JP2002509633A - リライタブル光情報媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ２つのカーバイド層に挟まれたスタックと、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｏ又は、Ｗのような材料の光吸収層を有するリライタブル光情報媒体が記載されている。光吸収層は、スタックに低冷却動作を与える。その結果、そのような媒体は高データレート記録に使用できる。５０Ｍビット毎秒のユーザビットレート（ＵＤＢＲ）が報告されている。

Description

【発明の詳細な説明】 リライタブル光情報媒体発明の分野 第１又は、第２のカーバイド層を含む層のスタックを支える基板と、カーバイ ド層の間に配置された、結晶状態のときにアモルファスビットを記録できる相変 化材料の記録層と、基板と第１のカーバイド層の間に配置された第１の誘電体層 とを有する、レーザ光ビームによる消去可能な記録のための光学的情報媒体に関 する。 また、本発明は、高記録密度で高データレート応用の光学式記録媒体の使用に 関する。発明の背景 相変化原理に基づいた光学情報又は、データ蓄積は、読み出し専用システムと 簡単に両立できる直接オーバーライト（ＤＯＷ）と高蓄積密度を結合できる可能 性を有するので、魅力的である。相変化光記録は、薄膜結晶フィルム中に、合焦 されたレーザ光ビームを用いた、サブマイクロメータの大きさのアモルファス記 録マークの形成を含む。情報の記録中に、媒体は、記録される情報に従って変調 された、合焦されたレーザ光ビームに関して移動される。これにより、相変化記 録層に消去が起こり、記録層の露光された領域に、アモルファス情報ビットの形 成が起こる。記録層の露光されていない領域は、結晶のまま残る。書きこまれた アモルファスマークの消去は、回じレーザを用いて熱することにより再結晶化す ることで行われる。アモルファスマークは、データビットを表し、低パワーの合 焦されたレーザ光ビームにより基板を介して再生される。結晶記録層とアモルフ ァスの間の反射率の差は、変調されたレーザ光ビームを発生し、続いて、符号化 された記録ディジタル情報に従って、検 出器により、変調された光電流に変換される。 高速相変化光記録の主な問題点は、多くのオーバーライトサイクル、即ち、繰 返し書きこみ（アモルファス化）と消去（再結晶化）動作の回数及び、適切な再 結晶化速度が必要とされることである。高再結晶化速度は特に、例えば、ディス ク状のＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−リライタブル、ＤＶＲ（ディジタルビデオレコ ーダ）及び、光学式テープ等の、高密度記録及び、高データレート応用で必要と される。そこでは、完全な結晶化時間（完全消去時間：ＣＥＴ）は、５０ｎｓよ りも短くなければならない。結晶化速度が、レーザ光ビームと媒体の相対的な線 速度に充分に整合するように高くない場合には、前の記録の古いデータ（アモル ファスマーク）は、ＤＯＷ中に完全に除去（再結晶化）できない。これによりノ イズレベルが大きくなる。 前文で述べた形式の光学式情報媒体は、出願人による出願された、未発行国際 特許出願番号ＩＢ９７／０１５４４（ＰＨＮ１６８１４）に記載されている相変 化形式の記載された媒体は、例えば、（Ｚｎ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀の第１の誘電体 層を有する層のスタックを支持する基板と、例えばＳｉＣの２つの比較的薄いカ ーバイド層の間に挟まれた、例えばＧｅＳｂＴｅ化合物の相変化記録層と、第２ の誘電体層と反射層を有する。層のスタックは、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺Ｉ₂Ｍ構造として参 照され、ここででＭは反射又はミラー層を、Ｉ₁とＩ₂はそれぞれ第１及び第２の 誘電体層を、Ｉ⁺はカーバイド層を、また、Ｐは相変化記録層を表す。そのよう なスタックでは、２５から３０ｎｓのＣＥＴ値が報告されている。２８ｎｓのＣ ＥＴ値は、３５Ｍビット毎秒のユーザデータビットレート（ＵＤＢＲ）又は、４ １Ｍビット毎秒のデータビットレート（ＤＢＲ）に対応する。ＵＤＢＲはＤＢＲ のオーバーヘッドを、即ち、アドレス符号と誤り訂正に使用するデータを補正し たものである。 高いＵＤＢＲ値は、短いＣＥＴが必要である。即ち、５０Ｍビッ ト毎秒のＵＤＢＲ値には、２０ｎｓのＣＥＴが必要である。しかし、そのような 短いＣＥＴ地は実際上達成するのが困難である。発明の概要 本発明の目的は、とりわけ、ＣＥＴを下げる必要の無い、例えば５０Ｍビット 毎秒の、３５Ｍビット毎秒以上のＵＤＢＲを有する、例えば、ＤＶＤ−ＲＡＭ、 ＤＶＤ−リライタブル、ＤＶＲ（ディジタルビデオレコーダ）及び、光学式テー プ等の、高速光記録に適したリライタブル光情報媒体を提供することである。高 速記録とは、ここでは、少なくとも７．２ｍ／ｓの、例えばコンパクトディスク 規格による速度の１５倍の１８．３ｍ／ｓの、レーザ光ビームに対する媒体の線 速度を意味すると理解される。媒体のジッタは、低く、一定レベルなけらばなら ない。さらに、媒体は、多くの繰返し回数（サイクル能力、ｃｙｃｌａｂｉｌｉ ｔｙ）を持たねばならない。 これらの目的は、本発明に従って、結晶状態の記録層に吸収されるレーザ光の 量はアモルファス状態のときよりも大きい、第２のカーバイド層と金属ミラー層 及び／又は第２の誘電体層の間に配置された光吸収層とを有する、前文に記載さ れた光学的情報媒体により達成される。従来技術に記載された光記録媒体では、 ＩＰＩＭスタックを有する。結晶状態（Ａ_c）での記録層に吸収されるレーザ光 の量は、アモルファス状態（Ａ_a）よりも小さい。光吸収層がスタックに追加さ れたときには、Ａ_cはＡ_aよりも高く、高データレートか達成されることがわかる 。Ａ_c＞Ａ_aの場合には、記録層が、所定のパルス継続時間（休止時間）を有する レーザ光で照射を受けた時に、記録層の結晶部分は、アモルファスマークよりも 高い温度に熱せられる。アモルファスマークを消去するには、少なくともＣＥＴ 値の時間ｔの間、温度は結晶化温度Ｔ_x以上に維持されねばならない。結晶化バ ックグランドは、消去されるアモルファスマーク よりも温度が高くなるため、熱は、マークに広がり、この結果、マークは低レー トで冷やされ（低冷却ディスク構造）、長い間Ｔ_x以上なっている。低冷却ディ スク構造により、同じ休止時間を使用して、アモルファスマークは、ＣＥＴと等 しいかそれ以上の時間ｔの間、温度Ｔ_x以上にあることができる。本発明の光吸 収層を有するディスク構造で、ＣＥＴを下げること無く、高データレートが達成 できる。特に、Ａ_cがＡ_aよりも低いスタックでは、高速冷却ディスク構造、即ち 、結晶化バックグランドは、アモルファスマークよりも低い温度を有することと なる。熱は、マークから結晶化バックグランドに伝わる。同じ休止時間とパワー では、マークがＴ_x以上である期間ｔはＣＥＴより短く、アモルファスマークは 完全には消去されない。 本発明の光情報媒体は次の構造を有する。Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺ＡＭ（図２）又は、Ｉ₁ Ｉ⁺ＰＩ⁺ＡＩ₂（図３）、ここでＡは光吸収層、及び、Ｉ₁とＩ₂、Ｉ⁺、Ｐ、Ｍは 前述の意味を有する。構造は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺Ｉ₂ＡＭ（図５）又は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺ ＡＩ₂Ｍ（図１）のように、第２の誘電体層Ｉ₂とＭがあることが好ましい。後者 の構造では、第２の誘電体層Ｉ₂はＡとＭの間の合金化を防ぐ。 スタックには、光吸収層と第２のカーバイド層の間に第３の誘電体層Ｉ₃が配 置されているのが好ましい。そのような第３の誘電体層は、スタックの熱特性を 最適化し、第２のカーバイド層と光吸収層との間の合金化を防ぐ。これらのスタ ックは、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺Ｉ₃ＡＩ₂Ｍ（図４）及び、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺Ｉ₃ＡＩ₂（図６）の 構造を有する。 光吸収層の材料の好適な実施例は、０．５から２０のｎ／ｋ比を有し、好まし くは０．６から１６である。ここで、ｎは屈折率、ｋは消去係数である。これら の値は、吸収と透過の適切なバランスを与える。これらの条件を満たす材料の例 は、Ｍｏ，Ｗ，Ｐｄ，Ｐｔ ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｔｉ及び、Ｈｆを有する群から選択された金 属及び、ＰｂＳ，Ｇｅ，ＩｎＰ及び、Ｓｉを有する群から選択された半導体材料 であり、これらは案化で簡単に適用できる。 記録層の両側の第１及び、第２のカーバイド層は、高いエンタルピーの構成を 有する透明材料で作られる。高いエンタルピーの構成は、材料を非常に安定にし 、それにより、高書きこみ温度で分解しない。記録媒体のスタックは、サイクル 能力を制限する熱衝撃、即ち、書き込み中の突然の温度上昇及び、温度下降を受 ける。特に、記録層に隣接する誘電体層の高温での化学的分解及び、記録層への 原子の拡散は、記録層に影響を及ぼし、書きこみマークの質の劣化を起こす。こ の問題は、記録層に隣接する層がカーバイド層の時に緩和される。カーバイド層 は、このように、高いサイクル能力を提供する。さらに、カーバイド層は、記録 層の高結晶化速度を生じ、一方、レーザビームの書きこみパワーを相対的に低い レベルに保持する。カーバイド層は、他の材料の誘電体層、ここでは第１の誘電 体層と結合されねばならない。記録層と基板の間に、単層のカーバイドを有する スタックは望ましい熱特性を実現できないからである。 カーバイド層のカーバイドは、短い結晶化時間と高いサイクル能力に結合する 、ＳｉＣ，ＺｒＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ、ＷＣの群から選択されることが好ましい。 光学的、器械的及び、熱的特性、更に価格が相対的に低いために、ＳｉＣは、好 ましい材料である。 第１、第２及び、第３の誘電体層は、例えば、（ＺｎＳ）₈₀（Ｓｉｏ₂）₂₀の ような、ＺｎＳ及び、ＳｉＯ₂の混合物で作られるのが好ましい。層は、ＳｉＯ₂ 、ＴｉＯ₂、ＺｎＳ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ及び、Ｔａ₂Ｏ₅でも作られる。 ミラー層に関しては、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐ ｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ及び、Ｃｒ及び、これらの金属 の合金が使用できる。好ましい合金の例はＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ及び、ＡｌＴａで ある。 記録層は、ＧｅＳｂＴｅ化合物を有するのが好ましい。特に、出願人により出 願された国際特許出願ＷＯ９７／５００８４（ＰＨＮ１５８８１）に記載された 化合物が有益である。これらの化合物は、式により、原子の割合で画定される組 成を有する。 ４４。これらの組成は三角Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ組成図で化合物ＧｅＴｅ及び、Ｓｂ₂ Ｔｅ₃と結合した線上に位置しており、化学式通りの化合物Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅（ ｘ＝０．４４５）、ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄（ｘ＝０．２８６）及び、ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇（ ｘ＝０．１６６）を含む。これらの化合物は低ＣＥＴ値を示す。 他の好ましい化合物は、出願人による出願の未発行欧州特許出願番号９７２０ ３４５９．９（ＰＨＮ１６５８６）に記載されている。これらの化合物は、３つ の組成図Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの領域により原子の割合が画定された組成を有する。 前記領域は、五角形の形で、以下の頂点を有する。 Ｇｅ_14.2Ｓｂ_25.8Ｔｅ_60.0 （Ｐ） Ｇｅ_12.7Ｓｂ_27.3Ｔｅ_60.0 （Ｑ） Ｇｅ_13.4Ｓｂ_29.2Ｔｅ_57.4 （Ｒ） Ｇｅ_15.1Ｓｂ_27.8Ｔｅ_57.1 （Ｓ） Ｇｅ_13.2Ｓｂ_26.4Ｔｅ_60.4 （Ｔ） これらの化合物で、５０ｎｓ以下のＣＥＴ値が達成できる。 他の化合物は、組成（ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄）_1-xＴｅ_x, 組成は、３つの組成図の中で、ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄及び、Ｔｅに結合される結合線上 であるがしかし、五角形領域ＰＱＲＳＴ内に、位置している。これらの組成で、 ４５ｎｓより小さいＣＥＴ値が得られる。 ３．５％までの酸素が上述のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物に加えられたときに、更 に低ＣＥＴ値が達成される。 上述のＧｅＳｂＴｅ化合物の結晶化速度又は、ＣＥＴ値は記録層の層の厚さに 依存する。完全な消去時間ＣＥＴは、結晶環境中で書きこまれたマークの完全な 結晶化のための消去レーザパルスの最小継続時間として定義される。ＣＥＴは層 の厚さが１０ｎｍまで増加すると、急速に減少する。記録層が２５ｎｍよりも薄 い場合には、ＣＥＴは基本的に厚さと独立である。３５ｎｍ以上であると、媒体 のサイクル能力は悪影響を受ける。媒体のサイクル能力は、例えば、１０⁵の大 きな数のＤＯＷサイクル後の光学的コントラストの相対的変化により測定される 。各サイクルで、書きこまれたアモルファスビットはレーザ光ビームで熱せられ 再結晶化することにより消去され、一方新しいアモルファスマークが書きこまれ る。理想的な場合には、サイクル後に光学的コントラストは変化しない。サイク ル能力は、実際には、３５ｎｍの記録層の厚さまでは一定に上昇する。ＣＥＴと サイクル能力に関する結合した要求の結果、記録層の厚さは、１０から３５ｎｍ の間にすべきであり、更には２５から３５ｎｍの間が好ましい。２５から３５ｎ ｍの厚さの記録層を有する媒体は、最初の１０⁵のＤＯＷサイクルの間は、一定 のジッタを有する。記録層の両側にカーバイド層があると、ＣＥＴの厚さ依存は 、薄い層へ移動する。ＣＥＴの飽和値は、２５から３０ｎｓへと移動する。 基板と記録層の距離は、７０から[７０＋λ／（２ｎ）]ｎｍの間が好ましい。 ここでλはレーザ光ビームの波長であり、ｎは基板と記録層の間の層の等価屈折 率である。等価屈折率は誘電体層が異なった屈折率を有する場合に使用される。 距離は、基板と記録層の間の誘電体層の合計の厚さと等しく、第１の誘電体層と 第１のカーバイド層の厚さを含む。距離が７０ｎｍよりも小さい場合には、サイ クル能力は非常に減少する。７０＋λ／（２ｎ）ｎｍ以上の距離 の場合には、更にサイクル能力は増加せず光学的コントラストに悪影響を及ぼし 、また、作るのが高価である。例えば、波長が６３０ｎｍと等しく、反射率が１ ．５の場合には、厚さの範囲は７０ｎｍから２８０ｎｍへ伸びる。 記録層と金属ミラー層の間の距離は少なくとも２０ｎｍである。この距離は、 記録層と金属ミラー層の間の誘電体層の合計の厚さと等しく、第２カーバイド層 、第２誘電体層、（もしあれば）第３誘電体層、そして光吸収層の厚さを含む。 この距離が短すぎると、記録層と金属ミラー層の間の熱遮断は悪影響をする。こ の結果、記録層の冷却率は上昇し、従って、好ましくない書きこみパワーの増加 が起こる。冷却率はこの距離を増加すると減少する。 光吸収と透過の適切なバランスを得るために、光記録層の厚さは５から１００ ｎｍの間であり、選択された材料のｎ／ｋ比に依存する。例えは、Ｓｉに対して は厚さは約６５ｎｍ、一方ＷとＭｏに対しては厚さは約４０ｎｍである。 第１と第２のカーバイド層の厚さは２から８ｎｍの間が好ましい。比較的高熱 伝導率のカーバイドは、この厚さが小さい場合には、スタックに小さな効果を有 する。それにより、スタックの熱設計を容易にする。サイクル能力へのカーバイ ド層の有利な効果は、その厚さ範囲内で維持される。 カーバイド層と誘電体層の両反射ミラー層は、蒸着又は、スパッタにより設け られる。 情報媒体の基板は、少なくともレーザの波長を透過でき、例えば、ポリカーボ ネート、ポリメチルメチアクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィ ン又は、ガラスで作られる。典型的な例では、基板はディスク状で直径１２０ｍ ｍで厚さ０．１，０．６又は、１．２ｍｍである。０．６又は、１．２ｍｍの基 板が使用されたとき、基板上に、第１誘電体層、第１カーバイド層、記録層等か ら始まる層が与えられる。レーザ光ビームは、基板の入力面からス タックに入る。基板上のスタックの層は、逆に、即ち金属ミラー層から始まって も与えられる。最後の誘電体層には、厚さ０．１ｍｍの、上述の基板材料の１つ からの透明層か設けられる。レーザ光ビームは、この透明層の入力面からスタッ クに入る。 代わりに、基板は、例えば、ポリエステルフィルムで作られた合成のレジンフ レキシブルテープの形でもよい。このように、例えば、高速に回転する多角形に 基づいた、光学式テープレコーダに使用する光学テープが得られる。そのような 装置では、反射されたレーザ光ビームは、テープ面を横切り走査する。 記録層側のディスク状基板面には、光学的に走査できるサーボトラックが設け られているのが好ましい。このサーボトラックは、しばしば、螺旋形の溝により 構成され、注入モールドの型やプレスで、基板上に形成される。この溝は、基板 に別々に設けられている、例えば、アクリル酸塩の紫外光固化層の合成レジン層 に転写処理で交互に形成される。高密度記録では、そのような溝は、０．５から ０．８μｍのピッチで幅がピッチの約半分である。 随意に、スタックの最外の層は、例えば、紫外硬化ポリ（メチ）アクリル酸塩 の保護層で環境から保護されている。 高密度記録及び、消去は、例えば、波長６７５ｎｍ又は、それ以下の（赤から 青の）短波長レーザを用いて達成され得る。 相変化記録層は、基板上に、真空堆積、電子ビーム真空堆積、科学雰囲気堆積 、イオン注入又は、スパッタにより加えられる。堆積された層は、アモルファス で、低反射率を示す。高反射率の好適な記録層を構成するために、この層は、最 初に完全に結晶化されなければならない。これを、初期化と呼ぶ。このために、 記録層は、炉中でＧＳｂＴｅ化合物の結晶化温度以上の温度、例えば、１８０℃ に熱せられる。ポリカーボネートなどの、合成レジン基板は、かわりに、十分な パワーのレーザ光ビームで熱せられる。これは、例えば、レコーダで、実現され る。その場合には、レーザ光ビームは、 移動する記録層を走査する。アモルファス層は、基板が熱負荷の悪影響を受けな いで、層を結晶化するのに必要な温度に局部的に熱せられる。図面の簡単な説明 本発明は、図に記載された実施例を参照して、さらに詳細に説明される。 図１は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺ＡＩ₂Ｍ構造のスタックを有する本発明に従った光情報媒 体の断面図を示す図である。 図２は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺ＡＭ構造のスタックを有する本発明に従った光情報媒体 の断面図を示す図である。 図３は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺ＡＩ₂構造のスタックを有する本発明に従った光情報媒体 の断面図を示す図である。 図４は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺Ｉ₃ＡＩ₂Ｍ構造のスタックを有する本発明に従った光情 報媒体の断面図を示す図である。 図５は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺Ｉ₂ＡＭ構造のスタックを有する本発明に従った光情報媒 体の断面図を示す図である。 図６は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺Ｉ₃ＡＩ₂構造のスタックを有する本発明に従った光情報 媒体の断面図を示す図である。発明の詳細な記載 実施例１． 図１は、本発明に従った光情報媒体の断面図の部分を示す図である。参照番号 １は、直径１２０ｍｍで厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートのディスク状基板を 示す。基板１には、以下の構造のＩ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺ＡＩ₂Ｍのスタック２が設けられる 。 −厚さ２２５ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀の第１の誘電体層３（Ｉ₁）、 −厚さ５ｎｍの第１のシリコンカーバイド層４（Ｉ⁺）、 −厚さ２７ｎｍのＧｅＳｂＴｅ合金の記録層５（Ｐ）、 −厚さ５ｎｍの第２のカーバイド層６（Ｉ⁺）、 −厚さ６５ｎｍのシリコン（Ｓｉ）の光吸収層７（Ａ）、 −厚さ２０ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀の第２の誘電体層８（Ｉ₂）、 −厚さ１００ｎｍのＡ１の金属ミラー層９（Ｍ）。 全ての層はスパッタで形成される。記録層５の組成は、原子割合で、Ｇｅ_{13.7 5} Ｓｂ_27.40Ｔｅ_58.85である。 記録層５の初期結晶状態は、レコーダの中で、合焦されたレーザビームで堆積 されたアモルファス合金を熱することで得られる。 記録、再生、消去のレーザ光ビームは、基板１を介してスタック２に入射する 。このビームは、矢印１０で示されている。アモルファスマークは、パワーＰ_w ＝１．２５Ｐ_m（Ｐ_m＝溶融しきい値パワー）の継続時間１００ｎｓの単一レーザ パルスで書きこまれる。消去パワーはＰ_w／２である。 スタック２の記録層５のＣＥＴ値は、約２８ｎｓであり、これは、光吸収層７ が無いスタックと等しい。ユーザデータビットレート（ＵＤＢＲ）は、５０Ｍビ ット毎秒（データビットレートＤＢＲは、６１Ｍビット毎秒）であり、一方、光 吸収層７が無いスタックＵＤＢＲは、３５Ｍビット毎秒（ＤＢＲは、４１Ｍビッ ト毎秒）である。光吸収層７の追加で、スタックが低冷却構造となり、高データ ビットレートが達成され、一方ＣＥＴは変わらない。 媒体の劣化が顕著となる前のオーバーライトサイクル数（即ちサイクル能力） は、１．２×１０⁵である。サイクル能力は、再書き込みサイクルの数として測 定され、ここで、ジッタは、クロック時間Ｔｃの１２％増加した。即ち、ＣＤ速 度（１．２ｍ／ｓ、クロック時間２３０ｎｓ）で２８ｎｓである。ジッタは、情 報信号と情報信号から再生されたクロックの中の、立ち上りと立下りエッジの間 の差の標準偏差である。 ６１Ｍビット毎秒のＤＢＲ（５０Ｍビット毎秒のＵＤＢＲ）と、０．３μｍの チャネルビット長で、レーザビームと媒体の、１８．３ｍ／ｓ即ち、１．３ｍ／ ｓのＣＤの１５倍のの相対線速度が可能である。 実施例２から６． 本発明による記録媒体の他の実施例を図２から図６に示す。これらの図では、 参照番号は第１の実施例の図１同じ意味を有する。 図２は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺ＡＭ構造のスタックを有する媒体を示し、これは、第２ の誘電体層８（Ｉ₂）が除かれた点で図１と異なる。このスタックは、光吸収層 ７の材料がＭｏやＷのような高融点を有するときに使用できる。 図３は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺ＡＩ₂構造のスタックを有する媒体を示し、これは、金属 ミラー層９（Ｍ）が除かれた点で図１と異なる。このスタックは、光吸収層７（ Ａ）が小さなｋ値を有する材料のときに使用できる。 図４は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺Ｉ₃ＡＩ₂Ｍ構造のスタックを有する媒体を示し、これは 、第３の誘電体層１１（Ｉ₃）が第２のカーバイド層６（Ｉ⁺）と光吸収層７（Ａ ）の間に配置された点で図１と異なる。 図５は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺Ｉ₂ＡＭ構造のスタックを有する媒体を示し、これは、光 吸収層７（Ａ）と第２の誘電体層８（Ｉ₂）の順序が逆にされた点で図１と異な る。 図６は、Ｉ₁Ｉ⁺ＰＩ⁺Ｉ₃ＡＩ₂構造のスタックを有する媒体を示し、これは、 金属ミラー層９（Ｍ）が除かれた点で図４と異なる。 本発明によれば、ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＲ又は、光学テープ等の直接オーバー ライト及び、高速記録に適し、サイクル能力に優れ、７．２ｍ／ｓ以上の線速度 でジッタの低い、リライタブル相変化光 情報媒体が提供される。５０Ｍビット毎秒のユーザビットレートが得られる。

【手続補正書】 【提出日】平成１２年１月１８日（２０００．１．１８） 【補正内容】 （１）明細書中、第１頁第１０行目の記載「消去」を「再書き込み」とする。 （２）同、第２頁第１５行目の記載「ＩＢ９７／０１５４４」を「ＷＯ９８／２ ８７３８」とする。 （３）同、第６頁第１４行目の記載「９７２０３４５９．９」を「ＷＯ９９／２ ４９７５」とする。 （４）請求の範囲を別紙の通りに補正する。 請求の範囲 １．第１又は、第２のカーバイド層を含む層のスタックを支える基板と、 カーバイド層の間に配置された、結晶状態のときにアモルファスビットを記録 できる相変化材料の記録層と、 基板と第１のカーバイド層の間に配置された第１の誘電体層と、 結晶状態の記録層に吸収されるレーザ光の量はアモルファス状態のときよりも 大きい、第２のカーバイド層と金属ミラー層及び／又は第２の誘電体層の間に配 置された光吸収層とを有する、レーザ光ビームによる再書き込み可能な記録のた めの光学的情報媒体。 ２．第２の誘電体層は、金属ミラー層と光吸収層の間に配置されたことを特徴と する請求項１記載の光学的情報媒体。 ３．第３の誘電体層は、光吸収層と第２のカーバイド層の間に配置されたことを 特徴とする請求項１或は２記載の光学的情報媒体。 ４．光吸収層は、Ｍｏ，Ｗ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｔｉ 及び、Ｈｆを有する群から選択された金属又は、ＰｂＳ，Ｇｅ，ＩｎＰ及び、Ｓ １を有する群から選択された半導体材料を含むことを特徴とする請求項１記載の 光学的情報媒体。 ５．光吸収層は、５から１００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１記 載の光学的情報媒体。 ６．カーバイド層のカーバイドは、ＳｉＣ，ＺｒＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ及び、ＷＣ を有する群から選択されることを特徴とする請求項１記載の光学的情報媒体。 ７．記録層は、ＧｅＳｂＴｅ化合物を有することを特徴とする請求項１記載の光 学的情報媒体。 ８．記録層は、１０から３５ｎｍの厚さを有し、好ましくは２５から３５ｎｍの 厚さであることを特徴とする請求項１記載の光学的情報媒体。 ９．基板と記録層の間の距離は、７０から[７０＋λ／（２ｎ）]ｎｍの間であり 、ここでλはレーザ光ビームの波長であり、ｎは基板と記録層の間の層の等価屈 折率であることを特徴とする請求項１記載の光学的情報媒体。 １０．記録層と金属ミラー層の間の距離は、少なくとも２０ｎｍであることを特 徴とする請求項１記載の光学的情報媒体。 １１．レーザ光ビームと媒体の間の相対速度は少なくとも７．２ｍ／ｓである、 高速記録のための、請求項１乃至１０のうちいずれか一項記載の光学的情報媒体 の使用。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．第１又は、第２のカーバイド層を含む層のスタックを支える基板と、 カーバイド層の間に配置された、結晶状態のときにアモルファスビットを記録 できる相変化材料の記録層と、 基板と第１のカーバイド層の間に配置された第１の誘電体層と、 結晶状態の記録層に吸収されるレーザ光の量はアモルファス状態のときよりも 大きい、第２のカーバイド層と金属ミラー層及び／又は第２の誘電体層の間に配 置された光吸収層とを有する、レーザ光ビームによる消去可能な記録のための光 学的情報媒体。 ２．第２の誘電体層は、金属ミラー層と光吸収層の間に配置されたことを特徴と する請求項１記載の光学的情報媒体。 ３．第３の誘電体層は、光吸収層と第２のカーバイド層の間に配置されたことを 特徴とする請求項１或は２記載の光学的情報媒体。 ４．光吸収層は、Ｍｏ，Ｗ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｔｉ 及び、Ｈｆを有する群から選択された金属又は、ＰｂＳ，Ｇｅ，ＩｎＰ及ひ、Ｓ ｉを有する群から選択された半導体材料を含むことを特徴とする請求項１記載の 光学的情報媒体。 ５．光吸収層は、５から１００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１記 載の光学的情報媒体。 ６．カーバイド層のカーバイドは、ＳｉＣ，ＺｒＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ及び、ＷＣ を有する群から選択されることを特徴とする請求項１記載の光学的情報媒体。 ７．記録層は、ＧｅＳｂＴｅ化合物を有することを特徴とする請求項１記載の光 学的情報媒体。 ８．記録層は、１０から３５ｎｍの厚さを有し、好ましくは２５から３５ｎｍの 厚さであることを特徴とする請求項１記載の光学的情報媒体。 ９．基板と記録層の間の距離は、７０から[７０＋λ／（２ｎ）]ｎｍの間であり 、ここでλはレーザ光ビームの波長であり、ｎは基板と記録層の間の層の等価屈 折率であることを特徴とする請求項１記載の光学的情報媒体。 １０．記録層と金属ミラー層の間の距離は、少なくとも２０ｎｍであることを特 徴とする請求項１記載の光学的情報媒体。 １１．レーザ光ビームと媒体の間の相対速度は少なくとも７．２ｍ／ｓである、 高速記録のための、請求項１乃至１０のうちいずれか一項記載の光学的情報媒体 の使用。