元単
相化合物が存在する温度４５０℃に保持し、急冷（水冷
）することによって単相が得られる。また、Ａ ｇ Ｓ
ｂ Ｔ ｅ ２及びＢｉ＋ＧｅＴｅ７の場合も、同じ
ように、５００℃に保持後水冷することによって単相が
得られる。
これらターゲットの一部をヤスリで削りとり、粉末をＸ
線回折し同定した結果、いずれも、三元単相化合物のみ
になっていた。また、これらのターゲットを用いスパッ
タ後の膜を結晶化させＸ線回折を行う同定した結果、い
ずれ三元単相化合物のみになっていた。なお、従来法で
製造したターゲットによるスパッタ膜は同様に結晶化さ
せても単相とはならず多相であった。
線回折し同定した結果、いずれも、三元単相化合物のみ
になっていた。また、これらのターゲットを用いスパッ
タ後の膜を結晶化させＸ線回折を行う同定した結果、い
ずれ三元単相化合物のみになっていた。なお、従来法で
製造したターゲットによるスパッタ膜は同様に結晶化さ
せても単相とはならず多相であった。
〈実施例１〉
表１は本発明法によるＩｎ３ＳｂＴｅ２三元単相化合物
ターゲットの製造工程とその時め結晶構造を示す。
ターゲットの製造工程とその時め結晶構造を示す。
また、このターゲットを用いてスパッタした膜の結晶化
後の結晶構造を示す。まず、Ｉｎ５ＳｂＴｅｚになるよ
う配合した原料を黒鉛ルツボに装入し、Ａｒ雰囲気中で
溶解後、所定形状の鋳型に鋳造し成形した。鋳造成形後
のターゲットの表面をヤスリで削り、その粉末をＸ線回
折し、同定した結果、ＩｎＳｂ、ＩｎＴｅ、Ｉｎ３Ｓｂ
Ｔｅ２の多相の混和からなっていることが明らかとなっ
た。本組成の場合、第１図に平衡状態図を示すがＩｎ３
ＳｂＴｅｚは室温では存在しないが、これは非平衡凝固
による出現したものと思われる。次に、このターゲット
をＡｒ雰囲気中で４５０℃で二時間保持後水冷した。こ
れも上記したと同じような方法で、粉末をＸ線回折で同
定した。その結果、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の三元単相化合物
となっていた。本発明のターゲットを用い、透明ガラス
基板、または、ポリカーボネート基板上に膜厚１１００
ｎにＤＣマグネトロン型スパッタリング法により成膜し
た。スパッタリング条件は基板水冷、出力１００Ｗ、初
期真空度８．５ ＸＩＯ″″５Ｐａ、Ａ、ｒ分圧２０
ｍＴｏｒｒである。第２図はこの膜の加熱に伴う動的
反射率変化の測定結果である。４２０℃で反射率は急激
に上昇する。これはアモルファスから結晶化するための
反射率の変化に相当する。表１で、スパッタ膜の結晶化
後の結晶構造の測定は、第２図の矢印■の温度まで加熱
し、その後、徐冷した膜についてＸ線回折した結果であ
る。すなわち、アモルファスから結晶化されつつあると
ころで徐冷したものである。これはＩｎ３ＳｂＴｅ２は
高温で安定であるため、例えば、成膜後のアモルファス
がＩｎＳｂ、ＩｎＴｅ、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の多相からな
っていた場合、第２図の矢印０点まで加熱してしまうと
、ここでは、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の単相になってしまって
１本発明のターゲットによる効果が不明になってしまう
ため、矢印■から徐冷した。その結果、表１に示したよ
うに、 Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の単相になっていた。従って
、本記録媒体では高速記録、消去が可能であると予想さ
れる。なお１表２に示した従来法で製造したターゲット
を用い、第２図の矢印■まで加熱し徐去した試料をＸ線
回折し同定した結果、ＩｎＳｂ、ＩｎＴｅ。
後の結晶構造を示す。まず、Ｉｎ５ＳｂＴｅｚになるよ
う配合した原料を黒鉛ルツボに装入し、Ａｒ雰囲気中で
溶解後、所定形状の鋳型に鋳造し成形した。鋳造成形後
のターゲットの表面をヤスリで削り、その粉末をＸ線回
折し、同定した結果、ＩｎＳｂ、ＩｎＴｅ、Ｉｎ３Ｓｂ
Ｔｅ２の多相の混和からなっていることが明らかとなっ
た。本組成の場合、第１図に平衡状態図を示すがＩｎ３
ＳｂＴｅｚは室温では存在しないが、これは非平衡凝固
による出現したものと思われる。次に、このターゲット
をＡｒ雰囲気中で４５０℃で二時間保持後水冷した。こ
れも上記したと同じような方法で、粉末をＸ線回折で同
定した。その結果、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の三元単相化合物
となっていた。本発明のターゲットを用い、透明ガラス
基板、または、ポリカーボネート基板上に膜厚１１００
ｎにＤＣマグネトロン型スパッタリング法により成膜し
た。スパッタリング条件は基板水冷、出力１００Ｗ、初
期真空度８．５ ＸＩＯ″″５Ｐａ、Ａ、ｒ分圧２０
ｍＴｏｒｒである。第２図はこの膜の加熱に伴う動的
反射率変化の測定結果である。４２０℃で反射率は急激
に上昇する。これはアモルファスから結晶化するための
反射率の変化に相当する。表１で、スパッタ膜の結晶化
後の結晶構造の測定は、第２図の矢印■の温度まで加熱
し、その後、徐冷した膜についてＸ線回折した結果であ
る。すなわち、アモルファスから結晶化されつつあると
ころで徐冷したものである。これはＩｎ３ＳｂＴｅ２は
高温で安定であるため、例えば、成膜後のアモルファス
がＩｎＳｂ、ＩｎＴｅ、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の多相からな
っていた場合、第２図の矢印０点まで加熱してしまうと
、ここでは、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の単相になってしまって
１本発明のターゲットによる効果が不明になってしまう
ため、矢印■から徐冷した。その結果、表１に示したよ
うに、 Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の単相になっていた。従って
、本記録媒体では高速記録、消去が可能であると予想さ
れる。なお１表２に示した従来法で製造したターゲット
を用い、第２図の矢印■まで加熱し徐去した試料をＸ線
回折し同定した結果、ＩｎＳｂ、ＩｎＴｅ。
Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の多相の混和となっていた。
これらのことから本発明ターゲットはきわめてすぐれて
いることが明らかとなった。第３図はＩｎ３ＳｂＴｅ２
光記録媒体の静止状態における記録試験を従来法、及び
、本発明法で製造したターゲットを用い、成膜後保護層
として５ｉＯｚを１１００ｎつけたものについて比較し
た結果である。記録条件はレーザ出力１２ｍＷで徐々に
パルス幅を長くしていった。初期状態では成膜したまま
の状態でアモルファスであり、従来法の膜はＩｎＳｂ。
いることが明らかとなった。第３図はＩｎ３ＳｂＴｅ２
光記録媒体の静止状態における記録試験を従来法、及び
、本発明法で製造したターゲットを用い、成膜後保護層
として５ｉＯｚを１１００ｎつけたものについて比較し
た結果である。記録条件はレーザ出力１２ｍＷで徐々に
パルス幅を長くしていった。初期状態では成膜したまま
の状態でアモルファスであり、従来法の膜はＩｎＳｂ。
ＩｎＴｅ、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の多相のアモルファスと予
想され、本発明法の膜はＩｎ３ＳｂＴｅ２単相である。
想され、本発明法の膜はＩｎ３ＳｂＴｅ２単相である。
両者について、まず、結晶化によって反射率は上昇し始
め、更に、パルス幅を長くすると部分的に融点をこえて
溶融し始め、記録状態となり反射率は低下する。両者を
比較すると、本発明法で作製した膜は記録、消去とも早
く、化合物が多相析出する従来法の膜が遅いことが明確
である。
め、更に、パルス幅を長くすると部分的に融点をこえて
溶融し始め、記録状態となり反射率は低下する。両者を
比較すると、本発明法で作製した膜は記録、消去とも早
く、化合物が多相析出する従来法の膜が遅いことが明確
である。
製造法のＮｎ ２はプレスターゲットで、溶解後、−た
ん、インゴットとし、このインゴットを粉砕して粉末に
した後、４８０℃でホットプレスし成形したものを４５
０℃で二時間保持後、水冷したものである。インゴット
、粉末、ホットプレスのそれぞれの粉末についてＸ線回
折した結果、いずれも、ＩｎＳｂ、ＩｎＴｅ、Ｉｎ３Ｓ
ｂＴｅ２の多相の混相となっていた。これを熱処理する
ことによって、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の単相が得られる。Ｎ
ａ ３もＮα２と同様で、プレスを室温で行ったもので
ある。熱処理する前の粉末はいずれもＩｎＳｂ。
ん、インゴットとし、このインゴットを粉砕して粉末に
した後、４８０℃でホットプレスし成形したものを４５
０℃で二時間保持後、水冷したものである。インゴット
、粉末、ホットプレスのそれぞれの粉末についてＸ線回
折した結果、いずれも、ＩｎＳｂ、ＩｎＴｅ、Ｉｎ３Ｓ
ｂＴｅ２の多相の混相となっていた。これを熱処理する
ことによって、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の単相が得られる。Ｎ
ａ ３もＮα２と同様で、プレスを室温で行ったもので
ある。熱処理する前の粉末はいずれもＩｎＳｂ。
Ｉ ｎ Ｔ ｅ 、 Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の多相の混和で
、熱処理することによってＩ ｎａＳｂＴｅ２単相が得
られる。これらＮα２．Ｎα３のターゲットを用いて作
製したスパッタ膜をＮα１と同様な実験を試みＸ線回折
した結果、いずれの膜もＩｎ、３ＳｂＴｅ２単相になっ
ていた。
、熱処理することによってＩ ｎａＳｂＴｅ２単相が得
られる。これらＮα２．Ｎα３のターゲットを用いて作
製したスパッタ膜をＮα１と同様な実験を試みＸ線回折
した結果、いずれの膜もＩｎ、３ＳｂＴｅ２単相になっ
ていた。
〈実施例２〉
表３は本発明法によるＡｇＳｂＴｅ２三元単相化合物タ
ーゲットの製造工程と、その時の結晶構造を示す。
ーゲットの製造工程と、その時の結晶構造を示す。
製造工程、及び、Ｘ線回折による結晶構造の同定は実施
例１と同じ方法で行った。第４図はＡ ｇ Ｓ ｂ Ｔ
ｅ ２の平衡状態図を示す。ＡｇＳｂＴｅｚは３６０
’Ｃ以上に存在する。従って、熱処理温度は５００℃と
した。いずれの製造法でも、熱処理する前は５ｂｘＴｅ
３．ＡｇＳｂＴｅｚの混相であるが熱処理することによ
ってＡｇＳｂＴｅ２の単相となる。また、本発明のター
ゲットを用いることによって、スパッタ膜の結晶化後の
結晶構造もＡ ｇ Ｓ ｂ Ｔ ｅ Ｚ単相となる。な
お、スパッタ条件は実施例１と同じである。第５図はス
パッタ膜の加熱による動的反射率変化の測定結果を示す
。
例１と同じ方法で行った。第４図はＡ ｇ Ｓ ｂ Ｔ
ｅ ２の平衡状態図を示す。ＡｇＳｂＴｅｚは３６０
’Ｃ以上に存在する。従って、熱処理温度は５００℃と
した。いずれの製造法でも、熱処理する前は５ｂｘＴｅ
３．ＡｇＳｂＴｅｚの混相であるが熱処理することによ
ってＡｇＳｂＴｅ２の単相となる。また、本発明のター
ゲットを用いることによって、スパッタ膜の結晶化後の
結晶構造もＡ ｇ Ｓ ｂ Ｔ ｅ Ｚ単相となる。な
お、スパッタ条件は実施例１と同じである。第５図はス
パッタ膜の加熱による動的反射率変化の測定結果を示す
。
２６５℃で反射率は急激に上昇し、この温度でアモルフ
ァスから結晶化することが明らかである。
ァスから結晶化することが明らかである。
第６図はＡｇＳｂＴｅｚ光記録媒体の静止状態における
記録試験を従来法と本発明法で比較したものである。記
録条件は実施例１と同じである。図の結果から、両者を
比較すると本発明法のターゲットで作製した膜は記録、
消去とも早く、化合物が混和析出する従来法のスパッタ
膜では遅いことが明らかである。
記録試験を従来法と本発明法で比較したものである。記
録条件は実施例１と同じである。図の結果から、両者を
比較すると本発明法のターゲットで作製した膜は記録、
消去とも早く、化合物が混和析出する従来法のスパッタ
膜では遅いことが明らかである。
〈実施例３〉
表４は本発明法によるＢｉ４ＧｅＴｅ７三元単相化合物
ターゲットの製造工程と、その時の結晶構造を示す。
ターゲットの製造工程と、その時の結晶構造を示す。
製造工程、及び、Ｘ線回折による結晶構造の同定は実施
例１は同じ方法で行った。熱処理温度は５ｏｏ℃で行っ
た。いずれの製造法でも熱処理する前は５ｂｚＴｅａ、
Ｂｉ４ＧｅＴｅ７の混相であるが熱処理することによっ
てＢ ｉ ＋Ｇ’ｅ Ｔ ｅ ７の単相となる。また、
本発明のターゲットを用いることによって、スパッタ膜
の結晶化後の結晶構造もＢｉ４ＧｅＴｅ７単相となる。
例１は同じ方法で行った。熱処理温度は５ｏｏ℃で行っ
た。いずれの製造法でも熱処理する前は５ｂｚＴｅａ、
Ｂｉ４ＧｅＴｅ７の混相であるが熱処理することによっ
てＢ ｉ ＋Ｇ’ｅ Ｔ ｅ ７の単相となる。また、
本発明のターゲットを用いることによって、スパッタ膜
の結晶化後の結晶構造もＢｉ４ＧｅＴｅ７単相となる。
なお、スパッタ条件は実施例１と同じである。第７図は
スパッタ膜の加熱による動的反射率変化の測定結果を示
す。
スパッタ膜の加熱による動的反射率変化の測定結果を示
す。
１６５℃で反射率は急激に上昇し、この温度でアモルフ
ァスから結晶化することが明らかである。
ァスから結晶化することが明らかである。
第８図はＢｉ４ＧｅＴｅ７光記録媒体の静止状態におけ
る記録試験を従来法と本発明法で比較したものである。
る記録試験を従来法と本発明法で比較したものである。
図の結果から、両者を比較すると本発明法のターゲット
で作製した膜は記録、消去とも早く、化合物が混相析出
する従来法のスパッタ膜では遅いことが明らかである。
で作製した膜は記録、消去とも早く、化合物が混相析出
する従来法のスパッタ膜では遅いことが明らかである。
〈実施例４〉
表５は従来法と本発明法によって製造したターゲットで
スパッタ暎を作製し、膜の組成を分析し比較したもので
ある。
スパッタ暎を作製し、膜の組成を分析し比較したもので
ある。
なお、スパッタ条件は実施例１と同じである。
従来法で作製した膜の組成はターゲット組成と大巾に異
なる。これは多相の混相となっているため、それぞれの
相のスパッタ１ イトが異なるため、組成変動する。この点、本発゛明法
によれば単相であるために、組成変動を±０，５ ％内
におさえることができる。また、スパッタを何回くり返
しても再現性よく組成制御することができた。
なる。これは多相の混相となっているため、それぞれの
相のスパッタ１ イトが異なるため、組成変動する。この点、本発゛明法
によれば単相であるために、組成変動を±０，５ ％内
におさえることができる。また、スパッタを何回くり返
しても再現性よく組成制御することができた。
〈実施例５〉
本発明によるスパッタリングターゲットは三元化合物の
単相よりなるが、化合物を形成せず相分離（例えば共晶
合金）している合金系ターゲットについて、以下に記述
する方式で単相化を試みた。
単相よりなるが、化合物を形成せず相分離（例えば共晶
合金）している合金系ターゲットについて、以下に記述
する方式で単相化を試みた。
Ｉｎ−Ｓｂ二元系について（ＩｎＳｂ＋Ｓｂ）と（Ｉｎ
Ｓｂ＋Ｉｎ）二相共晶合金ターゲットでスパッタリング
を行うと作製した膜組成はターゲット組成から大きく異
なったものになった。そこで電子ビーム（５ＫＷ）を用
いて両ターゲット表面を溶融急冷したところ２表面層（
深さ２＋ｍ＋）°はアモルファス相になっていることが
分った。このターゲットを用いてスパッタリングを行っ
たところ、ターゲット組成のスパッタ合金膜が得られた
。本発明は、上記の方式を用いると、化合物以外の組成
範囲にも適用できる。更に、ターゲット表層をアモルフ
ァス化する手段は、電子ビーム、高出力レーザ光線、中
性子照射、高塑性加工、超音波などが考えられる。その
他に、予めターゲットを構成する合金を溶湯急冷法、ス
パッタリング、真空蒸着法などでアモルファス化した後
、ターゲットを構造する手段も有効であった。
Ｓｂ＋Ｉｎ）二相共晶合金ターゲットでスパッタリング
を行うと作製した膜組成はターゲット組成から大きく異
なったものになった。そこで電子ビーム（５ＫＷ）を用
いて両ターゲット表面を溶融急冷したところ２表面層（
深さ２＋ｍ＋）°はアモルファス相になっていることが
分った。このターゲットを用いてスパッタリングを行っ
たところ、ターゲット組成のスパッタ合金膜が得られた
。本発明は、上記の方式を用いると、化合物以外の組成
範囲にも適用できる。更に、ターゲット表層をアモルフ
ァス化する手段は、電子ビーム、高出力レーザ光線、中
性子照射、高塑性加工、超音波などが考えられる。その
他に、予めターゲットを構成する合金を溶湯急冷法、ス
パッタリング、真空蒸着法などでアモルファス化した後
、ターゲットを構造する手段も有効であった。
本発明によれば、直接スパッタされた膜が三元単相化合
物のアモルファスとなるため、従来のように初期化しな
くとも高速記録、消去が可能であり、単相であるため、
組成制御が容易で再現性よく目的組成の三元単相化合物
が得られる。
物のアモルファスとなるため、従来のように初期化しな
くとも高速記録、消去が可能であり、単相であるため、
組成制御が容易で再現性よく目的組成の三元単相化合物
が得られる。
第１図は本発明の一実施例のＩｎ３ＳｂＴｅｚの平衡状
態図、第２図はＩｎ３ＳｂＴｅ２の動的反射重度化を示
す図、第３図は従来法及び本発明法のターゲットで作製
したスパッタ膜の静上記録試験結果を示す図、第４図は
ＡｇＳｂＴｅｚ平衡状態図、第５図はＡ ｇ Ｓ ｂ
Ｔ ｅ ２の動的反射率変化を示す図、第６図は従来法
及び本発明法のターゲットで作製したスパッタ膜の静上
記録試験を示す図、第７図はＢｉ４ＧｅＴｅ７の動的反
射率変化を示す図、第８図は従来法と本発明法のターゲ
ットで作Ｔ２図 第３層 ｏ ｏ、ｔ ｒ ｔｏ
ｔｏ。 畠きＬ≦みハ゛ルヌヤ晶（ガ５） ｖＪ４包 箪 ５図 １屋（Ｃ） 下６０ ０ ０、Ｉ ／ １０
’／θＯ書５込みハ・ル人輻（μＳ） 第７０ ’、Ａｐｒ’Ｃ） 葛８回 ＯＯｌ ｌ １０ ｌσθ書でｌ
さみハ・ル又ヤ急Ｃμδ）
態図、第２図はＩｎ３ＳｂＴｅ２の動的反射重度化を示
す図、第３図は従来法及び本発明法のターゲットで作製
したスパッタ膜の静上記録試験結果を示す図、第４図は
ＡｇＳｂＴｅｚ平衡状態図、第５図はＡ ｇ Ｓ ｂ
Ｔ ｅ ２の動的反射率変化を示す図、第６図は従来法
及び本発明法のターゲットで作製したスパッタ膜の静上
記録試験を示す図、第７図はＢｉ４ＧｅＴｅ７の動的反
射率変化を示す図、第８図は従来法と本発明法のターゲ
ットで作Ｔ２図 第３層 ｏ ｏ、ｔ ｒ ｔｏ
ｔｏ。 畠きＬ≦みハ゛ルヌヤ晶（ガ５） ｖＪ４包 箪 ５図 １屋（Ｃ） 下６０ ０ ０、Ｉ ／ １０
’／θＯ書５込みハ・ル人輻（μＳ） 第７０ ’、Ａｐｒ’Ｃ） 葛８回 ＯＯｌ ｌ １０ ｌσθ書でｌ
さみハ・ル又ヤ急Ｃμδ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、相変化を利用して可逆的に記録、消去を行う光記録
媒体を作製するスパッタリングターゲットにおいて、 三元単相化合物からなることを特徴とする光記録媒体用
スパッタリングターゲット。 ２、前記光記録媒体の前記三元単相化合物が室温以上に
存在することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光記録媒体用スパッタリングターゲット。 ３、前記光記録媒体がＩｎ＿３ＳｂＴｅ＿２からなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体
用スパッタリングターゲット。 ４、前記光記録媒体がＡｇＳｂＴｅ＿２からなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体用ス
パッタリングターゲット。 ５、前記光記録媒体がＢｉ＿４ＧｅＴｅ＿７からなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体
用スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259708A JPH01104766A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 光記録媒体用スパツタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259708A JPH01104766A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 光記録媒体用スパツタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01104766A true JPH01104766A (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=17337834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259708A Pending JPH01104766A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 光記録媒体用スパツタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01104766A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01162247A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型相転移光記録媒体 |
| US5095479A (en) * | 1990-08-13 | 1992-03-10 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
| US5418030A (en) * | 1992-06-12 | 1995-05-23 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
| JP2010245238A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Promatic Kk | 光電変換装置およびその製造方法ならびに硫化物焼結体ターゲットの製造方法 |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62259708A patent/JPH01104766A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01162247A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型相転移光記録媒体 |
| US5095479A (en) * | 1990-08-13 | 1992-03-10 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
| US5418030A (en) * | 1992-06-12 | 1995-05-23 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
| JP2010245238A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Promatic Kk | 光電変換装置およびその製造方法ならびに硫化物焼結体ターゲットの製造方法 |
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